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引用

説明:

We report on the impact of impurity doping on device performance enhancement of silicon quantum dot (SiQD) light-emitting diode. The increase in hole mobility resulting from boron doping increases the external quantum efficiency of electroluminescence by a factor of 12 and the optical power density by a factor of 2.65.

権利情報:

• cc-by-3.0
  

キーワード: Silicon quantum dots, doping, light-emitting diodes, electroluminescence, carrier mobility, boron doping

刊行年月日: 2025-07-08

出版者: Royal Society of Chemistry (RSC)

掲載誌:

• Nanoscale Advances (ISSN: 1364548X) vol. 7 p. 4837-4841

研究助成金:

• Hosokawa Powder Technology Foundation HPTF24111 (光デバイス素子活性層を構成するナノ粒子の成膜法開発)
• Japan Society for the Promotion of Science 24K01462 (コヒーレント構造の概念を拡張した新しい半導体量子ドット創製とデバイス化への展開)
• Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology JPMXP1225NM5200 (ナノ粒子の構造分析と特性評価)
• Japan Society for the Promotion of Science 24K21720 (近赤外励起アップコンバージョン量子ドットの開発と医療応用)
• Japan Society for the Promotion of Science 23KJ2166 (フォトニック構造を有するカーボンドット光デバイスの創製)

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1039/d5na00349k

関連資料:

その他の識別子:

連絡先: 白幡直人 (物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター) SHIRAHATA.Naoto@nims.go.jp

更新時刻: 2025-08-06 16:30:35 +0900

MDRでの公開時刻: 2025-08-06 16:18:57 +0900