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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第61号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/7a656136-1258-423e-a6c8-09f7dd4982da)

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無機材研ニュース第61号~i O ~, ~, E O ,~ ~, O = = O ~: O = ID O ,~ Q) O~ COo O ,~ = ,~ = O ~: ,D O = ID Q) ID = ,U ~ O ,U Q) Q) O ~, ID Q) ~, O ~, COQ) E Q) :!:: ~ ~ ~2._ Cl) ~ Z ,~ O Q) CO= Q) ~ H ~~6 1~~ B~~D55~~ 2 ~] (~~~~-'-.*.= ~~1L ~ ffl ~ ~ f* ~~ ~~,!~7~~~~H~i ~ ~~~ '*~+ ~ - ~f ~ ;~f~'~'+ * f~~~!~I- J~ ~ P G S O r*~H'*<~~1'~*'~**~ ,*""" , ~ ~~i:~f~Til~~)ta)1~~) ~. ~tL~f~~it~f~~~~~f~1~~~T j~. InSb, Si f~~ ~~)~~;f~~~~ IC~~ , It;,~2~~*~~~~I~, f~~)C~i~~* L~'L, ~~'=~~~-F~i:'>~>]~< , ~~f~-:~~~'=~~~~~T~)~"* ~~~:1:J;~~~~~~~~f~~v*, ~~d,~T~~~L~d~:'~~i+~.""~~~~;v*. F~ ~ ~**~~jJf~t~(T)~~, tATl~n~r~~~~'~:j~f~ < , ~d*]*f~~C'~) ~, ~ t _~x~FiJ~~~ < , ~~*1'~~d~:v~ ~ f~~ ~ ~)~lj ~~~ ~l) ~ ~ ~'~, ~~~'~f~f~~~i~~,._.~~~)')tL~C~Cv~~ ~i;I~~~~~^~LC[~ l"~~L~~. ~7f~~r~l~~~Ht-, ~~~~~~~"*L~~+, ~:-r~J, ~~~+'-~~ ~~,~)~~-~~~JiL~~, ~;~)~4 ~T~~/~1:/~ LC, )~f~~~Dlf a)~"~:~~~i~~IJ~~~~~, /~~,~7~~:f~~~~~~if~~ ~ ~ ~)~)~L~~v>~~ '~ ~~l:i~~*"I) ~ L* ~) . ~=~~~~~~~)~f~U~ LC Pb Ge3011 (PGO~~~) ~f J~(~Pb5(Ge3-.Si.)O11~~~"* (P G S O ~~~~*) ~~~/'~yl L J~~. PGO~'~**~j~ ~F~r"*~l~~~~:f~~~~~-~~f*~~p (C ) i:~~L, ~*~)~~"*.~~~r~~~~~)~~f, 177~C~J._~_1~[~, P~(C'3n) ~).+)f*"*.~~*i ~~~~~L ~~~'~~'=*'f~~f~:~ Pr*O(7) ~~~j~ , *T.**.~~ . 738~C ~, f~:_ < , {~~~-A"JI[~~~i~~~ ~~=~Lf~~f~~~.~~)~~ < , ~~=~~~~1~f~:_ v>a)1~, 4~~,,,.'~~:+~~~~ UC~t~i~~ ~C~ ~: I i:, ~~~~~a)~~~,,,~*~;~.tl~=~a)'I~~~i~~/~~=~~T~7l~~~'. U ;~. ~ ~~1~T G S i~ Triglicine sulfate (~)W';~*, p f~~~~,,,.=~~;{~'.~.'~' (Coulomb/ cm'K, ~;~91~"~~~tt~l~~~~l~Ps a)~'~~:f.~'<~.'~P=APs/AT), p/c~ i~f~:h~JI~~l~~~t~~~ (c~: f~~_~~~~~~~,.) ~/t p/ec~ I~i~~ rt~,'f*i~~f~~~'~~~) ~. ~i~~~,~'.~<a)~ ~l '/ ~~~ 7'~~~~~i~' ( f ) h~f~v~ ~ ~ ;~1~f~~lt ~)~~""/*-~j~, p/ c p h~)~~ v~l~~'I~. _ ~~ ~ff~~;.