Report nチャネルダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ
廖 梅勇 (author) (Search by this author)
ORCID https://orcid.org/0000-0003-1361-4266
電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構
SAMURAI NIMS Researchers Directory SAMURAI
ORCID SAMURAI ;
小泉 聡 (author) (Search by this author)
ORCID https://orcid.org/0000-0003-4961-5658
電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構
SAMURAI NIMS Researchers Directory SAMURAI
ORCID SAMURAI
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Citation
廖 梅勇, 小泉 聡. nチャネルダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ. https://doi.org/10.48505/nims.5122
SAMURAI

Description:

(abstract)

本研究では、高品質単結晶n型ダイヤモンド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFETの形成に成功したので紹介する。

Rights:

Keyword: Diamond, n-type, transistor

Date published: 2024-07-25

Publisher: 一般社団法人 ニューダイヤモンドフォーラム

Journal:

  • 会誌 NEW DIAMOND vol. 40 issue. 3 p. 28-29

Funding:

Manuscript type: Author's version (Submitted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5122

First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-154.html

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Updated at: 2024-12-10 16:55:19 +0900

Published on MDR: 2024-12-10 16:55:19 +0900

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