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[NRIMNews1994-09.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/e56429c9-9b3a-4cf3-89e2-f301c9099b2d/download)

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石井 利和

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[金材技研ニュース 1994 No.9](https://mdr.nims.go.jp/datasets/440c9d21-2d88-42aa-a985-462129beca50)

## Fulltext

金属技研ニュース　1994　No.9七〇一．ゼEoo一一〇E蜆E0一垣o］一〇〇〇．o0＝あ○餉oo．］o－E0－ooo］101E0f000蜆o〇一10－〇一蜆○蜆眈Eo．ゼ≧里三…oo…Z－o○蜆］0f←試料磁気浮上搬送／ジルコニアの変態／硫化処理GaAsの表面／極低温疲れ試験1万時問／超清浄環境下で試料を磁気浮上搬送物質の単原子操作に不可欠な基幹システムを開発　次’阯代における新材科の創製では，物質の原子配列を単原子レベルで制御するようになることが予想される。それには，真空度10■m　Pa以下の極高真空中で蒸着基板表面の清浄化，蒸着，加工，特性分析，性能評価等の操作を行える極高真空一貫プロセスが必要であり，各操作を行う機器装置の間を試科が白由に搬送できることが要求される。搬送に1際して，摩擦等の機械的接触はダストやガスの放出を伴って超清浄空問を汚染する恐れがあるので，非接触の浮上走行方式が不可欠となる。　当研究所では，試科を浮上搬送させるシステムとして，常伝導磁気浮上型の長距離用搬送装置，およぴ，超伝導磁気浮上型の短距離用搬送装置を試作・開発した。図に示すように，この2方式の搬送装置を大型極高真空システムに組み込んで，ダストの発生やガス放出を起こさずにlO■昌Pa台で浮上走行させることに成功した。　常伝導磁気浮上型の搬送装置は移動子と固定子を組合わせ，固定子内の電磁石が発生する電磁力によって移動子（ケイ素鋼誘導子を内蔵）を浮上させて，それをリニァ図　極高真空一貫プロセスの構成1刻　　（3台の装置が按続されている）モーターにより走行させる。安定走行させる目的で，固定子には浮上高さを保持するためのセンサー，および，走行速度と位置を監視するセンサーを取り付けた。電磁石とセンサーは固定子内に完全密閉し，極高真空へのガス放出を防止した。走行子は浮上高さ約1．5mmで5cm／sまで加速でき，O．5mm以下の位置精度で停止できる。　一方，超伝導磁気浮上型の搬送装置は長距離搬送装置へ試料を引き渡すために用いた。この搬送機構は，搬送子（YBa．Cu茗O。一δ）と移動子（SmCo系永久磁石）との組合わせで，超伝導体特有のマイスナー効果とピン止め効果によって移動子を安定浮上できる。このため，電磁石を用いた常伝導磁気浮上の場合と異なって，浮上高さの保持や振動防止等の制御装置を必要とせず，搬送装置を小型化することができた。移動子の走行は，冷却槽内の搬送子をモーター駆動のベルトで送ることによって行い，浮上高さ約3mm，速度約3cm／sで往復走行できる。　現時点では，超伝導磁気浮上型の搬送装置内のステージから常伝導磁気浮上型の搬送装置内のステージまでエアーシリンダ式ホイスト機構を介して試料を受け渡すことができた。写真　超伝導磁気浮上型搬送機構1一ジルコニアの拡散変態と無拡散変態セラミックスの相変態の解明に金相学を応用　ZrO。（ジルコニア）にMgO（マグネシア）やY．O。（イットリア）を数％添加した「部分安定化ジルコニア」は強靱なセラミックスとして注目されている。図1に兄るように，MgOを添加したジルコニアの高温安定相は正方品（t）相と立方晶（C）相，低温安定相は単斜晶（m）相であるが，試科を高温から室温に冷却すると，t相やC相が過冷却されて準安定相として室温まで持ち来たされる。両相が準安定化されていることから，部分安定化と云う。部分安定化ジルコニアの強靱化の機構としては，試料内のクラックの先端部における応カに誘起されてt相が安定なm相に変態することや，変態歪みによって生じた多数のマイクロクラックが破壊応力を緩和することなどに起因すると考えられている。従来，ジルコニアの相変態に関する研究はセラミックスの専門家によって行われてきた。