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Alternative title: Layered nitride thin films for orbital based magnetic memory

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(abstract)

窒化クロムCr2Nマキシン薄膜は，反応性スパッタリング法で成長可能な珍しい二次元物質である．また650℃程度まで窒素が脱離しない高い相安定性を有する．磁性膜との磁気メモリデバイスの作製に成功し，磁場フリー磁化反転の臨界電流密度が，従来のW/CoFeBデバイスに匹敵すること等の特性を見出した．本成果は，Cr2Nマキシンをプロトタイプとして，層状窒化物薄膜が広く軌道流型デバイス創成の基幹材料となる可能性を示唆する．

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Keyword: ナイトロスピニクス, マキシン, 軌道流, 磁気メモリ

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Conference: 第87回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム (2026-09-08 - 2026-09-11)

Funding:

• JSPS 23K22803
• JSPS 25K01275
• JST JPMJTR25T3
• 池谷科学技術振興財団 0371203-A
• 村田学術振興財団研究助成 M24AN110

Manuscript type: Not a journal article

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6511

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Updated at: 2026-09-11 08:38:49 +0900

Published on MDR: 2026-09-11 14:26:02 +0900