~~~tL, f ~~~;v*~^~~-~1~f~ ~ ~~~"-/+* , p/ E c ~ h~~;v> I~ ~J~v* pGO~J~()~PGSOi~, ~tL~a)f~~~~~. T~ ~~~~)~~~(-s~l:+'JJ+~!;~~t ~ h', tL',~~i: J~ 1) IC I~f~~~*~~tLCv~ ~. ~~ I ~~~~lt~C~~~l~~~~~4~~t:~FFO)~t~~~t~~ P 　　’p／cp p／ε・6 R！焦電材料 ［C／㎝。Kl ［A・㎝／Wl ［A・・m／W1 ［V／Wlx1O■8 x1O■8 xlO■1oPb5Ge3011 2．O 0．98 2．2 2．OPb5Ge2Si01 6．5 3．2 O．94 3．4TGS 4 1．6 4．6 3．2LiT・03 2．3 0．73 1．3 ユ．5Rv h~ d =0.2mm, A=3.14~~, R=10MQ ~ O 4 f = 14Hz ~)~*ip~*i~ ~~,,,.~~;~'~',~di~,~~('~~~~~~/+*, ~~~a)H~)~~i~< t~/t~)i:, ~~~~=~~~:<~r~~2;,~i:^-~~~)~. (30,~m~~f~*) j*t~~ia)~~ )~~l~, )( ~ f~:i~:~+~~~~Xi~~;~mm~)J=*"_~~)!~i:~~f~~, L~~~fr L, ~~~:LC'~:~~~~t~. L~>L-~~ll'~ ~ ~ 1/ i7 ~l~ t;~L*~)~, ~~)~IJli~l~s~"~, ~)'~f~~)~~,f..-~, ~[]tL/t ~ t~~~~~,/+" ~~~~v~. ~(7)t;~~f,t;fi~, ~m,L,~)~i~~h~~2:,~i:../{~~~) l~, --~<a)A~P~~t~. ~(7)'k_~hL~~;~~It~a)i~, "As-gr0++'n )Z.I~ As-prepared a)!*~,~*~." ~~f'x*!:lr'_1). ~ tLl~, ~+"~"*~f'F~~~*/+_.*, ~~=~i~a)i~i~~~~'~.;~l:)~#~~, i'rT~~a)~..')1~, )(~* ~, ~f._-~~:t~'1~'fT~a)~V)~L*~ .+~{~ ~f~~C L~ #~~ ~V~ ~~~)~~~)~. ~ ~trLl~, !f,=*i *"*f~~1f*:~, h~lt~,~:,~:I~f~:< , ~i'AfL~f~i~~. ~~a)~JTUv*74T4 71 ~~~*1j<, PGO~PGSO ~)f'~~~~f~~~i~~~~~~ "~"~~~~;ff,rf"=~"**f~?~~" ~~~1'~,1 LJ~ ~ . ~ ~f ~-;~~',~t~J~~~i~~ J~ v* C )~~)~]~R~~Lt;, ( 550~C -600~) , 10-120hr) I]~~~lC, PGSOa)~~~~',+**~**~~~~+~~f'r~-~~~<*'it ~. (1) 　5P1〕0＋臼一一エ）Ge02＋兀Si02→Pb5Ge3＿エSiエ011（O≦兀≦1．5）　このPG　S0結晶粉末を金ルツボ中で80ト820℃，20mi。程度溶融し，水中に急冷又は，アルミ板上に流し出し，アイロンで押して，空孔のないガラスとした。このガラス片の数個を取って，金箔の上に載せ融点以上の温度に上げて，再溶融する。わざわざガラスとする理由は，組成を均一にするため，また多結晶粉末を使った場合よりはるかに，再溶融物中の泡の残存量が少なくできるためである。さてこの再溶融試料を，常温に戻すことなく，600から720℃の温度とし，数時間程度保って，結晶成長させる。その後，炉のスイッチを切って，自然放冷すると，厚さ50から300μm，また幅3から9㎜角の六角板状単結晶を得ることができる。これらは淡黄色で透明である。（図1）この結晶の薄さは，焦電素子を作る際に理想的であり，また表面横も十分広い。　この結晶表面に垂直にX線を当て，背面ラウエ写真をとり解析すると，分極軸が表面と垂直をなしており，このことは，焦電素子の電極をつける際に非常に都合が良く，最大の焦電圧を得ることができる。　」般のいわゆるガラスーセラミックスを作る場合には，融休を常温まで急冷して，ガラス転移点以上で，結晶化す乱この種の熱処理法では，多核発生領域を二度通過することになり，十分大きな結晶が得られない。