# Fileset

[NIRIMNews0109.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/edf4caee-13ec-4f20-9b34-70c8231f9e71/download)

## Creator

無機材質研究所

## Rights

In Copyright[In Copyright](http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/)

## Other metadata

[無機材研ニュース第109号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/f578952d-8f8d-49fd-b712-16b510fb6311)

## Fulltext

無機材研ニュース第109号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo－ooO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○蜆眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］0f←．9 刀　6昭和63年度研究題目　当研究所では耐熱材料，電子材料，超硬材料等の極めて優れた特性を有する新材料として期待されるセラミックスなど非金属無機材質についての研究を推進している。すなわち，耐熱1生，耐食性，高硬度性，電磁気特性（半導性，誘電性等），光学特性，触媒能等において優れた特性を持った種々の非金属無機材質を創製するための研究を行っている。　昭和63年度おいては，新たに3研究グループの再編成を行い，これを含め15研究グループと2つのステーションによりこれらの研究を効率的，組織的に遂行する。　更にこれまでに得られた成果の応用化を促進するため，前年度に弓1き続き3テーマの特別研究を行っていく。「二二二］内は，再編成研究グループクループ研究（経常研究）第1研究グループ　（複合ジルコニウム酸化物：　　　　　　　　　Zr02－MO工）　（1）粉末合成に関する研究　（2）焼結と拡散に関する研究　（3）高次構造制御と物性に関する研究第2研究クループ　（複合タンタル硫化物1　　　　　　　　　M－Ta－S）　（1）合成に関する研究　（2）構造に関する研究　（3〕物性に関する研究第3研究グループ　（シリコン基非酸化物：　　　　　　　　　Si－C－N）　（1）合成，焼結に関する研究　（2〕微構造のキャラクタリゼーションに関する研　　究　（3）破壊に関する研究第4研究クループ　（ビスマス基オキシ弗化物：≡≡　　　・i仙・）　　1≡（1）合成に関する研究　　　　　　　　　　　1≡（2）キャラクタリゼーションに関する研究　　1　（3）物性に関する研究1第5研究グループ　（銅ペロブスカイト：一1　　　　　　　　　M－Cu－O）1（1）合成に関する研究　（2）評価と物性に関する研究＝（3〕関運化合物に関する研究第6研究グループ　（金属典型元素カルコゲナイ　　　　　　　　　　ド：M・S，Se，Te）　（1〕光物性に関する研究　（2〕合成に関する研究　（3〕新規光関連材質の探索に関する研究第7研究グループ　（オクトチタン酸塩：　　　　　　　　　A（B，Ti）目O1眉）　（1〕合成に関する研究　（2）熱化学特性に関する研究　（3〕物理的機能性に関する研究　（4）化学的機能性に関する研究第8研究グループ　　（ダイヤモンド：C）（1）（2）（3〕（4）（5）膜状ダイヤモンドの合成に関する研究ダイヤモンド単結晶の育成に関する研究焼結に関する研究動的超高圧力による合成に関する研究物性に関する研究（1）第9研究グループ　（希土類アルミノけい酸塩ガラ　　　　　　　　　　ス：Ln．O。一Al．OヨーSiO．　　　　　　　　　　G王ass）　（王）ガラスの合成に関する研究　（2）ガラスの状態及び物性に関する研究　（3）ガラス構造に関する研究第10研究グルー一プ　（ニオブ酸バリウム・ナトリウ　　　　　　　　　　ム：Ba2NaNb50，5）　（王）相平衡に関する研究　（2）単結晶育成に関する研究　（3）結晶・薄膜の品質評価に関する研究　（4）物性に関する研究第u研究グループ　（バナジウムブロンズ：　　　　　　　　　　M工V肋O1帥一棚）　（！