しかし，原子の拡散を伴う相変態にせよ伴わない相変態にせよ，金相学的な手法をかなり応用できる分野であり，本研究ではZrO。にMgOを9．7mol％添加した試料について加熱・冷却した場合の相変態の過程および微細組織の変化を調べた。その結果明らかになった事柄を紹介する。　約1900Kで焼結し徐冷した試料を，室温から1490Kの温度範囲でo．17K／sの速度で加熱・冷却しながらt／m変態に伴う熱膨張変化を測定する一方，微細組織を透過型電子顕微鏡で襯察した。焼結後の試料はほぼt相とc相から成り，母晶であるc相の（100）面内，［OOユ］方向にt相が直径約20nm，長さ約200nmのレンズ状に微細に析出していた。図2は加熱・冷却を繰り返したときの冷却中の熱膨張温度微分曲線を示す。特徴的な点は，ユ）試料中にt相が一1・一分に存在するにもかかわらず加熱・冷却の最初の3サイクルの間では変態が起こらないこと，および，2）加熱・冷却をさらに繰り返すと変態が起こるようになるが，変態の過禾呈は単一でなくて400－750Kの低温と100トユ200Kの高温との2つの過程で進行することである。低温過程は原子拡散によらず，せん断によっ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ユ・O　ZrO呈一9．7mol％MgO　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　冷去1j速度：O．17K／s。。1．O　　　　　　　　』　数字：加熱冷却繰1〕返し数　　　　　　　　　　　　　　　　　　ごO．5艶　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　10　　　　　　　　　　　　　　　　　　巾　　　　　　十15史1700　　　　　　　　　　　　　塾　　　4　　　　18　　　　　　　　　　　　　　　　　　挫　　　　　　　　　　　　　　　　　　庭　ハ　　　　　　　　　　　　　　　　　　蝶　　　　　　　　　　　　　　　　　　蟄　　　　　　　　　　　　　　　　　　鳶1　300　　600　　900　　1200　　　　　　　　　　　　　　　20　　　　　　MgO濃度（モル％）　　　　　　　　　　　　　　　　温　度（K〕　　図1　ZrOゴMgO系の平衡状態図　　　　図2　冷却中の熱膨張温度微分曲線2500210017001300’　1513K　　　　　　　t＋MgO　■■■一0止L■■■■■■■■■■■一■■uuL■■■！　単斜品相、m、十、、。0　　　　　　0　　　　　　10　　　　　　ユ5　　　　　20　　　　　MgO濃度（モル％）てt相がm相にマルテンサイト（M）変態する過程であり，始めのうちはt相のサイズが小さく，また，母晶による拘束が大きいためにM変態が進行しないが，析出物が粗大化するにつれて変態し易くなって変態温度は上昇していく。一方，高温過程は10サイクルで出現し始めるもので，これは加熱・冷却中に原子拡散によってC相がほぼZrO。から成るm相とMgOに共析分解し（図1），このm相が加熱中にt相に変態した後，冷却中に再びm相に変態する過程である。MgO含有率が低いt相は不安定であるため，ほとんど過冷却を示さずに高温でm相に変態する。ZrO・c相中のMgOの拡散係数から加熱・冷却中に拡散するMgイオンの平均距離を兄積ると10サイクルで約O．2μmに達し，この値は1373－1573Kの等温焼鈍1・l11lに共析分解が起きるまでの平均拡散距離と同程度である。　t／m変態を繰り返した試料には，変態歪みを緩和するために生じたマイクロクラックが主として結晶粒界に沿って多数観察された。写真はマイクロクラックの近傍の高分解能電子顕微鏡像である。原子レベルで見るとクラックがm相の（111）面上で［IlO］方向に伝播したことや，刃状転位がクラックの極く近傍に発生していることがわかる。この結果は，転位も変態歪みの緩和に寄与することを示しており，塑性変形し難いセラミックスのM変態のダイナミックスを解明する上で重要な知兄である。　金属ではM変態の前駆現象として弾性率が低下する現象が観察される。部分安定化ジルコニアのt／m変態においても弾性率の低下が生じるか否か等を調べ，変態のダイナミックスの解明を今後とも進めて行く。・■㌢惣1’11’写真　変態誘起したマイクロクラッ　　　ク近傍の高分解能像一2一硫化処理した化含物半導体G．A。の表面構造走査型トンネル顕微鏡により2×6構造を観察　半導体の内部と異なって，表面では原子結合の手が余った形で存在し，これをダングリングボンド（Dan－g1ingbond）と呼んでいる。