See neers Bee eee = apes SSS eens ect Saeaes = ee eee aa sreirasiors senteereeeeeeeereeereesseeee eS = = = a = Saeeseeneeee ene eceetos sS es Sec eera art ee se sesanecere tes epeameecereeepeareES Ss eaee Eee hese ate Saat nee ReRE Eee chrome eases etter eee seer cee Sc Re SS eser aes eoepeaaT ESE oe eae Sear we peeeoraeo SESE es eerie eres Cee eet eee ee Sees See Se Sees ee eae ees setae seat eeserenres eae Sse een erence eee eee Ses ee ae eee eee eee eer Beene eee se Sa eae ee aaa os oe Se re ee ee pacers Se ae pects eee : ——— seat ee es Se Ee eat bee renee ens ee a eis ee = seein eters ues Sa eer Ge = Bis eee eanere eae E 5 EE oie so ares SRR Sata sooner ate eee Be ee ; = es a x =f nee (ee Pe Nf Voce Sal if s taih 2 7 « SP ie gs a ot eA Litt e ee ae 5S aie TS aay Hf Re.» 7 mmee Toy * ayer BEE a r4 oe ey ae re ; ; ae ‘ag ~& bho. 3 cas eas : Ae 無機材質研究所二十年史 昭和61年4月 科学技術庁 無機材質研究所 _ aan : - er Po 気相成長法で析出したダイヤモンド微粒子 写真で見る20年のあゆみ ◁井荻庁舎 (昭和41年~42年) 駒込庁舎▷ (昭和42年~47年) △高圧力特殊実験棟起工式 (昭和43年3月27日) 高圧力特殊実験棟▷ (昭和44年12月) △研究本館(昭和46年10月) ◁筑波移転(昭和47年2月) ▽筑波開所式(昭和47年5月16日) △皇太子殿下行啓(昭和47年7月19日) △高温合成特殊実験棟(昭和48年3月) 高温高圧単結晶合成装置▷ △天皇・皇后両陛下行幸啓(昭和49年10月23日) △超高圧電子顕微鏡棟(昭和51年3月) 1,250kV超高圧電子顕微鏡▷ △無塵特殊実験棟(昭和53年3月) 無塵室▷ セラミックスつくば'83 (昭和58年4月) ◁浩宮殿下ご視察 (昭和58年6月7 日) ▽大容量超高圧力発生装置 △極限技術特殊実験棟 (昭和60年4月) 科学万博つくば'85 つくばエキスポセンター 特別展示 (昭和60年5月) ▷ 無機材質研究所全景(昭和59年9月撮影) 序 本昭和61年4月をもって無機材質研究所は満20周年を迎えることとなりました。無機材料 の持つ豊かな将来性を適確に指摘された産学官界の諸先生の高い先見に基づいて設立された 本研究所は,超高純度材質及びこれに類する新材質の創製を研究所の設置目的とし,独特の グループ及びステーション体制を以って,深く基礎科学に根を下した創造的研究を推進して 来ました。創立時に定められたこの設置目的及び研究体制は,本研究所の高い創造的生産性 の根源であり,また20年を経た今日なお些かも衰えることのない活力の源泉でもあります。 このように明確かつ適切な礎を設定された創設者諸賢の英知と,それを受け継いで揺ぎない 伝統に育て上げられた先輩諸兄の精進に対し,深い敬服と感謝の念を禁じ得ません。 20年間の研鑽と涵養を経てここに壮年期を迎えた無機材質研究所は,今やその基礎研究の 水準の高さ,及びそれら基礎研究から導かれる開発的シーズの先導性によって,世界的にも 著名な材料研究所の一つにまで成長しつつあります。無機材料に対する社会的要請が益々大 きくなりつつあるこの時期に満20周年を迎えるに当り,私ども所員一同は改めて今日の無機 材質研究所を築き上げられた先人の御尽力に感謝し,その継承となお一層の発展のために全 力を尽す決意を新たにする次第であります。 昭和61年4月 無機材質研究所長 後藤 優 創立20周年によせて AINA Fle kT 創立20周年を迎えて 国務大臣 科学技術庁長官 河野洋平 無機材質研究所が,非金属無機材質の創製に関する研究を行う我が国唯一の専門機関とし て昭和41年に発足して以来,本年創立20周年を迎えるに至ったことは誠に喜ばしく,我が国 材料研究の発展の歴史においても記念すべきことと考えます。 無機材質研究所は,設立以来,時代に先駆けた流動的,学際的な研究体制としてグループ 研究制度を取入れるなど活力に溢れた研究活動の展開に努めて参りました。さらに,昭和47 年3月の筑波研究学園都市への移転を契機として,世界的にも高水準の研究設備と高い資質 を持つ研究者の確保を図り,鋭意研究を推進してきております。そこで生みだされた創造的 な研究成果は,世界の最先端を行くものとして国内外より注目を集めており,また,各分野 への積極的な成果の普及を通じ,科学技術及び経済・社会の発展に大きく貢献しております。 申すまでもなく,新しい物質,材料の開発が突破口となって新しい技術が生まれ,経済・ 社会に大きなインパクトを与えてきた例は枚挙に暇がありません。その意味で材料研究は技 術革新の牽引車としての役割を担うものといえます。近年においてもエネルギー,エレクト ロニクス,宇宙・航空,ライフサイエンス等の先端的科学技術分野では材料開発が研究開発 プロジェクト全体の成否を左右するとまで言われております。このような中にあって,とり わけ豊かな可能性を秘めた無機材料への要請は大なるものがあり,新しい産業の核となり, 未来の豊かな国民生活の実現に広く寄与することが期待されております。このような要請や 期待が益々大きくなる今日,独特のグループ研究体制の下で,未来を指向した無機材料の研 究に取組んでいる無機材質研究所の果たすべき役割は,今後一段と増大するものと考えてお ります。 私は,科学技術行政に携わる者として無機材質研究所がこうした状況を十分認識し,これ まで培ってきた優れた英知と蓄積された研究成果をより一層進展させ,我が国の科学技術の 発展に寄与することを願っております。また,関係各位におかれましては,今後とも無機材 質研究所の発展のため,より一層のご指導,ご支援を賜りますようお願い申しあげます。 創立20周年を迎えて 初代所長 東京工業大学名誉教授 山内俊吉 無機材質研究所創設の際,その建物は筑波研究学園都市に建てる約束でありました。そこ で昭和41年4月1日研究所は発足いたしましたが,家はなく科学技術庁から科学技術会議非 常勤議員室の机を借りて所長室とし別に小さい一室を借りてそれを事務室とした誠に淋しい 発足でありました。しかし,この研究所の創設運動にたずさわり,そして初代所長を引きう けた私としては創設運動の際,何かとご協力をいただいた各界の多くの方々に対する深い感 謝の気持と負わされた責務の重さを強く意識した緊張の出発でありました。 その後,昭和47年筑波に待望の無機材質研究所研究本館ができるまでの転々の狭い不自由 な借家住いは所員ひとりひとりが創設の苦労を味い,助けあい,励ましあってお互いの心が 通じあい新しい体制の研究所のよい雰囲気づくりには却って,プラスにもなりました。 そして昭和47年3月筑波研究学園都市に移転第一号として殆んど家のない原野に移りまし たが,それから10年余が過ぎた今日,急速に大学や多くの研究所並びに,これらの関連機関 が移転し立派な学園都市が実現しつつあり,そして昨年の科学万博によって世界的になりま した。 こうして無機材質研究所は色々の紆余曲折はありましたが外には多くの方々の御支援御協 力があり,内にはグループ研究,客員研究官その他の新体制に基づく基礎研究の強力な推進 があり,研究所は極めて多くの研究成果をあげ順調な発展をいたしてきました。そして現在 セラミックス等無機材料の基礎研究所としては世界的な研究所に育てていただきました。誠 にありがたいことであります。 マイクロエレクトロニクスをはじめ今後大きな発展が期待される宇宙,航空,原子力,核 融合,オプトエレクトロニクス,バイオテクノロジー,自動車などの先端的科学技術の進歩 は,すぐれた新材料の開発に依存するところが極めて大きいのであります。そして最近,今 まで,むずかしくて未だ充分,解明されていない無機材料の中からすぐれた新材料が次々に 開発され,これらをニューセラミックス又はファインセラミックスと呼び研究に拍車がかけ られ,その研究領域は益々大きく,ひろがる一方であります。このような見地から21世紀を 担う新材料はニューセラミックス等無機材料であると宣伝され大きく脚光をあびているので あります。従って無機材料の基礎研究にたずさわる無機材質研究所の使命は今後さらに益々 重くなることは確かであります。 ここに創立20周年を迎え所員の皆さんが設立の理想を忘れず,創立時の熱意をうけつぎ研 究所のもつ大きな使命に従い研鑽を怠らず新材料創製の道を,さらに大きく切開き世界の進 運に大きく貢献されますよう心から祈念いたしてやみません。また,今まで研究所に対し色々 の面で御協力御支援いただきました各界の多くの方々に深い感謝を捧げつつ,今後さらに一 層の御支援,御鞭撻を賜わりますよう,よろしく御願い申し上げる次第であります。 Prof. Paul HAGENMULLER CNRS, BORDEAUX, France It is my great pleasure as an old friend of NIRIM to congratulate this beautiful Research Institute at the opportunity of its 20th anniversary and simultaneously to wish to all my friends who work there new successes in their research. The National Institute for Research in Inorganic Materials combines in a very efficient way better insight in chemistry leading to first quality ceramics largely used now as advanced materials in the industry, modern structural analysis and understanding of the correlations between solid state chemistry and physics. NIRIM is a royal bridge between scientific thinking and practical realizations. NIRIM has an intense policy of contacts with the surrounding world. A part of his success is due to this ability to welcome scientists in fundamental research and to send qualified researchers for training in new areas outside. Let me wish to my NIRIM friends much happiness in all their achievements. フランスボルドー大学教授 ポー ル・ ハーゲン ミ ューラー 創立20周年を迎えた素晴しい無機材質研究所を祝福し,また同時にそこに働く友人諸氏に 対して,研究における新たな成功を願うことは,無機材質研究所の昔からの友人である私に とって,大きな喜びであります。 無機材質研究所は,非常に効率的な方法で,合成・キャラクタリゼーション・物性の三分 野の連繫をはかり,今日産業界で先端素材として重視されているファインセラミックスの合 成研究,近代的構造解析手法による物質の特性づけに関する研究ならびに,固体化学と物理 の領域にまたがった現象解明を目的とした物性論的研究などを行なっています。すなわち, 無機材質研究所とは,科学的思考と実用的材料の実現化との素晴らしきかけ橋を形成してい ます。 無機材質研究所は,確たる方針により周辺世界との交流を重視しています。研究所の成功 の一端は,基礎研究分野の外部科学者を喜んで迎え,また研究者のうちの適任者を訓練の目 的で新分野を開拓している外部機関に派遣することができる体制にあると思われます。 終りに無機材質研究所の友人諸氏のすべてに御多幸あらんことをお祈りします。 Prof. W. D. Kingery Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts, U.S.A. As a friend of ceramics and a friend of Japan, it is with great pleasure that I congratulate the National Institute for Research in Inorganic Materials on its twenty years of accomplishment and wish it well for a bright future. We have a saying in America that “The proof is in the pudding.” The twentieth anniversary of NIRIM's fundamental researches into phenomena important for the development and utilization of ceramic materials coincides with the emergence of Japan as the world leader in the production of fine ceramics; I think this is no mere coincidence. The example provided by NIRIM in applying modern materials science research techniques both to the processes for forming ceramics and to a deeper understanding of the properties of ceramics has had a major influence on the development of ceramic science and ceramic industry in Japan. In the future I confidently anticipate that NIRIM will extend its influence throughout the world, contributing in a positive way by its open research and open publication of research in inorganic material to the continuing development of ever more useful ceramics for the service of mankind. Best wishes to the National Institute for Research in Inorganic Materials on its twentieth anniversary ! 米国マサチューセッツ工科大学教授 W.D.キンガリー セラミックス研究分野の友として,日本の友として,無機材質研究所の創立20周年達成を お祝いし,無機材質研究所の輝かしい未来を望むことは,私の大きな喜びであります。 アメリカには「論より証拠」と云う諺があります。セラミックスを発展させ,利用するた めの重要な現象について基礎研究をしてきた無機材質研究所の20周年はファインセラミック スの創製における世界のリーダーとして日本が頭角を現わして来た時期と一致しています。 私はこれを単なる同時発生とは思いません。無機材質研究所は,セラミックスの創製技術と セラミックス特性探究との両者に新しい材料科学の研究技術を適用しました。このことは日 本におけるセラミックス科学と工業の発展に重要な影響を与えてきました。 これから先,無機材質研究所は,無機材質に関する開かれた研究姿勢と成果の公開を通じ て,人類への奉仕として,これまで以上に有用なセラミックスの進展に貢献し,世界中にそ の影響を広げることと確信しております。 20周年に当たり,無機材質研究所の御繁栄を念願しております。 Prof. Günter PETZOW Max-Planck-Institute for Metals Research, Stuttgart, F.R.G. Twenty years of National Institute for Research in Inorganic Materials are as well twenty years of high-levelled research with strong roots in the fundamentals and with most valuable results for industrial applications. It is also about twenty years since Japan has transformed into its dynamic technological power of today. Nowhere in the world has there been so remarkable a spirit of economic growth as in Japan in the last two decades and nowhere has there been such an advance in research and innovation of inorganic materials as at NIRIM. Therefore, I am very pleased about the intensive cooperation we have with our colleagues at NIRIM. It is our sincere wish that this bridge of understanding and friendship will continue. Scientists are well aware creative research is based on interdisciplinary and internationality. Now as before words of the Meiji-Tenno are effective; about hundred years ago he wrote: “In my garden indigenous and exotic plants are side by side; they all grow up jointly”. In full accord with these words I wish further on a successful research work at the National Institute for Research in Inorganic Materials devoted to the prosperity of our world. 西ドイツマックスプランク粉末冶金研究所長 ギュンター・ペッツォー 無機材質研究所の20年は基礎を重視しながらもその成果が次々と応用に生かされる優れた 研究の20年でもあります。その間,日本は今日のように強力な技術国に変貌しました。この 20年間に日本のようにすばらしい経済成長をなしとげた国はありませんし,また,無機材質 研究所のように無機材料の研究と技術革新を推進した研究所は他にありません。 私は現在,無機材質研究所の方々と緊密な協力関係を保持しており,この相互理解と友好 の掛け橋が今後も続くことを心から念願しております。我々科学者は学際的および国際的協 力によって創造的な研究が行えることをよく知っております。現在においても,約100年前の 明治天皇の御製が生きていると思われます。 “わが園に、しげりあひけり 外国(とつくに)の草木の苗も おほしたつれば” この御製のように無機材質研究所がますます成果を上げ,世界の繁栄に貢献することを希 望します。 目 次 写真で見る二十年のあゆみ 序 無機材質研究所長後藤 優 創立20周年によせて 創立20周年を迎えて 国 務 大 臣 科学技術庁長官 河野洋平 創立20周年を迎えて 東京工業大学名誉教授 (初代無機材質研究所長) 山内俊吉 創立20周年を迎えて フランスボルドー大学 教 授 P. Hagenmuller 創立20周年を迎えて 米国マサチューセッツ 工科大学教授 W.D. Kingery 創立20周年を迎えて 西ドイツマックスプランク 粉末冶金研究所長 G. Petzow Ⅰ . 20年のあゆみ 1 1.設立から今日まで 1 2.研究推進のための制度並びに運営 6 3.機構・予算,主な施設・設備 12 Ⅱ.研究の進展 29 1.