“ガラス再結晶化法”の場合は，再溶融後常温に戻さず，核発生速度が小さく，かっ結晶成長速度大なる温度領域で徐冷している。我々の以前行ったNa20・2Si02ガラスの核発生，結晶成長速度の測定では，融点の絶対温度Tm〔。Klとすると，結晶成長速度の最大値の温度（T㎝）は，O．95Tmであるが，最大核発生速度（Tnm〕の温度は，これよりはるかに低く，OI46Tmである。ガラスになりやすいものは，差（Tm－Tnm）が大きいため，核発生速度小なる領域が広く，単結晶作成の際，温度制御を精密にする必要はなく，ガラスの膜厚が薄いため，側壁からの核発生の影響が無視できるなどの理由で，比較的簡単に，大きな単結晶を得ることができると考えられる。出来た単結晶の表面の六角板状の中心を見ると，小さな結晶核が見られる場合がある。このことから，結晶は，表面から発生したものと考えられる。したがって，今後さらに大きな結晶を得るためには，炉内の雰囲気制御を精密にする必要があるだろう。　このようにして出来た結晶の電気的性質はどの程度良質のものだろうか。　分極軸方向の誘電率（ε），誘電損失（D），自発分極（P昌），抗電界（Ec）の温度変化を測定したその一部の常温でのデータを表2に示した。（ここでTcは常誘電（a）Pb5Ge30■■ （b〕Pb5Ge2，5Sio．50■■（c）Pb5Ge2SiO－1 　　　　　　　　　　　　　（d〕Pb5Ge1，5Si■．50■■図1　PGO及びPG　SO単結晶12〕表2　ガラス再結晶化法（GR法）とチ量クラルスキー　　　法（C　S法）の姓能圭ヒ較含成法Tc（C）ε組　　成ムPsμTx1O…8Pb5Ge3011CS法GR法 177178 41在4 0，952．0Pも5Ge2SiOHCS法GR法 6045 1503406．5εとムPs／ムT（C／c帝K）は常温でのf腹相二強誘電相のキューリー温度である。）チョクルスキー法で作製した大型単緒晶の特性に近い値が得られ，“ガラス再結晶化法”により，電気約性質の十分慶い厚膜単緒晶を作り得ることが分った。　焦竃圧の測定は，次のような順序で行う。．得られた厚膜単緒晶を切削や研摩することなく，As・grownの表繭にCr・Auを蒸着して，一方の電極とし，基盤である金箔をもう一方の電極として取出し，I　Cソケットの上にのせる。さらに，Cr・Au膜の上に，赤外線の吸収を良くするために黒色塗料を塗乱　次に2θ0μmの厚さの試料に600Vくらいの直流電界を一昼夜かけてドメインの向きを表面と垂直にする。この操作をポーリングと呼んでいる。　こうしてしまえば，竃界を取去っても，単分域状態が半永久的に傑持される。　試料の焦電圧はChynowetbが鯛発した動的溺定法に従った。　焦電型赤外線検出素子の性能を定鐙的に示す式をPut1町が提案しており，これはかなりの精痩で，現実の溺定値と一致している。感度Rv／Re富p㎝sMty：［V／Wl）は次のように表わされる。貧、r（ω・AR／G）（1斗ω2τ葦）■1／2（1斗ω2τ芋ジ1／2　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・（イ）ここで，Rvは，光の投射全エネルギーあたりの焦電圧，η：電極表磁の放射率（完金黒体であれば，η＝1），ω〔1／昌1・チョッパーの角燭波萎支（ω岩2πf，壬旧z〕：周波数），p〔C／㎡㌻（〕：焦竃係数，A〔㎡］：篭香亟薗i稜，R〔Ωコ：試料と外部の並列含成扱抗，G［W／。K〕：熱伝導（GoK・d，K〔w／m’K1：熱伝導率），τE〔sl1電気的暗定激（τE血CR，C〔則：試料と外普罫の並列合成キャパシタンス），τ。［・1：熱約離数（τデH／G・叩川・H：熱容鐙，H＝cεAd，cポ〃m㌣〕：体穣比熱である。　これは，かなり複雑な式であるが，図2のようにRvは，ωに比例する部分（f＜1／τT），無関係な頒域，　ωに反比例する部分（壬〉1／τE）からなる。　この図2で，PGS　O｛兀篶1．O）がPG0ほ＝0）に此してRvが大きい理由は，主として蕉電係萎支が前者の方／0501　　　ユ　　　　　　　5　　10　　　　　　　50　　100　　　　　　　一一→川切図2　赤外線に対する応答感度の周波数依存性が大きいためと考えられる。　それでは，性能の良い蕉電材料とは，どういうものであろうか。　（至）吸湿惟が少なく，化挙的に安定であること，　（2）式（イ）で明らかなように，焦電係数が大きいこと，　（3）体横比熱が小さく，入射光の熱エネルギーによる温度変化が大きいこと。