〕柏平衡及び合成に関する研究　（2）物性に関する研究　（3〕構造解析に関する研究第12研究グループ　　（炭化タンタル1TaC）　（1）単結晶育成に関する研究　（2〕固体内電予状態と物性に関する研究　（3〕表面状態に関する研究≡第i3研究グループ　希土類ガーネット：1　　　　　　　　　　　RヨM2XヨOI2）　（1）結晶界面と結晶化学に関する研究　（2）結晶成長に関する研究　（3）結晶評価に関する研究第14研究グループ　（酸化ニッケル：NiO）　ω　合成・相平衡及び結晶化学に関する研究　（2〕化学結合に関する研究　（3）物性に関する研究第15研究グループ　　（モンそリロナイト：　　　　　　　　　　A12SiヰO1o（OH）空・nH20）　（1）高純度合成及び単結晶化に関する研究　12）粘土／有機・撫機複合体の合成及び諸性質卓こ関　　する研究　13〕構造、物性に関する研究　14〕関達化合物及び実験手法に関する研究超萬圧カステーシ蔓ン　（王）大容量超高圧力発生システムの開発に関する　　研究　（2）超高圧力発生及びその場観察技術の開発に関　　する研究超葛温ステーション　（1）超高温発生システムの開発に関する研究　（2）超高温の計濁・制御技術に関する研究　（3〕超高温の利周技術に関する研究無機材質特別研究生体機能性セラミックスに関する研究　（三〕多孔体に関する研究　12〕練密体，複合体に関する研究　（3）評価に関する研究ダイヤモンドの半導体化に関する研究　（王）多結晶膜半導体の合成に関する研究　（2）単結晶膜半導体の合成に関する研究　13）基本特性評価に関する研究超耐摩耗性材料の開発研究　（！）超耐摩耗性材料の試作に関する研究　12〕試作材料の解析に関する研究無機材質研究所機構所長運営委員会理学樽士瀬高　信雄客員研究官無機材研究所　予算・人員　　　　予算　22億5，734万円　　　　人員　165名（うち研究者1王8名）1理1＋ll1第1研究グループ：複合ジルコニウム酸化物第2研究グループ：複合タンタル硫化物第3研究グループ：シリコン基非酸化物第4研究グループ：ビスマス墓オキシ弗化物☆第5研究グループ：銅ペロプスカイト★第6研究グループ：金属典型元索カルコゲナイド第7研究グループ：オクトチタン酸塩第8研究グループ：ダイヤモンド第9研究グループ：希土類アルミノけい酸塩ガラス第10研究グループ：ニオブ酸バリウム・ナトリウム第11研究グループ：バナジウムブロンズ第12研究グループ：炭化タンタル第13研究グループ：希土類ガーネット☆第14研究グループ：酸化ニッケル第15研究グループ：モンモリロナイト超高圧カステーション超高温ステーション（2）一新グループの研究紹介一ビスマス基オキシ弗化物 （Bi－M－O－F）に関する研究第4研究グループ総合研究官堀内繁雄　酸化ビスマスを基質とする多元金属オキシ弗化物を主な研究対象とする。本化合物に関する研究論文の数は多くはないが，イオン導電性あるいは超竃導性の観点から導電性材料としての潜在能力を有する物質として期待される。（1〕イオン導電性物質に関する研究　昭和63年8月までの5年間酸化ビスマス（Bi・Oヨ）研究グループにおいて，安定化Bi．O宮系における相関係及び第二絹の析出に起因する電導度の劣化などが明かにされた。一方，Bi．O。を基質とする複合オキシ弗化物では，従来の酸化物系酸素イオン導電体（安定化ZrO呈，安定化Bi・O。）の場合よりもより低い温度領域（＜50ぴC）で高いイオン導電率を有するものが見出されている。しかし、これまでの研究は断片約であり，化合物の相関係，縫織・構造あるいはイオン拡散の機構などに関して多くの点で不明である。　本研究の当面の重点目標は，まず，02一の一部をF■で置換した場合の生成物の相関係を明らかにすることである。特に，Bi．O。系の場合に本来的に高いイオン導電率を生ぜしめたδ槽（蛍石型構造）の安定停在領域を明らかにすることは重要である。もう一っの重点目標は得られた生成物内に生じる種々の微綱纏織（クラスターなど）の構造を解明することである。その結果を踏まえて、拡敬の活性化エネルギーをさらに小さくすること，いいかえれぱ、イオンのmobilityをさらに高めることを検討する。すなわち，微細構造の制御を通して新しい固体電解質の創製を冒指す。　研究の遂行に際しては，含成一キャラクタリゼーションー物性の三者関係が有機的に連携すべきことはいうまでもない。具体的に言えば，合成関係ではBi－M－O・F系における化合物の相関係の解明を念頭において，特に，蛍石型構造あるいはその類縁構造を有する相の安定領域を明らかにすることを試みる。また，F一をさらに他のハロゲン元索（Cl，Iなど）で置換した際の相平衡・相関係も調べる。以上の試料合成は主として封管加熱法及び水熱法による。キャラクタリゼーション関係では基本構造（童として蛍石型）のX線及び申憧子線回折法による解析はもちろんのこと，高分解能電子顕微鏡法を併用して微細組織の構造を解析する。さらに，物性関係では，電導度などの測定を通して，イオン拡敵の機構の解明を試みる。