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コレクション

引用

説明:

本稿では，固体電解質界面におけるイオンと電子のダイナミクスを利用した神経模倣デバイス，イオンゲーティングリザバー（IGR）について概説する．IGRは，電気二重層の充放電，界面吸着などの界面状態の時間発展を物理リザバーとして用い，入力信号を高次元状態へ変換する．従来の電気化学系神経模倣デバイスが静的な抵抗値を情報として扱うのに対し，IGRは界面ダイナミクスを計算資源とする点に新規性がある．カオスの縁学習，超広帯域応答，振動センサ信号処理の実例を通じて，前処理や計算負荷を抑えたエッジAIに向けた可能性を示す．

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: reservoir computingervoir, iontronics, electric double layer transistor, ion-gating reservoir

刊行年月日: 2026-09-05

出版者: The Electrochemical Society of Japan

掲載誌:

• 電気化学 (ISSN: 24333263) vol. 94 issue. 3 p. 252-257

研究助成金:

原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.8631

公開URL: https://doi.org/10.5796/denkikagaku.26-fe0301

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その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2026-09-30 17:01:54 +0900

MDRでの公開時刻: 2026-09-30 18:44:32 +0900