このダングリングボンドを反映して，禁制帯中に表面準位と呼ぱれる電子エネルギー準位が現れる。ダングリングボンドに水素などを結合させて表面準位を消失させ，外部雰囲気に対して不活性にすること，即ち，表面を安定化させることは，表面近傍の電子特性を利用する半導体デバイスや集積回路の性能にとって重要な問題である。近年，GaAs（ガリウムーヒ素）表面を硫化処理すると表面準位の数が大幅に減少し，また酸素などの吸着に対して不活性になることが報告されて注目を集めている。当研究所では，以前に開発した液滴エピタキシイ法（金材技研ニュース，1991年No．12）と，硫化処理によるGaAs表面の不活性化法とを組み合せることにより，多数のGaAsエピタキシャル微結晶を均一に成長させることに成功している。この2方法の併用は，新しい型の電子デバイスとして注目される量子井戸箱の作成技術として有望である。　この作成技術を確立させ，また微結晶形成のメカニズムを解明するには，まず硫化処理したGaAsの表面構造を明らかにしておくことが必要である。GaAsはNaC1型の結晶構造を持ち，表面の方位は通常（O01）面である。硫化処理した表面のS原子の配列はこれまでに多くの研究機関で調べられ，反射型電子線回折（RHEED）の実験から2×1構造，即ち，一方向に2倍周期，それと直角方向にユ倍周期を持つ構造が安定な構造と考えられてきたが，2×1構造はまだ確定した訳ではなく，表面構造の詳細は不明であった。また，処理した表面がかなり凹凸であることは回折像に透過斑点が現れていることから推測され，凹凸の原因としては硫化反応に伴うエッチング効果が指摘されている。それに加えて，従来の硫化処理は大気中で行っているので表面酸化の影響を無視できない。　そこで当研究所では最近，真空中で硫化処理する方法を開発した。これにより，エッチングや表面酸化等の影響を受けずにGaAs表酉に硫黄の単原子層を形成させることができる。この処理を施したGaAs（O01）表面を走査型トンネル顕微鏡（STM）で観察した結果，安定な基本構造は2×1ではなくて2×6構造であることが判明した。写真1は超高真空中（I×10…冨Pa）で作成したGaAsの（O01）表面のSTM像である。広い平坦なテラス上の，＜110＞方向に平行にO．8nm間隔で並んだ黒い線が確認できる。これは＜110＞方向に2個のS原子がペアー（ダイマー）をつくり2倍周期を形成していることを示している。また，＜110＞方向に平行にO．4×Nnmの問隔（N＝2～7）でランダムに並んだ黒い縞が確認できる。この間隔について統計処理した結果，最も頻度が高いのはN＝6，即ち，2×6構造が基本であることが明らかになった。写真の中の白い矢印は，2x6構造を示している。また，RHEEDの実験からもこの構造が妥当であることを確認した。　写真2は2×6構造の拡大写真で，それに原子配列の模式図を添えた。III－V族のGaAsに対して，SはIV族元素であることから，模式図に示すダイマー1つ当りに電子が1個余る勘定になる。それゆえ，表面を隙間なくダイマーで覆った形の2×1構造では電子が過剰になって不安定となるのに対して，図のようにダイマーが6列のうち1列抜けた形の2×6構造であれぱ，過剰な電子がダイマーの抜けた部分で丁度緩和されて電気的に中性となり安定である。　以上，硫化処理を施したqaAs（OOl）面上のS原子単層の配列として2×6構造が基本であることを実験から見いだし，理論的にもこの構造が妥当であることを示した。この成果は，硫化処理と液滴エピタキシイによるGaAs微結晶形成機構の解明，ならびに，微細な量子井戸箱の作製技術開発にとって基礎的かつ重要な知見である。写真1　硫化処理を施したGaAs（O01）表面のSTM像。写真左　　　側の白い部分は上方および右側の黒い部分に比べて　　　　一原子層高くなっている。　　　　　　　　　　　　　　　O，4nm　　　側面図　　　　　　　S　　Ga　　As　　　　榊　　　　　τ写真22x6構造の拡大STM像，およぴ模式図一3一極低温疲れ試験装置を液体ヘリウム温度で1万時間運転再凝縮冷凍方式の有用性を実証　次世紀への技術上の橋渡しとして核融合炉，超伝導発電機，磁気浮上列車などの超伝導利用機器の実用化が期待されている。それに応えるには機器や構造材料の信頼性・安全性を確保することが必要不可欠である。その中でも構造材料の低温疲労特性の評価は重要であるが，液体ヘリウム温度という極限条件下で行う試験のため，我が国のみのならず世界的に兄ても汎用的に使用できる極低温疲れ試験装置が開発されていなかった。　