（2）超電導性物質に関する研究　複合ビスマス酸化物の一群は特異な層状構造（Aurivi川us構造）をとることが古くから知られている。これはBi．O。層とペロブスカイト層がC軸方向に交互に積み重なって構築されるものである。最近，ペロブスカイト層内の陽イオンの一部をCuで置換するならば，得られる化合物は高い超電導臨界温度（Tc㍗105K）を示すことが発見された。これは現在最高のTcを有するものであり，第3の超電導体とよばれる。　新超電導物質の結晶構造はしかし従来のAuriv舳us型とは異なる。特に，B1望O。層は一様ではなく，Biの濃縮帯と霜薄帯に分離していること，および，帯の幅及び闘隔にはぱらつきがあり，このために構造の変調が誘起されることなどが判ってきた。　Aur1v舳us相はBiを含む複数の金属元素の多彩な組合わせにより生成することが知られている。しかし，これまでのものはCuを含んでいない。したがって，多くのAurivi眺us相にCuを添加させる試みが今後早急に行なわれるであろう。これによってさらに高いTcを持つ物質が得られる可能性が高い。　Aurivillius型化合物の酸索の一部を弗素で置換できることは既に知られている。したがって，そのような化合物のぺロブスカイト内金属元桑のCuによる置換を通して，純酸化物の場合とは異なる性質を示す新物質が得られることを期待している。　具体的な研究・実験の進め方は上記（1）の場合と本質的に似ている。所内の超電導関係研究グループ及びマルチコアプロジェクトとの連携を計りながら研究を推進したい。（3）一新グループの研究紹介一銅ペロブスカイト （M－Cu－O） に関する研究第5研究グループ　総合研究官　岡井　　敏　「銅ぺロブスカイト」は銅を含むペロブスカイト型関達化合物を象徴的に示したもので，いうまでもなく，研究内容は一昨年暮から急速に活発になってきた酸化物高温超電導体に関するものである。酸化物高温超電導体は今Eヨ，最もポピュラーな物質で，情報はゆきわたっているから，La2一エSrエCuO・やYBa．C　u昌Oツについては今更説明する必要もなかろう。またこの方面の研究老の数は非常に多く，本研究所におていも，本グループに所属しない研究者の方がはるかに多い。そのような中で本グループが特色を出すとすれば、いくつかの領域の基礎研究に限られる。　駿化物高温超電導体に関する基礎研究が高温趨電導機構の解明と，新高温超電導体の創成にあることも，ここで特に述べるまでもないであろう。超竃導のBCS理論の破綻，Andersonのレゾネーティング・バレンス・ボンド（RVB）を初めとする幾つもの理論が名乗りあげていることも，今ではよく知れわたっている。しかし，それ以前の段階として，酸化物高温超電導体は常伝導領域においてすら，膨大な物性データが蓄穫されたにもかかわらず，よく理解されているとは言い難い。実際，電気抵抗の温度依存性，帯磁率，ホール係数，熱超電力，比熱，光学特性，光電子分光測定等のデータから，統一的な描像が得られていない。その最も根本約な灘由は，酸化物高温超電体自身の特性によるが，そのほか試料製成に関する問題，望む試料が通常の合成条件では得られない，等の問題も関与している。例えぱ，超電導転移における比熱のトビは，電気抵抗で見る限りシャープな転移を添す試料問においてすら，量がまちまちである。そこで普通の物性値を求めるためだけでも，よくキャラクタライズされた試料や，作りにくいけれども研究物質としては作る必要のある試料など，各種試料を創成する必要が出てくる。本研究グループでは，これらの閥題に対応するために，超高圧合成法，超急冷厚膜合成法，薄膜合成法、雰囲気・粒彩コントロールによる合成法等を含めて合成研究を行う。　超高圧合成法は本来，酸化物蔦温超電導研究に密接にかかわり合っていた。最初の酸化物高混趨竃導体La・一エSrエCuO・はLaCuO。のぺロブスカイト関連構造であるが，このLaCuOヨは65Kbarの高酸素圧下で得られものである。従ってLaBa．Cu．O。からLaCuO。に到る系列を系統的に調べるためには，超高圧が必要である。Y－Ba－Cu系では更にそれが必要であろうと恩われる。LaCuO茗に対応するYC口Oヨはまだ得られていない。Y－Ba－Cu－O系の相図はもう研究し尽くされたといっても，それは常圧での話である。“1－2－3”構造の，圧力下での組成の拡がりがあるか無いか，等も調べられていない。YBa．Cu．O。の酸素欠陥が超竃導性を悪くする，というのは余りにもよく知れわたった事実であるが，高酸索圧の影響は系統的に行なわれていない。数百気圧程度の高酸素圧が趨電導性を改善しないらしい，というデータはある。超高酸素圧がYBa．Cu．O。を分解するようにも思われる。しかし詳しくは調べられていない。LaCuO。