すなわち熱の出入の速度が大きいと高い周波数のチョッピングに追従できる，（4）誘電率（ε）が低いこと，　（5）キューリー温度（Tc）が李る程度（約150℃）高いこと，すなわち，あまりTCが低いと，単分域化したものが，熱振動によって再び，多分域化して性能が下ってしま㌔さらにTc近くでは，焦電係数とεが急激に変化するので，ちょっとした温度変化でも感度が急変することになる。　我々の開発した，ガラス再結晶化法によるPGS0厚膜単緒晶の性能を市販の焦電材料と比較してみよう。（表1）PG0とPGSO（κ山1・O）のRvは，TGSとLiTa03に十分匹敵することが分る。TGSは吸湿性が強く，不安定な物質であり，Lげa03は薄片に作製しにくいので，我々の方法が優れている。　まとめとして，ガラス再緒晶化法は，（玉〕爾単な圃漢単結晶の作製法であり，大がかりな含成装護を必嬰としない。（2）緒晶の大きさは，焦電棄子絹として十分大きなものができる。（3）厚さは十分薄く，ガラス球の倣込み盤によって厚さを繍御でき，薄片娩のための，切断，研摩という煩雑な工程は不要であり，As・grown結晶のまま，素子として使閑できる。（4）Pも5Ge3＿エSiエ011において，0≦κ≦1．5の任意の組成の単緒晶を含成でき，しかも分極軸は表磁と垂直となっている等，焦電棄子を作製する場合，多くの利点を有する。　飾述したように，焦電型繁子の性能は，熱的また電気的，形祇的な多数の因子によって左右される。また，多方繭の応用分畷が広がってい乱したがって使用則勺に応じて，様々の婆求にこたえなければならない。そのため今後共，焦竃繁子となり得る材料の特性を一っ一っ明らかにしていく必嬰があると思われる。（3〕モリブデン酸ビスマスの相転移はじめに　モリブデン酸ビスマス1Bi2Mo06｛すなわち，Bi203とMo03のそル比が11呈）の榊週係は，これまで幾人かの破究者によって検討されてきた。しかしながら，転移測隻，飼」1の数とそれら棚亙の安定閥係および融一1気と溶融特惟く…致溶融か不一致溶融か）の各々について予腐があり，∬三確な棚閥係はいまだに決まっていない。確実なことは，312Mo06には常温で、＝＝．種の同質異像が存在することであるo適彬これらはγ型（またはKo邊cわ1inite型）とプ型の私称で区男11されている（一般に多型の区渇1」にはα，β，γ，………をf吏用するが，B1203－Mo03系においては，Bi2Mo30－2をα相，Bi2Mo20gをβ梱そしてB12Mo06をγ梱と呼ぷ）。これら両審の結晶挙的データを表1に摺げる。γ型は（Bi202〕2ヰ｛Mo04）2皿で表鏡されるように，B1202層と～io04層とが交亙に繰り返される馴犬構遺であり，その単位胞原ニデ配置の概念図を図王に示す竈類似の綴構造を袴する複合ビスマス酸化物群は，これまでに約60種無1られているが，天然に兇い出されるものはγ型Bi2Mo06が唯一のものであり，鉱物名Koec舳niteとして実口られている。　人二［貞勺には水溶液からの共沈により粉末が得られており，不飽和炭化水棄（オレフィン類）の酸化触媒として注冒されている。他ツフ，γ’型は，Bi203とMo03の粉宋をモル比で旦：1に混含したものを700～800℃程度の温度で固相反応させることにより容易に言等られる。また単緒1霊1もフラックス法により嫡単に奮成される。表1Bi2Mo06 I霊1系 空111牒　　　　　　○緒・’r遼数（A）Z 密痩19／C吊〕γ型 斜カ P21旺b 丑岩5，506，b－5，487、 4 8．26c＝16．226プ型 ユ1i斜 P21／c a一王7．25王，ト22．唾22， 16 7．495r5，851，β一89閉．2’　これら両香層とも屍掛け．ヒ，館温で安定であるので，どちらが低濫安定相であるかについては，異論がありこれまでに確定していない。更にγ型には固相転移の存荏が確認されているが，γ’型は固相転移をしないと報告されている。　水溶液からの共沈によるγ型Bi2Mo06試料作製法は，繁雑な操作と相当な時闘を・要すること，更には純度の点で閥魑があり，均一で多簸のγ型試料を供するためには不適であった。Bi2Mo06の梱関係について報笛・数が余り多くないこと，およびそれらの実験結果の不一致は試料静劃整の繁雑きと純度に原困があるものと推定される。