研究グループの活動 30 〔1〕元 素 30 1)炭 素 30 2)ダイヤモンド(Ⅰ) 30 3)ダイヤモンド(Ⅱ) 32 4)ダイヤモンド(Ⅲ) 33 〔2〕単純酸化物 34 1)酸化バナジウム 34 2)酸化ベリリウム 35 3) 酸化ジルコニウム 35 4)酸化ニオブ 36 5)酸化けい素 36 6)酸化マグネシウム 37 7)酸化アルミニウム 38 8)酸化チタン 39 9)酸化レニウム 40 10)酸化スズ 41 11)酸化亜鉛 42 12)酸化ビスマス 43 13)酸化ニッケル 43 〔3〕複酸化物 43 【けい酸塩及びゲルマン酸塩】 1)アルミノ珪酸塩ガラス 43 2)希土類けい酸塩ガラス 45 3)希土類アルミノけい酸塩ガラス 46 4)ゲルマン酸塩 46 5)モンモリロナイト 47 【チタン酸塩】 6)チタン酸アルカリ金属 47 7)オクトチタン酸塩 49 【アルミン酸塩】 8)イットリウムガーネット 49 9)アルミン酸バリウム 50 10)アルミン酸希土類 51 【ペロブスカイト及び関連化合物】 11)鉛ペロブスカイト 52 12)ペロブスカイト化合物 53 13)ニオブタンタル酸カリウム 54 14)アモルファスペロブスカイト 55 15)複合ビスマス酸化物 55 16)タンタル酸リチウム 56 17)ニオブ酸バリウムナトリウム 57 【りん酸塩】 18)硫酸・燐酸カルシウム 57 19)りん酸ジルコニウム 58 【その他の複酸化物】 20)複合マグネシウム酸化物 59 21)水素タングステンブロンズ 60 22)バナジン酸アルカリ金属 61 〔4〕窒化物 61 1)窒化アルミニウム 61 2)窒化ほう素 62 3)窒化リチウム 63 4)窒化けい素 64 5)複合酸窒化けい素 65 〔5〕炭化物及びほう化物 66 1)炭化けい素(Ⅰ) 66 2)炭化けい素(Ⅱ) 67 3)硼��化ランタン 67 4)炭化ジルコニウム 69 5)炭化タンタル 70 〔6〕カルコゲン化物 70 1)カルコゲンガラス 70 2)硫化鉄 71 3)複合バナジウム硫化物 71 4)複合チタン硫化物 72 5)複合モリブデン硫化物 73 6)金属典型元素カルコゲナイド 74 2.ステーションの活動 75 1)超高圧力ステーション 75 2)超高温ステーション 76 3.特別研究の推進 78 1)電子セラミックス材料 78 2)耐熱構造材料の焼結加工法 79 3)チタン酸カリウム繊維の合成 80 4)超高温耐熱セラミックスの研究開発 81 5)電子放射材料 82 6)オプトエレクトロニクス焼結材料 84 7)生体機能性セラミックス 85 8)ダイヤモンド半導体化に関する研究 85 9)超耐摩耗性材料の研究開発 86 4.その他の研究 87 (1)国立機関原子力試験研究費による研究 87 (2)科学技術振興調整費(特別研究促進調整費)による研究 89 (3)次世代産業基盤技術研究開発制度 90 Ⅲ.無機材質研究所に望む 95 無機材質研究所に望む 犬塚英夫 95 無機材研は国立研究機関か 碓井 求 96 無機材質研究所に望む 梅沢邦臣 98 無機材質研究所に望む 奥田 博 100 無機材料の研究開発 桐山良一 101 無機材質研究所に望む 齋藤進六 103 冒険のすすめ 定永両一 105 無機材質研究所に望む 鈴木 平 106 無機材質研究所に望む 鈴木弘茂 108 無機材質研究所に望む 鈴木淑夫 110 無機材質研究所に望む 田賀井秀夫 112 無機材質の創製について 田代 仁 113 Challengeする精神 田中廣吉 115 無機材質研究所に望む 濱野健也 116 無機材質研究所に望む 福井 博 118 無機材質研究所に望む 牧村信之 119 無機材質研究所の発展を祝して 森谷太郎 120 Ⅳ.研究業績一覧 123 1.学・協会誌等に発表された研究成果 123 2.無機材質研究所研究報告書 187 3.特許・実用新案及び実用化の状況 188 4.試料提供 197 ○資 料 203 1.おもな人事(51年以降) 203 2.国際交流(51年以降) 210 3.表彰事項 213 4.年 表 215 ○編集後記 219 Ⅰ. 20年のあゆみ I. 200FD SOA Ⅰ . 20年のあゆみ 1.設立から今日まで (1)設立までの背景と経緯 無機材質研究所は,科学技術庁の付属機関として,昭和41年4月1日設立された。その背景は, 第二次世界大戦後,天然,人工の非金属の無機質材料等固体材質の基礎研究が,米国のカーネギー 研究所地球物理学実験所及びペンシルバニア州立大学鉱物工学部,西独のマックスプランク珪酸塩研 究所等の欧米諸国で行われ,その成果は,科学技術の進歩に対して顕著な貢献を果たしてきた。 しかし,我が国においては,当時この種の研究を目的とする総合的な独立の研究機関が皆無であっ たため,先進国に,追随することが困難な状況にあった。 このような実情を考慮し,当該分野の権威である岩石学の坪井誠太郎氏(東京大学名誉教授),窯業 工学の山内俊吉氏(元東京工業大学長)及び鉱物学の末野悌六氏(小野田セメント株式会社顧問)の 三氏は,昭和37年5月以後,非金属の無機材質の将来の発展策に関し,たびたび会合を設け,真剣に 討議を行った。その結果,これらの分野の研究を推進する基礎研究機関の整備充実を図ることが急務 であり,新しい研究所の設立が最も緊要であるとの結論に到達した。そこで,新研究所として「固体 材質研究所(仮称)」を三氏は計画し,その設置について各方面に要望することとなった。 固体材質研究所は,固体材質の各種条件下における物理的,化学的,鉱物学的性質に関する基礎的 研究を行うことを目的とし,これらの固体の結晶学的状態,生成,変化などの究明を主とするもので, 材質を構成する物質種の構造とその性質との関係,集合状態,組織とその性質との関係,環境条件の 影響,高温高圧力下の反応,装置及び方法の研究等を行うことが計画されていた。 この研究所は,特定の応用研究のみを対象とせず,広く科学技術への適用を考慮して,その一般的 な基盤となる総合的な基礎研究を目的とする性格上,国の機関とし科学技術庁に所属するのが望まし いと考えられた。 その後,東京大学学長,経団連会長等各界の賛同も得られ,人員,予算,建物等の計画を含む固体 材質研究所(仮称)設立案が要望書として作成され,昭和38年8月に科学技術庁長官に提出された。 その後,この固体材質研究所(仮称)設立の要望は,科学技術庁において,詳細な検討が重ねられ た。 一方,これに先立ち,科学技術会議においては,諮問第3号「国立試験研究機関を刷新充実するた めの方策について」の審議が行われ,その答申(科学技術会議第3号答申 昭和37年7月)の中で, 科学と技術を結びつける基礎研究が述べられていた。このような動きの中で,科学技術庁は,基礎研 究の具体的な推進方策を審議するため,その一つとして,非金属無機材質の基礎研究の必要性と研究 所の設立についての検討を目的とした「基礎研究第1パネル」を計画局に設置した。 基礎研究第1パネルは,前記3氏のほか第一線の学識経験者からなり,非金属無機材質に関する基 礎研究所の設立が必要であるとの結論に立って,昭和39年5月に報告書「研究所の設立について(案)」 を取りまとめた。 基礎研究第1パネルにおける結論は,基本的には固体材質研究所の思想とほぼ同様であって,研究 所の目的は,非金属無機材質について特定の応用のみを目的とせず,広く科学技術への適用を考慮し, 科学技術上の特定事象の周辺を総合的,組織的に探求する基礎研究の強化をめざしたものであった。 更にこの分野で,広く国外にいる研究者も十分に活用できる体制が考えられていた。 研究体制については,(1)反応Ⅰ (合成),(2)反応Ⅱ (溶融),(3)反応Ⅲ(粉体),(4)構造Ⅰ (結晶 質),(5)構造Ⅱ (非晶質),(6)構造Ⅲ (欠陥状態),(7)組織,(8)性質Ⅰ (結晶質),(9)性質Ⅱ (非晶質), (10)超高温超高圧の10研究室を考え,その他に研究サービス部門,事務部門を合せて合計342名の計画で あった。 科学技術庁計画局は,基礎研究第1パネルの結論を基にして,新しく非金属無機材質基礎研究所(仮 称)の設置を計画し,人員354名,10研究室,予算(人件費を含まず)35億円をもって,昭和40年度予 算要求を行った。 昭和40年4月に,定員3名の「非金属無機材質基礎研究所」(仮称)設立準備室」が,500万円の予 算で認められ,科学技術庁計画局に設置されることとなり,改めて新研究所の規模その他の検討が進 められることとなった。 この設立準備室が検討した計画の要点は,以下の通りである。 ①研究所の任務 研究所の主な任務は,「特定条件の非金属無機材質の合成に関する研究,合成物質の解析研究並びに これと類似する天然物との比較研究を実施する。(特定の物理的及び化学的条件を,高度の精密さを もってみたす物質,例えば超高純度物質)」となっている。 この目的を達成するために,次のことが考えられた。 (a) 関係する諸専門分野の研究者がグループを作って協力し研究を推進する。 (b)本研究所では,非金属無機材質の分野で純理,応用の区別にかかわらず,新材質の創製,新用 途の開発に役立ち,更に経済効果の向上に資するための,より広範な現象の解明等基本的な事項を研 究の対象とする。 (c) 研究に必要な設備の充実には特に意を用いる。 ②研究所の研究の性格 文部省関係は純粋基礎研究,科学技術庁は目的基礎研究,工業技術院は応用研究,企業は開発研究 等というように研究の性格付けを行い,この研究所では目標をもった基礎研究を主眼として,材質の 研究を行う。 ③研究体制 ⅰ)グループ制度 非金属無機材質の研究においては,諸分野の研究者が協力して総合的に研究を進めるプロジェクト 的研究が必要であり,そのための研究グループを組織する。 国立研究機関が将来当面すると考えられる,科学技術の進展及び社会の要請について対応し難い等 の問題点を解決するための一つの方策として,研究グループはあらかじめ設定された計画に沿って研 究を行い,研究終了後,解散し,新たな計画に基づいて研究グループを再編成し,研究を進める。 ⅱ)運営会議 研究所は,国立研究機関としての性格上,その研究目標も広く国家的な立場から,科学技術の進展 への寄与,経済・社会等の状況に対応することなどが望まれており,所長の諮問機関として所外の無 機材質研究とこれに関係する分野の学識経験者によって構成される運営会議を設ける 。 この運営会議は,研究グループの研究題目の選定などの研究上の重要事項について審議し,更に研 究所と外部の大学,研究機関との強力体制を積極的に進める役割りが期待される。 ⅲ)流動研究員 研究グループを組織する場合に,固定研究員だけでは取扱い得ない分野は,外部の研究者の応援を 求めなければならない。このために流動研究員の制度を考え,積極的に外部の大学,研究機関との人 事の交流を推進し得るような体制を確立する。 ⅳ)研究所の規模 研究所の将来構想は,総員400名,他に非常勤の流動研究員50名,研究グループ数15,機構は下図の とおりとする。 機構及び人員 所長 通 営 会 議 研究グループ (グループ数15) 人員210名 研究連絡部 (25 名) 計画課 業務課 技術部 (105 名) 共通実験課 管理課 工務課 調査課 総務部 (59 名) 庶務課 会計課 総人員 400名 他に非常勤流動研究員 50名 このように多くの議論がなされた後,研究所の名称は「無機材質研究所」とすることとされ,その 設置法が国会に提出され,41年3月29日に可決され,設置が認められた。 (2)沿 革 設立から今日までの主な経過は,以下のとおりである。 昭和/年月 項 目 41.4 無機材質研究所発足(東京都杉並区井草)・(第1研究グループ発足) 42. 5 庁舎移転(井草―東京都文京区駒込) 42. 6 第2, 3, 4研究グループ発足 43. 4 第5, 6研究グループ発足 44. 5 第7, 8研究グループ発足 44.12 高圧力特殊実験棟完成(筑波研究学園都市内) 45. 5 第9,10研究グループ発足 46. 4 第11研究グループ発足 46.10 研究本館完成(筑波研究学園都市内) 47. 3 筑波研究学園都市内における研究業務開始 47. 5 第12研究グループ発足 48. 3 高温合成特殊実験棟及び陽電子消滅特殊実験棟完成 48. 5 第13研究グループ発足 49. 5 第14研究グループ発足 50. 4 第15研究グループ発足 51.3 超高圧電子顕微鏡特殊実験棟完成(1250KV電子顕微鏡) 51.5 管理部設置 52. 5 超高圧力ステーション設置 53. 3 無塵特殊実験棟完成 54. 8 管理棟完成 60. 4 超高温ステーション設置 極限技術特殊実験棟完成(3万トンプレス) (3)所掌事務 ① 超高純度非金属無機材質その他これに類する材質の創製 化学組成,結晶構造,物理的性質等基本的性質を明らかにするための高純度材質あるいは,更に, 特定の性質(耐熱性,耐食性,高硬度性,電磁気特性(半導性,誘導性等),光学特性,触媒能等)を もたせるため意識的に高純度材質に不純物を添加したもの等について,合成,キャラクタリゼーショ ン(特性づけ),物性に関する研究を行い,再現性のある非金属無機材質を創製する。 ② 前号の研究に伴い得られた物を試料として提供すること。 研究の結果得られた超高純度非金属無機材質は,極めて貴重なものであり,研究用の標準物質ある いは,新材料としての有用性の確認等のため試料として提供し,当該研究の向上に資する。 ③委託に応じ,第1号の研究を行うこと。 当研究所は,無機材質を専門とする我が国唯一の国立研究機関であり,無機材質研究に関する中枢 として位置付けられているので,外部からの委託に応じ研究を行うことを業務としている。 2.研究推進の制度並びに運営 無機材質研究所の性格,研究体制,運営に関する構想は,数年にわたる学識経験者の英知を結集し, 斬新で特色のある研究所を創ろうという理想の下に策定されている。 特に,グループ研究制度は,通常の部課制や専門別にわかれた研究室制といった研究体制とは全く 異なった初めて試みる新しい管制上の組織であった。外部の支援と職員の努力によって概ね創立時の 構想に近い姿で運営されるに至っており,量的には未だ半分に満たない状況であるが,創立当時の構 想に含まれていなかったステーション組織が後述するような考え方で昭和52年度に新設された。 (1)グループ研究体制 グループ研究体制は,研究者自らの発想に基づいて提案された一つの研究課題に対して,必要な種々 の専門分野の研究者を主体とする学際的研究グループを組織し,グループ員はあらかじめ定められた 共通の目標に対して自由な発想をもとに連携,協力しながら研究を進め,一定の研究期間(原則とし て5年)以内に目標を達成するよう研究活動を行う制度である。換言すると,通常の研究室制は,主 として専門を同じくする研究者が集まりその専門分野の中から課題を選んで研究を推進しているのに 対して,グループ制ではまず課題を決めその解決に必要な各種の専門分野の研究者がその課題を中心 として学際的に取組むという制度である。目標が達成されたときは,当該グループは解散し,新たな 研究課題のもとに必要な研究者が集まって,新たなグループが編成されることになる。 既存のグループの解散から新しいグループの編成までの手順について,以下に述べる。 ①研究目標が研究期間内に達成されると予想されると,グループリーダーはその旨所長に報告する。 所長は所長会議(後述)に諮って解散すべきかどうかを決定する。 ② 解散が決定したグループがある場合,解散予定の前年の4~5月に新しい研究課題を全所的に 募集する。新課題の提案者は研究課題,研究計画,予算等を含む研究計画案を所長に提出する。 ③提案された新課題について,全所員に公開の説明会を開いてその周知を図ると共に,討議を行 う。更に,提案課題についての調査,審議を担当することとなっている所内に設けられた長期計画委 員会(後述)は,提案課題について,主に学術的な視点を重視しながら,審議を行い,所員会議に諮 る資料を作成する。また,研究所の運営について審議する外部学識者よりなる運営会議で,新課題に ついて検討する。所長は長期計画委員会,運営会議等の審議を踏まえて,新課題を選定し,所員会議 に諮り,新課題を決定する。 ④ 所長は,新課題に必要な研究組織を編成するため,新グループに参加を希望する研究者を意向 調査表によって調べる。研究者は意向調査表を所長に提出する。 意向調査はグループ解散の有無にかかわりなく,全研究者を対象として,毎年1回行われるもので あって,例えば自己の所属するグループは解散以前であっても,次年度からは他のグループの課題に ついて研究したいという希望を持つ研究員などは,その旨を所長に申し出ることができるようになっ ている。 所長は,課題内容及び提案者について考慮しつつ,新グループのリーダーを内定し,意向調査表及 び新リーダーの意見を参考にして新グループの研究員を1月頃までに内定する。 以上の手続を経て,4月1日に新グループリーダー及び新グループ研究員等を発令して,新しいグ ループが発足することになる。 本制度は,通常の専門分野を中心にした研究室制等とは異なり,一定のプロジェクトを中心にして 種々の専門分野の研究者が集まり,学際的に研究を進めるという点に特長があり,所内に十分定着し 多くの成果を挙げてきている。 (2)ステーション研究体制 無機材質研究において,新材質等を創製するため,あるいは,高精度のキャラクタリゼーション, 物性測定等を行うに当たり,新たな手法・技術,大規模な装置等の共通基盤的技術の開発等が必要と なってきており,これには継続的な知識の蓄積が必要となる。グループ研究は,課題物質の基礎的研 究を5年で行う等の理由により,これらに対応することは不可能である。このため,ステーション体 制を設け,自ら,技術,手法の開発を行うと共に,これらの業務を通じてグループ研究を支援するこ ととしている。 (3)運営会議 無機材質研究所の総合的,効率的かっ適切な運営に資するため,広く所外の無機材質に関する分野 の学識経験者から構成される所長の諮問機関を設けている。 (4)客員研究官制度 グループを組織し学際的に研究を行うためには,種々の専門分野の研究者が必要となるが,所内だ けでは得られないケースがでてくる。そこで外部から権威者を客員研究官として迎え,内部研究者の みでは行い難い分野の研究の分担を得ることを目的として設定された制度である。この制度は,研究 遂行上の点は勿論として,更に大学,国公立,民間などの研究機関との緊密な研究連絡,研究者の相 互交流,若手研究者の教育などにも大きな意義を有している。 なお,本制度について当初構想では,流動研究員制度とされていたものである。 (5)研究会 グループ研究を行っている過程で,課題の解決のために問題等が生じた場合には,その都度,自ら 研究を行っている所外の第一線研究者を加えた小人数の研究会を開催し,問題点を具体的に検討して 解決の手掛りを得るよう努力している。 研究会の開催に際し,部外から参加する研究者には,旅費,謝金などを支払う予算措置が講じられ ており,所外の研究者も交えた本研究会は,研究を効率よく推進するために非常に有効な制度となっ ている。 (6)所内各種委員会等 所の業務運営は,運営会議の答申等に基づき所長が行うが,運営の円滑化を図るために,各種の委 員会等が設けられている。 ①所員会議 当研究所の重要事項を審議する機関として,所員会議が設置されており,これは所長,各研究グルー プ及びステーションの総合研究官,事務系統部課長,並びに全所員の中から選ばれた幹事のうちから 所長の指名する2名の者で構成される。所員会議は,原則として所長が月2回招集,司会して,開催 することとしている。 ②長期計画委員会 長期計画委員会は,所長の諮問機関であり,所長の指名した研究者10名,管理部長及び企画課長か ら構成される。 長期計画委員会は,定例的に(月約2回)開催されるほか,必要に応じて分科会を設けて,研究方 向,推進体制等研究所の将来方向が検討される。 また,例年,グループテーマの審議,新政策の検討が行われるほか,所長の諮問に応じ各種施策の 審議が行われる。 長期計画委員会は,自らの調査,審議を行うと共に,他の重要な委員会へ,委員を派遣し,その審 議に協力している。 ③人事委員会 人事に関する重要事項を審議する委員会であり,各研究グループ及びステーションの総合研究官, 管理部長及び庶務課長をもって構成し,所長が招集し,研究職員の採用に関する審議,国家公務員上 級研究職員の採用面接試験等を行う。 ④職務発明審査会 職務発明審査会は,所長を会長とし,委員として総合研究官4名及び管理部長,企画課長から構成 され,研究職員及び技術職員が行った発明について,職務発明であるか否かの審議を行って,その認 定と権利の承継を決定する。 ⑤設備委員会 所長が指名する研究者,長期計画委員のうちから委員長が指名する研究者,管理部長,企画課長及 び会計課長をもって構成し,研究設備整備の基本的事項,予算概算要求における研究設備の整備,実 行予算における研究設備の整備に関して審議を行い,所長に対する報告や助言を行う。 ⑥健康安全委員会 所員の健康及び安全保持に関する基本的事項,健康及び安全管理の実施状況の調査,安全手帳の作 成及び見直し,事故の原因及びその対策などについて調査,審議する委員会であり,所長の指名する 委員長及び委員をもって構成される。 ⑦放射線安全委員会 所長の指名する委員長及び放射線取扱主任者,安全管理者,安全副管理者,安全管理担当者,その 他所長の指名する関係者から構成される委員をもって構成し,放射線障害の発生を防止し,職員の安 全を確保すると共に,関連業務の円滑な推進を図るため,必要な事項を企画・審議する。 ⑧部屋割委員会 部屋割委員会は,実験室の割当,入替え,使用変更などの運営を適正かつ円滑に行うために設けら れている。委員長は,所長が指名し,委員長の推薦する研究者5名以内,長期計画委員会から派遣さ れた2名の研究者及び,各課の長の指名する職員3名以内をもって構成されている。 部屋割委員会は,部屋割の基本的事項,部屋の新規割当,再編成に伴う部屋割,入換えなどについ て具体案を作成し所員会議に諮っている。 特に,研究用大型機器は,グループごとに設置せずに,合成,解析,物性関係という分類によって, 共通設備としてまとめて設置されており,その配置に関連する対応が重要である。 なお,部屋の管理に関する事務的業務は,会計課が統一的に行っている。 ⑨図書委員会 図書委員会は,各種学術文献,図書等の選定,図書管理業務の年度計画等について審議,決定する ために設けられ,企画課長を委員長として,各研究グループ,ステーション及び各課の長が指名した 者によって構成されている。 ⑩無塵室運営委員会 無塵室運営委員会は,無塵特殊実験棟の無塵室の運用方針,使用規則及び使用計画などについて審 議をするため,所長の指名する委員長及び委員によって構成されている。 ⑪電顕運営委員会 電顕運営委員会は,1,250KV超高圧電子顕微鏡を初めとする各種電子顕微鏡及びその周辺装置の適 切な運用を目的として,その運用・管理及び整備計画等について審議するため,所長の指名する委員 長及び委員によって構成されている。 ⑫高圧力関係機器運営委員会 高圧力関係機器運営委員会は,大型高圧力関係機器及び関連機器の有効,適切な運用を目的として, その運用及び整備計画について審議するため,所長の指名する委員長及び委員により構成されている。 ⑬研究資料集編集委員会 研究資料集編集委員会は,所の研究の結果得られた研究成果等を研究資料として取りまとめ,研究 資料,普及・啓発等に活用することを目的として,資料の収集・選定,編集及び刊行に関し,審議す るため,所長の指名する者により構成されている。 ⑭幹事会 グループ,ステーション及び各課相互間の連絡を密にし,所内職員の意志の疎通を図ることを目的 として,必要事項について打合せ又は連絡を行うために設置され,全所員即ち,各研究グループ各ス テーション及び事務系統各課を代表する幹事によって構成される。 幹事会は,原則として所員会議の2日前に定例的に開催され,必要に応じ,所員会議への提案又は 報告を行っている。 (7)研究設備の共通利用 グループ研究体制は,研究組織が永続的組織ではなく流動的であり,一つの物質を各種の専門分野 の研究者によって研究することになるので,特定のグループが特定の機器を専有したのでは研究には なはだ不便である。そこで研究設備はすべて共用にするという原則で運営している。 購入を希望する50万円以上の研究設備は,原則として設備委員会においてその必要性,緊急性など が審議され,所員会議に諮って決定される。 X線,電子顕微鏡関係の装置,電子計算機については,利用者会議を設けて共通利用の円滑な運営 を図っており,これらの機器については,受益者負担の原則により,使用料を研究者から徴集してこ れを機器の消耗品費に当てている。その他の機器については,主務責任者を定め,一般利用者は主務 責任者と話合いの上使用することになっている。 特殊な合成装置のように,一旦他のグループで使用すると不純物が混入して後で使用できなくなる ようなものは,ほぼ独占に近くなるが,このような例は非常に少なく,大体において機器は,各研究 者の共用により有効的に利用されている。 (8)研究サービス部門 研究に対する技術的サービスは,各研究グループの技術員及び技術課が担当している。 各グループに所属する技術員は,グループに特有な技術業務,例えば各種単結晶育成,薄膜の作製 などについて,研究者の指導の下に,一定試料の作成,コンピュータコントロール等の業務を行って いる。 また,技術課では所の全般的な技術サービスとして,機械工作,ガラス細工,ヘリウム液化装置の 運転などをはじめ,各種X線による物質の同定,電子顕微鏡,走査型電子顕微鏡による材質の撮影, 化学分析,各種の機器分析等を行うと共に,これらの機器の保守管理に当たっている。 (9)研究成果の発表 研究過程で得られた論文は,全て,それぞれの専門分野に応じて最も適切な内外の学術誌に投稿す ることを原則としている。毎年出版権者から転載の許可を得てこれを収録し「無機材質研究所研究論 文集」として出版し,関係方面に配布している。 また,グループが研究目標を達成して解散した場合,あるいは特別研究が終了した場合には,その 都度その研究内容を「無機材質研究所研究報告書」として出版すると共に,公開の研究発表会を開催 して,所内外の関係者に報告している。 その他「無機材研ニュース」は研究計画の内容紹介,興味ある研究成果の解説などを中心にして, 年6回発行している。 なお,研究過程で得られた特許や実用新案は,職務発明審査会で審査の上,国有特許又は実用新案 として登録され,その工業所有権の企業化は,新技術開発事業団を通じて斡旋あるいは委託開発に移 されている。 (10)試料の提供 当研究所は,超高純度非金属無機材質の創製を目的として各種研究推進しているため,得られた各 種材質は,研究用標準物質としてあるいは,応用,用途開発に資するため,他の国立研究機関あるい は民間企業等に提供している。 3.機構・予算等 (1)組 織 当研究所は,昭和41年4月1日に,1研究グループ,1室1課で発足した。その後,新材料の開発 に対する要請に応ずるため,逐次研究部門の拡充強化を重ね昭和51年度までに15研究グループが整備 された。また,新材質等の創製のために長期的かつ大規模な基盤的技術の開発,あるいは極限技術等 の先端的,創造的な研究手法の開発を行うために昭和52年度に超高圧力ステーション,昭和60年度に は超高温ステーションが設置され,研究を総合的,組織的に進めている。 また,内部のみでは行い難い分野の研究を行うために客員研究官制度を設けている。 当研究所の運営については,学識経験者からなる運営会議の制度を設け,研究の企画,立案,推進 無機材質研究所運営委員(五十音順) 昭和60年3月現在 氏 名 現 職 犬 塚 英 夫 旭ダイヤモンド工業株式会社取締役研究所長 梅 沢 邦 臣 海洋科学技術センター理事長 奥 田 博 財団法人ファインセラミックスセンター常務理事 桐 山 良一 大阪大学名誉教授 トヨタ自動車(株)非常勤顧問 斉 藤 進 六 長岡技術科学大学長 鈴 木 平 東京理科大学教授 田賀井 秀 夫 東京工業大学名誉教授 田 代 仁 京都大学名誉教授 田 中 廣 吉 TDK株式会社技術担当常務付顧問 坪 井 誠太郎 日本学士院会員 濱 野 健 也 東京工業大学工業材料研究所長 ◎山 内 俊 吉 東京工業大学名誉教授 ◎は座長 機 構 及 び 研 究 グ ル ー プ 課 題 推 移 表 年 度 研 究 グ ル ー プ 等 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 第 1 研 究 グ ル ー プ 第 2 研 究 グ ル ー プ 第 3 研 究 グ ル ー プ 第 4 研 究 グ ル ー プ 第 5 研 究 グ ル ー プ 第 6 研 究 グ ル ー プ 第 7 研 究 グ ル ー プ 第 8 研 究 グ ル ー プ 第 9 研 究 グ ル ー プ 第 1 0研 究 グ ル ー プ 第 1 1研 究 グ ル ー プ 第 1 2研 究 グ ル ー プ 第 13 研 究 グ ル ー プ 第 1 4研 究 グ ル ー プ 第 1 5研 究 グ ル ー プ 超 高 圧 力 ス テ ー シ ョ ン 超 高 温 ス テ ー シ ョ ン 管 理 部 企 画 課 庶 務 課 会 計 課 技 術 課 S iC M gO M gO -M xO y Zn O B eO M V 2S 4 M -T i-S M xM oy S 8 V O 2 S i3N 4 M S iO N S iC A lN A l2 O3 Sn O 2 B i2O 3 Fe S P b1 -x T iO 3- x K T a 1- xN b xO 3 a -A B O 3 P bM O 3 B N Li 3N M ・ S , Se ,T e C T iO 2 M 2O (T iO 2) 11 A (B ,T i) 8O 16 Z rO 2 C C C N bO R O -A l2 O 3- Si O 2G la ss Ln 2O 3- S iO 2G la ss Ln 2O 3- A l2 O 3- Si O 2G la ss A sX G la ss B i2 O 3R m O n L iT a O 3 B a2 N aN b5 O 15 S iO 2 M O -G eO 2 M xV yO La B 6 Z rC T aC Y3 X5 O 12 B a A l12 O 19 L n2 O 3 ・ n A l2O 3 R eO 3 H xW O 3 N iO C a- SO 4- PO 4- H 2O Zr (H P O 4) 2・ H 2O A l2 Si 4O 10 (O H )2 ・n H 2O ( 総 務 課 ) ( 技 術 室 ) 機構 図(昭和61年4月1日現在) 所長 (理博後藤 優) 運営委員 客員研究官 第1研究グループ:酸化亜鉛(ZnO) (総合研究官工博白㟢信一) 第2研究グループ:複合モリブデン硫化物(MxMoyS8) (総合研究官 理博 石井 紀彦) 第3研究グループ:炭化けい素(SiC) (総合研究官工博猪股吉三) 第4研究グループ:酸化ビスマス(Bi2O3) (総合研究官 工博 内田 健治) 第5研究グループ:アモルファスペロブスカイト(a-ABO3) (総合研究官理博岡井 敏) 第6研究グループ:金属典型元素カルコゲナイド(M・S, Se, Te) (総合研究官 工博 江良 皓) 第7研究グループ:オクトチタン酸塩(A (B, Ti)8O16) (総合研究官工博藤木良規) 第8研究グループ:ダイヤモンド(C) (総合研究官工博瀬高信雄) 第9研究グループ:希土類アルミノけい酸塩ガラス(Ln2O3-Al2O3-SiO2 Glass) (総合研究官(併)理博後藤 優) 第10研究グループ:ニオブ酸バリウム・ナトリウム(Ba2NaNb5O15) (総合研究官理博嶋津正司) 第11研究グループ:バナジン酸アルカリ金属(MxVyO) (総合研究官理博加藤克夫) 第12研究グループ:炭化タンタル(TaC) (総合研究官理博石沢芳夫) 第13研究グループ:アルミン酸希土類(Ln2O3 ・nAl2O3) (総合研究官理博木村茂行) 第14研究グループ:酸化ニッケル(NiO) (総合研究官理博君塚 昇) 第15研究グループ:モンモリロナイト(Al2Si4O10 (OH)2-nH2O) (総合研究官理博中沢弘基) 超高圧力ステーション (総合研究官 工博 福長 脩) 超高温ステーション (総合研究官 工博 守吉 佑介) 管理部 (部長清水眞金) 庶務課 (課長嶋野 昭) 補佐 庶 務 係 人 事 係 厚 生 係 会計課 (課長上遠野省三) 専門職 予算決算係 契 約 係 用 度 係 管 財 係 収 支 係 企画課 (課長松本 功) 主任研究官 専門職 企 画 係 業 務 係 情報図書係 技術課 (課長一ノ瀬昭雄) 物理分析係 化学分析係 超高圧電顕係 設計試作係 無 塵 係 などについての運営会議からの具体的提案を反映させている。 事務部門は,昭和51年度に管理部が設置され,昭和52年度に技術室が技術課として,昭和55年度に は,総務課が庶務課と会計課に分かれ1部4課の組織構成となり研究部門からの要請に対応できるま でになった。 (2)人 員 非金属無機材質に係る超高純度材質及びこれに類する特性づけられた材質の創製に関する研究推進 のため,人員及び機構の整備拡充を図った結果,昭和61年度定員においては,指定職1名,行政職(一) 43名(うち技術員12名),行政職(二)4名,研究職118名となっている。 また,研究の効率的推進を図る必要上,研究者の専門分野も別表のとおり多岐にわたっている。 (3)予 算 昭和41年4月1日発足以来,研究体制の充実及び施設,設備の整備を行ってきた。昭和47年3月に は,東京,駒込から筑波研究学園都市へ移転を行い,その後も施設,設備等の整備を続けてきた結果, 20年間における施設の建設,設備の整備,研究費など予算額の累計は約301億円(昭和60年度まで)に 達した。 発足時からの前半の10年間は,研究体制の確立及び無機材質に関する研究にとって基本的に必要と される研究設備の整備,筑波研究学園都市へ移転に伴い,高圧力特殊実験棟,研究本館,高温合成特 殊実験棟,陽電子消滅特殊実験棟,超高圧電子顕微鏡棟の建物を順次整備してきた。また,情報図書 についても整備を図ってきた。 昭和52年度以降の10年間は,極限条件下における無機材質研究を行うための極限技術大型装置の整 備を行うと共に,国内外の情勢の変化,経済,社会,科学技術のニーズに対応するため,研究グルー プにおける基礎的研究及びステーションでの共通的,基盤的研究において得られた研究成果のうち, 開発指向をもった課題等については新たに「特別研究」としてプロジェクト化し,研究所の総力を結 集し,システム的に強力に推進してきた。昭和52年度から昭和60年度までに7テーマを実施し,予算 額の累計は,7億1100万円である。 このほか,昭和47年度から国立機関原子力試験研究費(昭和47年度から昭和60年度間の予算額3億 600万円)及び科学技術振興調査費(昭和47年度から昭和60年度間の予算額12億5000万円(但し,昭和 47年度~昭和55年度までは,特別研究促進調整費))を受けて,それぞれ研究参加している。更に,昭 和57年度から通産省工業技術院所管の次世代産業基盤技術研究開発制度(昭和57年度から昭和60年度 間の予算額5,200万円)にも研究参加している。 施設関係としては,昭和53年3月に無塵特殊実験棟.昭和57年3月に特高受変電設備,昭和60年4 月には,3万トンプレスの設置に伴う極限技術特殊実験棟が設立された。さらに,昭和61年度から2 ケ年計画で無振動特殊実験棟が予算化され建設に着手する予定である。 発足以来の予算額の推移は,次の事項別予算額推移表のとおりである。 定 員 推 移 表 区 分 職 名 等 年 度 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 指 定 職 所 長 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 研 究 職 総 合 研 究 官 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 15 16 16 16 16 16 16 16 16 17 17 主 任 研 究 官 3 12 18 23 27 30 33 36 39 42 43 48 56 67 73 76 79 80 80 79 80 研 究 員 5 14 20 27 35 38 41 44 47 50 52 47 39 30 24 22 20 20 21 21 21 計 10 30 44 58 72 79 86 93 10 0 10 7 11 0 11 1 11 1 11 3 11 3 11 4 11 5 11 6 11 7 11 7 11 8 行 政 職 (一 ) (事 務 系 ) 9 17 22 28 30 31 34 37 38 38 39 38 38 36 35 35 36 35 33 31 31 (技 術 職 員 ) 1 4 6 5 7 8 9 10 11 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 計 10 21 28 33 37 39 43 47 49 50 51 50 50 48 47 47 48 47 45 43 43 行 政 職 (二 ) (技 能 ・労 務 系 ) 1 1 2 2 2 12 12 12 11 10 8 8 8 8 8 6 5 5 5 5 4 合 計 21 53 75 94 11 2 13 1 14 2 15 3 16 1 16 8 17 0 17 0 17 0 17 0 16 9 16 8 16 9 16 9 16 8 16 6 16 6 事 項 別 予 算 額 推 移 表 (6 1年 4 月 1 日 現 在 ) (単 位 : 千 円 ) 年 度 事 項 昭 和 41 年 度 昭 和 42 年 度 昭 和 43 年 度 昭 和 44 年 度 昭 和 45 年 度 昭 和 46 年 度 昭 和 47 年 度 昭 和 48 年 度 昭 和 49 年 度 昭 和 50 年 度 昭 和 51 年 度 無 機 材 質 研 究 所 に 必 要 な 経 費 (A ) 66 ,3 46 債 15 0, 00 0 16 6, 94 5 25 5, 03 9 29 7, 17 9 34 4, 44 5 41 6, 45 9 51 2, 93 0 60 1, 77 4 債 17 8, 70 0 69 1, 41 6 97 0, 19 7 97 5, 49 2 1. 人 件 費 14 ,7 69 40 ,9 50 65 ,9 54 92 ,2 33 12 4, 55 1 16 3, 75 4 22 0, 39 7 27 0, 18 9 32 7, 23 6 46 1, 61 0 54 0, 49 5 (1 )既 定 定 員 分 21 ,5 33 56 ,1 03 81 ,6 15 11 3, 53 8 15 4, 24 1 20 9, 42 7 25 8, 62 1 31 6, 53 6 44 8, 45 9 53 4, 72 8 (2 )新 規 増 員 分 14 ,7 69 19 ,4 17 9, 85 1 10 ,6 18 11 ,0 13 9, 51 3 10 ,9 70 11 ,5 68 10 ,7 00 13 ,1 51 5, 76 7 2 .特 別 経 費 51 ,5 77 12 5, 99 5 18 9, 08 5 20 4, 94 6 20 9, 89 4 25 2, 70 5 29 2, 53 3 33 1, 58 5 債 17 8, 70 0 36 4, 18 0 50 8, 58 7 25 4, 05 9 (1 ) 一 般 管 理 運 営 6, 87 0 18 ,3 75 17 ,4 78 18 ,2 45 25 ,6 82 54 ,2 63 37 ,6 68 41 ,4 69 39 ,0 47 45 ,4 06 47 ,2 23 (2 )各 部 門 運 営 4, 70 7 23 ,2 13 35 ,9 06 50 ,7 01 71 ,2 12 85 ,4 42 11 8, 86 5 14 4, 11 6 16 1, 63 8 19 2, 46 6 20 6, 73 6 (イ ) 研 究 部 門 運 営 4, 70 7 22 ,7 75 35 ,0 90 49 ,4 78 69 ,3 70 83 ,1 46 10 3, 50 2 12 8, 15 1 14 5, 64 3 17 5, 65 5 18 7, 26 2 (ロ ) 研 究 に 関 す る 基 礎 調 査 43 8 81 6 1, 22 3 1, 84 2 2, 29 6 2, 52 9 3, 13 1 3, 16 1 3, 97 7 4, 26 0 (ハ )研 究 文 献 図 書 の 整 備 12 ,8 34 12 ,8 34 12 ,8 34 12 ,8 34 11 ,8 72 (ニ )特 定 設 備 運 営 3, 34 2 (3 )研 究 設 備 整 備 40 ,0 00 債 15 0, 00 0 84 ,4 07 13 5, 70 1 13 6, 00 0 11 3, 00 0 11 3, 00 0 13 6, 00 0 14 6, 00 0 12 7, 75 5 12 7, 75 5 12 0, 20 8 (4 ) 1, 25 0k V 超 高 圧 電 子 顕 微 鏡 の 整 備 債 17 8, 70 0 35 ,7 40 14 2, 96 0 60 ,8 30 科 学 技 術 庁 試 験 研 究 所 施 設 整 備 に 必 要 な 経 費 (B ) 債 14 8, 20 0 17 ,8 53 15 5, 38 2 債 54 7, 00 0 22 1, 19 0 49 3, 85 0 27 1, 39 2 21 2, 36 1 32 2, 98 4 22 2, 76 5 13 2, 93 4 小 計 (A + B ) 66 ,3 46 債 15 0, 00 0 16 6, 94 5 債 14 8, 20 0 27 2, 89 2 45 2, 56 1 債 54 7, 00 0 55 5, 63 5 91 0, 30 9 78 4, 32 2 81 4, 13 5 債 17 8, 70 0 1, 01 4, 40 0 1, 19 2, 96 2 1, 10 8, 42 6 国 立 機 関 原 子 力 試 験 研 究 費 (C ) 15 ,1 50 16 ,3 59 18 ,3 24 21 ,3 40 27 ,7 18 特 別 研 究 促 進 調 整 費 (D ) 1, 70 1 2, 39 0 3, 87 3 11 ,5 01 24 ,4 42 合 計 (A + B + C + D ) 66 ,3 46 債 15 0, 00 0 16 6, 94 5 債 14 8, 20 0 27 2, 89 2 45 2, 56 1 債 54 7, 00 0 55 5, 63 5 91 0, 30 9 80 1, 17 3 83 2, 88 4 債 17 8, 70 0 1, 03 6, 59 7 1, 22 5, 80 3 1, 16 0, 58 6 債 :国 庫 債 務 負 担 行 為 限 度 額 年 度 事 項 昭 和 52 年 度 昭 和 53 年 度 昭 和 54 年 度 昭 和 55 年 度 昭 和 56 年 度 昭 和 57 年 度 昭 和 58 年 度 昭 和 59 年 度 昭 和 60 年 度 昭 和 61 年 度 無 機 材 質 研 究 所 に 必 要 な 経 費 (A ) 1, 08 3, 62 4 1, 15 8, 71 4 1, 21 6, 69 6 1, 31 1, 31 9 1, 39 6, 22 2 1, 45 9, 73 5 1, 50 1, 12 2 1, 51 4, 99 3 1, 56 8, 06 6 1, 63 7, 56 5 1. 人 件 費 59 9, 50 8 66 2, 31 0 69 3, 98 2 73 6, 06 5 78 0, 50 6 83 7, 26 6 87 7, 55 1 90 8, 89 2 95 5, 50 5 1, 03 3, 30 7 (1 )既 定 定 員 分 59 4, 62 3 66 1, 31 2 69 0, 09 8 73 6, 06 5 77 9, 52 7 83 6, 26 1 87 0, 44 0 90 7, 76 9 95 2, 86 6 1, 03 1, 41 7 (2 )新 規 増 員 分 4, 88 5 99 8 3, 88 4 0 97 9 1, 00 5 1, 09 6 1, 12 3 0 1, 89 0 (3 )振 替 定 員 分 6, 01 5 2, 63 9 2 . 