そこで科学技術庁では，昭和50年度特別調整費（単年度）で極低温科学技術における基礎的課題の抽出を行い，それに引き統き昭和52年度からの特別調整費（4力年）で神戸製鋼所へ委託して極低温疲れ試験機を開発した。さらに長時間連続運転によって極低温疲労データを取得するため当研究所において昭和55年度から特別研究（／0カ年）を開始し，試作機をもとに高信頼性をもつ極低温疲れ試験機を開発した。この板低温疲れ試験機を当研究所の構造材料実験棟に昭和58年3月に設置し，各種高強度極低温構．造材料の高サイクル疲労データの蓄積を開始した。　この試験装置で採用された方式は世界的にも類例を見ない再凝縮冷凍方式と呼、喜；もので，予め液体ヘリウムを入れておけば試験終了まで液体ヘリウムを補給する必要がなく，これによって運転経費ならびに労カの削減が実現される画期的なものであった（金材技研ニュース1983年No．8）。　その間，データの取得とともに長時間運転披術の改善に取リ組み，クールダウン（冷去1」温度到達）までに要した時間を約1／3の6時間に短縮，試験片交換に要する時間を約11痔問に短縮するなどに成功した。また，試験片交撫時の液体ヘリウムの補給量も1木当り約10リットルと大幅に削減することができた。このようにして低コストの長時間運転技術が確立され極低温高サイクル疲労データの取得が一層容易となった。　このようにして，設置以来11年目を迎えた今春の運転で積算10，O00時間を達成した。また，ユ回ごとの連続運転としては1，OOO時間以上が可能であることを実証した。運転ユ0，000時間の達成は再凝縮冷凍方式の優秀性を実証するものであり，ひいては極低温技術全体の発展ならびに信頼性向上に多大な貢献をするものである。　すでに世界的に兄ても貴重な極低温高サイクル疲労データを取得しているが，今後行われる低サイクル疲労，疲労き裂伝播特件などの長11寺間実験にも期待を集めており，極低温疲労に関する広範かつ本格的データの取得に大きく道を開いたと言える。一方，その間の冷凍能力，断熱性能等に関する技術的進歩も目覚しく，これらの進歩を取り入れることにより一層の長時間運転技術の改善が可能となる。連続運2000転　1000時間　0「「O00100009000800070QQ600C5000400030002000「・・。／巧1・1。1000O141516’輪　17rlr・積算運転時間一4一海外での研究発表（1994年7－9月分）第8回世界セラミックス会議（6∫ヨ281一ト7ハ4111，イタりア・フィレンツェ）1）Degradation　Behaviour　of　Advanced　Ceramic　I〕owders：（I）Supercoducting　and　Tetragonal　Ziron1口m　　Oxide一　　　　義雄，打越哲郎，大野　悟2）Degradation　Behaviour　of　Advanced　Ceramic　Powders：（II）A1N　and　TiN　U王trafine　Powders一　　　　義雄，打越哲郎，奥山■秀錫，」大野CARBOパ94（7j二j31ヨ～7｝ヨ81ヨ，スペイン・グラナダ）！）E1iminatioηBehaviour　of　Meta川c　Ion　from　Its　Dilute　Solution　by　Act1vated　Carbon　Fiber　under　App1ied　　Electrica1正）otentials．　　　　　功，1渕本三永予，寓1崎昭光，他1名第4回高温超伝導体の物質とメカニズムに関する国際会議（7j〕51ヨ～7ハ91・1，フランス・グルノーブル）！）Press蛆e趾fects　on　the　Physical　Properties　of（Y1一、Pr。）2Ba．Cu70…5一δ．　　松下閉行，名灘節，松本武彦，他8名2）Decay　of　Metastab王e　State　of　High　T．and　ConventionaI“1ow　T。’’Superconductors．　　　　　満，沼澤健貝1j，他1劣3）Superconducting　Properties　of　Ag－I夏ntercalated　Bi．Sr2CaCu20。一　　熊創榊1，北1一ユ仁，戸1トト瓜，他1名4）Bi－2212Films　and　Tapes　Irradiated　by120MeV　Oxygen　Ions．　　熊創榊ヨ，戸叶一正，他2名5）Growth　and　Properties　of　Bi．Sr。（Ca，Y）Cu20呂十δ．　　茂筑高＝1二，1＝H二脇矛11閉6）Structural　Disorder　and　ReIaxation　in　YBa2Cu．