が高酸素圧下でしか合成されない事実と，これらとをどう理解するか，といった合成に関する基本的な問題がある。高酸索圧のマイナス・データをあげたので，プラスデータを山つ。La．CuO。に蔦駿素圧処理をほどこすと，超電導成分は増す。こうなると，事態はますます混乱するが，要するに研究がそれだけ，まだ不備だということである。これまでの進歩が余りに早過ぎて，手がまわらなかったのが実状である。われわれは，いまの酸化物高混趨竃導のブーム以前に，硫化物ペロブスカィト超電導体が高圧下で得られないか，と探索していたが，新グループにおいては，これを含めて物質探索を行う予定である」。　超高圧合成の手段のほかに，超急冷厚膜合成法，薄膜合成法などによる新物質，新纏成の合成が考えられる。超急冷厚膜法を周いて，既に新しいセンサーを創成した。このような非平衡状態を利用して，通常の手法では得られない物質合成が期待される。　雰麗気，粒形のコントロールは通鴬の酸化物高温超電導を対象とするものであるが，良い多結晶体を得るために必要な研究である。いま，YBa．Cu．Oツで高い臨界電流密度が得られないことが問題で，これは本物質固有の異方性によるところが多いが，粒子の聞題も可成り関係していると思われる。その研究には，槻当きちんとした装置で合成等，行う必要があろう。　YBa．CuヨO。が発屍されてちょうど1年。またBiを含む系等の発見で新しい展開を迎えつつある。恐らく未知の高温超電導体はまだあるに違いない。物質研究における新物質合成の意義が強く認識される次第である。（4）一新グループの研究紹介一希土類ガーネツト （R3M2×30玉2） に関する研究第13研究グループ　総合研究官　木村　茂行　ガーネットは立方晶系に属し，等方的な結晶で，3種類の陽イオン格子点（一般式R．M．XヨOユ。での，R，M，Xがこれにあたる）を持つため，いろいろな種類の陽イオンを取り込むことができる。これらの特徴により，これまでにもレーザー媒質結晶，磁気光学素子，電子線検出索子などに広く利用されている。　本研究計画では，組成の自由度が大きい特徴に注目し，一般に一致溶融するとは限らない様々な組成の希土類ガーネット結晶の光学的に均質な単結晶を含成する技術を開発し，これを2つの新しい材質技術に発展させることを冒指している。ひとつは，格子の環境によって敏感に分光学的性質を変化させる遷移金属イオンを導入し，波長可変レーザー結晶としての可能性を探るものである。もうひとつは，近年注屡されているヘテロエピタキシー即ち特定の下地緒晶の上に纏成や構造の異なる薄膜状単結晶を成長させる技術への，下地結晶としての利用を目指すものである。　従来のレーザー用希土類ガーネット単結晶は，一致溶融する組成が利用対象となっているが、これは単結晶合成の手法上の都合である。積土類ガーネット結晶の有周性を一層弓咄すには，一致溶融しない組成の利用も図られねばならない。そのために本計圃では帯溶融法を発展させた結晶合成技術の確立を冒指している。従来の集光式浮融帯法でも一致溶融しない組成の単結晶を合成することはできるが，結晶は均質性に乏しく，直径が限られると雷う難点があった。これらを克服することが中心課題のひとつとなる。　波長可変レーザー用結晶は現在チタンを含むサフィイアが最も注目されている。650～ユ200n触の広範圏な発振波長域を持つとされるためである。しかし結晶欠陥の観点から見ると，サファイアの良質化には限度がある。その点，希土類ガーネットには無転位化が可能と言う特徴がある。しかもサファイアと異なり，ガーネットは等方性の緒晶である。波長可変レーザー用の結晶としての可能性は充分と考えられる。但しこれまでの研究報告は否定的である。その最大の理由はガーネット結晶中に現れるカラーセンターの制御ができてないためと思われる。カラーセンターを制御した結晶の合成が重要となるであろう。　希二1二類ガーネット結晶は様々な角度で切断することにより，いろいろな問隔で原子が並んだ面を得ることができる。無転位結晶を用いれば，原子の並びに乱れの少ない面が得られる。組成を変えた結晶により，同面でも原子間隔の異なるものも得られる。これらの特徴は薄膜状単結晶を成長させるための下地として好都合である。既に希土類ガーネット結晶を基板としてGaAs薄膜結晶成長の報告がなされている。しかし，この様なヘテロエピタキシー技術は，応用を急ぐあまり，基礎研究がおろそかにされているきらいがある。本計画では，ヘテロエピタキシーの問題は本質的にセラミックスの粒界と同じ基盤に立っものであると捉えて研究を進める。そのために同縫成のガーネット同士の粒界を出発点として，異なる組成，異なる構造，と煩次視点を移して行き，安定な界面の構造について知識を拡げて行きたいと考えている。