これらの閉魑一点を解淡するため，ここではBi203とMo03のモル上ヒ1：1の混含粉末を低温（520～590℃）で固欄反応きせることにより，均一な黄緑亀のγ型Bi2Mo06を多鍛に得られることを屍いだした。かくして得られたγ型試料を脇発物質として熱分析によりBi2Mo06の固梱転移を検討した。またγ型とγ’型別2Mo06との梱互の熱約安定姓にっいては水熱条件下での等温乎衡実験よりC↑ヨξw ㊧o ㊧＿’嵩　← プ．oO」＿’．1・’．1o≡…■ 亭o≡ノノ’1一・〆茅二／三封　　　　　　　　　　　判b　　　　　　　　　　O　Mo／f冬↓！602661図1　ダ8i2Mo06の結晶構造500　　550　　600　　650　　700　　　　　　　享玉≡〕変　｛℃〕図2　Bi2Mo06の示蓬熱分板搬線14〕確定した。示叢熱分析による検蓄寸　傷られた示差熱分析（D　T　A）曲線を図2に示す。昇温速度は5℃／minである。602℃に屍られる小さな吸熱ピークは可逆自勺転移である。すなわち，この転移を綴過した直後に試料を冷却すると，対応する発熱ピークが観察される。しかしながら，661℃に出現する2番目のピークは図に示されるように，非可逮転移をする。最初のピークから得られる転移温度は昇濫連度に依存することなく稽に604±3℃の鑓囲内で屍いだされるが，2番團の転移温度は昇撮逮度に大きく依存する，すなわち2．5～2C℃／m1nの昇温速度に対応して，ぽぼ630～670℃の温度領域に吸熱ピークが相当のバラツキを以って出現する。この原因は二つの吸熱ピーク閉に存在する申簡相γ”型B12Mo06が準安定相であることによるものと推定される。2番萬の非可逆的牽云移を綴遡した試料は薄黄色のγ’型B12Mo06である。　差動熱鍛計による転移熱の渕定緒梁は，搬初のピークに対応するものが約O．玉kca1／mo1であり，2番圓のものが約3，2kc丑1ノ㎜olであった。　これまでに報告されたB12Mo06の欄転移についての添差熱分析結果は図2の非可逆転移に関するもののみであり，最初の啄逆的牽云移の記載は屍いだされない。なぜなら，飾述したような試料の系屯度の閥魑に加えて，このピークの転移熱が非常に小きいため激出されなかったのである。示養熱膨張　図3に示された示差熱膨張曲線もD　T　A曲線と同様に二っの転移点に対応して，二っの膨張異常が認められるが，それらの転移温度は示差熱分析における緒榮より低い。転移に際しての体鎖裟化は，一般に繭駆現象として甥われるという事実から，これらの温度差は書党棚される。示差熱分析の場含と同様に，鍛初に現われる煤かな膨張は珂逆的であり，この転移直後に試料を冷却すると，それは収縮することが認められる。2番虜の劇敷な膨張は非可逆であり体穣増力11は室温に冷却後もf果持される。すなわち転移後のγ’型の方がγ型より空隙の多い構造とな、「…　　　　　「　　　　　　　　　　　　　　　ノ17…　　　　　＿、二／！　　1…　　　　　　一事　　　　　　　　　　　　　　　　　1　　　　　　　　　　　　　　　　」　　　　　　　　　　　　　一ノ看舳　　　　　　　　　　　」、」ノ。Lノヒニニー＿L　　　　　　」　0　　　100　　　！O躬　　　蝸O　　　・mO　　　ヨOO　　　榊冊　　　700図3　8i2Mo06の熱膨張曲線っており，その縞果は表1に掲げられた密度の値に反1映されている。熱的安定性　604℃以下でγ型とっ／型のいずれが安定であるかは，これらγ型とγ’型との混含試料を404および500℃のそれぞれの一一定温度下で水熱処理することにより確立された。その結栗，いずれも生成物としてγ型のみが確認きれ，γ’型は消失していた。したがって，γ型が低温安定であり，γ’型が高温安定禰であると結論できる。中間稽γ”型8i2Mo06　示差熱分析の緒築を再確認すると，γ型は堺澱過程において6041！：3℃で可逆的にγ”型へ転移し，更にγ”型は昇温遼度に依存して約630～670℃の温度頒域でγ”へ非可逆向勺に牽云移する。しかしながらプ型が安定と思われる温度領域（604℃より高く，到≡可逆転移を笠ずる混度より低い領域）で試料を卸翻1熱処理すると，すべて1型へ車云移してしまうことが認められた。また，熱処王聖温度と時罷罰を加減すると，γ型とγ’型の混含試料が得られる。この鏡象はγ”型が604℃以上で徐々に／型へ牽云移してしまうことに原幽がある。飾述したようにγ”型からγ止型への転移は，体穣土鵠放1を伴うため，この緩漫な現象は熱膨張によって検出が可能である。