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コレクション

引用

説明:

本研究では、高品質単結晶ｎ型ダイヤモンド半導体成長技術をベースに、n型チャネルダイヤモンドMOSFETの形成に成功したので紹介する。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: Diamond, n-type, transistor

刊行年月日: 2024-07-25

出版者: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

掲載誌:

• 会誌 NEW DIAMOND vol. 40 issue. 3 p. 28-29

研究助成金:

原稿種別: 査読前原稿 (Author's original)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5122

公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-154.html

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-12-10 16:55:19 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-12-10 16:55:19 +0900