これを進めるにあたっては，前述の新しい帯溶融法結晶合成技術が鍵となる筈である。また薄膜状希土類ガーネット結晶の合成は，この様な研究と並行して行うことになるが，既に成長に伴う光学的な異方性が間題となっており，これを制御する手法の開発も重要な課題と考えている。これらの閲題の解決にあたっては，光学顕微鏡を初め，X線や電子線を利用した結晶評個が不可欠な支援技術となろう。　組成を制御した希土類ガーネット薄膜の合成技術は，光技術の時代を目前にして，極めて重要な基礎技術になる可能性がある。本研究計画により，微力ながら新しい基盤技術の構築に寄与したいと考えている。（5）フローティング・ゾーン法によるWC単結晶育成第12研究グループ　主任研究官　田中　高穂三．はじめに　高融点化合物の大型単結晶育成にはフローティング・ゾーン（FZ）法が優れる。しかし六族遷移金属炭化物であるりタングステン・カーバイド（WC）への直接的なFZ法の適用は不可能であっれ何救ならWC棒に融帯移動を行うとWC，W．C，Cの三相が出現してしまう。FZ法に於て，目的の化合物が融帯から成長する為にはその化合物が溶融相と平衡共存する事が必要である。この点から四，五族炭化物はFZ法の良き対象たり得た。それらが広い不定比領域を持つ赦の組成制御の間題も我々は既に解決しており（1），最近になって同様の手法が酸化物にも適用され始めている（2〕。WCは複雑な相関係を持ち，我々が研究を開始する段階に於て，多くのW－C系相図が報告されてはいたが，WCが溶融相と共存するかどうかについては確定していなかった。前記実験事実はWCが溶融相と共存することはないということを示している。そこでWCにFZ法の適用を可能にするために，相関係，結晶構造などをもとに材料設計的考察を行い，ボロン添加とレ）う方法を見出した。すなわち二元系から三元系に相領域を広げれぱ，WCと溶融相の平衡共存する領域が存在し，これによって始めてWCのFZ法による大型単結晶の育成が可能となった。2．ポロン添加に至る材料設計的考嚢WC棒に融帯移動を行った時，何故三楯が出現するかを調べるため・融帯移動中の急冷笑験を行った。急冷した融帯近傍各部の粉末X線回折による分析から，融帯から析出するのは炭素欠損型でTiCx等と同じNaα型構造をとるWCユ吋と遊離の炭素であることがわかった。このWC。吋は温度下がるにっれてW．CとCに分解する。さらにW．CとCが固相反応を起こしWCを生成するが，反応が完結しないまま一部W・CとCが残り三相となる事がわかった。この実験事実と比較白勺良く一致するSara（3）のW－C系槻図を参照すれば，昇温した時WCがWCl一。とCに分解するのが2755℃，WC1一エが安定に存在できるのはそれより僅か30塙い2785℃に過ぎない。従って第三元素を添加し，三元系に領域を広げればWC1一エと入れ替って，直接WCが溶融相と共存する箏が期待できる。　この様な働きをする第三元素を探す濠安としては、（王〕その第三元剰まWと化合物を作り，（2〕その化合物の結晶構造はWCに類似し，（3）十分高温まで安定で，（4）溶融形態は一致溶融が望ましい，の遂条件となろう。Wと高融点化合物を作るものとしては，B，N，Si等が考えられるが上記4条件を最も良く満すものとしてBを選んだ。即ち，四，五族遷移金属ホウ化物にはMB。という化合物群があり，この構造は第1図に示す様にWC構造に酷似する。六族ホウ化物ではM．B。構造となるが，これはMB。構造の積層が若干変化したに過ぎない。W．B。は比較的固（a）（b）第1図　WC（a）及ぴMB。（b）の結晶構造，夫薗丸が金　　　　属，小黒丸がそれぞれC及びBを示す回（6）溶範囲が広く，WB一。、。の付近で一致溶融し，融点は2365℃と報告されている（4）。以上の様にボロン添加は上記4条件をほぼ満している。3．FZ法単結晶育成〔組成の決定〕　ボロンの添加が予測した効果を生むかを調べる為，WCに3mo1％のWB。．ヨを加え原料棒とし，FZ法による融帯移動を行った。融帯移動開始後間もなく成長界面は単一相析出の様相を示した。顕微鏡観察，粉末X線回折によりこの部分がWCの単一相である事を確認し，前期の予測が実現できた事を証明した。　単結晶育成にはまず融帯及び原料棒の最適組成を決める必要がある。上記実験の融帯部のB濃度をEPMAを用いて分析し，オーダーとしてO．1wt％（数at％）という結果を得た。また相図からC濃度をおおよそ40at％と見積り，その近傍のいくつかの組成条件で融帯移動を行った。得られた棒の終端部，融帯及び原料棒の組成を分析し，単結晶育成時の原（a〕　　　　　　　　　（b）第2図　（・）FZ法によるWC単結晶育成に於ける融体　　　　　及び原料棒の組成。　　　　（b）融体移動開始前の配置。