Oブ苗Thin　FiIms　and　Their　Inf王uences　on　T、．　　葉　金花，I芋1村恵諸繁13回團際電子顕微鏡学会（7』1司！71二1～7jヨ221ヨ，フランス・パり）1）Focused　Ion　Beam　Interface　with200KeV　TEM　for　the至n－Situ　Observation　of　the　Lithography　of　the　　Semiconductors．　　古崖一夫，斎藤鉄哉，他2名2）In－Situ　EiectronMicroscopy　ofSecondaryDefects　in　Ni至nducedby　H＋and　Ar＋Irradiation　in　TEM．　　石川信博，肯崖一夫3）Electron　Diffraction　a1ユd　HRTEM　Studies　on　a　New　Sしlperconductor　YPd2BゲC　Compound一　　池1］ヨ省三，藤井宏樹，木村　隆，熊禽滞1凋，門脇和鍔，ア州I一止4）Deve1opment　of　CCD　Camera　System　for　Oi一一11ne　and　Precise　Measurement　of　Electron　Diffraction至nten－　　sities　and　Its　Application　to　the　Investigation　of　Oτdering　in　Cu3Au　Alloy一　　木本高義，斎藤鉄哉PTM’94（7ハ171三1～7ハ221三1，アメリカ・ピッツバーグ）ユ）Tetragonai　to　Moiユoc王inic　Transformation　in　ZrOゼ9．7mol％MgO　during　Cyc1ic　Annealing，　　1聯1幅士雄，宗木政一1CSM’94（7月24El～7月29日，雛国・ソウル）1）The　Shu1⊃nikov－de　Haas　Osci1王ations　and　a　Sma王Iαosed　Orbit　inθ一（BEDT－TTF）2I君．　　寺嶋太一，字治遼也，背木晴善，他3名2）Reexamination　of　Angle　Depel－dent　Mag舵toresistance　Oscillation　inθ一（BEDT－TTF）2至ヨ．　　寺鴫太一，字治一進也，L第11回半導体物理における強磁場国際会議（8」ヨ8Eト8月12Ei，米圃・マサチューセッッ）1）Anisotropic　Electron－phonon　Interaction　Observed　iパbe　Magneto－phonol／Resonance　of　Black　Phosphors一5　　木戸義勇，他3名強相関電子系に関する国際会議く8月ユ5日～8月18日，オランダ・アムステルダム）1）Magnetization　and　Hau　Effect　under　High　Pressure　in　NaV．Oll．　　名嘉　節，松本武彦，他2名2）de　Haas－van　A王phen　Effect　Study　of　CeRu2Si。．　　青木晴善，宇治進也，寺鳴太一，他4名3）Anoma1ous　Physical　Properties　of　Low　Carrier　State　in　f醐ectron　System一　　寺嶋太一，字治進也，青木晴善，他46名4）de　Haas－van　Alphen趾fect　in　CeP、　　寺嶋太一，宇治進也，青木晴善，他4名磁性に関する国際会議（8月228～8月26日，ポーランド・ワルシャワ）ユ）Magnetization　at　High　Pressure　in　CeP一　　名嘉　節，松本武彦，他4名2）Magnetic　Properties　of　Iron　Fine　Particles　in　Fe－MgF2Composite　Fiims．　　古林孝夫3）dHvA　Effect　of　Rare　Earth　Intermeta1lic　Compounds．　　青木晴善，宇治進也，他7名Pre－Assembly　Symposiunr　on　Welding／Joini引g／Coating　and　Surface　Modification　of　Advanced　Materials・（9月ユヨー9月2日，巾国・大連）1）Inf1uence　of　S　Content　on　Molten　Meta1Flow　in　Laser　Melting　of　Stee1and　Cast　Iron．　　