特 別 経 費 48 4, 11 6 49 6, 40 4 52 2, 71 4 57 5, 25 4 61 5, 71 6 62 2, 46 9 62 3, 57 1 60 6, 10 1 61 2, 56 1 60 4, 25 8 (1 )経 常 事 務 費 27 9, 83 1 28 3, 87 3 29 2, 05 0 29 9, 69 9 32 7, 39 4 32 8, 71 5 31 4, 11 5 31 2, 20 9 31 8, 41 9 32 1, 28 3 (イ )一 般 管 理 運 営 53 ,0 59 51 ,0 63 51 ,6 02 55 ,0 24 62 ,3 64 62 ,2 68 59 ,1 66 59 ,0 31 62 ,2 50 62 ,4 66 (ロ )研 究 部 門 運 営 21 1, 44 1 21 7, 96 0 22 5, 54 3 22 9, 77 0 25 0, 12 5 25 1, 54 2 24 0, 97 9 23 9, 88 2 24 3, 10 1 24 5, 74 9 (ハ )研 究 文 献 図 書 の 整 備 11 ,3 97 11 ,1 12 11 ,1 12 11 ,1 12 11 ,1 12 11 ,1 12 10 ,5 56 10 ,1 87 10 ,1 87 10 ,1 87 (ニ )研 究 に 関 す る 基 礎 調 査 3, 93 4 3, 73 8 3, 79 3 3, 79 3 3, 79 3 3, 79 3 3, 41 4 3, 10 9 2, 88 1 2, 88 1 (2 )特 定 設 備 運 営 11 ,1 86 13 ,8 83 15 ,3 03 18 ,7 03 18 ,7 03 27 ,1 35 58 ,2 60 57 ,6 85 70 ,3 36 70 ,5 93 (3 )研 究 設 備 整 備 11 5, 29 4 11 2, 78 8 11 2, 78 8 11 0, 78 8 11 0, 78 8 10 7, 78 8 10 2, 39 9 95 ,2 40 88 ,5 73 84 ,1 42 (4 )無 機 材 質 特 別 研 究 21 ,0 41 30 ,5 15 47 ,2 28 95 ,7 19 11 0, 16 7 11 0, 16 7 10 2, 56 6 97 ,9 67 95 ,2 43 90 ,2 50 (5 )極 限 技 術 大 型 装 置 整 備 56 ,7 64 55 ,3 45 55 ,3 45 50 ,3 45 48 ,6 64 48 ,6 64 46 ,2 31 43 ,0 00 39 ,9 90 37 ,9 90 科 学 技 術 庁 試 験 研 究 所 施 設 整 備 に 必 要 な 経 費 (B ) 85 ,5 16 債 29 2, 20 0 12 1, 92 1 25 8, 21 4 17 7, 84 7 18 5, 66 1 28 6, 90 4 債 39 0, 80 0 10 2, 35 1 99 ,8 41 19 8, 27 9 債 55 8, 11 1 18 1, 39 9 小 計 (A + B ) 1, 16 9, 14 0 債 29 2, 20 0 1, 28 0, 63 5 1, 47 4, 91 0 1, 48 9, 16 6 1, 58 1, 88 3 1, 74 6, 63 9 債 39 0, 80 0 1, 60 3, 47 3 1, 61 4, 83 4 1, 76 6, 34 5 債 55 8, 11 1 1, 81 8, 96 4 国 立 機 関 原 子 力 試 験 研 究 費 (C ) 14 ,3 67 11 ,2 07 24 ,9 42 25 ,2 12 25 ,5 68 25 ,5 66 24 ,2 88 25 ,0 72 30 ,4 76 31 ,0 24 科 学 技 術 振 興 調 整 費 (D ) 25 ,6 90 16 ,6 88 25 ,2 87 57 ,1 58 10 5, 80 9 27 7, 89 4 40 5, 03 1 26 5, 99 0 21 2, 19 9 ― 次 世 代 産 業 基 盤 技 術 研 究 開 発 (E ) 12 ,8 46 12 ,8 57 12 ,9 39 14 ,1 29 11 ,8 88 合 計 (A + B + C + D + E ) 1, 20 9, 19 7 債 29 2, 20 0 1, 30 8, 53 0 1, 52 5, 13 9 1, 57 1, 53 6 1, 71 3, 26 0 2, 06 2, 94 5 2, 04 5, 64 9 1, 91 8, 83 5 2, 02 3, 14 9 債 :国 庫 債 務 負 担 行 為 限 度 額 (4) 土地及び建物 ①井荻庁舎 当研究所設立に伴い,東京都杉並区井草4丁目18番2号にある機械振興協会技術研究所の建物を一 部借用し,業務を開始した。借用建物の内訳は次表のとおりである。 建 物 推 移 表 区 分 年 月 日 延面積(m2) 備 考 庁 舎 41.5 .10 169.9 機械振興協会から有償貸与 42. 5 .10 △169.9 文京区本駒込へ移転のため返還 ②駒込庁社 昭和42年5月,東京都文京区本駒込にある科研化学(株)から土地及び建物を借用し,また昭和43年3 月には庁舎が手狭になったため,前記住所の近くにあった大蔵省関東財務局所属普通財産の無償貸与 を受けた。土地及び建物の推移は次表のとおりである。 土 地 推 移 表 区 分 年 月 日 面積(m2) 備 考 庁 舎 43. 3.1 4,214.69 関東財務局から無償貸与 45. 8 .14 △ 950.00 関東財務局に返還 47. 3 . 31 △ 3,264.69 筑波研究学園都市へ移転のため返還 建 物 推 移 表 区 分 年 月 日 延面積(m2) 備 考 庁 舎 42. 5 .10 1,314 科研化学(株)から有償貸与 43. 3.1 1,849 関東財務局から無償貸与 44. 4 .1 435 関東財務局から無償貸与 44.11.1 963 関東財務局から無償貸与 45. 8 .14 △ 497 関東財務局に返還 47. 3 . 31 △ 4,064 筑波研究学園都市へ移転のため返還 ③筑波研究学園都市庁舎 昭和43年度から筑波研究学園都市区域の本研究所予定敷地内に,高圧力特殊実験棟を初めとして研 究本館等の施設等の整備を行い,昭和47年3月に庁舎を移転した。昭和61年3月末現在までの土地及 び建物の推移は次表のとおりである。 土 地 推 移 表 区 分 年 月 日 面積(m2) 備 考 庁 舎 43.12.1 3,500 日本住宅公団から有償貸与 45. 4 .1 19,000 日本住宅公団から有償貸与 46. 4 .1 52,500 日本住宅公団から有償貸与 47.12.1 56,436 日本住宅公団から有償貸与 48. 4 .1 131,436 日本住宅公団から有償貸与 52. 8 .1 133,900 日本住宅公団から有償貸与 53. 5.1 152,792 日本住宅公団から有償貸与 主 な 建 物 推 移 表 建物 番号 建 物 名 構 造 建物面積(m2) 竣工年月日 備 考 建面積 延面積 1 高圧力特殊実験棟 RC-2 969 1,761 44.12.15 2 研究本館 RC-3 2,266 6,056 46. 9 . 30 3 排水処理施設 RC-1-1 38 64 46. 3 . 31 4 厚生施設 S-1 519 519 47.1.20 5 ヘリウム液化施設 S-1 180 180 47.1.20 6 廃棄物質処理施設 CB-1 15 15 47. 9 . 30 7 排水モニタリング施設 CB-1 20 20 47. 9 . 30 8 高温合成特殊実験棟 RC-2 1,826 1,000 48. 2 . 28 9 陽電子消滅特殊実験棟 RC-1 168 168 48. 2 . 28 10 守衛・車庫棟 RC-1 139 139 49.10. 5 11 無塵特殊実験棟 RC-2 661 1,465 50.11.18 12 超高圧電子顕微鏡特殊実験棟 RC-1-1 412 209 51.3 .15 13 管理棟 RC-2 1,149 1,828 54. 8 . 30 14 高圧開閉所 RC-1 165 173 56. 3 . 24 15 特高受変電所 S-2 152 265 57. 3 . 30 16 極限技術特殊実験棟 S-1 RC-1 1,085 1,085 60. 4 .19 合 計 8,735 15,976 配 置 図 1.高圧力特殊実験棟 2.研究本館 3 .排水処理施設 4.厚生施設 5.ヘリウム液化施設 6.廃棄物質処理施設 7 .排水モニタリング施設 8.高温合成特殊実験棟 9.陽電子消滅特殊実験棟 10.守衛所・車庫 11.無塵特殊実験棟 12.超高圧電子顕微鏡特殊実験棟 13.管理棟 14.高圧開閉所 15.特高受変電所 16.極限技術特殊実験棟 既設建物 61年度以降建設予定(無振動特殊実験棟) (5)主要設備 ①陽電子消滅測定装置(昭和46年度) 角度相関:陽電子と電子が消滅した時に発生する2本のγ線の角度分布を測定して,価電子の運動 量分布を知り,結合電子の空間分布を研究する手段として使用する。 (角度分解能,0.1ミリラジアン以上) 寿命測定:陽電子の寿命を測定して,価電子の空間分布を知る。 (時間分解能,300ピコ秒) ② メスバウワースペクトル測定装置(昭和49年度) メスバウワー効果は核γ線共鳴吸収効果であるが,線源と吸収体を適当に選ぶことによって,結晶中 のイオン化学結合,イオンの周囲の電場勾配及び磁気的性質についての有用な知見が得られる。 (駆動速度範囲最大300mm/sec, 500~4,000マルチチャンネル使用,測定温度4~l,000°K) ③ レーザーラマン分光光度計(昭和49年度) 遷移金属硫化物等の結晶の格子振動,分子振動,結晶中の不完全中心の振動,その他各種励起に伴 う散乱の研究及びこうした測定を用いての各種相転移の研究に用いる。 (測定可能波数範囲31,000~10,000cm-1,分解能0.18cm-1,分光器0.85mツェルニーターナ,f/7.8ダ ブルモノクロメーター,液体ヘリウム温度から1,200℃付近まで測定可能) ④ADL型高温高圧単結晶合成装置(昭和49年度) 常圧下では分解して融けないもの,転移点が融点以下にあり,常圧下で溶融体から合成できないも のも圧力をかけることにより単結晶育成を行う装置。この装置は融液からの結晶合成の三方法,浮遊 帯域法,引上げ法,ブリッジマン法のいずれかの方法も多目的炉である。 (高温波加熱,最高温度4,000℃,最高圧力100kg/cm2) ⑤光電子分光装置(ESCA)(昭和50年度) 固体あるいは液体の結晶電子,伝導電子および内殻電子のエネルギー状態の知識を得て,固体の電 子状態と結合様式を明らかにすることができる。更に,固体表面の電子状態,吸着分子,原子,イオ ンと表面との相互作用をも調べることが可能である。本装置の特徴は,10-11Torrの超高真空下で,光 電子スペクトル異方性の情報を知ることができる。試料チャンバーを大きくしてあるため,他の実験 手段を合わせて行うことができ,多角的に研究を進め得る。 ⑥超高圧電子顕微鏡(昭和50年度) 無機化合物には,結晶の成長条件,化学結合の様式等に対応して,点状あるいは面状の種々の格子 欠陥が存在する。本超高圧電顕は超高分解能を有するので,このような欠陥における原子の配列の乱 れを決定するのに用いる。 ( 加速電圧:200~1250kVステップ可変 倍 率:×1,000~500,000ステップ可変 ×250 分 解 能:2.0Å,ただし軸上照射 ±35°全方位傾斜装置付 極微小領域回折像:250 Å φ ) ⑦強力X線発生装置(昭和51年度) TiO2系化合物等の結晶の相転移,結晶化等を強力X線を用い連続的に測定する。また,結晶の超構 造,構造不整等に伴う微弱回折線,散漫回折線の測定を行う。 (X線管電圧・電流60kV-20cmA,ラインフォーカス0.05 ×10mm2,ポイントフォーカス0.5×1mm2) ⑧レーザー法熱定数測定装置(昭和51年度) 各種物質の熱定数(比熱,熱拡散率,熱伝導率)を測定することにより物質の熱的安定関係,転移 現象及びその他熱的な特質を明らかにする。 (測定温度80~1,700°K,比熱測定精度±0.5~1%,熱伝導率測定精度±1~5%) ⑨中性子放射化分析装置(昭和51年度) 無機材質中の微量の酸素,窒素,イオウその他の不純物元素の定量,定性分析を行うのに使用し, 安定な高純度材質,特定の性質を有する材質の合成等に必要な基礎的データを得る。 (中性子エネルギー14.3Mev,中性子量109rvcm3・sec) ⑩赤外線集中加熱単結晶製造装置(昭和52年度) 高融点酸化物(YAG,希土類金属酸化物)の高純度単結晶の育成を行う。試料に直接集光して加熱 するので加熱効率がよく高融点をもつ物質の大型高純度単結晶の合成に有用である。 (最高温度2,800℃ ( 8kWクセノンランプ),最大試料大きさ15mmφ×100mm) ⑪ 高温曲げ試験装置(昭和53年度) Si3N4, SiC, AlN燃結体等の耐熱構造材料の高温下における曲げ強度を測定する。 (出力2.5Ton,温度 常温~1,450℃) ⑫ ガス圧焼結炉(昭和55年度) Si3N4等の焼結に際し,熱分解及び蒸発を抑制して高密度焼結体を得る。 ( 温度 常用2,000℃ 最高2,300℃ 圧力 常用300kg/cm2最高500kg/cm2 ) ⑬真空表面分析装置(昭和55年度) 各種無機材質の固体表面における組成,電子状態を調べ,触媒反応機構の解明を行う。 (X線源 Al陽極ビーム径~1mm,電子銃ビーム径~100mm) ⑭多成分同時迅速組成分析装置(昭和56年度) 固体試料の表面に電子線を照射し,含まれている原子の特性X線を測定して定量分析を行うもので, 試料の組成分布を精度良くかつ効率的に測定しようとするものである。 (分解能1~10um,分析対象先素5B~92U) ⑮極微小領域界面構造解析装置(昭和57年度) セラミックス材料の機能・特性はその微細組織により大きく左右される。本装置は20Å程度の極微 小領域の分析(特に軽元素)が可能で,更に電子回折,格子像観察等とを組合わせて,複雑な材料組 織の解明を行うものである。 (極微小領域電子回折20Å,真空度lO-8Torr,分解能3~4 Å) ⑯超音波顕微鏡(昭和59年度) セラミックス(焼結体)の強度は,現在,曲げ試験等の破壊試験による方法しかないため実用化の 隘路となっている。 セラミックスの品質保証,寿命予測等実用化に必要な非破壊検査法の確立を図るため,本装置を使 用して欠陥の種類と大きさが強度に及ぼす影響について調べると共に,曲げ試験等の破壊試験との対 応について検討を行う。 (分解能 5um (200MHz),1 um (1GH2)) ⑰衝撃圧縮合成装置(昭和59年度) 衝撃圧縮によって,瞬間的に発生する600Kbar (60万気圧)の超高圧力を利用し,従来困難とされて いたアモルファス黒鉛あるいはhBNなどの原料からダイヤモンド,cBNあるいはB4C微細単結晶の合 成を行う。 (飛翔体径 40mmφ 100g,最高速度 3km/sec) ⑱ 液相エピタキシャル薄膜単結晶育成装置(昭和59年度) Ln2O3・nAl2O3, Y3Fe5O12などの単結晶薄膜及び厚膜を,厳密に制御した条件で,基板単結晶上に 育成する。 (最高温度1,200℃,温度制御精度±1℃) ⑲大容量超高圧発生装置(昭和59年度) 加熱空間1,000cc,最高発生圧力10万気圧,瞬間加熱4,000℃の能力を持つ装置である。 これにより,高品質で低コストの大型ダイヤモンド,大型立方晶窒化ホウ素焼結体の合成を行う。 ( 型式:線捲式単動油圧プレス,プレス推力:3万トン プレス重量:230トン,プレス寸法:幅3.8メートル 奥行 2.2メートル,高さ7.0メートル ) ⑳熱間静水圧加圧装置(昭和59年度) チタン酸バリウム(BaTiO3)チタン・ジルコン酸鉛(PZT)などの強誘電体・圧電体粉末及び高温 で蒸発しやすい酸化スズ(SnO2)粉末などを高気体圧下で焼結することによって高密度高品質焼結体 を得る。 (最高温度1,500℃,最高圧力2,000kg/cm2) ㉑ レーザー用単結晶引上装置(昭和59年度) 各種レーザー用単結晶を引上法により育成する装置で,蒸発しやすい物質に対しても加圧すること により蒸発速度を抑制して良質な単結晶を育成する。 (炉内圧力30kg/cm2加熱温度2,100℃Max) ㉒ フェムト秒光パルス解析装置(昭和60年度) 発光材料,超高速光応答材料等の無機材質の光に対する応答速度を,50×10-15秒の速さまで測定 し,それによって発光の効率,応答時間及び高速スイッチング素材としてのスイッチング時間を支配 している要因(励起緩和の機構,微量消光性欠陥等)を明らかにする。 (検出光560~680nm,励起光280~340nm,パルス巾50フェムト秒,時間分解能50フェムト秒) ㉓焼結体欠陥解析装置(昭和60年度) PLZTの性能に大きな影響を与える構成元素の欠陥を,高温下での同位体置換により測定,解析する ための装置である。例えば,酸素においては,同位体酸素(18)気体中にPLZT焼結体をおき,高温下で同 焼結体中の酸素(16)と置換し,気体中に入った酸素(16)を精密に定量することにより焼結体中の欠陥量を 評価することができる。 (分解能M/△M = 25,000,質量範囲1~3000amu) (6)図書及び刊行物 ①図 書 当所の図書業務については,企画課(昭和41,4 2年度は企画室)が所掌しているが,図書の整備計 画及びその運営の基本的事項については,図書委員会を設けて審議を行い,図書業務の適正円滑化を 図っている。 当所の蔵書は,無機化学,結晶学,物性物理等の分野を中心にして充実を図っており,昭和46年度 の筑波研究学園都市移転に伴って,積極的な整備充実を行ってきた。 製本雑誌等(昭和60年12月末現在) 区 分 冊 数 単 行 本 5,549 製本雑誌 11,675 計 16,224 定期刊行物(昭和61年度計画) 区 分 件 数 国内雑誌 65 外国雑誌 141 計 206 ②刊行物 当所の研究活動状況並びに所掌業務を広く紹介し,また研究成果の普及を図るため,下記の刊行物 を発行している。 (a)無機材質研究所年報 年度内における研究業務の概要を収録したもの (b)無機材質研究所研究報告書 研究終了に伴う研究実績についての報告書 (c)無機材質研究所研究論文集 学会等に投稿した研究論文について収録したもの (d)無機材研ニュース 研究成果のトピックス,研究内容,施設・設備等の紹介 (e)無機材質研究所要覧(和文,欧文) 研究業務の概要及び組織等の簡単な紹介 (7)福利厚生 ①健康安全管理 当研究所における職員の福利厚生業務については,健康安全管理面では年2回の定期健康診断のほ か,特定有害業務に従事する職員に対しては特別健康診断を実施している。 日常的には,所内医務室において毎週1回,健康管理医による内科を主とした診療及び健康相談, 指導等を行い疾病の早期発見に努め効果をあげている。 また,毎年行われる国家公務員の健康週間及び安全週間には,職員の安全及び保健に関する意識向 上を図るため,講演会等を開催するとともに,全所的に職員による自主点検,管理者による点検パト ロール等を実施し,積極的に職場の環境整備,改善に努めている。 ②食堂,理髪室 福利厚生の一環として,食堂,理髪室を設け,適切な衛生管理のもとに,その運営が行われ,職員 の利便を図っている。 ③レクリエーション 職員のレクリェーション施設としては,グランド,テニスコート,バレーコート,サッカーコート を有し,年間スケジュールにより各種目の所内対抗戦を実施し,職員の体位向上及び職員の融和を図っ ている。 また,職員の趣味に応じて結成されたサークル(野球部,テニス部,バレー部,サッカー部,卓球 部,水泳部,剣道部,囲碁部)に対して部員の自主制によるクラブ活動(対外試合,合宿等)を助成 するよう努めている。 Ⅱ.研究の進展 Il. WiFE OitE e Ⅱ.研究の進展 新材料の創製に対する経済・社会の要請は極めて大きく,科学技術会議第11号答申(昭和59年11 月),航空・電子等技術審議会第7号答申(昭和59年9月)等において,材料開発のための基盤的研究 及び材料設計手法の開発の重要性が,指摘されているところである。無機材質研究所としては,これ らを踏まえ,耐熱性,耐食性,高硬度性,電磁気特性(半導性,誘導性等),光学特性,触媒能等ある いは未知の優れた特性を有する非金属無機材質の創製に係わる基礎的・基盤的研究を推進する。この ため,酸化物,硫化物,炭化物,窒化物等代表的な無機材質について,各界からの要請を踏まえ,科 学技術の発展に大きく寄与すると期待されるものから逐次研究を進めている。 研究の推進に当たっては,個別物質ごとに研究目標,研究計画をたて,概ね,5ケ年間で基礎的, 基盤的研究を行う「グループ研究」,無機材質研究の進展に伴い必須となり,各研究グループに共通 し,長期的対応を要する基盤的な新装置,新手法,大規模技術等の開発を先行的に行い,材質研究グ ループの要請に応じ,これらの技術開発力を提供する「ステーション研究」及び経済・社会,科学技 術のニーズに対応するため,研究所全体として組織的,総合的に対応を行う特別研究等の「特定研究」 により強力に実施している。 1.研究グループの活動 研究グループは,昭和41年度研究所設立と同 時に第1研究グループが発足,その後順次整備 され,昭和50年度に第15研究グループが設置さ れて現在の15研究グループ体制が確立された。 研究グループは,新材質の創製を目的とする 基礎的研究であり,科学技術,経済・社会等の 諸分野から要請の強いもの,及び,これまでの 研究成果が効果的に活用され,更に発展する可 能性の高いものについて概ね5カ年間で①新材 質の創製に関する基礎研究②新現象,新原理に 係わる基礎研究及び③新用途の開発につながる 基礎的研究を行うものである 当研究所は,これまで52の個別材質について 研究対象として研究を終了あるいは,研究中で あり,無機材質に関する情報及び学術・技術等 の向上に大きく寄与している。 (1)元 素 1)炭 素(昭和44年度~昭和48年度) 近年,多くの新しい高分子材料が開発される に伴って,これらを出発物質として用い,従来 の炭素材料とは異なった特性を有する材料が開 発されている。炭素材料を作るには有機化合物 を熱分解して炭化する操作と,これを2,000℃以 上の温度で熱処理して,黒鉛化する操作とが基 本となっている。炭素材料の物性を理解し,そ の材料を発展させるためには,この炭化,黒鉛 化の二つの過程における構造,組織の変化を把 握することが重要である。主として,炭化の初 期過程に中心を置いて研究を進めると共に,そ れと平行してダイヤモンドの高圧合成に関する 予備的な研究を行った。 代表物質として,脂肪族化合物のポリ塩化ビ ニール,芳香族化合物のアセナフチレンを取り 上げ,加熱過程で生成するピッチ状物質をクロ マトグラフィー,真空昇華分析法で分画し,ピッ チ中に含まれている多環芳香族化合物及び低分 子化合物が果す役割について検討した。