融体形成用ベ　　　　　レットを溶かして融体とし，種子棒及ぴ　　　　　原料棒を上方に移動する。（a）（b）第3図　（a）育成したWC結晶の外観。　（b）結晶縦断　　　　　面。表1．WC単結晶の組成部　位炭素濃度（Wt％）原料棒 6．53±O．03結晶始端部 6．15±O．03〃中間部 6．11±O．03〃終端部 6．12±O．03融帯 4．OO±O．02料棒，融帯の組成を決定した。その組成関係を三元相図で示したのが第2図（・〕である。融帯のC濃度は38at％，B濃度は3．5at％である。原料棒に過剰に加えたC及びBは融帯からの蒸発による損失分を補うためである。融帯にボロンを添加してはレ）るが結晶中の不純物分としてのB濃度はこの段階でもわずかに250卿mにすぎなかった。〔単結晶育成〕　FZ法による単結晶育成はADL型高温高圧単結晶育成炉を便用し，高周波誘導加熱方式によった。雰囲気はHe　l　Mpa，育成速度3㎜／h，結晶と原料棒をそれぞれ15rpmで逆回転させた。融帯の移動方向は通常と異り上方である。これはWCの比重が15．8と大きく，融帯は下に大きくふくらんだ形になりがちで，下方移動では結晶径の制御が難しいことによる。高周波コイルは2段各3巻，内径18㎜のものを便用した。原料棒及び融帯とすべき焼結ペレットは第2図（・）に示す所望の混合比でW，C，Bを混合し，ラバープレスによる加圧成形後，真空中220ぴC，30分間焼結した。焼結密度は約90％であった。FZ開靖時の原料棒及び融帯形成用ペレットの配置は第2図（b）に示すとおりである。　第3図に育成した結晶の外観と縦断面の一部を示す。1㎜程度の多結晶外皮に包まれるが，中心部は単結晶であり，反射ラウエ写真も良好であった。WCは不定比領域のほとんどない定比化合物である。表1に育成結晶の一例について各部の組成を示す。結晶の組成は定比組成の炭素濃度6．13wt％と分析精度を考慮すれば良い一致を示していると言える。この時の結晶中の不純物B濃度は僅かに120～140pp皿であった。ボロン以外の金属不純物は螢光X線分析では検出されず，得られた単結晶は十分純度の高いものと言える。事実，結晶の残留抵抗比は17とFZ法で育成したこの種の高融点化合物の単結晶としては高い値を示した。4　おわりにFZ法によるWC単結晶の育成は，融帯に第三元（7）索のボロンを加える事により初めて可能になった。しかも結晶中の不純物としてのボロンは僅少であり，良質大型の緒晶が容易に入手できることとなった。FZ法単結晶育成においてこの様な考え方は従来にはない全く新しいものであり今後の応用の機会の増大を期待している。WC単結晶は今後陰極材料，基板材料等への適用も考えられ，平行して基礎的研究も行ってゆく予定である。文献（1）F．Yajima，T．Tanaka，E．Bamai　and　S．　　Kawai，J．Crysta王Gowth47（1979）493　　S，Otani，T．Tanaka　and　A．Hara，　　J．Crysta1Growth51（王981）ユ64（2）13）（4）S．Otani　and　T．Tanaka，J．Crysta王Growth51（1981）381S．Otani，T，Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．Crysta王Growth55（198！）43！S．Otani，？、Tanaka　and　Y．Ishizawa．J．Crystal　Growth62（ユ983）2王1Y．Hou，S．Otani，T．Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．Crysta王Growth68（1984）733北村健二，日本結晶成長学会誌　14（ユ987）163R．V．Sara，J．Amer．Cera㎜．Soc．48（ユ965）25W．G．Moffat，HThe　Bimry　Phase　OiagramsRandbook”vo王．亙Genera王測ectric　Co．，New　York1976外部発表※　投　　　　稿登録番号 題 圓 発　　表 者 掲 載量出印o・等1919 An　out互ine　of　the　Structure　of 渡辺 曙輝・堀内 繁雄 J，So王．Sta．Chem．γ（H）一Bismuth 小天 榑志 67，333，ユ987Molybdate，B1呈Mo06，byHigh－Reseiut1onTransmission　Electron　MicroscoPy1920 モンモリロナイト多孔体 申沢 弘基 ファインセラミックス8，127．1987192！ 焼結理論の再構築 猪股 吉三 セラミックス22， 6，467．