森垣 和夫
(東京大学物性研究所)
;
新倉 ちさと
(高分子・バイオ材料研究センター/高分子材料分野/プリンテッドエレクトロニクスグループ, 物質・材料研究機構
)
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荻原 千聡
(山口大学)
;
武田 侯政
(東海大学)
コレクション
引用
代替タイトル: Photoinduced structural change in hydrogenated amorphous silicon
説明:
(abstract)強力なパルスレーザー光照射による水素化アモルファスシリコンの光誘起構造変化を、ダングリングボンド欠陥の生成と準安定自由水素原子の生成の観点から考察した。また、赤外吸収スペクトルの光照射効果からの光誘起構造変化についても考察を行った。
権利情報:
キーワード: アモルファスシリコン, 欠陥, 電子スピン共鳴, 赤外吸収, 光誘起構造変化
刊行年月日: 2024-09-15
出版者: アグネ技術センター
掲載誌:
- 固体物理 (ISSN: 04544544) vol. 59 issue. ９
研究助成金:
原稿種別: 出版者版 (Version of record)
MDR DOI:
公開URL: https://www.agne.co.jp/kotaibutsuri/kota1059.htm
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2025-09-15 08:30:19 +0900
MDRでの公開時刻: 2025-09-15 08:23:41 +0900
| ファイル名 | サイズ | |||
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| ファイル名 |
個体物理59巻9号p13_17.pdf
(サムネイル)
application/pdf |
サイズ | 853KB | 詳細 |