また, 石油ピッチ中には約50%,それ自身は不溶性の 難黒鉛化性炭素を生ずる成分があるにもかかわ らず,ピッチ全体としては易黒鉛化性炭素とな ることから,溶融性を持った低分子成分が不溶 融性分の溶媒,あるいは分散媒としての役目を 持ち,生成炭素の性質を決定することを明らか にした。なお,ダイヤモンド合成に関しては, GE社の研究業績をトレースから始め,Ni-C系 を主体として結晶育成を行い,合成条件と育成 した結晶のマクロ的な形態について検討した。 2)ダイヤモンド(Ⅰ)(昭和49年度~昭和53 年度) ダイヤモンドは他の材料では得られない幾つ かの優れた性質を有し,高機能性材料として発 展する可能性のある素材の一である。ダイヤモ ンドが未だ高機能材料として発展していない理 由の一つはその合成技術の開発がおくれている ためと考えられる。 ダイヤモンドの合成には金属溶媒を用いた静 的高圧合成,衝撃圧縮による動的高圧合成,減 圧域での気相合成などがある。ダイヤモンド研 究グループは金属溶媒を用いた静的高圧による ダイヤモンド合成を中心に研究を進めると共に, 動的高圧,ならびに気相合成に関しても探索的 な研究を行った。 金属溶媒を用いた静的高圧合成で,ダイヤモ ンドを晶出するには4.5GPa,1450℃以上の高 圧・高温を安定に発生できる装置を開発するこ とが先決問題である。高圧カステーションが中 心となり,第8,第6研究グループが協力し, 高圧力発生装置,ならびに圧力媒体の一部に NaClを用いた高圧容器を開発した。この装置を 用いて,膜成長法で,1mm以下の単結晶を安定 して育成することができ,またダイヤモンドの 単結晶を種結晶として,温度差法で単結晶の育 成を行い,{100}面,{111}面からなる形態の整っ た透明なダイヤモンドを育成することが可能と なった。この他,(ダイヤモンド圧粉体)―(WC ―Co系圧粉体)を積層し,同時に高圧焼結する 方法で,多結晶体ダイヤモンドの合成研究につ いても行った。 動的高圧が静的高圧と本質的に異なる点は圧 力の持続時間がマイクロ秒(10-6秒)程度の瞬間 的なことである。従って,黒鉛からダイヤモン ドへの転移過程は無拡散転移によるという考え が支配的である。この転移機構の観点から出発 原料として,結晶性の良い天然,人工黒鉛粉末 が用いられて来た。この研究においては無拡散 転移以外の機構で,ダイヤモンドを生成するこ とを目的で,各種の無定形炭素からダイヤモン ドの合成を試みた。その結果,フラン樹脂から 得られた無定形炭素,ならびに弗化黒鉛を出発 原料とし,圧力媒体,冷却媒体となる銅粉との 混合物をステンレスカプセルに充塡,60GPa以 上の動的高圧力を加え,ダイヤモンドが析出す ること,また無拡散転移以外の生成機構が存在 することを明らかにした。 上記の合成方法は熱力学的にダイヤモンドが 安定な領域での合成であるが,一気圧以下の低 圧気相合成に関しても探索的な研究を行った。 CVD法でダイヤモンドの析出が可能なること を検証するため,13Cで標識されたメタンガスを 反応ガスとして用い,粒径lμm以下のダイヤ モンド(12C)粉末を1000℃以下の温度に加熱, その表面でメタンガスの熱分解によって析出す る無定形炭素(13C),ならびにダイヤモンド(13 C)をラマンスペクトルの信号から検証した。基 体温度830℃, メタンガス濃度133Paの条件で, ダイヤモンド(13C)をラマンスペクトルで確認 し,CVD法でダイヤモンドの析出が可能なるこ とを明らかにした。この研究に於て,無定形炭 素を検証する手段として,ラマン分光法が有力 なること,またその情報を合成面に反映して, この研究を推進することができた。 グループが発足当時の数年間は試行錯誤を繰 返す状態であったが,後半において急速に研究 が進展し,幾つかの芽を育成することができた。 金属溶媒を用いた静的高圧で育成したダイヤモン ドの単結晶 3)ダイヤモンド(Ⅱ)(昭和54年度~昭和58 年度) 第2期のダイヤモンド研究グループは前記グ ループの研究成果を踏まえて,典型的な難焼結 物質であるダイヤモンドの焼結に関する研究を 中心として進めると共に,ダイヤモンドのすぐ れた特長を有効に生かした高機能材料の開発を 指向し,高純度単結晶の育成,ならびに低圧気 相合成などについても研究を行った。 ダイヤモンドの焼結は(ダイヤモンド圧粉体) ― (WC―Co系圧粉体)を積層し,5.8GPa, 1,400℃以上の高圧・高温のダイヤモンド安定領 域で同時焼結が行なわれている。その焼結過程 はWC―Co系圧粉体中のCoがダイヤモンド圧 粉体中に拡散し,ダイヤモンド粒子の表面を溶 解,ダイヤモンドを再晶出の過程を通じて,ダ イヤモンド粒子間を結合しながら焼結が進行す る。この過程を実験的に確認した。さらにダイ ヤモンド圧粉体中に各種炭素を添加し,添加量 ならびにその性状がCoの移動速度,焼結体の微 細組織に及ぼす効果について検討を加えた。そ の結果,ダイヤモンドを黒鉛化した無定形炭素 粉末を添加物を用いることにより,均質かつ微 粒子よりなる焼結体を得ることができた。また, ダイヤモンド―添加炭素粉末の均質混合物を得 るためにはダイヤモンド粉末を部分的に黒鉛化 する方法が望ましいことを明らかにした。これ ら焼結体の工具の切削性能を評価した結果,ダ イヤモンド粉末を部分的に黒鉛化した試料が望 ましいこと,その適切な黒鉛含有量は約50~70 Vol%であることが明らかとなった。 ダイヤモンドの低圧気相合成に於て,遭遇す る問題は析出するダイヤモンドが黒鉛化を起さ ない温度条件(1100℃以下)で,如何にして炭 化水素の熱分解を促進するか,またダイヤモン ドと同時に析出する黒鉛状炭素の析出を如何に して抑制するかにある。これららの条件を満す ためには熱力学的条件(温度・圧力)で決まる 濃度以上の原子状水素を生成する合成方法を開 発するのが重要であるとの考えに基づいて,熱 フィラメントCVD装置を試作した。この装置を 用い,基板温度,700~1000℃,反応管内の圧力; 数拾Torr,反応ガス;H2―CH4,メタンガス濃 度;1Vol%以上,全ガス流量;50ml/min以下 の条件でダイヤモンドを析出することができた。 熱フィラメントCVDは熱的手段で原子状水 素を生成する方法であるが,電界を利用して原 子状水素を生成させるマイクロ波プラズマ CVD装置を試作した。この装置を用い,熱フィ ラメントCVDと類似した合成条件でダイヤモ ンドを析出することができた。 衝撃加圧によって実現される高圧・高温状態 は静的超高圧力の熱平衡状態におけるそれらと は異なった側面を持っている。圧力持続時間は 10-6秒程度であるが,衝撃温度は被衝撃体の密 度に依存し,容易に数干度に達する超高温を発 生することができる。この研究においては,封 じ込められた条件下で発生するこの超高の化学 効果,ならびに衝撃波通過後の急速・急冷効果 を利用した超硬物質の合成を試みた。フラン樹 脂から作られた炭素前駆体(窒素零囲中で 500~600℃に熱処理)を出発原料として,60GPa 以上の衝撃圧力を加え,70%以上の収率でダイ ヤモンド粉末を得ることができた。また衝撃圧 縮によって,立方晶窒化硼��素の合成は困難とさ れていたが,アモルフアス状窒化硼��素,ならび に菱面体窒化硼��素ウィスカーを出発原料として, 60GPaの衝撃圧力を加え,立方晶窒化硼��素を合 成することが可能となった。 高純度単結晶の育成においては各種の溶媒合 金を作ると共に,これらを用いて温度差法でダ イヤモンド単結晶を育成し,その紫外,可視, 赤外域の吸収特性を調べた。その結果,Fe―Ni 系合金溶媒を用いた場合,無色透明で,ダイヤ モンド固有の吸収端225nm付近まで光を良く透 過する結晶を育成することができた。 4)ダイヤモンド(Ⅲ)(昭和59年度~) ダイヤモンドは他の半導体より禁制帯幅が大 きく,またその半導体はシリコン半導体より輸 送特性にすぐれているという特徴を持っている。 このことは高温動作電子素子,短波長の発光素 子,あるいは耐放射線用電子素子など,他の材 料では得られないユニークな高機能材料として 発展する可能性を持っている素材である。 第3期ダイヤモンド・研究クグループはダイ ヤモンドを高機能材料として発展させる基盤を 形成することを指向し,気相合成法を用いて半 導体ダイヤモンドの合成,ならびに高品質の大 型単結晶の育成などを中心に研究を進めている。 ダイヤモンドの半導体化に関する研究におい ては,メタン―ジボラン―水素系の混合ガスを 用い,シリコン・基板にホウ素を添加したダイ ヤモンド膜の形成を行い,その吸収特性を調べ た。その膜はいずれも青味がかった色調を呈し, また室温でも導電性を示し,その光学的物性は 無添加試料には見られない,近赤外部の2.2μm ~2.5μmと赤外部の8~9μmに吸収を示し, 高圧合成で得られたホウ素を含むダイヤモンド と共通の特徴を持っていることを明らかにした。 またダイヤモンド基板上にホウ素を添加したダ イヤモンドの半導体膜を形成し,ホウ素のアク セプター準位を調べ,価電子帯の上部 0.24~0.36eVに存在することを明らかにした。 高品質の大型単結育成に関する研究において は高圧容器の黒鉛ヒーターの異状変形が長時間 にわたっての結晶成長を阻害する原因となる。 このため圧力容器内のNaCl,の挙動を調べると ダイヤモンド焼結体の二次電子象 共に,圧力容器内の試料構成を検討し,200時間 以上安定して連続育成可能な高圧容器を開発し, 4カラット程度の単結晶ダイヤモンドを育成す ることが可能となった。 この他,ダイヤモンドの焼結に関しても研究 を行ない,WC―Co系の基体を用いず,ダイヤ モンド―金属粉末を出発物質にして,高硬度, 均質なダイヤモンド焼結体の合成を行った。そ の結果,ダイヤモンド―5 Vol%コバルト・ニッ ケルを出発原料として,7.7GPa, 2000℃の条件 で,高硬度,均質な微細組織を持った焼結体が 得られた。 衝撃加圧による超硬物質の合成においてはフ ラン樹脂を500℃程度に加熱処理して得られた 炭素前駆体とアモルファス状窒化ホウ素,ある いは菱面体窒化ホウ素の混合物を出発物質とし, 60GPa以上の衝撃圧力を加え,ダイヤモンド 一立方晶窒化ホウ素の固溶体が合成できる可能 性のあることを明らかにした。また極限状態を 利用した新素材合成研究を推進するため,一段 式衝撃圧縮装置を無機材質研究所に設置した。 マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンド気 相合成装置の概略図 〔2〕単純酸化物 1)酸化バナジウム(昭和42年度~昭和46年 度) 遷移金属元素を含む酸化物には電気的,磁気 的に特有の性質を示すものが多いが,酸化バナ ジウムもその一つであり,その特性を利用した 電子材料,触媒等への応用が期待される物質で ある。このような性質は遷移金属イオンの有し ているd電子と関係しているが,d電子の存在 はまた遷移金属イオンがいろいろな原子価をと ることを可能にする。このため酸化バナジウム には,VO, V2O3, V3O5, VO2, V6O13, V2O5 等の相があり,各々の相は不定比領域を持つ。 不定比性による組成のわずかな違いは物理的性 質を大きく変えるものであり,バナジウム酸化 物のような遷移金属化合物の電気的・磁気的性 質の研究は化学組成並びに構造的によく特徴づ けられた合成物について行わなければならない。 こうした観点に立って主としてVO2, V2O3, VO 等について,相平衡,結晶構造,電気的・磁気 的性質等に関する研究を行った。 VO2については主として1500Kでの不定比の 範囲を決定し,それぞれの組成のものについて 金属―非金属相転移の過程での結晶学的な構造 変化と電気伝導性の変化を研究することにより, 相転移の性質と不定比性の関係を明らかにした。 V2O3についても,1600Kで合成した試料の金属 一非金属相転移の性質が不定比性によって大き く変わることが解った。また,VOの相平衡と電 気的性質の研究,V2O3のV3O5への酸化の研究 等から,不定比性が物理的性質へ及ぼす影響に おいて大きな役割をつとめる欠陥の分布状態に 関する知見を得た。 2)酸化ベリウム(昭和42年度~昭和46年度) BeOはX線や極超短波に対し極めて大きな透 過性を有し,高速中性子の減速能が大きく,熱 中性子の吸収が非常に小さい等の特徴がある。 また,融点もきわめて高く,化学的に安定で電 気絶縁性も優れ,特に熱伝導度が常温附近で金 属アルミニウムよりもやや高いという,特異な 酸化物といえる。しかしながら唯一の欠点は, 極めて強い毒性を有し,取扱いを誤ると重大な 健康障害をもたらす危険があり,取扱いには細 心の注意が必要である。 本研究は研究所の創生期に実施されたもので, 一般設備もきわめて不充分な状況にあった。ま して有害危険物の取扱いは全く未経験であり, その習塾と管理体制の確保にはかなりの時間と 労力を必要とした。 このような特殊事情のもとで逐行された主な 研究は下記の通りである。 1)高純度BeO粉末の調整とその化学分析法 これは溶媒抽出法と均一沈澱法で4~5ナイ ンの純度のBe(OH)2を得ることに成功し,得ら れた試料は他の研究用に供することができた。 2)易焼結性BeO粉末の調整と焼結過程の解 明。 硫酸塩から得られる易焼結性粉末と水酸化物 から得られる難焼結性粉末の特性上の差違から, 初期焼結過程における再配列とそれに続く急速 な合体が,その後の焼結性を左右する重要な過 程であることを明らかにし,その機構の一端を 明らかにした。 3)その他の研究ではBeO薄膜と単結晶育成 があり,BeO焼結体の高温物性に関する研究も おこなわれた。詳細は無機材質研究所研究報告 第2号を参照されたい。 3)酸化ジルコニウム(昭和44年度~昭和48 年度) 最近10年間で著しく発展した材料の一つがジ ルコニアである。当時セラミックスの中に靱性 材料と云う言葉すら存在しなかった。1975年に 発表したガーヴィーらの「部分安定化ジルコニ ア」は従来の研究思向の逆発想に基づくもので ある。すなわち大きな体積変化を伴う相変態を 無変態にするのではなく,逆に利用しようとし たのである。破壊靱性値(K1c)が20MN・m-3/2 まで向上し,切削工具として実用化されるとは 誰も予想できなかったことである。 当初,ジルコニア材料の基礎研究の中心はや はり相変態であった。単斜⇄正方変態ではマル テンサイト相変態にも拘らず一定の温度では全 部が相変態せず,歪みと化学的自由エネルギー が熱平衡になり約100℃の温度範囲で次第に完 了すると考えられていた。単結晶の育成から始 めてそれを用いた研究は一粒単結晶の相変態は 瞬時に完了し,単斜・正方両相が共存しないこ とが実証された。しかし相変態温度は結晶の不 完全性に依存し,粒毎に異ることで従来の温度 幅の疑問が解決された。 一方,ゲル状ジルコニアを水熱処理して,室 温で準安定相である正方晶の微粒子 (50~500 Å)を合成することができた。この相 安定化説として従来の表面エネルギー(熱力学 的平衡)説に対し,母相との構造的類似性によ り準安定相が生成すること,また粒子径の減少 やOH-やCl-イオンの作用により活性な核発生 サイトの減少・退化により安定相への転移が抑 制されているとする動力学説で説明した。 さらに単結晶の電気伝導度測定から相変態と 電気抵抗変化の相関性を明らかにすると共に, 陽電子消滅法を化合物の結合状態の研究手段と して発展させ,ジルコニアについても角度相関 法と寿命測定法で基礎的研究を行った 4)酸化ニオブ(昭和45年度~昭和49年度) ニオブは典型的な遷移金属であるため,その原 子価,合成条件等の違いにより10種以上の酸化 物が形成される。その電気的性質も金属的なも のから半導体,絶縁体まで様々であり,極めて 興味ある物質である。本研究グループ発足時に おいては,合成法,結晶構造.相平衡関係等の 基礎知識は断片的にしか明らかではなかった。 まず,五酸化ニオブ(Nb2O5)の各種多形 (P,B,H,T,TT,R,N,Mの 8 種),NbO,及び NbO2の単結晶を化学輸送法で合成するととも に高温度,高圧力下における相平衡状態図の作 成を行った。これによると多数の多形のうちP, B,H,及びTのみが熱力学的安定領域を持って いることが明らかとなった。これにより初めて T型Nb2O5の単結晶の育成に成功し,その結晶 構造を解明することができた。またH型につい ては精密な結晶構造解析が行われた。 さらに,NbO2―Nb2O5系においては相平衡 状態図を作成し,一連のホモロガス化合物群 (Nb12O29, Nb22 O 54, Nb47O116, Nb25 O 62, Nb53 O132)の存在の確認及び組成範囲を明らかにし た。これらの結晶構造はいずれもReO3構造を単 位とするブロック構造と呼ばれる特有の形式を 有している。このためワズレー欠陥と呼ばれる 面状の欠陥が現れる。これらの格子欠陥の形成 過程についても解明を行った。また,これらの 欠陥及び酸素分圧,酸素欠損,電子等の相互作 用についての熱力学的関係を明らかにした。ま た,超高純度のニオブ及びタンタルの分離精製 は困難な問題とされているが,本研究では金属 アルコキシドを用いたガスクロマトグラフによ り分離精製の基礎データを得た。 5)酸化けい素(昭和46年度~昭和51年度) 酸化けい素(以後シリカと呼ぶ)は天然に広 く産出し,古くから各分野で利用され,人々に 親しまれてきた物質である。従って,シリカの 研究は広い専門分野にまたがり,その数もきわ めて多い。それらの成果が基礎となり,実用上 さまざまな応用が試みられ,広範囲の需要を満 たすために各種の純度のシリカ粉末や合成水晶, あるいは高純度のシリカガラスなどが工業的に 製造されている。 シリカはまた,多様な形態をとる特質があり, 現在のところ20余りの相が知られており,しか も地球上に無尽蔵にあるなど,その活用はきわ めて重要な課題といえよう。 シリカに関する研究は,細かいことをあまり 問題にしなければ,やり尽くされた材質である という先入観があった。 歴史的に振り帰って見ても,近年に至るまで, シリカの結晶相として石英が最も代表的なもの で,他の同質多像相であるクリストバライト, トリジマイトはきわめて珍しい鉱物として知ら れていたにすぎない。 そこで最も解決が困難であり,且つ窯業界特 に耐火物業界で問題になっているトリジマイト の問題に取り組むこととした。 トリジマイトはフェンナーのシリカの同質多 像の平衡関係の研究によりシリカの一つの相と して認められ,大概の窯業,鉱物などの教科書 にその結果が少しの疑念も抱くことなく転載さ れている。この平衡関係は転移の際の容積変化 や転移熱などを考慮してギブスの相律に基づい て作成された仮想的なもので,再検討が急がれ る重要な研究対象であった。 単結晶で相転移の研究をおこなう必要がある ため,まず単結晶の育成に関する研究から開始 した。シリカの相安定関係を検討する目的で高 温度水熱合成用加圧装置が試作され,二重カプ セル方式により,良質のトリジマイト,クリス トバライト,石英の単結晶が得られ,各相の安 定領域を明らかにした。 これらの結晶はプリセッション,ワイゼンベ ルグカメラなどを用いて構造が決定され,原子 の変位による相転移の機構を明らかにした。 更に,石英相への燐の固溶もこの装置で成功 し,石英中に於ける燐イオンの状態が明らかに された。 格子力学の理論を応用して,シリカ各相間の 相転移の機構を説明する試みもされた。これは 相転移点近傍における,熱膨脹,弾性定数,圧 電定数,誘電定数および比熱などの異常挙動に 注目し,原子変位の群論的考察に基づく振動 モードの振動中心からのずれで説明された。 非晶質シリカの分野では,貴たん白石を構成 するサブミクロン直径の単分散球の合成が試み られ,珪酸エステルの加水分解法で単分散球を 得ることができた。これを自然沈降させて三次 元的な規則配列組織を作り,可視光の回折現象 により遊色の発現することを実証し,貴たん白 石の人工合成に成功した。 6)酸化マグネシウム(昭和47年度~昭和51 年度) 本研究は,高純度MgOの調整,MgOの焼結, MgOの酸素拡散,MgOの水和・溶融の各研究か ら構成されている。 高純度MgOの調整については,適当な有機配 位子を選択することにより,溶媒抽出法,析出 分離法のいずれを適用しても99.99%程度に純 化することが可能であること,Mg(Ⅱ)を水酸 化物として析出させる場合,錯形成能を有する 塩が共存しなければ,Mg(OH)2の形で純粋に 沈澱させることができることが明らかにされて いる。 焼結研究においては,金属塩類を熱分解して 得られるMgO粉末の特性及び有機溶媒処理に よる粉末特性の変化について系統的に検討され た。MgOの焼結性に対して特に効果ある有機溶 媒として,ヘキサン,ヘキセン,シクロヘキサ ン,ベンゼン,アセトンであった。一般に分子 量の小さいもの,炭素数の少ない炭化水素が焼 結性に対して効果が大きく,水素や炭素以外の 元素(酸素,窒素,塩素)を含む有機溶媒は焼 結性におよぼす効果は小さい。出発原料として 塩基性炭酸マグネシウムを仮焼したものをベン ゼン溶媒で表面処理したものを用いると透光性 を達成することができる。 一方,粒成長によって促進されるとした焼結 機構を定量的に解析し,新しい速度式を提案し ている。理論値と実際のデータとの偏位は,粒 子の充塡性の不均一性によっている。 酸素拡散の研究については,多結晶体を用い て体積拡散係数を算定する新しい方式が確立さ れた。各種塩類を種々の温度で熱分解して得た MgOを焼結したものの体積拡散係数は,上記製 造履歴によって大幅に変化することが明らかに された。また試料によって粒界拡散係数と体積 拡散係数との比率も変化する事実が確認された。 更にLiやFeを添加したMgOの体積拡散係数が 測定された。これらのデータに基づいてMgOの クリープ特性について討議されている。 MgOの水和に関する研究では,水和に際して MgOの(111)面が水酸化マグネシウムの(001) 面に変化すると言うトポタキシャルな関係を仮 定にマグネシアクリンカー並びに電融マグネシ アの水和過程を説明している。 MgOの溶融実験は太陽炉を用いて行い.,溶 融面の表面に単結晶が生成すること,生成した 結晶粒界には不純物の偏析が認め得ないこと, 少量の酸化カルシウムの添加はマグネシアの揮 発を顕著に抑制することなどが明らかにされた。 