19871922 Cτystal　growth　of　c口bic　boron　nitr｛de 三島 修・山岡 信爽 J．ApP1．賄ys．by室emperature　d雌erence　method　at 福長 脩 6王， 8．2822，互987～55kbar　and～1800．C王923 Ref…nement　of　the　Structure　of 大橋 晴夫・大沢 俊一 Acta　Cryst．Manganese　Sodium　Dimetasi至三care 月村 勝宏 C43，605，王987！924 新しい焼結技術 木島 弍倫 セラミックス一プラズマ焼結一 22， 6，496，玉987ユ925 ガラスの材料設計とエキスパート・システ 牧島 亮男・三友 護 人工知能学会全国大会論文ムの開発 門間 菓毅・池上 隆康 集水谷 惟恭・安井 蔓 267．1987二上 俊郎・有賀 妙子脇野 敏浩1926 Im㎜obi1三zation　of　Rare－Earth　Metal 藤木 良規・佐々木高義 窯業協会誌Ions　from　Aqueous　So玉utions　by 小松 優 95， 5，465．1987Crysta王至三ne　Hydrated　Titan三a　Fibers玉927 新しいセラミックスーα一サイアロンーの 三友 護 有田国際ファインセラミッ開発 クス・シンポジウム講演録37，王986亙928 Cation　Distr1bution　in（M’M）茗Se．I（Cr， 林 昭彦・上田 寛 J．So1．Sta．Chem．丁三）茗Se。 小管 皓三・浅野 繋 67， 2，346．1987渡辺 昇・村日ヨ 秀明泉 富土夫王929 Texture　Contro1of　Clay－Aerogel 中沢 弘基・山田 裕久 Clay　SciThrough　the　Crystailization　Process　of 藤蘭 武敏・伊藤 良勝 6，269．1987互Ce（8）登録番号 題　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等互930 Preparation　an（玉ProPerties　of　Three 小野　　晃・石沢　芳夫 JPn．J．ApPl．Phys．Types　of　Crthorhombic　Superconductor 26，6，L1043，至987Ba．YCuヨー。O。リ玉931 無機材質研究所・第1研究グループ 白嵜　信一 エレクトロニク・セラ」ミクス5月，54．19871932 塩基性炭酸マグネシウムの微量不純物にお 松E日伸］・小浜　弘之 Gypsum＆Limeよぽす含成条件の影響 池末　明生・小林美智子 209，7，玉987自蕎　信一1933 Preparation　of　Molybdemm 佐伯　昌宣 Chem．Lett．互ntercalated　Tanta王um　Disulphide 小野田みつ子 1353．1987Mo工TaS。1934 Synthesis　of　a　Superconducting 福長　　傭・石沢　芳夫 窯業協会誌Perovskite－Like　Phase　in　the　System 田中　高穂 95，6，663．1987Ba－Y－Cu－O互935 The　Properties　of　Amorphous 月岡　正至・増尾　　翼 Proc．11th　Symp　onBa2NaNb5015Thin－Fiim　for　L呈ght 嶋津正司・笠次徹 ISIAT’87Wave・Guide 脇野喜久夫 4王5．19871936 Crystal－chemical　studies　on　the 大橋　晴夫・藤蘭　武敏 J．Jpn．Assoc．M1n．Petr．immiscibi王ity　phenomena　in　the Ero口．Geo1．NaCrSi20巷一CaMgSi206Pyroxene　system 82，6，2王工，1987互937 高周波熱プラズマの発生とセラミック合成 石垣　隆正・1＝二木　昌次 セラミックデータブックへの応用 松本精一郎・守吉　佐介 138，至987王938 One－Dimensional　Large　Tunnels　in　the 渡辺　　遵・佐々木高義 J．Sol．Sta，Chem．New　Compound：KエGa蝸十エTi蝸一エ056 北見　喜三・藤木　良規 68，177．1987（工≦2）互939 ACrysta11ographicSt口dyon 小野　　晃 Jpn．J．Appl．Phys．Ba．YLu．O。一。 26，7，口223，至987互940 High　Tc　Superconductor　YBa皇Cu富Oヅ 室町　英治・内田　吉茂 Jpn．J．Appl，Phys．