図4は608℃における試料の膨張の1時塞；1変化酸線である。初期に兇られる収縮はγ”欄の焼緒効築によるものである。γ”型からγ’型への転移の審1」含は，処理温度と時闘に依存する。また，転移しなかったγ”型は冷却すると再びγ型へ渓るため，処理条件によりγとγ’型との混含試料が得られることになる。このように，申記11欄であるγ”型は一方では緩漫な転移により，他方では昇澱速度に依存した突然の転移によりγ’型へ非可逆的に変化することから，準安定桐であると結論できる。したがって純粋なγ型Bi2Mo06を得る且「！・；　　　　　　　　　一一／○　　皇1．ヨ　　　　　　　　　＾「’帖o畠℃11O、ヨ　　　　　　’．＿＿．一．．．．．一　．．．．．、．、．、、、、．∫、＿」、、、．．＿．．6＿．＿．．．．．＿一．．ユ．．．　O　　　l　　　　　　　ヨ　　　’　　　5　　　　　　　1！，宇蝸〔li図4　酵閥の関数としての812Mo06の熱膨張曲線15〕ためには，生成温度を604±3℃より低く保たなければならない。粉末固相反応の場合は，反応速度と炉の温度ゆらぎを考慮して約520～590℃の温度範囲で加熱することが望ましい。単結晶育成は水熱法が最適であり，実際に水熱法により得られたγ型Bi2Mo06と比較のためにフラックス法によって育成された1型Bi2Mo06の単結晶を図5に示す。（最小目盛は1㎜である）。前者が濃緑板状であるのに対し後老は淡黄柱状である。　以上のBi2Mo06の相転移をまとめると下記のようになる。　　　　　　　604±3℃、グ　，∫・4γ型（低温安定相）；＝蒜プ型（準安定ヰ目〕扁孟1型（高温安定相〕準安定相から高温安定相への転移は604士3℃以上で徐々に始まる。高温安定相はそのまま室温ヘクエンチされる。　　　図5　Bi2Mo06の単結晶（左）■一Bi2Mo06　　（右）γ一Bi2Mo06一特許一熱電子放射用醐化ランタン電極の製造法発明者　大島忠平，河合七雄公告昭53－14418登録第936555号，昭和53年12月26日　　概　要　本発明は，熱電子放射用棚化ランタン電極の製造法に関するものである。棚化ランタンは，熱電子放射用電極材料として知られている。　従来，棚化ランタン電極として使用を試みられている醐化ランタンの焼結体は，硬くて脆いために加工性が悪く，目的にかなった電極を作ることが困難であった。　これに対し本発明は，レニウム又はタンタル金属電極素材を加熱しながら，電極表面上に棚化ランタンを真空蒸着して，電極表面上に棚化レニウム又は醐化タンタルの下層と棚化ランタンの上層とを形成させ，熱電子放射用棚化ランタン電極を得るものである。　このようにして得た電極は，加工性の良いレニウムあるいはタンタル金属を用いて電極骨組を作るために，目的にかなった形状の電極を作製し得ることができ，かつ熱電子放射特性も，醐化ランタン焼結体と同じである等優れた特性を持っ。醐化ランタンと黒鉛との熔接体の製法発明者　坂内英典，田中高穂，内田健治公告昭52－49008登録第930935号，昭和53年11月7日　　概　要　この発明は，棚化ランタンと黒鉛との熔接材の製法に関するものである。酬化ランタンは，熱電子放射用電極材料として知られている。　従来，醐化ランタン電極は，醐化ランタンとモリブデン，タングステン等の支持金属とを，熔接して用いていた。しかし，この方法では，金属中に棚素が拡散し，支持金属の劣化を招き，電極全体の寿命を短くする欠点があった。　これに対し，本発明は，支持体とする黒鉛を2000℃以上（黒鉛の融点以下）に加熱し，酬化ランタン結晶又は焼結体と接触させ，接触面を2000℃以上に加熱した状態から除冷することにより，棚化ランタンと黒鉛支持体との熔接を可能にしたものである。　このようにして得た熔接体は，棚素が黒鉛支持体中へ拡散することもないため，熔接体全体の寿命が長くでき，電子顕微鏡，電子ビーム加工装置等の熱電子放射電極として幅広く活用できる。16〕外部発表※　投　　　稿論文番号 題 昌 発 表 者 掲 載…土螂o、等751 C11emic田1，Tもermal　a口d　Elastic　Propertie50f　Low 牧島 焚努・字津木 剛 Yogyo－Kyok齪i－Shi（王979〕 8ア lO 543Exp且nsヨon　CoPPer　A！