Keito Murata
;
Gyo Kitahara
;
Satoru Inoue
;
Toshiki Higashino
;
Satoshi Matsuoka
;
Shunto Arai
(National Institute for Materials Science)
;
Reiji Kumai
;
Tatsuo Hasegawa
(3.07 MB)
Collection
Citation
Description:
(abstract)ボトムゲート・ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ（TFT）において近年良好なスイッチング性能が報告されている。一方で、デバイス性能にはチャネル材料依存性があることがわかってきた。ここでは2つの異なる材料（Ph-BTBT系とPh-BTNT系）を用いて、さまざまな層数の単結晶有機半導体膜を作製した。それをチャネル層とした有機TFTの系統的な測定をもとに、有機半導体／金属／誘電体の三元界面の安定性が極めて重要な因子であることを明らかにした。
Rights:
Keyword: organic semiconductors, organic transistors, interface
Date published: 2024-02-02
Publisher: American Physical Society (APS)
Journal:
- Physical Review Applied (ISSN: 23317019) vol. 21 issue. 2 024005
Funding:
- Japan Science and Technology Agency JPMJCR18J2
- Photon Factory Program Advisory Committee 2020S2-001
- Japan Society for the Promotion of Science 21H04651
- Japan Society for the Promotion of Science 20H05867
- Japan Society for the Promotion of Science 20J10479
- Japan Society for the Promotion of Science 21K05209
- Japan Society for the Promotion of Science 21H05234
- Japan Society for the Promotion of Science 22H01933
- MEXT Leading Initiative for Excellent Young Researchers JPMXS0320220012
Manuscript type: Publisher's version (Version of record)
MDR DOI:
First published URL: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.21.024005
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Contact agent:
Updated at: 2024-08-10 08:30:15 +0900
Published on MDR: 2024-08-10 08:30:15 +0900
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