入江宏定，浅井義一，他1名園際溶接学会（9月3臼一9月10日，巾国・北京）1）Fatigue　Crack　Propagation　in　Welded　Joints　mder　Random　Loadi㎎in　Splash　Zone．　　太脳昭彦，前田芳夫，他2名第13回蔓一1コッパ界面化学会議（9月11臼一9月王6日，ウクライナ・キエフ）1）Reaction　between　Nb3A王釧d　Oxygen　and　Air　below　lOOO℃．　　岡本三永子，宮崎昭光，冨塚　功第13回国際希土類磁石会議と第8回国際磁気異方牲と保持カ会議（合同）（9月11臼～9月15日，連合王国・バーミングガム）1）Magnetizaiton　Measure㎜ent　of　Permanent　Magnets　Using　Pu1sed　High　Magnetic　Fie1ds．　　木戸義男国際磁気会議（9月1H－9月15日，連合王国・バーミングガム）ユ）Field－Induced　Magnetic　Phase　Transition．　　木戸義勇，他4名10月の研究発表（国内分）脇全名 開催郷H蓄1 発　　　表　　　魑 員 発表者（所属）目本化学会（名玄崖・名古屋■大 ／o． ユーユo． 4 至 電解還元したアンチモンーフタロシアニン錯体の分光学 砂金 宏洲機能）他向勺催質2 基板金属原子の蒸着金属潮1糞」二への拡散汲ぴ偏析と表繭 畜武 遺子（4G）他組成の農旧匝1復第41圓腐食防食討論会（松1加打） ユo． 3－lO、 5 至 臓一子モアレ法によるSPM酬象のi書締度化 升鐵．1 ’樽之（損傷）員本金属学会（繍箭1・加香1’大学） lo． 8－lO．王O 至 γM〇一〇Hの格・’r・変彩 ’火河内 則物’1隻）2 RAlOヨ｛R＝Dy，一｛o，Er）単緒■記1の磁気エントロピー変化 木村 ’秀夫1機能）他3 低淡素フェライト鋼の一長1制樹クリープ強度を支酉己する固 小野等秀馴設計）他溶元繁の効果4 坤性予小角敵糺によるFe－Cし1－Nb－Si－B微細組轟長余金の概 大沼 三1三．八（設計）他究5 Nm・基制醐到化含物合金の機械向勺特性について 小泉 裕（設膏1I）他6 M基単結≡寿11趨含金の吋1温度領域｛800℃）クり一プ特粋に 村一i．二 秀之1設計）他及ぽすCoの影饗？ 金麟のエコマテリアル化のための諜題一りサイクラブル τ与林 英一・・一（反応〕材料設計一8 金鰯趨微粒・子の発火現象 ■大婆 偶1反応）f也9 州茗Alの変形応力の．誘逮度依桝型1 j；互蝦 敏刺反応）催一6一　　　　学・脇会名員本金鰯拳会（禰1話1・九州’火1…拝1）日本鉄鋼協会（橘㈹・九州火学）目本分析化挙会（棚1渕・九州大学1）繁39国人ユニ緒晶討論会（東氷・東京大学）The5th　WorkshoP　on　TotalReflection　X－Ray　Fluore5－oence　　Spec1：rosooPy　　andRe1昌ted　SpeotroscoPioalMethods（っくぱ・二1二薬披術院共目本セラミックス協会秋季シン潔ジウム（札概・北海遭大学）EPMI94（名沓騰一名刊’濾大学）港接挙会（大阪・火阪］二薬火学）1娼倣…坦］1渕10．　8－10．王O10．　8…10．lO10．】．3～lO，1510．17～1O．1810．17～1O．19lO．］．9－lO．2110．25－lO．2810．26～10．281O．11．12．13．14．15．16、17．18．19202至2223．2考．25．1．2．41旦2　　　　　　発　　　表　　　魑ZrO。一97mol％MgOのサイクル加熱冷圭1jl・llの共析分解とt／m塗態ZrOゲMgO，ZrOゼY．O苫のK■。に及ぽす1時効処碧胆の彩襟共通テ㌧タ処珊1環境を1’邊いた標1焦スペクトルテ㌧タペースの構・築金鵤潮峡．．1ニヘの’’ド地金属元災の伽抜・低11析に一与・える拡散鴻1の彩熱≡金燧灘膜／淋1膜／ヨ，暮板の系における弊i酉エネルギーイユ、長’’’ドによる備菩板共遡データ処理環境聯1雛X王〕Sスペク1りレの特焔苧舳透逸酉望斑予一鐵徽鏡による駿化物分敵独化含金の分敵質の褐正究窒索イオン哲三人した金燭1閉化合物Ti・Alの1高分解能斑獺鰯察H跳Sl・！CaCl1筥O｝／Agj葬男襲の低酸索分圧熱処理11と剤1織変化ヘリウムを主1≡入したFe・M・Cr系オーステナイト含金11’1のタモ言包素且寿般フ。ラズマ溶射撞…による趨税灘磁気シールド容継の作製i養洞蔓力鍋のフレッティング疲労に及ぼす繊言璽1而i1独詩王の影辮SiC徽箏独化A2024－O複含材料の疲労およびフレッティング疲労解瑚千灘羨燃傭燃熱i7レツテイング疲労繊溶繁、化したT1－6Al－4V含金の・疑似体液1・1・1燦茅看雑・1生と蒜1日胞稚Ti－Ni潮1葵の変態溢乱度の及ぽす熱サイクルの効災U。