umino昌ilic壷te 境野 照雄752 Ph舶e　Tra舶｛ormation　of王ron　Van窩dium　Sulfides註t 和圖 弘昭 Bull． Ch虐m（19791 Soc． Japan 52 1OHigh　Te㎜perature畠 2918753 NOn－Integral　Ph舶eヨn　Tri釣mitε 焚粋 昭彦 山漆 日召二 AIP　Con｛． Proo． No．53 327中沢 弘義 （1979）754 Wave　Distribution　V註o畠ncies　in　the　NC－type 中沢 弘塞 uj本 日召二 AIP　Conf． Proc． No．53 358p∬rhotit芭，Fe王一工S 森本 僖男 ｛1979）…755 C田3｛PO｛）2－H20－F　系におけるアパタイトの窪成とフッ 門閥 英毅 」二野 欄一 Gypsum＆L1me 玉63 226 （19791繁の挙醐756 Ver豊ati1巴Tipe　Miniature　Dヨamond　Anvヨl　Higト 山閥 僑夫・福畏 脩 Rev． So1． In宮tmm． 50 9 1i63Pressure　Ceヨ1 下村 王璽・昨沢 弘薮 （1979）757 A　Gener畠1Tre註tment　of　Modu1畳t巴d　Struoture畠 山本 昭二・刺尺 弘基 AIP　Conf． Proo． No．53 84療次 正安 （1979）758 Preparation　o壬TiC工Sin冨1e　Cr｝・st註1with 矢島 毅：黙 萬穗J． Cry5t． Growth ξア 壬 493Homo艀n虐ou畠Compositions 坂内 七雄 （1979）759 Structure　AnaIysi昌of　Na2TigOlo　by1MV　Hヨgh一 板東 幾雄・渡辺 遵 Acta　Cry畠t。 團35 1541 （19791Resolution　Eleotron　Micro昌coPy 閥川 婁三760 錫の反応性スパッタリング遜穫 燭野 東一・」二村揚一郎 奥窒 22 工o 341 （1979〕内黎 健治761 T－O　Bond　Lengt11昌in　C2／c　CI…nopyro畑nes固nd　the 大橋 暗夫 J． 3apan． As畠oc． Min． Petr． EoonRoieofEnpt｝Low　En僅r醐Leve13dOrbit固11n　M1 Geoヨ． 74 413 （1979）Site　Cations762 Grain　Growth　in　Zinc　Oxid虐 守書 佑介・池」二 隆嚴 PrOC． of　Intemation註1Symposium丸山 修・禽崎 信一 on　FMtors…n　Dinsヨfication且ndSint虐rin芭of　Oxi細呂nd　Non－oxid僅Ceramic畠，ユ978763 ］≡：xperiment且ヨStudies　oチEleotrio且i　Conduotion 月岡 正釜 囲中 」1魔三 Solid　State　Commun． 32 3Mech註ni畠㎜o｛H2－Reduoed　BaTヨ03 富沢 璃人 森 泰遺 223 （1979）児島 弘慮 江漂 褒764 DieupoPヨum｛珊〕Ger皿且nat虐Oxid虐 加藤 寛爽 関田 正賛 Acta　Cry畠セ． B35 2201 （1979）木村 茂行765 Abso叩tion　of　Hydrogen　in’Re03’ 堀内 繁籏・霧塚 昇 Nature 279 5710226 （1979）山本 昭二766 EΨaluatヨon　of　Impuriti虐s　in　R舶oti冊Sputter僅d　Tin 畑野 東一・上村搦一郎 J－Phys．D’L14亘（1975）ApPl． Phy畠。 12Film 内囲 健治767 熱雑曹温度言十一萬厘力下の測温 日ヨ村 惰鮫 日本物理掌会誌 34 12 l052（1979）768 ］≡’al〕rioation　of目ヨgト　Strengt11β一Si畠】on　by　Reaction 三友 護・禽元 僖行 J． Mater． Sci． 14 2309 （1979〕Si・t僅ri㎎ 猪股 畜三769 Contribution昌to　tトe　M註gnetisation　in　P與ram畠gnetio J．B－For昌yth・p－J．Brown J． Phys．V5S8 』l1田 功・野崎 潜司 12 426王C－Solid　Stat直Phy畠．／i979）佐績 墨竃770 Crystal　Struoture　of　Si3N4・Y203E畑㎜i舵d　by畠 堀内 繁雄・三三友 護 J． M且ter． Sci． 