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Alternative title: ダイヤモンドの結合エネルギーのXPS評価におけるAu 4fを用いた補正

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X線光電子分光法を用いた表面バンドベンディング評価では材料表面の炭素汚染に由来するC 1sピーク（284.8 eV）を使って補正されるが、ダイヤモンド表面の場合ダイヤモンドからもC 1sピークが現れるためダイヤモンドの結合エネルギーをすることはできない。その結果、正確な結合エネルギーの測定が難しく、酸化物/ダイヤモンドヘテロ接合における界面バンドベンディングを決定するのも困難であった。本研究では、ホウ素ドープダイヤモンドに金のネットマスクを取り付けてチャージアップ効果を抑え、標準的なAu 4fピーク（83.96 eV）を用いることにより、結合エネルギーを補正した。このアプローチにより、Al2O3/ダイヤモンドヘテロ接合の界面バンドベンディングを可視化することに成功した。

Rights:

• In Copyright
  

Keyword: diamond

Date published: [2025年4月]

Publisher: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

• New diamond (ISSN: 13404792) vol. 41 issue. 2 p. 33-35

Funding:

Manuscript type: Publisher's version (Version of record)

MDR DOI:

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/saishingo.html

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Updated at: 2025-05-07 16:30:15 +0900

Published on MDR: 2025-05-07 16:19:54 +0900