森垣 和夫
(東京大学物性研究所)
;
新倉 ちさと
(高分子・バイオ材料研究センター/高分子材料分野/プリンテッドエレクトロニクスグループ, 物質・材料研究機構
)
;
荻原 千聡
(山口大学)
;
武田 侯政
(東海大学)
Collection
Citation
Alternative title: Photoinduced structural change in hydrogenated amorphous silicon
Description:
(abstract)強力なパルスレーザー光照射による水素化アモルファスシリコンの光誘起構造変化を、ダングリングボンド欠陥の生成と準安定自由水素原子の生成の観点から考察した。また、赤外吸収スペクトルの光照射効果からの光誘起構造変化についても考察を行った。
Rights:
Keyword: アモルファスシリコン, 欠陥, 電子スピン共鳴, 赤外吸収, 光誘起構造変化
Date published: 2024-09-15
Publisher: アグネ技術センター
Journal:
- 固体物理 (ISSN: 04544544) vol. 59 issue. ９
Funding:
Manuscript type: Publisher's version (Version of record)
MDR DOI:
First published URL: https://www.agne.co.jp/kotaibutsuri/kota1059.htm
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Updated at: 2025-09-15 08:30:19 +0900
Published on MDR: 2025-09-15 08:23:41 +0900
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個体物理59巻9号p13_17.pdf
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