Article 水素終端リンドープダイヤモンド表面電気伝導を利用した pチャネル電界効果トランジスタ

廖 梅勇 SAMURAI ORCID (電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構) ; 趙 文 (電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構) ; 小泉 聡 SAMURAI ORCID (電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構)

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廖 梅勇, 趙 文, 小泉 聡. 水素終端リンドープダイヤモンド表面電気伝導を利用した pチャネル電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. 2025, 41 (2), . https://doi.org/10.48505/nims.5630

Description:

(abstract)

本稿では、水素終端されたリンドープダイヤモンド表面の二次元正孔ガスを利用したpチャネルMOSFET (金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ) の形成に関して報告する。

Rights:

Keyword: diamond, transistor

Date published: 2025-04-25

Publisher: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

  • NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 41 issue. 2

Funding:

Manuscript type: Author's version (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5630

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-157.html

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Updated at: 2025-08-18 12:30:23 +0900

Published on MDR: 2025-08-18 12:20:44 +0900

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