廖 梅勇
(電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構)
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小泉 聡
(電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ, 物質・材料研究機構)
Description:
(abstract)本研究では、高品質単結晶n型ダイヤモンド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFETの形成に成功したので紹介する。
Rights:
Keyword: Diamond, n-type, transistor
Date published: 2024-07-25
Publisher: 一般社団法人 ニューダイヤモンドフォーラム
Journal:
Funding:
Manuscript type: Author's version (Submitted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5122
First published URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-154.html
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Updated at: 2024-12-10 16:55:19 +0900
Published on MDR: 2024-12-10 16:55:19 +0900
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ダイヤモンド MOSFET 20240313sk 0422.doc
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