その他関連化合物の研究として,MgFe2O4 ―Ti4+系の欠陥構造,希土類添加BaTiO3の欠 陥平衡と物性,Nb5+添加BaTiO3の欠陥平衡と 物性,V2O3+xの不定比性,MgO―V2O3系の非平 衡構造,MgV2O4―Mg2VO4系固溶体の陽イオ ン分布,ペロブスカイトの非平衡構造と物性, Al―O―N系の加圧焼結,Si3N4の窒素の拡散, 新しいPZTの合成と構造,物性,オーソフェラ イト非平衡欠陥と磁性,(La, Na)FeO3-δ系の メスバワースペクトルと磁性,CaFeO2.5 ―CaTiO3系の構造,Fe57をドープしたSi3N4の メスバワー効果などについて検討された。 7)酸化アルミニウム(昭和48年度~昭和52 年度) アルミナ(α-Al2O3)は耐熱,硬質あるいは 電気絶縁性材料として古くから窯業における主 要材料の1つとして用いられてきた。近年は集 積回路の基板としても多量に生産されている。 昭和48年から昭和52年度にかけての酸化アルミ ニウムAl2O3研究グループでは,それまでとは 少々趣を異にして,特殊な形状(微粒子,薄膜 など)あるいは微細構造と関連して機能特性(研 磨能,触媒能,発色能,イオン導電性など)が 発現する場合に注目して研究が進められた。研 究解析手段としては,主として,電子線回折お よび電子顕微鏡が使用された。 次に個々の研究テーマに関して得られた成果 を列挙する。まづ,アルミナ粉体の懸濁液を用 いて合金表面を研摩し,それを鏡面にまで仕上 げるときに研摩面に生じる磨砕物理化学的反応 を研究した。研摩によって生じる合金表面ビー ルビー層中にアルミナ粉末は埋め込まれると同 時に金属地と固体化学反応を起こし,特に地が 磁気的マルテンサイト変態をする時にはこの固 体反応はヘドヴァル効果によって触媒的に促進 された。一方,非磁性オーステナイト系ステン レス鋼をアルミナ懸濁液で研摩することによっ て製造された研ぎ汁は強磁性マルテンサイト粒 子を含む誘電性エマルジョンであって,磁気録 音テープへの応用の可能性が指摘された。さら に,アルミナ白金触媒を摩砕物理的方法によっ て製造し,その性能テストおよび実用化を行っ た。白金板をアルミナ懸濁液中で研摩すること により得られた研ぎ汁は20~50Åサイズの白金 微粒子を含むアルミナのエマルジョンであって, 石油化学用触媒として使用することができる。 ルビーの電磁特性に関する電子回折的研究か ら,その結晶内にはAl2O3双極子分子が互いに 鏡像をなして配列しその表面に電子を荷電する ことができ,その結果,表面近傍に~10,000 KV/cmの電場が実現しているものと推定され た。 無機顔料の典型であるテナール青Al2O3 ・C0O が合成され格子定数などが測定された。 アルミニウムの陽極酸化によって生成する多 孔質皮膜の多色化を試み成功した。色調は皮膜 の種類と電気化学的条件により制御できること, 着色機構として皮膜の微細構造と孔中の金属析 出物が多色化の要因であることを明らかにした。 超イオン導電体として実用化が期待されるβ 型アルミナが高分解能電子顕微鏡を用いて調べ られた。世界最高の分解能2.0Åを有する超高電 圧電顕(H―1250型)が当研究所に設置され稼動 を開始した時期と一致したために,本結晶にお ける原子配列を直接観察することが試みられた。 結果として,Na+イオンの移動するトンネルを 原子レベルで鮮鋭に映しだすことに成功した。 特に,β"型アルミナの電子線照射中に新種の格 子欠陥が生成することが発見され,これが超イ オン導電体としての材料の寿命と密接に関連し ていることが明らかにされた。本観察はミクロ 構造とマクロ物性との対応関係に基づいて,新 材料を設計するという概念に至る1つのきっか けを与えた。 8)酸化チタン(昭和49年度~昭和53年度) チタン資源はレアメタルの中では富有資源の 一つであるが,日本は全量輸入であり,輸入鉱 石の約70%は酸化チタン用に消費される。58年 度で約20万tの酸化チタンが製造され,その約 60%は白色塗料である。今日の新しい利用の動 向は酸化チタンの黒色顔料,カラーコピーの感 光剤や,導電性白色塗料などが製造されるよう になった。酸化チタンは同質多形を示し,ルチ ル,アナターゼ,ブルーカイト,TiO2(Ⅱ)の4 形がある。酸化チタンの製造工程の中でのアナ ターゼ化及びルチル化は主要な工程の一つであ るが,その相安定化の機構は不明であった。 研究の主要な目標はルチル,アナターゼ,ブ ルーカイト,TiO2(Ⅱ)の各多形間の準安定相の 安定化機構を検討すると共に熱力学的安定関係 を明らかにすることであった。 合成法では水熱法及び化学輸送法でアナター ゼ,ブルーカイトの単結晶合成を行い,生成条 件と結晶化に及ぼす共存化学種の役割を検討し て安定化機構を明らかにした。その結果,核生 成段階で結晶表面への共存化学種,とくに水熱 条件下ではフッ化物,硫酸及びリン酸イオンな どの陰イオンの配位状態が最も重要であること を明らかにした。なお,水溶液中のTi(Ⅳ)の加 水分解反応,溶媒抽出反応の解析から溶存状態 との相関性を追求し多形相の選択的要因が水和 Ti(Ⅳ)の第一配位圏の構造にあることを指摘 した。 熱力学的観点からは合成した高純度のTiO2 多形各相を用いてエントロピー,エンタルピー に関する熱測定を行い,ギブスの自由エネル ギー差に基づいて各相の安定関係を明らかにし た。特にこの研究では高温熱容量測定装置や溶 解熱測定装置の開発にも大きな成果を上げた。 結局,熱力学的な安定関係はルチル>ブルーカ イト>TiO2(Ⅱ)>アナターゼの順序となり,ブ ルーカイトとアナターゼは準安定相であること を確立した(図1)。 アナターゼのルチルへの相転移に及ぼす不純 物効果をMO6八面体構造単位を含む不純物に ついて調べた結果,V2O5は促進剤,WO3, Nb2 O5, Ta2O5, Cr2O3は抑制剤として作用した。相 転移の活性化エネルギーの差から抑制機構は一 様でないことを明らかにした。 物性測定ではアナターゼのラマンスペクトル を測定し予想される6つのモードをすべて分離 して観測し同定した。これは振動数の計算値と 良く一致した。また,圧力依存性,温度依存性 を測定し,特異な挙動を解析すると共にアナ ターゼの25.6kbarにおける圧力相転移を見出 した。 チタンブロンズの研究ではNaxTi8O16 (X ≒ 1.6)の骨格構造の中でNaが秩序配列するもの と無秩序配列するものと2種類の存在を明らか にし,その生成条件を検討した。ブロンズ周辺 の関連物質として新物質Na2Ti9O19を合成しそ の構造を明らかにした。 アナターゼ及びブルーカイトの転移の自由エネ ルギー 9)酸化レニウム(昭和49年度~昭和53年度) 無機固体化合物の化学物理的側面,主として 結合電子分布の実験的研究を目的とした。なお, ReO3は化合物導電体中では,最高の電気伝導度 をもち,金属リチウム(Li)と同じ程度である ことは既に知られている。 (1)ReO3の結合状態(陽電子消滅法による測 定) 近年,エネルギースペクトルは,光電子分光 法により長足の進歩を遂げつつある。また電子 の空間分布・運動量分布についてもX線による 測定が信頼するに足るデータを出しつつある。 我々は,これに新しい実験的手法―陽電子消滅 法―を導入することを試みた。陽電子消滅法は, 金属のFermi面の研究に役立ちそうであると注 目されていたが,イオン結晶については,陽電 子の消滅過程が極めて複雑であり金属の場合と は異なり,一筋縄では行かないという考えが主 流であった。一次元角度相関法により得られた, ReO3の運動量分布を図に示した。これらのデー タの解析を,LCAO法により,半定量的に試み, かなりよい一致を得たと考えているが,より詳 細な解析が,装置の2次元化への展開と併行し て,現在も進められている。またReO3表面の電 子状態の計算を,SCF―Xα―SW法により試 み,バルクのもつそれとの比較を行ない,触媒 反応研究のための基礎とした。 (2) ReO3のFermi面の決定(de Haas-van Alphen効果による測定) dHvA法により,ReO3のFermi面を精密に決 定し,既に報告されているデータ及び理論的計 算結果との比較が詳細になされた。 関連研究として,遷移金属酸化物系の新しい 物質の合成及びその物性測定がなされた。 (1)HxReO3 (X ≒ 0.15) ReO3粉末を純水 と共に煮沸し,ブロンズ型化合物(斜方晶系) を得た。粉末中性子線回析法により,構造解析 がなされた。また,N.M.R.により水素の挙動 を各種温度で調べた。 (2)ペロブスカイト型構造をもつLnFeO3 (Ln : Y, Ho, Er, Tm, Yb及びLu)と Fe―O 系化合物との固相反応により,層状構造をもつ LnFe2O4化合物を合成し,その各種物性(磁性, 電気伝導度,Mössbauer効果等)を調べた。新 しい現象,Parasitic ferrimagnetismを見い出 した。 参考文献,科学技術庁無機材質研究所研究報 告書第21号(1979年) ReO3の3主要方向への運動量分布 10)酸化スズ(昭和53年度~昭和57年度) 酸化スズ(SnO2)は酸化インジュウム(In2O3) と共に可視光線領域で透明であり,常温で導電 性を呈する数少ない化合物である。この特性を 活かして,アモルファスシリコン太陽電池,液 晶表示デヴァイス等の多くの光電変化デヴァイ ス等に使用されている。SnO2は天然にはスズ石 として産出するが,不純物を多量に含み,純度 の高い透明なスズ石はほとんど得られていない。 従来,種々の特性を研究するためのSnO2の合 成法としては,スズの塩化物の加水分解あるい は有機化合物の加熱分解等が採られて来た。し かしこれらの方法によって得られるSnO2中に は塩素イオンの混在,水酸化物その他の中間生 成物の残存,有機溶媒による還元その他による 一酸化スズ(SnO)やSnOの不均化反応で生成す るスズの共存,等が指摘されている。SnO2は酸 化アンチモンのドープによって導電度が増加す るが,この系についての固溶関係や導電機構が 判然としていなかった。また,SnO2―TiO2系以 外にはルチル構造をとる酸化物とSnO2との固 溶に関しても系統的に研究されていなかった。 以上のような事実を配慮して,本研究グルー プでは物性測定に適するSnO2結晶の育成を試 み,SnO2とルチル構造の他の酸化物との固溶, その他の研究を行った。 まづ,高純度の溶媒スズと水蒸気との反応に より比較的低温度で効率よく気体状のSnOを生 成させる条件を確立し,この条件下で発生する SnOを酸素でSnO2に酸化させることにより塩 素等が混入する可能性が殆どなく,装置材質か らのシリカ,アルミナ等の混入量を抑えた劒状 の透明SnO2の単結晶を育成し,その結晶の方位 等について考察した。化学輸送法では,沃化ア ンモンあるいは塩化アンモンとSnO2との混合 原料を石英アンプルに封入し,原料部分が高温 側になるように加熱し,アンプルを炉外に押し 出して急冷することにより単結晶を育成した。 本方法は,輸送剤の取り扱いが容易であり,規 模の大型化により,より大きい結晶の成長が期 待できる。周知のようにSnO2は化学的に非常に 安定であるために適切な結晶育成用フラックス を見出すことは困難であった。既知のフラッス クの中では酸化第一銅が有効であることが再確 認されたがこのフラックスに侵蝕されない容器 を試用するには至らなかった。一方,SnO2の溶 融分解剤としてKBF4は極めて効力があり,BF3 はSnO2のエッチング剤として使用し得る可能 性が示唆された。 SnO2―TiO2固溶体(1:1)のスピノダル分 解の初期段階における構造変調をIMV高分解 能電顕観察した結果,スピノダル分解は原子の 不規則再配列によるのではなく占有原子種が特 定の関係式で規定されるようなクラスターをつ くることが示された。SnO2―GeO2系では従来 報告されていた全域固溶ではなく,GeO2は 1250℃で約4モル%までSnO2を固溶し,ルチル 型となること等が明らかにされた。 同じくルチル構造やトリルチル構造をとるい くつかの酸化物とSnO2の固溶体についても固 溶範囲,固溶体の組成と格子定数との関連,固 溶体の電導度と温度の関係等について測定し, これらの結果からSnO2―Sb酸化物系の電気的 性質について考察を加えた。 さらにSnO2, SnOのX線粉末回折図について Rietveld法により構造パラメータを精密化した。 また,SnO2粉末のガス吸着に伴う微分吸着熱の 測定法の大幅な改良に成功した。 11)酸化亜鉛(昭和57年度~) 酸化亜鉛は何の変哲もない白色粉末であるが, これに酸化ビスマスなどを添加して焼結するこ とによってバリスタ特性が,酸化アルミニウム などを添加,焼結して多孔質化することによっ てガスセンサ特性が,またスパッタリングなど によって膜形成することによって表面弾性波 フィルタ特性が得られる。また亜鉛を含んだス ピネル化合物は磁性体として,亜鉛を含むペロ ブスカイトはマイクロ波用誘電体にと賞用され ている。 これら材料は合成構造・組織・特性の三者関 係によって記述される。これら三者関係の学理 的整理がこの研究の目的である。研究は,焼結 に関する研究,拡散に関する研究,粒界構造, 点欠陥構造,転位に関する研究,電磁気的性質 に関する研究から構成されている。 焼結研究においては,粒成長と緻密化との相 関性についての理論的検討,アスペクト比の異 なる粒子の充塡性の定量的取り扱いなどが主た る内容である。 拡散研究においては,酸化亜鉛及び酸化アル ミニウムや酸化リチウムを添加した酸化亜鉛, マンガン亜鉛フェライトの酸素の体積拡散係数 を通して点欠陥構造を構築する仕事が中心と なっている。 粒界構造に関する研究では,バリスタ系や酸 化カルシウムやシリカを添加して渦電流損失を 低減したマンガン亜鉛フェライトの電子空気層 の生成について新しい考え方が提案されている。 電磁気的性質に関する研究では,亜鉛を含む フェライトにおける陽イオン分布と磁性との関 係や亜鉛を含むペロブスカイト系マイクロ波用 誘電体のQ値と構造との関係について新しい結 果が蓄積されている。 12)酸化ビスマス(昭和58年度~) 酸化ビスマス(Bi2O3)には低温安定相のα(単 斜晶系),準安定相のβ(正方晶系)とγ (体心立 方晶),高温安定相のδの4つの多形が知られて いる。δ相はBi原子が面心に配列し,その内部の 八個の酸素位置のうち,2個が空孔である欠陥 蛍石構造をとる。この酸素空孔の移動によって δ相はイオン導電性を示し,その導電度はほぼ 102Sm-1で安定化ジルコニウムにくらべ1桁ほ ど高い。δ相がα相に転移する時の容積変化は約 7 %であるが,δ相に或る種の金属酸化物を添 加することにより添加金属イオンの多くはBi3+ の位置を交換するのでδ―Bi2O3中の空格子が 減少し,低温まで安定化できることが考えられ る。安定化Bi2O3は安定化ジルコニアよりも低 い温度での使用が可能で焼結温度も遙かに低い 等,実用面でも興味ふかい。 Bi2O3研究グループでは,四つの多形の熱力 学的安定関係を研究し,Bi2O3を一成分として 含む二成分系の相平衡関係の研究の一環として. 第二成分の添加が多形の組成的拡がりや転移温 度に及ぼす影響をしらべ,新化合物の確認,生 成領域の明確化をはかり,三成分系についても 検討を行う。さらに,これらの結果に基く新化 合物の結晶育成,X線回折あるいはX線と中性 子回折との併用により結晶の構造解析,高分解 能電顕による微細構造の解明等を行うと共に, Bi2O3の各相ならびにBi2O3を主成分とする化 合物の諸物性を明らかにする。 13)酸化ニッケル(NiO)(昭和59年度~) 研究目的は,酸化ニッケルを中心として,遷 移金属化合物の結合状態,欠陥構造及び結晶化 学的性質を明らかにすることである。具体的に は,以下の項目に焦点をあてる。 (1)陽電子消滅法による結合電子構造の研究 2次元角度相関法により,固体内消滅電子の 運動量分布を測定し,NiOの結合電子の波動関 数を決定する。特に,Ni―Oの化学結合の共有性 を定量的に評価する。 (2)陽電子消滅法による固体内欠陥のキャラ クタリゼーション 陽電子消滅法により,NiO, CoO,及びMnO の単結晶内の陽電子の挙動,陽イオン欠陥,不 純物との相互作用を明らかにし,固体酸化物の キャラクタリゼーションの基礎を確立する。 (3)光電子分光法による電子状態の研究 NiO, CoO, MnO及び希土類元素化合物の光 電子分光に関する実験的,理論的研究を行う。 (4)レーザー分光法による電子準位の研究 光磁気効果を取り入れた分光法によりNiOの 吸収端に関与している準位の同定を行う,また スピン・フリップ・ラマン法によりこの準位の g因子を精密に測定する。 (5)相平衡と結晶化学に関する研究 NiO, CoO, FeO, MnO等を一端成分として 含む多元系相平衡状態図をもとに,相を構成す る成分と結晶構造との間の関係を明らかにする。 これにより遷移金属イオンの安定性と chemical fieldとの間の関係を明確にする。 〔3〕複酸化物 【けい酸塩及びゲルマン酸塩】 1)アルミノけい酸塩ガラス(昭和50年度 ~昭和54年度) 歴史的に最も古くから知られ,かつ現在最も 多量に生産されているのがソーダ石灰ガラスで あり,これが近代における各種新種ガラスの母 体となっている。 このガラスを,より一層の耐熱性の向上と, 強度の改善に努めた結果,アルミノけい酸塩ガ ラス(RO-Al2O3-SiO2,ただしRはアルカリ土 類金属)が産まれた。 ガラスの組成は,使用目的に応じて自ら規制 される。 すなわち,所期の物性を具備し,通常の方法 で容易に溶融と成形が可能であり,できるだけ 廉価な原料を使用し,原料の種類をあまり多く しないこと,などが組成をきめるときの条件で ある。 本研究開始の数年前に,セメントとガラスせ んいからなる耐火軽量高強度複合材が,GRCの 呼び名で開発され,コンクリート用に適した耐 アルカリ性の優れたCem―Filが知られていた。 このガラスはZrO2を17wt %も含むため溶融が 難しく,それを避けるためかなりの量のアルカ リを含んでいる。 このような情勢下で,我々は耐アルカリ性の 優れたガラスを求めるべく研究を開始した。勿 論究極の目標はセムフィルよりも優れた耐アル カリ性を示す新種ガラスを創り出すことである。 優れた耐アルカリ性のガラスは多分無アルカ リガラスであろうとの予想から,Y2O3, La2O3 及びTiO2を含むアルミノけい酸塩ガラスに的 を絞って研究を開始した。 まず,基本組成のY2O3-Al2O3-SiO2三成分系 のガラス化範囲を決め,得られた試料の屈折率, 弾性率を求め,耐アルカリ性の試験を行った。 数多くの試験溶融実験を繰返すことにより, セムフィルよりも数桁も優れた耐アルカリ性を 示すガラスの合成に成功した。しかも,耐アル カリ性のみでなく,弾性率も非常に高く,構造 材料として理想的なガラスせんいであることも 判明した。唯一の難点はY2O3が高価なことぐら いである。 高温溶融法によらない,ゾルーゲルの過程を へて透明非晶質固体を調整する方法についても 研究を行った。 原料は殆んど金属アルコキシドで調合後加水 分解促進のために酸触媒を添加する。例えば, ZrO2-Al2O3-SiO2系非晶質体の場合はZrイソプ ロポキシド,Alイソプロポキシド及びSiエトオ キシドを用い,NiO―SiO2系着色非晶質体では Siエトオキシドに少量の硝酸コバルトを添加し た。 最大の難関は,加水分解後の脱アルコールと 脱水によるゲル化過程で試料が割れ易いことで ある。 数多くの試行錯誤から,この亀裂発生の防止 法が見いだされ,数cmぐらいまでの大きさの非 晶質体を作ることができた。 ガラスの種々の物性は,常に構造との係わり 合いが問題とされる。特に長周期原子配列をと らないガラス構造の場合,各構成原子の正確な 局所構造の情報が重要となってくる。EXAFS (X線吸収連続微細構造)解析はこのような,二 成分以上の系の局所構造解析の手段として有効 な方法で,S0R (シンクロトロン軌導放射)を X線源とすれば,数パーセントオーダーの少量 成分のまわりの局所構造も十分に解明できると いわれている。 我々は,この方法でNa2O―GeO2系ガラスの 局所構造を明らかにした。 2)希土類けい酸塩ガラス(昭和55年度~昭 和59年度) 本研究で使用した希土類は,Y2O3のほかに Sc2O3,La2O3, CeO2, Pr6O11,Nd2O3, Eu2 O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2 O3, Yb2O3など入手可能な99.9%以上の高純度 酸化物である。1550℃で溶融するガラス化範囲 の実験では,これらの酸化物は約30モル%まで 含有が可能で,しかも溶融体は充分な流動性を もち,冷却すればそれぞれ希土類元素特有の色 をもつ透明ガラスが得られた。各試料につき, 密度等の基本物性並びに耐アルカリ性の試験を おこない,この系のガラスが優れた耐アルカリ 性を有し,且つ弾性率もきわめて高いことが判 明した。高純度酸化物の代りに,原鉱石より精 製する際に得られる中間生成物,例えばY2O3を 主成分とする各種希土類酸化物の混合物である イットリアコンセントレート,の利用も試みら れ,高弾性率で耐アルカリ性の優れたガラスが 作成され,低廉で高性能な複合材用ガラスせん いとしての応用の可能性が明らかとなった。 希土類の種類と密度の関係は,ランタニド収 縮にともない密度は高くなる。熱膨脹係数は, 基礎組成により異なるが,ほぼ希土類の添加量 に比例して増加する 希土類の種類と硬度(ヴィカースおよびヌー プ)の関係は,密度との関係に類似し,ランタ ニド収縮にともなって高くなる傾向がある。 ヤング率と体積弾性率はともに希土類の量に 比例して高くなり,最高でシリカガラスのほぼ 2倍の値に達する。 この系のガラスが優れた耐アルカリ性を示す のは,試験後試料のSEM観察とEPMAによる 生成皮膜の組成分析並びにX線回析によると, 直径数1000 Åから約1μmの希土類水酸化物の 針状結晶が密集して緻密組織を形成し,これが 保護膜の役割を果している,との結論に到達し た。 