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引用

代替タイトル: Layered nitride thin films for orbital based magnetic memory

説明:

(abstract)

窒化クロムCr2Nマキシン薄膜は，反応性スパッタリング法で成長可能な珍しい二次元物質である．また650℃程度まで窒素が脱離しない高い相安定性を有する．磁性膜との磁気メモリデバイスの作製に成功し，磁場フリー磁化反転の臨界電流密度が，従来のW/CoFeBデバイスに匹敵すること等の特性を見出した．本成果は，Cr2Nマキシンをプロトタイプとして，層状窒化物薄膜が広く軌道流型デバイス創成の基幹材料となる可能性を示唆する．

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: ナイトロスピニクス, マキシン, 軌道流, 磁気メモリ

刊行年月日:

出版者:

掲載誌:

会議: 第87回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム (2026-09-08 - 2026-09-11)

研究助成金:

• JSPS 23K22803
• JSPS 25K01275
• JST JPMJTR25T3
• 池谷科学技術振興財団 0371203-A
• 村田学術振興財団研究助成 M24AN110

原稿種別: 論文以外のデータ

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.6511

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連絡先:

更新時刻: 2026-09-11 08:38:49 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-09-11 14:26:02 +0900