哲望槻贋1」含金（Co，Fe）ヨVの環境脆化フェライト釜1蜀の飼馴；］クリープ強度に及ぽす1閨溶允素の握’剖聾冷1鮒正延したユOCr－30Mnオー一ステナイト董1蜀のクリープ挙動Mod．9Cr一］．Mo鍋の高’｛搬弾俳卒1j；1」定およびクり一プデータ解析への応月ヨイオンスパッタりング’淡による金椛綴織繊察’’嗜試料・の作製オーステナイトステンレス垂岡の粒弊クり一プ搬傷抑㈱によるクり一プ破廠崎1；罰傍1ち三の改籍金鮒〃、漱織蒜雛鍋，翰，吉る素搬1着金パイプシードをJ’喀いた引」二げ淡によるBaB・〇一雌繍1暮1の剤災Interference　Effect　in　GraziI1鼻Incidence　X－R纈y　Re一舌1ectiv1ty／Flしlorescence　Experlments舳d亙ts　ApPlica・tion　to　Th1n　Fil，珊An罰1ysis．MUREX（Multip1eReチlect1o蜆ofX－R劃ys〕：AConl－putel’Program　for　Calculation　and　Dat…1An目1ysis　i11Grazing互1］cidence／Exit　X・Ray　Measurenle11ts．銘二飛己夢11のためのセラミックス災搬」二への1竃子ビーム榊鋤笈術Cold　Crucible　Type　Lev｛tation　Meltingもy　Supplyi日gTwo　Frequencies．㌶磁鱗燃楳SCMV2…2NT釜岡の徽突含せ溶接　発炎瑞．（所煽）1打嫡臓＝1＝雄（環葦境）他労…■木背武、！減池1ヨ」！松1勢熊倉11．沐正文一（残毒塚至〕｛也一紘（4G〕他滋子｛4G）他遭二r｛4G）他巡・了・（4（｝）イ随省三（表τ飯）イ也一1忠久（炎耐他拝榊ヨ（1G）他徽剰1（2G）他剤I慨二（独磁携）他　　　興三（2T〕他丸111　典犬（2T）他11沐玲予（2T〕他セツウマダハヴ7ン（2■r）他言～百ヰ寸1；ii王郁1，；蝪大」易1．i，ll・，・1木村桜引・桜判・守炎（3T）他　担斐（機能）他太一・・一（1没喬’1．〕｛山栄次（環境〕イ岨敏夫（環境〕他’秀瑚佳（環均竜〕イ也純郎（5G）他　條（計測」）イ晦秀犬（機能）他健次（1T）他健次（ユT）不鋤噺　洛（5G）他欄澤　　　堆o更応）イ也前臼1　芳夫（螺…境）イ也令特許速報令⑧出　願発　岬1の　名I称 日．1駆1二1 舳鰯播一響’ 発　1リj端’名駿化物紙覧導休の製造プテ法 6．4．22 06－1C7652 臼11■辛晴秋，浅野稔久，松本父1娼，1舳1弛、，他2名（往友災機械二1二薬株式会希1二との共剛I．畷）趨滋擦物質 6．4．26 06－109ユ7考 戸洲†一j1三，藤妙宏繊，熊禽洛瑚j，F『脇不1］錫，池111＝脇三、木村　縫減褒力W変型，緩衝撚およぴこれに適する磁憎1流体流鋤茄1」御機 6．6．6 06－123857 11俗功，胸橋務，他2名（［1蜘…働j捧株式会福二と維 の共剛工燭〕耐放射線一雛・不純物補償哲批検安1燃 6．6．9 06－150583 燦本頂1樹，秦1雌宏商エネルギー粒予線J羽禾責算線搬モニター 6．6．9 06－150593 摩本I甑樹、11箇禽　宏訓三線蛮皇榊1三方法 6．6．10 06－151772 升1｝榊之◎登　録発靱ヨの名称微粒・了・コロイドおよぴ磁1…1三流体の製遺裟綴漸奥空容著詩榊才料の｛氏溢被覆法水素分雛用合金膿一滋」1空瀦詰本葬塾推義1週j担緒［融モリブテ』ンの拡敵接含方法登録1ヨ1212777登録番一警一玉84玉501ヱ841487玉846672玉846627玉846667発　1月　煮　名工1・俗功，ニビツ微行、商橘務ニヒ伽醐、、剖j1一一紘口互非寸　　1圭菱、　ゼμ支匿定淘圭，　ヲミ壁｝・；拳…争捧］＝1一俗幼、ニビ方殴行，漸構務火概　修一7一禽短　信禽⑱受　費　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　惚流動冷却型20テスラ級大有効径超電導磁石の実　電気学術振輿費進歩賞　　　　　　　　　　　　　　　　　剛粥発」によ1），平成6年5月25［1，左記の賞を受け　　強磁場ステーション　井上　　廉　　　　　　　　　　た。1　　　　　　平成6年度金属材料技術研究所研究発表会のご案内　　　　　　　…；　1■自金馴：オ料技術研究所では，研究活動をより広くご理解していただき，その成果をご榊羽願うために，毎卒棚：究発表会を1粥……／楼しておi）ます。