希土類にTiO2およびZrO2を組合せた組成の ガラスは,更に耐アルカリ性の向上が認められ た。 ゾルーゲル法では,従来のガラス原料の一部 をゲルで置換しゲルの溶融促進効果の有無を検 討した。難溶性成分であるSiO2とAl2O3の一部 をSiとAlのアルコキシド加水分解から得られ たゲルで置換し溶融したところ,約200℃溶融温 度を低めても物性上の差異は認められなかった。 金属アルコキシドを基板に付着させて,加水 分解,加熱処理を行なうことにより容易に酸化 物薄膜を付けることが可能である。着色性に注 目して TiO2―CeO2系の膜をガラス面上に形 成させる試みでは美しい黄色の膜が得られ,金 属面上では黄金色を呈した。 ゲルからガラス繊維を得る研究では硬化直前 のゾルの安定した紡糸性を長時間保持するため に必要な条件を明らかにし,logηの経時変化の 直線部分の勾配をきわめて小さくすることがで きた。 けい酸塩ガラスの構造を解明するため.これ までの吸収の弱い赤外スペクトルに代って,強 い吸収を示すSi―O―Siの伸縮振動のラマンス ペクトルを観察した。その結果ラマンシフトと Si―Si距離の関係が明らかとなり,ガラス中の 〔SiO3〕チエインの長さを求める方法が示唆さ れた。陽極酸化非晶質皮膜の微細構造と化学組 成の研究では,特殊な多孔質構造の形成に関与 するAl3+やSiO42-などの挙動を明らかにした。 3)希土類アルミノけい酸塩ガラス(昭和60 年度~) 耐熱性および耐化学性が優れ,じん性値の高 い新種ガラスの創製を目標に,結晶化ガラス, 微粒子分散ガラス,窒素含有ガラスなども含め て,多様な合成方法を駆使し,薄膜やせんいな どへの利用も考えながら研究を展開する。 勿論,高温溶融法によらないゾルーゲル法に よる合成も重要であり.,これまでの研究の蓄積 を基盤とし,所期の性能をもつ新種ガラス及び 非晶質の合成を試みる。 陽極酸化非晶質膜もその特殊な多孔質構造か ら多様な応用が考えられる。まず,自由にその 構造を制御し得る技術の確立と膜形成の機構を 解明し,新しい応用へつながる糸口を探る。 ガラスおよび非晶質の諸物性は,未だ原子的 尺度の構造から明確に説明できる段階には至っ ていない。従って,局所構造の解析手段確立は, 急いで研究すべき大きな目標である。現状では SOR(軌導放射光)とEXAFS法(最近接原子間 の局所構造)並びに多波長RDF (近距離秩序原 子間の構造)との組合せが最も有力な研究手段 の一つであろう。 4)ゲルマン酸塩(昭和52年度~昭和56年度) ゲルマニウム酸塩が,ケイ酸塩研究のための 参照物質という位置付けにとどまらず,機能材 料探索の対象として研究されるようになってか ら,Pb5Ge3O11強誘電体,Bi4Ge3O12シンチレー タなどの成果が次々 と生まれた。 化合物群とし てのゲルマニウム酸塩は,ケイ酸塩に匹敵する 規模とそれを凌駕する多様性を有するので,合 成の基礎としての相平衡の解明及び物性研究の ベースとしての結晶構造の決定は,材料への利 用を検討するための基盤として極めて重要であ る。そこで我々は,いくつかの系を選んでこれ らの研究を行うことにした。 遷移金属のゲルマニウム酸塩の代表系として GeO2―FeO―Fe2O3, GeO2―MnO―Mn2O3, GeO2―ZnO―Fe2O3の各系の相図を作成した。 最初の系からは,4種の新化合物が発見され, そのうちFe3.2Ge1.8O8とFe15Ge8O36の構造を決 定し,Fe5.33Ge2.67O12の変調構造の基本的様相を 明らかにした。これらの化合物については, Fe2+を他の遷移金属の2価のイオンで置換し て得られる化合物も存在する。GeO2―FeO ―Fe2O3系の三元化合物は,Fe5.33Ge2.67O12を除 き,いずれも酸素原子の立方最密充塡配列を基 礎とする構造をとり,Fe2+ + Ge4+⇄2Fe3+の置 換による組成の変動を特徴としている。また, これに関連して,Fe―O系におけるFeOx領域の 相平衡を詳細に検討し,FeOx相には,二次もし くはより高次の相転移が存在することを明らか にした。 鉛のゲルマニウム酸塩については,信頼でき る相図がなかったので,PbO―PbGeO3系及び その参照系としてPbO―PbSiO3系並びにPbO ―PbGeO3 ― PbSiO3系の相平衡について研究を 行い,化合物の組成を結晶構造解析に基づいて 確認することにより,従来よりも信頼度の高い 相図の作成に成功した。安定相として存在する 化合物は,Pb5Ge3O11, Pb3GeO5, Pb11Ge3O17, Pb5GeO7及びPb2SiO4, Pb11Si3O17, Pb5SiO7, 存在を否定されたものは,Pb4GeO6などであ る。Pb5GeO7, Pb2SiO4及びPb11Si3O17の結晶構 造を決定した。 アルカリ土類金属のゲルマニウム酸塩につい ては,[Ge3O9]6-の三員環を含み,OD構造の典 型例であるSrGeO3を中心とする偽珪灰石型化 合物の電子顕微鏡観察とBaO・GeO2・5H2Oの結 晶構造解析を行った。後者の構造は,それぞれ 島状に独立したGeO4四面体とGeO6八面体を含 む2種の層から成るOD構造と解釈できるもの で,構造式はBa2[Ge(OH)6] [GeO2(OH)2] ・ 6H2Oと書ける。 相平衡と構造に関する研究のほかに,超イオ ン伝導体であるLi3.5Ge0.5M0.5O4 (M = P又はV) の中のLi+の運動のNMRによる研究,Eu2GeO5 の構造と光物性に関する研究及びEu3+とNd3+ をドープしたBi2Ge3O9の光物性に関する研究 を行った。Eu2GeO5のEu3+は等価でない二つの 席に位置しているが,いずれのEuを励起しても 等しい発光スペクトルを得ることがこの物質の 特徴である。 また,X線回折などで衛星反射が出現するこ とを特徴とし,通常の方法では解析の困難な変 調構造の多次元空間群に基づく解析を実行する ためのプログラムを開発し,種々の例に適用し て解析に成功した。本プログラムは,現在世界 各地で使用されている。 さらに,酸素分圧制御による相平衡研究の新 しい実験法として,示差走査電量滴定法を開発 した。 5)モンモリロナイト(昭和60年度~) その辺の土の中にも含まれていて,卑近な物 質であるにも拘らず未だに,結晶構造をはじめ 無機化合物としての基本的諸性質が判然としな い一群の物質があり,天然に産する場合は粘土 鉱物と呼ばれている。粘土はそれらの混合物で あり,モンモリロナイトは最も典型的な粘土鉱 物の一つである。 普遍的にも拘らず性質の詳細が未知という無 機化合物は,他に例がない。その所以は,一重 に天然/合成を問わず微結晶(<2μm)しか得 られていないことに依っている。本質的に,微 晶でしか安定に存在し得ないのかも知れないが それもまた判っていない。従って,可能な限り 大きな結晶を合成すること,および逆に,現状 より,より微小な結晶でも対象とし得る研究手 段を開発することの両者の接点に永年の未知に 迫る鍵があると考えられる。 一方普遍的であるが故に,研究の歴史は古く, 天然の粘土を水簸して得たモンモリロナイトに ついて,膨潤性,イオン交換能,無機イオン/ 有機化合物包接能等,他の無機化合物には例の 少ない(あるいは無い)特異な機能性のあるこ とは知られている。特に触媒能および有機化合 物包接能は,有機界と無機界をつなぐ性質で, モンモリロナイトは,近くは,新しい機能性複 合材料への発展,遠くは「生命の起源」の謎に かかわる鍵物質である。高純度モンモリロナイ トを用いたそれらの基礎的研究を,本テーマの 主目的として,本年より研究を開始した。 【チタン酸塩】 6)チタン酸アルカリ金属(昭和54年度~昭 和58年度) 酸化チタンに関する研究が終了した時点でチ タン酸カリウムのシーズ材料があった。これを 中心に課題材料を調査した結果,ホーランダイ ト型構造を有するK―プリデライトの一次元イ オン導電体と層状構造チタン酸繊維の陽イオン 交換体の2つの材料が新規な機能性材料として 有望視できた。特に,K―プリデライトは多結 晶体のac導電率は測定されていたが単結晶を 用いた研究はなかった。 当時,チタン酸化物の工業材料には白色顔料 を代表とする酸化チタンと強誘電体BaTiO3を 代表とするチタン酸アルカリ土類金属化合物の 2群に限定されていた。そこで新たにチタン酸 カリウム及びK―プリデライトを取り上げたこ とはチタン酸アルカリ金属化合物として新しい 材料の一群に位置づけすることができる。 研究の主要な目標は一次元と云う最も単純な トンネル構造の中での導電イオンの振舞を検討 し,その導電機構を明らかにすることと,層状 構造チタン酸繊維のイオン交換特性を明らかに することであった。 K―プリデライト(KxMgx/2Ti8-x/2O16,KxAlx Ti8-xO16, X =1.4~1.6)の単結晶合成の研究で はK2O―MoO3系フラックスを用いたフラック ス法を確立して針状単結晶を育成した。トンネ ル中に配位するK席にLiやNaをドープした単 結晶も育成してKイオンの振舞に及ぼす影響を 調べた。単結晶のacイオン導電率測定は大鉢忠 客員研究官の協力を得て同志社大学で精力的に 行われた。100Hzから37GHzまでの周波数領域 と110Kから500Kまでの温度領域で測定し,提 唱した等価回路により一次元導電理論を導入し た計算値と実測値の適合性を解析した。測定方 法の確立と単結晶の高純度化が進展した結果, 低周波数域では計算値よりも著しく高い実測値 を観測するに至った。これは等価回路上ではdc 電導成分の存在として解釈され,そのdc導電率 成分の温度依存性の解析から室温ではβ―アル ミナに匹敵する高イオン導電率であることが明 らかとなった(図1)。 NMR研究ではトンネル枠組中のAlを観測核 として間接的にKイオンの動的振舞を観測する 解析法を確立し,活性化エネルギーを求めると 共に,構造解析と振動スペクトルの解析などか らトンネル中のKイオンの分極状態,結合状態 などを明らかにした。熱測定ではNa2O―TiO2 系及びK2O―TiO2系のチタンリッチ化合物の 高い安定性を明らかにした。 層状構造チタン酸繊維は新規なイオン交換材 K―プリデライトのac導電率測定の解析に使用 した等価回路とそれから求められたdc導電率成 分の温度依存性。 KMTO (K1.6 Mg0.8 Ti7.2 O16), KATO (K1.6 Al1.6 Ti6.4 O16)。 として 2 種類(H2Ti2O5・nH2O, H2Ti4O9・nH2 O)を開発し,その材料特性を明らかにするため に検討した。特に有効利用のため高レベル放射 性廃液の処理材,放射性核種の固定化材及び地 層処分時の化学バリア材として必要な特性を明 らかにすることであった。その結果,水溶液中 のアルカリ金属,アルカリ土類金属,二価遷移 金属などの各イオンの吸着挙動,吸着容量,選 択性などを明らかにした。 7)オクトチタン酸塩(昭和59年度~) オクトチタン酸塩とはチタン酸アルカリ金属 化合物の中で一次元トンネル構造を示す代表的 化合物としてとらえている。一般式A(B, Ti)8 O16で示し,A は K, Rb, Cs, Ba, B はMg, Zn, Al,Fe, Ga, Crなどである。 研究の目標として3つの視点を設定して取り 組んでいる。第一の視点は「耐熱・断熱性構造 材料」としてその合成と材料特性を研究するも のである。既にトンネル構造を有するK2Ti6O13 の断熱特性を研究した経緯からより大きいトン ネル構造を有するオクトチタン酸塩を用いて特 異構造と熱伝導率の相関性を明らかにするため に大型単結晶を育成して検討している。第二の 視点は「物理的機能性材料」としての特性を研 究するものである。K―Al―プリデライト,K ―Mg―プリデライトは超イオン導電体として 旧グループからの研究を継続し,dc導電率の実 証とその向上を目指して検討している。その他 に,機能性の多様化を図ることも目的としてお り,トンネルの形状と組成を制御して高誘電体 化,半導体化からセンサー化へと発展を試みる。 第三の視点は「化学機能性材料」としての特性 を研究するものである。例えば陽イオン交換材 である。トンネルサイズの制御で選択性を高め, アルカリ金属イオンをHイオンで置換できれば 活性化と高容量化が望める。イオン交換材の機 能性の多様化はゼオライト様構造として注目さ れるところであり触媒性が期待できる。なお, 高レベル放射性廃棄物処理の鉱物固化体の一種 にチタン酸塩が知られているが,オクトチタン 酸塩は危険核種の一つ137Csの固定化相として も注目されている。 【アルミン酸塩】 8)イットリウムガーネット(昭和48年度 ~昭和52年度) イットリウムガーネットはレーザー用イット リウムアルミニウムガーネット(YAG),マイク ロ波用及び磁気バブルメモリ用イットリウム鉄 ガーネット(YIG)などの単結晶材料として有用 な化合物である。研究の重点は単結晶の合成及 びキャラクタリゼーションにおいた。 最も手軽な単結晶合成法としてフラックス法 をとりあげ,YAGとYIGの結晶合成を行い,結 晶の内部欠陥と成長機構との関係を調べた。図 1は得られたYAGの結晶である。結晶核からの 成長に際し,外形として現われる面に垂直に近 い角度で多数の直線状欠陥が走っている様子が 図から明らかである。これらが結晶の成長に重 要な役割を担っていることを明らかにした。 大型結晶の合成法として代表的な引上法技術 の導入を行い,YAGの合成を行った。得られた 結晶の例を図2に示す。不均質性導入機構の解 明とその制御を目指した研究を行った。特に注 目したのは回転や結晶径の変化に伴う界面形状 の反転である。YAGでは凸が凹になる程の反転 はなく,凸がより小さな凸に変化することを明 らかにし,その条件も決定して理論との比較を 行った。 YIGは分解溶融するため,工業的製法として はフラックス法が利用されてきたが問題が多 かった。これを抜本的に改革する目的で,集光 式フローティングゾーン(FZ)法技術の利用を 検討した。問題点を順次解決し,この技術によ るYIGの合成を可能にした。育成した結晶をフ ラックス法結晶と比較して図3に示す。得られ た結晶についてマイクロ波用材料として重要な イットリウムガーネット図1 イットリウムガーネット図2 イットリウムガーネット図3 磁気共鳴半値幅の測定を行い,従来結晶に比較 して遜色ないことを明らかにした。更にYIGの 鉄の一部をGaやAlで置換して均質な結晶を得 た。 9)アルミン酸バリウム(昭和53年度~昭和 57年度) アルミン酸バリウムは高効率の蛍光材料など として知られているが基本的知見が限られてい る。相平衡,結晶構造,及び結晶成長機構に重 点を置いた研究を行った。 最も基本的な相平衡に関する知見は,Al2O3 ―BaAl2O4 及び Al2O3―BaAl2O4―MgAl2O4 の 両系について明らかにし,従来考えられていた BaAl12O19が実際には存在せず,代りにBa0.75 Al11O17.25 ( Ⅰ 相と呼ぶ)及びBa2.34Al21.0O33.84 ( Ⅱ 相)が独立して存在することや複雑な固液関係 などを確立した。図1にAl2O3―BaAl2O4系の 相平衡図を示す。 相平衡の結果を基にⅠ相とⅡ相の結晶構造を X線及び電子線によって詳細に調べ,両者共に ベータ・アルミナ型を基本構造とし,Ⅰ相は格 子内のイオンの存在確率に,Ⅱ相は更に長周期 構造に特徴を持っていることを見いだした。特 にⅠ相の構造においては,NaやKとの交換反応 が容易で,その結果高い濃度のNaやKを含む ベータ・アルミナの合成が可能であることを明 らかにした。 分解溶融するⅠ相(図1)を集光式FZ法によ り合成した。アルミン酸バリウムのように可視 光に透明な結晶のFZ法育成には特殊な工夫が 必要であることが明らかになった。図2にその 手法を模式図で示す。図3に得られた結晶を示 す。この手法によりⅠ相の他,Mgを含むアルミ ン酸バリウムの結晶合成も可能となった。 固液界面の形状は結晶の品質を左右するが, FZ法育成における固液界面の状況を調べるた めに様々なモデル実験を行った。その結果合成 条件と界面形状との相関関係が明らかになった。 アルミン酸バリウム図1 アルミン酸バリウム図2 アルミン酸バリウム図3 また界面でのファセット形成によって生じた結 晶内の歪を定量的に解析し,ファセット内外で はストイキオメトリーに差があることを明らか にした。 10)アルミン酸希土類(昭和58年度~) アルミン酸希土類,Ln2O3・nAl2O3 (Lnは希 土類元素),はマグネトプランバイト型の結晶構 造を持つ結晶で,高効率の蛍光材料として知ら れている。この物質のレーザーホスト結晶とし ての可能性を調べるために,相平衡,結晶構造, 結晶成長,及び光学特性を対象とした研究を 行っている。 これまでの相平衡測定の結果から,このよう な化合物はLa, Ce, Pr, Ndに対して存在し, Sm及びそれより原子番号の大きい希土類元素 に対しては存在しないことが明らかになってい る。又,La2O3・nAl2O3のn値は13.3~14.4の幅 を持つことを明らかにした。この事実は結晶内 で何等かの欠陥類似構造が生じていることを示 している。結晶構造解析結果によれば,Laを含 む層に,マグネトプランバイト構造では本来存 在しない格子にAlが現われている。その現われ 方はn値の幅と絶対値に対応している。Nd2 O3・nAl2O3についても同様のことを明らかにし た。 La2O3 ・ nAl2O3 も Nd2O3 ・ nAl2O3 も分解溶融 することが確認された。これらの単結晶の集光 式FZ法による合成の研究を進めている。原料組 成の調整に正確さが要求されること,及び原料 焼結の条件が成長を大きく左右することがこれ までに明らかになっている。アークランプを用 いた装置が,現在までの実験では,安定な結晶 成長には適している。しかしランプの定電力下 での電流変動が問題になっている。ハロゲンラ ンプによる安定した結晶成長実現の手法を現在 開発中である。 Mgを導入したLn2O3 ・ 2MgO ・11Al2O3は本来 のマグネトプランバイト構造を持つ。これにつ いてもFZ法結晶合成を進めている。 【ペロブスカイト及び関連化合物】 11) 鉛ペロブスカイト(昭和43年度~昭和 47年度) ペロブスカイト型構造が稠密結晶構造である ことから,新しい鉛ペロブスカイトの高圧合成 が試みられた。合成された化合物はPb2 M2+W6+ O6(M = Mn, Fe, Ni, Zn), Pb3M23+WO9 (W= Fe, Cr, In, Sc)などである。これらは誘電性 あるいは磁気的性質を期待して作られたもので あるが,中には両方の特性を兼ねそなえたもの も現われた。例えばPb2NiWO6は誘電転移温度 が290Kの反強誘電体で,かつ56Kに磁気的転移 温度をもつ反強磁性体であることが示されてい る。 ペロブスカイトが高圧相である場合,それに 対応する低圧相は何であるか。上記のような複 合ペロブスカイトについては,パイロクロアー ル型が常圧相であることが確かめられた。また 鉛ペロブスカイトを合成するための基礎系,例 えばPb―O系,Mn―O系などの相平衡研究が行 われた。 ABO3の組成をもつペロブスカイト型酸化物, 特にPbTiO3, BaTiO3などについて,酸素及び A位置陽イオンに多量の欠陥をもつ欠陥型ペロ ブスカイト酸化物が,最初湿式合成法により, 後に乾式合成法で作成された。欠陥の量を示す ため組成の一例をあげると,Pb0.77TiO2.77など であり,A位置にNa+のような価数の低い陽イ オンを加えると,Pb0.41Na0.21TiO2.52のように欠 陥量は一層多くなる。しかも特徴的なことは, 上記の組成は平均組成であり,ミクロ的なレベ ルで組成分布が生じている,という事実である。 上例のPb0.77TiO2.77は,Pb1-xTiO3-xの x の値が 0.23のただ一つの値を示す組成であるが,実は ミクロな組成分布がx=0~0.45にもわたって 分布していることが示された。 12)ペロブスカイト型化合物(昭和48年度~昭 和52年度) 鉛ペロブスカイトの研究において,ペロブス カイト型複酸化物に点欠陥を非平衡的に導入で きることがわかったので,その物性,構造,反 応等を個別的に調べることとなった。各種ペロ ブスカイト試料に上記点欠陥が,試料作成の際, 不定比組成を与えることによって導入させ得る が,価数の異なる他成分を附加すれば欠陥が更 に多量に安定化される。それを解析する手段は X線解析の強度,幅,密度測定,組成比変化等 によってであるが,試料作成の面では湿式,乾 式法によるほか,ガラスの反応によっても生成 された。欠陥は強誘電ペロブスカイトの誘電特 性を,散漫なピークをもつ誘電率と高い抗電界 をもつものにかえる。 これら非均衡欠陥をもつ試料は,欠陥量に統 計的な変動をもっていることが分かったので, PZT(PbZr1-xTixO3)のような固溶体では,組成 においても統計的な変動をもつであろうとの推 測がなされる。このことは実際において確かめ られ,次には逆に組成変動のないPZT試料作成 へと研究が進められた。組成変動のないと思わ れる試料は,組成比の変化に対してシャープな 誘電特性をもつ。 非平衡欠陥はペロブスカイトの磁気特性にも 影響を及ぼす。湿式共沈法で得られたLaFeO3 は焼成温度が低い場合,各サイトに欠陥をもち La1-xFe1-xO3-3xと表記さるべき構造であるこ とが示され,寄生強磁性の特性もそれに伴って 変化した。この欠陥の入り方を乾式作成の試料 によって更に調べると,特に酸素に関して系統 的な欠陥の入り方のあることが明らかにされた ほか,室温で酸素がかなり自由に出入りするこ となどが判明した。これは電子セラミックスへ の応用の可能性をもつものであろう。 磁気特性はLa1-xCaxMnO3の欠陥についても 調べられた。これまでの研究はCaの量を変化さ せたものであるが,ここでは酸素欠陥の量を変 化させる。これら試料について理論はスピンが キャントしていることを予想する。磁気特性, 電気的特性等の酸素欠陥に対する依存度はCa に対する依存性と定性的に似ており,伝導電子 がその物質の磁性に本質的な役割をもつことを 示している。酸素欠陥の影響は非常に大きく, キャントモデルでの表現を用いれば,スピン同 士のなす角を0度附近から180度附近まで回転 させる程のものである。 