Article Binding energy calibration for diamond with Au4f during the XPS measurement

劉 江偉 SAMURAI ORCID (Research Center for Electronic and Optical Materials/Functional Materials Field/Next-generation Semiconductor Group, National Institute for Materials Science) ; 寺地 徳之 SAMURAI ORCID (Research Center for Electronic and Optical Materials/Optical Materials Field/Semiconductor Defect Design Group, National Institute for Materials Science) ; 達 博 SAMURAI ORCID (Center for Basic Research on Materials/Advanced Materials Characterization Field/Quantum Beam Diffraction Group, National Institute for Materials Science) ; 小出 康夫 SAMURAI ORCID (Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science)

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劉 江偉, 寺地 徳之, 達 博, 小出 康夫. Binding energy calibration for diamond with Au4f during the XPS measurement. New diamond. , 41 (2), 33-35. https://jndf.org/katsudo/kaishi/saishingo.html

Alternative title: ダイヤモンドの結合エネルギーのXPS評価におけるAu 4fを用いた補正

Description:

(abstract)

X線光電子分光法を用いた表面バンドベンディング評価では材料表面の炭素汚染に由来するC 1sピーク（284.8 eV）を使って補正されるが、ダイヤモンド表面の場合ダイヤモンドからもC 1sピークが現れるためダイヤモンドの結合エネルギーをすることはできない。その結果、正確な結合エネルギーの測定が難しく、酸化物/ダイヤモンドヘテロ接合における界面バンドベンディングを決定するのも困難であった。本研究では、ホウ素ドープダイヤモンドに金のネットマスクを取り付けてチャージアップ効果を抑え、標準的なAu 4fピーク（83.96 eV）を用いることにより、結合エネルギーを補正した。このアプローチにより、Al2O3/ダイヤモンドヘテロ接合の界面バンドベンディングを可視化することに成功した。

Rights:

Keyword: diamond

Date published: [2025年4月]

Publisher: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

  • New diamond (ISSN: 13404792) vol. 41 issue. 2 p. 33-35

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Manuscript type: Publisher's version (Version of record)

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First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/saishingo.html

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Updated at: 2025-05-07 16:30:15 +0900

Published on MDR: 2025-05-07 16:19:54 +0900

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