今年凌は，新討測，解析，謝藩子法等の発逮，発撰による研究機能の進燦とその成果を綿介し，それらがど……のように「材料設計」恩惣に組み込まれていくかを発表いたします。また，閥連研究施設・設備の兇学を行い，　研究能力の充……実をアピールします。多くの皆様方の御米聴をお待ち叶Iし．1二げます。（施設概要，識演婆涛は次号に掲載予定）　　　　　　……　　　　　臼　時＝平波6年u月10［1（木）1010トユ7100　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…姜　　　　　場　所：制．翁材料披術研究所つくば第1会議室茨城熈つくば引汗現1－2一王　　　　　　　　　　　　　　　……　　　　　　　　　　　徽磐斑速バス：竹1翻2’〔．1■ド車徒歩ユO分　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…董　　　　　　　　JR常磐線：荒川沖駅■ドj…1≡工　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…≡　　　　　　　　　　閑東鉄遭バス：剃11沖駅東1．1から筑波大学印央行き千挑1’lIl　l’ド球從歩5分　　　　　　　　　　≡　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　◇プ　ロ　グ　ラ　ム◇　ユ．　　　（琳前登録椛1」，定災6C名）　　（ユ〕王O1GO～ユO：05　あいさつ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　小口　　（2〕10105～ユ2：m施設兇学　　　　　高度な解析を支える研究設備一極限環境下と原予レベルでの解析　　　　磁弊実験糠（超電導マグネット）　　　　ビーム実験棟（材料脳射損傷その場分析・評価装概，磁気浮．1二式概高奥空搬送システム）　　　　精密計測実験ヰ封ミ（冷陰椴電弊放11II型透過電子顕微鏡）　　　　研究木蜻標雌実繊棟（アトムプローブ電界イオン搬微鋭）　　　　121／トユ3：ユO　　　　一休憩　2．研究発表（聴講帥1）　　　一基盤材料における材料設計研究の最近の進展一　　（1）131ユ〇一3：20　あいさつ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　所　　　新居　和轟　　（2）　『少ない元素で大きな効累を設計』（廠長1　　　　　　　　霞中千秋）　　　　13＝20～14：20　　　　・これ以上低くならないという基底クリープ強度がある　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　脚鮒1能研究部幸仔研究官　木村　一弘　　　　・固溶原子の振る舞いを計算してみると　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　材料設洲刀：究都第4研究室長　小野寺秀博…　　（3〕　『高温に耐える材料の設計』（座長：策4研究グループ総含研究官　吉原一紘）　　　　！4　＝3C～ユ6　：CO　　　　・二相整合組織を禾■岬した超耐熱合金の設計　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　材料設計砺1＝究部雛3酬＝究室長　原田　広史…　　　　・皮膜の剣離を防ぐ一イオウ，希土類金属，Y・O・の影響　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　搬傷機構研究部第3研究室炎　池囲　雄二書　　（4〕　『複合加工で組織・構造設計』（絡授1強磁場ステーション総合研究官　前囲　　弘）　　　　16＝1C～17：OO　　　　・成形を園的とするのみならず一極綱多芯超電導線のメタラジー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　強磁場ステーション定常磁場ユニットー11任研究常　竹内　孝夫…発1’f所科学技術庁金属材料技術研究所（本　所）予153東京削11黒殴11E11黒2－3－12　　　　　TEL｛03）37ユ9－2271，FAX（03）3792－3337（筑波支所）　ヤ305茨城県つくば沽千現王一2一夏　　　　　TEL（（〕298）53一工045｛ダイヤルイン〕，FAX（0298）53一ヱO05遡巻第429努　　　　　平波6年gj三1発行繍集兼発行人　　　　石1月・利和閉含せ先　　　　　伽1珂案普及係111」　節1」　所　　汕　111ξlj扇111株式金判1　　　　　　　茨城災つくば刊三束新洲・至4－58一