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コレクション

引用

説明:

本稿では、水素終端されたリンドープダイヤモンド表面の二次元正孔ガスを利用したpチャネルMOSFET (金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ) の形成に関して報告する。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: diamond, transistor

刊行年月日: 2025-04-25

出版者: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

掲載誌:

• NEW DIAMOND (ISSN: 13404792) vol. 41 issue. 2

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5630

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-157.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2025-08-18 12:30:23 +0900

MDRでの公開時刻: 2025-08-18 12:20:44 +0900