王4 2彗431MV削gh－Resolution　Eleotron　M1crosope （1979）（1979）（1979）※　口　　　頭題 蟹 発　　表 書 学・協会誌 発表日梅漂 稚捷 ヨ本物綴学会 玉O月2日異方惚灘体β一MエV205のNMR］ 丸1」．1」 和之一釧尺 †蓼 臼本物理学会 10濱2臼雪野 鰹SORを用いた角度分鰯型光畿子分光法 脊野 ］夏和 臼本物理学会 1O月2臼LaB6表繭局礁電子状態のUPS 西谷 離介・瀞野 災和 日本物王聖諒：会 lO月2日圖申 河合 一ヒ雄岩崎 裕・傘村 勝誓Re03の表面斑子状態の理論 塚囲 捷・三昆一子 允敏 蘭本物王璽拳会 lO月2臼蘭　不二雄GaS色の発光のサブナノ領域におけるl1寺閥分綴スペクトル 南　不二、雄・え1＝慶 由告 旺1本物理栄会 1O月21三1櫛日］　孝剤A脳フォトルミネスセンス励起スペクトル 僚j鱗　、忠炎・111下 鱒志 応月’1物王聖箏会 1O月2旺117〕　4＋．P　　Si02（α一イ三英〕のEPR一温度依存性一 内田 吉茂・磯谷 順一 日本物理掌会Joトn　A． WeilRb1高圧榊転移の方位関係 岡井 敏 日本物理学’会HexBN1C系の励起緩和過程 江良 惜・南 不二雄 口本物理学1会V2H中の陽1－E－f・消滅 赤羽 隆史・千葉 利信 日本物理掌会高野 繁男・赤羽 良一津田 惟雄希．±二類水素化物CeHエの赤外反射 藤森 淳・石井 紀彦 □本物理学会津日ヨ 惟雄繊維状hBNの牛成と形態 石卉 敏彦・佐藤 一忠夫 人工鉱物討論会閥川 喜三ダイヤモンド上に気榊から析出した炭素の評価 加1茂 睦和・佐藤洋一一郎 人工鉱物討論会瀬高 信雄、ダイヤモンド単結晶の育成 神田 久生、・赤石 実 人工鉱物討論会瀬鳥 信雄・’大沢 俊一山岡 信夫・福長 脩ビスマス榊1大化合物の組成と安定性に関する弾性f本モデルによ 菊池 武 人工鉱物討論会る検討新化合キ勿BiL齪W06の育成と結晶構造 渡辺 昭輝・大坂 俊明 人工鉱物討論会井」’二善三郎11OO℃におけるGe02－Fe203－FeO系相平衡 高1」」 英治・君塚 昇 人工鉱物討論会加藤 克夫’新化含物A14Si2C5にっいてのX線結品挙白勺考察 卉上韓三郎・猪股 吉三 人工鉱物討論会田中 英彦・川端 治雄水熱合成沙によるγ一Bi2Mo06の合成と単結晶の育成 小玉 博志・泉 富土夫 人工鉱物討論会Bi2Mo06の固柵転移とその機構 渡辺 昭輝・小玉 博志 人工鉱物討論会FZ法による均一系H成のZrCエ単結晶の」育成 大谷 茂樹・田中 人工鉱物討論会酸化物単結晶のFZ育成における圃液界面 北村 健二・木村 健二 人工鉱物討論会V5S筥の磁気構造π 船橋 達・野崎 浩司 日本物理学会」l1田 功TiB2のドハース・フ丁ンァルフェン効果（n〕 石沢 芳夫・田中 高穂 日本物理学会アナターゼールチルホll1吠移に影響を及ぼす諦要閃 藤木 良規・’大塚 芳郎 1．1本鉱物学会（三鉱学会）三橘 武文10月3日1Oj13日10月4日10月4日10月4日1o月4日10月4日！0月4日1O月4日1O月4日10月4日1O月5日10月5日10月5日10月5日10月5日10月5日1O月5日10月7日長田国務大臣，当研究所を視察　1月17］，長E日国務犬臣は筑波研究学園都市視察の一環として，当研究所に釆所され，田中所長の案内で超高圧’竜・r棚微鏡，高圧力実験装置などを視察された。・1・1拙｛’　’讐　　　　川、，．研　究　会　結晶成長研究会（第19回），昭和54年12月10日，11日，「結晶のモロフォロジーにっいて」，及び「合成ダイヤモンドの成長機構について」の議題で開催され討議が行われた。　結合状態研究会（第18回），昭和55年1月10日，「YFe204，Bi2Re06の物性」についての議題で開催され討議が行われた。采　　　訪　昭和54年12月11日，西ドイツ科学技術情報センターボン支局長J．Grewen博士が来所し所内を見学’した。最近の出版物無機材質研究所研究論文集　第6集所長から概要説明を受けられる長田国務大臣発　行　［］系扁．集・発イ予昭和55年2月1日　第61号科学技術庁　無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCHES　IN　INOROGANIC　MATERIALS〒305茨城県新治郡桜村並木1’丁目1番’■…置　　言舌　　0298－51－335118〕’