Oxygen　Content　vs　Tc　Relation・ 石井　紀彦・田中　高穂 26，7，L1156．1987加藤　克爽194互 Oxygen　Effect　on　the　SuPerconductivity 野崎　浩司・石沢　芳夫 JPn．J．ApPl．Phys．of　Ba．YCU．O。一ツ 福長　　脩・和田　弘昭 26，7，L1180．19871942 Electron　D雌raction　and　Microscope 松井　良爽・室町　英治 JPn．J．ApPl．Phys．Study　of　Radiation　Damage　in 加藤　克爽 26，7，L1183，王987Ba．YCu．Oツ王943 歯骨用アパタイト素材 門間　英毅 人工的生体機能索材に関する調査研究41玉944 Crysta1Str口cture　of　the　Tetragona1 泉富士夫・浅野　肇 JPn．J．ApPl，Phys．Form　of　Ba2YCu君07＿エ 石垣　徹・室町英治 26，7，L1214，王987内田　吉茂・渡辺　　昇1945 Crystal　Stmcture　of　Ba1．5Lal．5Cu307＿工 泉　竃士爽・浅野　　肇 JPn．J．ApPl．Phys．石垣　　徽・室町　英治 26，7，L！153．1987松井　良夫・内田　吉茂1946 Crysta1Stmcture　of　the　Orthorhombic 泉　富土夫・浅野　　肇 Jpn．J．App1．Phys．Form　of　Ba2YCu宮O？＿エat42K 石垣　徹・室町英治 26，7，L1！93．1987内田　吉茂・渡辺　　昇王947 Protanic　conduction　in　HZr2（PO。）雪 太田　正恒・小野　　晃 J．Mat．Sci．Lett．crystals 濁村富士夫 6，583．1987※訂正　！856前号（王08号）4ぺ一ジ　Dissolution　of　Deuterium　into　Proton　CondUctor　SeCeo．輔Ybo．0503吋石垣　隆正 Sol．Sta．Ionics21，　　239．　　！986（9）☆　M　E　M　O　☆運営会議　2月29日，第109回運営会議が1〕昭和63年度予算にっいて，2）昭和63年度業務計画について，3）その他の議題で開催された。研究会　2月29日，第19回チタン酸塩研究会が「最近の触媒反応にっいて一接触焼結反応触媒にっいて一」の議題で開催された。海外出張　第3研究グループ主任研究官井上善三郎は，「ファインセラミックスにおける結晶化学の研究」のため，昭和63年1月26日から昭和63年10月9日まで，カナダ国へ出張した。　第5研究グループ主任研究官高橋紘一郎は，「第1回高温超電導体材料及び機構に関する国際会議出席及び討論」のため，昭和63年2月27日から昭和63年3月9日まで，スイス国及び西ドイツ国へ出張した。外国人の来所12月14日　Mr．Fide1Duque在日コロンビア大使　　　　　他1名12月14日　Dr．L．W．Davis他3名　オーストラリ　　　　　アAcademy　of　Technololgical　　　　　Scienses　and　Engineering2月3日　Mr．Raymond　Danied　Dixon　米国ロス　　　　　アラモス国立研究所2月4日　Dr－Jansen　西ドイツBMFT他8名2月5日　Dr．N．A．Waterman他5名　英国超電　　　　　導ミッション2月12日　Prof．V．Ka1innikov　ソ連科学アカデ2月16日　Mr－Dirceu　ブラジルサンパウロ州立技　　　　　術研究所他8名（国際協力事業団研修員）2月18日　Dr．Hugh　Wyme・Edwards他1名　カ発　行　日編集・発行　　　　　ナダアルカン社2月18日　フランス　サンテチェンヌエエ科大学学　　　　　生12名ファインセラミックスフェア’88　昭和63年3月3日から3月8日までの6日間，名古屋の吹上ホールで行われ，当研究所でも基礎研究のコーナーに展示しました。i般公開のお知らせ　本年の科学技術週問は，「時代をつくり，次代を拓く科学技術」というテーマで4月18日～24日まで実施されます。　当研究所では，下記のとおり一般公開を行います。　　　　　　　　　　　記公開日時　昭和63年4月22日（金）10：00～16：00公開場所　無機材質研究所実施行事　一般公開（主要設備，映画，ビデオの映写）■なお，当日は，他の科学技術庁関係機関も一般公開を行います。それに伴い巡回バス（無料）が運行されますのでご利用下さい。昭和63年4月1日　第109号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木1丁目1番電　言舌　　0298－5ユー3351（10）