Theoretical Study on Magnetic Tunneling Junctions with Semiconductor Barriers CuInSe<sub>2</sub> and CuGaSe<sub>2</sub> Including a Detailed Analysis of Band-Resolved Transmittances - MDR: NIMS Materials Data Repository

論文 Theoretical Study on Magnetic Tunneling Junctions with Semiconductor Barriers CuInSe₂ and CuGaSe₂ Including a Detailed Analysis of Band-Resolved Transmittances

K. Masuda (National Institute for Materials Science) ; Y. Miura (National Institute for Materials Science)

42_1803R006.pdf

Download file (936KB)
Download as zip (930KB)

コレクション

引用

K. Masuda, Y. Miura. Theoretical Study on Magnetic Tunneling Junctions with Semiconductor Barriers CuInSe₂ and CuGaSe₂ Including a Detailed Analysis of Band-Resolved Transmittances. Journal of the Magnetics Society of Japan. 2018, 42 (2), 37-40. https://doi.org/10.3379/msjmag.1803r006

説明:

(abstract)

2つの半導体バリアを持つ磁気トンネル接合（Fe/CuInSe2/Fe及びFe/CuGaSe2/Fe）の磁気伝導特性に関し、第一原理計算に基づく詳細な解析を行った。本論文ではその結果について議論を行った。

権利情報:

Creative Commons BY Attribution 4.0 International

キーワード: Tunnel magnetoresistance, Magnetic tunnel junction, semiconductor, Spintronics

刊行年月日: 2018-02-08

出版者: The Magnetics Society of Japan

掲載誌:

Journal of the Magnetics Society of Japan (ISSN: 18822932) vol. 42 issue. 2 p. 37-40

研究助成金:

Japan Society for the Promotion of Science 16H06332
Japan Society for the Promotion of Science 16H03852
Japan Science and Technology Agency 2014-PM04-17-01

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.3379/msjmag.1803r006

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-04-11 14:48:54 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-04-11 12:30:20 +0900

ファイル名	サイズ
ファイル名	42_1803R006.pdf (サムネイル) application/pdf	サイズ	936KB	詳細