半導体ペロブスカイトの伝導は酸素空孔にト ラップされた電子によって起こるものであろう ということが,希土類添加物の固溶体作成とそ の高温焼成によって明らかにされてきたが,別 の実験によっても示された。BaTiO3にGd3+を 添加して半導体化した試料を例にとると,電気 抵抗の温度変化から,ある活性化エネルギー値 が求まるのはもちろんであるが,添加Gd3+の ESR強度はほとんど温度変化をしない。一方, 還元試料に観測される酸素欠陥(Fセンター) のESR強度は温度変化し,活性化エネルギー値 は上の値に等しい。そこで電気伝導に関与して いるのは,Gd3+でなく酸素欠陥にトラップされ た電子であることがわかる。 欠陥ペロブスカイトでは焦電係数が大きくな り,また焦電圧も欠陥量によって制御しうるこ とが予想されるなどのことから,新しい焦電材 料の開発が期待できる。その基礎研究として, ケルマン酸シリコン酸鉛(Pb5Ge3-xSixO11)が 調べられ,実用焦電材料となることが示された。 13)ニオブタンタル酸カリウム(昭和53年度 ~昭和57年度) ニオブタンタル酸カリウムKTN (KTa1-x NbxO3)合成の問題点は二つある。一つは大型 良質単結晶が得にくいことである。従来,KTN はメルトからトップシーディング法によって作 られてきたが,「セルグロース」の問題があっ た。相図によると,KTN単結晶が育成されると きに,軽いNbが掃き出されるので,結晶の近く にNbの多い相ができる。育成された結晶は回転 しているため,結晶の外側の部分に近接してい るメルトはよく撹拌され,Nb過剰にならない が,中心に近い部分は撹拌の効果が少ないので Nb過剰のメルトになる。その部分は融点が低い から,外側の部分よりも成長がおくれ,組成の 異なる部分,セルグロースを作る。これを回避 するためにシード結晶をルツボの底面に設置す るブリッジマン法が試みられ,組成変動の少い 大型単結晶を得ることができた。出発原料の組 成配置の問題等,条件の適当な選び方の工夫は 必要であるが、このブリッジマン法あるいは炉 温降下法によってインコングルエントメルトか ら育成されれる結晶一般について,大型で良質 なものが得られる可能性がでてきたといえよう。 もう一つの問題はKTNの半導体化に関する ものである。これは半導体化がコントロールし にくい物質で,試料作成時に偶然に半導体化す ることはあるが,結晶育成を水素雰囲気中で 行っても,希望通りの半導体が得られない。 KTaO3を含むKTNの半導体化は,雰囲気を酸 素と窒素の混合ガスにすることによってコント ロールしうることが明らかになった。 ペロブスカイト型化合物に関する問題として, チタン酸鉛非晶体の結晶化の研究を通じて,欠 陥構造の評価にデバイ・ワラー因子が導入され ることになった。これは粉末X線の強度精密測 定によって可能となったものであるが,それが 欠陥量の定量化にも繫がるものであることが示 される。Pb(ZrxTi1-x)O3, (Ba, Pb)TiO3など も扱われ,前者については,モルフォトロピッ ク相境界附近の組成のものは最初一相でも二相 へ永年変化すること,後者についてはPZTと同 じ方式で組成変動のないものが作られることが 示された。 最後にペロブスカイト型化合物の高圧合成な ど,高圧合成一般の基礎となる高圧相転移の基 礎的な研究について述べておこう。熱力学的に いえば,相転移は二相の自由エネルギーの大小 の問題でしかない。しかしそれでは相転移のメ カニズムも,高圧相が常圧に凍結される問題も 扱うことはできない。そこで最も単純な結晶構 造間の相転移であるB1 (NaCl型)―B2 (CsCl 型)相転移を扱うこととなった。まず常圧,高 圧のX線実験によって明らかになったことは, B1,B2相間に結晶方位の選択配向が存在するこ とである。B1の (100)がB2の(111)に,B2の (100)がB1の (111)に移る。従って体積のトビ の大きい一次相転移も原子の秩序運動であると いえる。簡単なモデルで計算を行うと,高圧下 ではB1相の格子が不安定化することが出てく る。この不安定を惹き起こしているのは斥力で あり,B1格子がズレを起こした方が安定するこ とが示される。またモデルに基いてB1からB2へ の変形を行うと,変形途中で自由エネルギーに 山が(圧力の関数として)生じ,その山を越す 温度で相転移が起こるとすると,前述の凍結を 含む相図の様相がほぼ説明できることも示され た。 14)アモルファス・ペロブスカイト(昭和58 年度~) 超急冷法により,ペロブスカイト型化合物で もアモルファス状態が得られることが分かって, それに関連した問題を研究することとなった。 問題点は次のようなものである。 (1)超急冷法により,厚膜のアモルファスが得 られ,その後の処理によって結晶化(アモルファ ス・セラミック)することができる。この新し い厚膜誘電材料の製造技術を開拓する。(2)組成 を選び,あるいは合成条件を変えることにより, 新誘電材料,焦電材料,超伝導材料を得ること ができる。ここには通常の方法では得られない 新化合物の合成の問題も含まれる。(3)物質の状 態としてアモルファスから結晶までの系を扱う ことから,これらの特性付けが必要であり,そ の上に立って物性との対応がつけられる。そこ で構造敏感性の起因を追及することができる。 超急冷法は新しい方法であるから,工夫を加 えた装置の自作が必要であり,まずそれがなさ れた。この装置により,十分な大きさの,ソリ のない厚膜が得られた。アモルファス厚膜は PbTiO3, KNbO3などで得られ,後者については 結晶化により,通常の焼成セラミックスに比べ て抗電界が一桁高くなることが示されている。 通常の方法でない手法による新物質探索という 面では,超急冷又は超高圧によって行われてお り,Teを含むABO3型で新構造のものが得られ ている。新物質探索は酸化物のみならず,硫化 物をも含めて進行中である。 15)複合ビスマス酸化物(昭和50年度~昭和 54年度) 層構造型複合ビスマス酸化物(Complex Bithmuth Oxides with Layre Structure ;略号 CBOL)はイオン置換によって一群の化合物を 形成する。代表物質としてBi4Ti3O12があるが, この単結晶は単斜晶系(疑似斜方晶系)の強誘 電体である。(001)面に電極付けを行い正負の 電圧を印加するとa0方向からみた屈折率楕円体 の軸が右・左に切換えられて傾く。すなわちス イッチング作用があるので,この結晶を2枚の 偏光子で挟むことにより,光の透過・遮断を利 用する素子となりうる。問題は寸法の大きい良 質結晶の育成が非常に難かしいという点であっ た。 CBOLの結晶構造はペロブスカイト様サブセ ル層が重なり,それをBi2O2層がサンドウィッ チ状に挟んでおり,化学式を(Bi23+O22-)2+(Mn-1 RnO3n+12-)2- または(Bi2Mn'-lRn'O23n'+ 3)0 ・ {(n- n')ABO32-}0の形であらわしうることを示した。 ここで,MとAは所謂Aサイトイオン(12配位; Bi3+, La3+, Pb2+, Sr2+, Ba2+, K+, Na+,な ど),RとBは所謂Bサイトイオン(6配位; Fe3+, Cr3 + , Ti4+, Nb5 + , Ta5 + , W6 + , Mo6+,など)であり,nとn'は正整数でn-n'≥と 0および3≥n'≥1である。Bi2Mn' -1Rn'O3n'+3は 基本的CBOLの構造であり,更にABO3組成を 添加したものも亦CBOLである。n≤3のとき はn'=l,2, 3のいずれかの基本構造型に属 し,n≥4のときはすべてn'=3型に属する。実 際に合成した規則構造周期をもつものはすべて n≤5 (ペロブスカイト層が4層まで)であり, n>6は見出されなかった。しかし不規則周期 をもつものではn=18, 30という大きな層の micro-syntactic growthが実在し,一方,規則 的n値混合層も実在した(n=1&2, 2&3, 3&4)。規則的なものではn≤5であることに ついて,格子定数測定による結晶化学的考察を 行い,Bi2O2層がペロブスカイト層に及ぼす結 合支配力がn≤5以内であるためと結論した。 また,マーデルング定数によってCBOLの安定 性を論じた。 LaxBi4-xTi3O12はx≾1で斜方晶系,x≳1 で正方晶系になる。この組成変化と格子歪との 関係を調べた結果,斜方から正方へ移行する直 前の組成で歪は最大になり,正方へ移行してし しまうと歪は急激に減少することを明らかにし た。組成変化に伴う晶系変化において自由エネ ルギーに不連続変化のあることを意味する。 Bi2MoO6やBi2WO6はCBOLのうちで構造が 特殊でありペロブスカイトサブセルをもたない。 不明であった多形転移や相図を明らかにした。 Bi4Ti3O12がCurie温度以下で誘電異常を示す ものがあるが電極の非オーミック接触が原因の 場合がある。しかし,-50~-100℃の誘電異常 は物質本性によるものである。 フラックス法,ブリッジマン法,水熱合成法 により,Bi4Ti3O12, Bi2WO6, Bi2MoO6, Na0.5 Bi2.5Nb2O9, Bi2TiO4F2, Bi2NbO5Fなどの単結 晶合成を試み,その合成適性条件,育成方法に ついての知見を得た。 その他,関連物質の物性,Cz法による単結晶 育成の研究を行った。 16)タンタル酸リチウム(昭和55年度~昭和 60年度) タンタル酸リチウム(LiTaO3 ;略号LT)と ニオブ酸リチウム(LiNbO3 ; LN)とは全く同 じ構造型(三方晶系,イルメナイト型)である。 LT, LN単結晶は現在,工業的には,テレビの 中間周波数フィルタとして利用されているが, 光を利用するという光エレクトロニクスとして は余り実用化されていない。そこで,LNの光記 録材料を目的として行った我々の基礎的実験結 果の一部を紹介する。C軸に平行に切断研磨し たLN単結晶に短波長レーザビームを照射する と複屈折変化を生じる:これを光誘起複屈折変 化(photo-induced birefringence change; PIBC)と呼ぶ。具体的には波長488.0nm(青色) のArレーザ(試料部で数mW~数+mW)を照 射し複屈折変化をおこさせた。複屈折測定には 波長632.8nm (赤色)のHe―Neレーザ(この波 長では変化を誘起しない)を用いた。 PIBCに関して,現在,(ⅰ)不純物無添加の良質 単結晶(congruent組成:Li2O/Nb2O5 = 48.6/ 51.4モル比)がPIBCを生じないかどうか明ら かにされていない。(ⅱ)LN : Fe結晶のPIBC挙動 に及ぼす酸化・還元の効果は余り明らかにされ ていない。(ⅲ)LN : Fe結晶のPIBC機構は必ずし も一致した見解に達していない。これらの問題 点を明らかにし,実用への可能性を検討した。 CZ法(チョクラルスキ法)によってLNおよび LN : Fe (Fe =0.1wt%)の単結晶を育成した。 原料の純度は99.99%である。これら試料結晶板 のPIBCの値は10-2以下であるので高精度測定 装置が必要であり,我々はSénarmont法の原理 にもとづく高精度PIBC測定装置を試作した。 その精度は試料の研磨の良否や厚さにも依存す るが,10-6~10-8である。 実験結果を要約すると,(1)不純物無添加LN では,試料の酸化・還元状態の如何を問わず PIBCの値は非常に小さく(<10-6)無視して差 支えない程度であり,LNが高純度良質結晶で あれば光変調素子として利用できることを暗示 している。(2)酸素状態のLN : Feでは,Arレー ザ照射に よるPIBCの変化は照射停止後もその まま長時間維持され,しかも結晶は無色透明(ま たは僅かに黄色を帯びる)であるのでホログラ フィック光記録材料への利用の可能性のあるこ とを示している。(3)LN : FeのPIBC機構は酸 化・還元の状態によって大なり小なり異なるの ではないかと思われる。従来の理論では説明で きない二三の現象も見出されている。(1)(2)(3)に ついて更に検討を続行している。 Fe以外の不純物(約+数種)添加のLNについ てPIBC測定を行ったが,PIBCの値を最も大き くする不純物としてFeが有効であった。 17)ニオブ酸バリウム・ナトリウム(昭和61 年度~) 現今,光エレクトロニクスが学術,産業,医 療など多方面にわたって重要な位置を占めてお り,それがレーザを用いうることに依存してい ることは説明するまでもない。しかし,その発 展に伴い種々の部分での進歩が益々要求される ようになってきた。それは単に光を送るという ことに止まるのではなく,種々の波長のレーザ が必要であり,また分野によっては大出力の レーザが要求されてきている。赤外線などの長 波長域については波長可変用の大出カレーザ発 振用単結晶の研究が盛んになってきているが, 短波長域についての研究は乏しい。出力の小さ なものであれば,短波長レーザは得られている。 しかし大出力のものとなると実用化されている ものは殆んどない。この目的を達成するために は,現段階では非線形光学結晶を用いて,例え ばQスイッチYAGレーザの波長を1/2にすると いった手法をとる以外に良い方法はないであろ う。ガスレーザでは出力を大きくしようとする と容器がむやみに大きくなって不便である。そ こで,入射レーザの波長を1/2に変換できるよう な非線形光学結晶が必要になる。この目的を満 たす物質は少なくないが,変換効率が大で且つ 寸法が10~20mm程度の良質結晶となると実用的 にはなかなか無いのである。この目的に適合す る結晶としてニオブ酸バリウム・ナトリウム (Ba2NaNb5O15 ; BNN)その他があるが,問題 は良質単結晶育成技術を完成するための研究が 不十分であるということである。そこで,筆者 らは,BNNの単結晶育成,結晶品質評価及び非 線形光学特性などの物性に関する研究を行うべ くグループを発足せしめるものてある。 【りん酸塩】 18)硫酸・燐酸カルシウム(昭和50年度~昭 和54年度) 硫酸カルシウムは,石膏(CaSO4・2H2O)や 硬石膏(CaSO4)といった鉱物の形で天然に広 く産出するが,工業的にも,近年化石燃料の排 煙脱硫によって多量の硫酸カルシウムが副生さ れており,この物質の新しい利用法が求められ ている。 またリン酸カルシウムの代表的化合物である 水酸アパタイト(Ca5(PO4)3OH)は,動物の骨や 歯の主要無機成分であるところから,リン酸カ ルシウムを人造骨,人造歯として用いる研究が 世界的に行われている。 本研究で最初に取り上げたのは硫酸カルシウ ムの合成と結晶成長に関する研究である。すな わち,水溶液中での単結晶育成実験を行い,pH 調整,各種ゲルの利用を試みる一方で酢酸アン モニウムを含む硫酸カルシウムの飽和溶液を蒸 発させる方法により5mm大の石膏の単結晶を得 た。 リン酸カルシウムについては,リン酸三カル シウム(Ca3(PO4)2)を溶液中で80度に加熱し て,水酸アパタイトの粉末及び硬化体を合成す る方法を見出すと共に,リン酸八カルシウム (Ca8H2(PO4)6・5H2O)の安定域を明らかにし た。またこの方法で得られた水酸アパタイトに, 優れたフッ素イオン吸収性のあることを見出し た。一方,溶液法で合成した水酸アパタイトを 予備成型後加熱することにより,高強度,低熱 伝導度等優れた特性を有する高密度焼結体を得 た。 その他,ライフサイエンスに直接関わる研究 として,人体結石の形成機構との関連において のブルッシャイト(CaHPO4・2H2O)のゲル成 長実験,アミノ酸と水酸アパタイトとの複合結 晶の育成を行い,得られた試料のキャラクタリ ゼーションを行った。また,生体機能性セラミッ クスの新たなる方向を探るべく,カルシウム, カリウム,鉄を含む多成分リン酸ガラスを合成 し,そのガラス状態や諸性質を調べた。 アパタイト型構造は,広範な成分範囲に亘っ て安定であるが, 一般にフッ素イオンより水酸 イオンを導入させる方が困難である。溶融法, 水熱法などによるアパタイト型化合物の単結晶 の合成法の検討を行い,新たにCa10(VO4)6F2, Na6Ca4(SO4)6(OH)2などの単結晶の合成に成 功した。また結晶化学的方法で,アパタイト型 化合物の構造形成原理を明らかにした。 19)りん酸ジルコニウム(昭和55年度~昭和 59年度) りん酸ジルコニウムは,全く人工的に創り出 された無機化合物であり,天然鉱物としては, 未だその存在が確認されていない。1960年代に Clearfieldによって初めて合成されて以来,そ の優れた科学的安定性,イオン交換能が注目を 集め,特にアンモニウム・イオンに対する交換 能に関し,宇宙飛行士の水分回収材,人工透析 液の再生材としての可能性が検討され,後者に ついては一部実用化されて来ている。 本研究では,りん酸ジルコニウム及び関連物 質について,相平衡,結晶育成,イオン交換, 分子吸着,イオン導電性,焼結,物質設計など 多面的な研究を行った。 りん酸ジルコニウムそのものの合成方法につ いては,これ迄にも幾つかの報告がなされてい るが,ZrO2―P2O5―H2O系の相関係について は,殆んど情報が得られて居なかった。そこで 水熱条件下(室温~1200℃,常圧~20kb)にお いて,相平衡の研究を行い,同条件下での相関 係を明らかにし,同時にα―Zr(OH)PO4 (低圧 型),β―Zr(OH)PO4(高圧型)の2つの新しい 結晶相を明らかにした。 一方,りん酸ジルコニウム(以下ZrPと略 記),および同じ含水層状酸素酸塩である銅モン モリロナイト(以下Cu―Montと略記),りん酸 八カルシウム(以下OCPと略記)による有機分 子の吸着,包接に関する研究を行い,α―ZrP, Cu―Montが,それ自身包接性分子であるシク ロデキストリンを更に単位格子胞の尺度で包接 することを見出すとともに,OCPについては, コハク酸をはじめとする一連のジカルボン酸を 規則的に包接することを発見し,共にこの種の 化合物が機能性有機分子の固定化にとって有用 であることを明らかにした。 更に,りん酸ジルコニウムの〔Zr(PO4)2〕網 状構造が化学的に極めて安定である点に着目し, その3次元化による新しい化合物の導出を試み, ZrO2―P2O5―H2O―NH3系での合成実験から, NH4Zr2P3O12, (H30)Zr2P3O12, HZr2P3O12 を 端成分とするNASICON型構造の新物質系を 見出し,かつこれらの物質のイオン導電性を中 心とする物性を明らかにした。またCsTi3P5O19 他多数の新化合物を見出した。 キャラクタリゼーション関係では,一般に精 密定量法が極めて困難なりん酸ジルコニウムの 湿式分析法について幾つかの改善点を見出すと 同時に,本研究で見出された新物質のうち,β ―Zr(OH)PO4, NH4Zr2P3O12, (H3O)Zr2P3 O12, HZr2P3O12およびCsTi2P3O12の結晶構造 を明らかにするとともに,新物質の設計を目的 とした無機結晶構造データベースを試作し,そ の有用性を検証した。 他方,焼結の基盤技術としてのりん酸ジルコ ニウムの圧密に関する研究をHIP化学反応とい う見地から進め,高強度アパタイト焼結体の製 法を確立した。また非晶質As2S3Agxについて, Agの量とイオン導電性の相関関係を構造との 関連において明らかにした。 【その他の複酸化物】 20)複合マグネシウム酸化物(昭和52年度~昭 和56年度) 本研究では,各種酸化物をMgOに添加した系 及び,MgOを含むスピネル系を対象としてい る。内容は,焼結に関する研究,酸素拡散と点 欠陥構造に関する研究,磁性に関する研究,転 位などの高次構造に関する研究である。代表的 成果を以下に記述することとする。 焼結に関する研究では,MgCl2とNa2CO3と からMgCO3沈澱を作成し,仮焼してMgO粉末 とするプロセスを取りあげ,母塩の化学種,沈 澱条件(初濃度,熟成条件)仮焼温度,微量添 加物効果と粉末特性との関係が検討された。最 適条件で得られたMgO粉末にシリカやアルミ ナを添加することによって透光性セラミックス を達成することができる。一方焼結現象を解析 するに当り,物質移動は粒界,粒内,表面層を 通って進行する,規格化された粒度分布の広が りは粒成長の間に変化しない,の二つの仮定に 基づいて粒成長と緻密化との関係式を導出した。 酸素拡散に関する研究では,安定同位体O18を 用いた交換速度を試料の粒径を変えて測定する ことにより,多結晶体の体積拡散係数を算定す る方式を確立した。この様にして得られた2 MgO ・ TiO2スピネルの体積拡散係数は単結晶 を使用して直接測定した値とほぼ一致した。従 来転位の存在が拡散係数に大きな影響を与える ことが知れらてきた。このことを検討するため に粉砕工程によって転位が導入された試料と粉 砕工程を含まない試料の酸素の体積拡散係数が 測定された。その結果両者の違いは殆んど認め られず,転位による促進効果について疑問が投 げかけられた。 酸素の拡散係数に係る更に重要な結果は,単 結晶の特性と多結晶中の体積拡散特性が極端に 異ることである。これは,高温焼成によって酸 素の副格子に発生した酸素空孔が冷却過程にお いて非平衡的に安定化することと深く係ってい る。いずれにしても,今後焼結の動力学的解析 は,いわば焼結過程中での拡散特性によって解 析すべきことが示唆された。 転位を始めとする高次構造に関する研究にお いては,主としてクリープ速度と転位との関係 を実験的に検討した。10~80kg/cm2の応力範囲 では,転位密度もクリープ速度も殆んど変化し ないが,80~250kg/cm2範囲では,両者共応力と 共に増大する。後者過程では,転位のすべり運 動とそれに続く転位の上昇運動が起る。350kg/ cm2以上の高圧力下では,直線状の転位が多発す る。これは転位のすべり運動が,析出不純物, 固溶物,転位,ジョグなどの障害を容易にのり こえることを示すものである。 MgO単結晶を研磨することによって導入さ れた転位を熱処理することによるポリゴン化が 起る。ポリゴン化の過程では,転位は1ケ所に 集積したり,網目構造を形成したりする。同時 に結晶が部分的に偏位して多結晶化が起る。こ の過程はMgO中の酸素の自己拡散によって律 速される様である。 関連研究としてのスピネルの磁気的特質の研 究においては,リチウム固溶亜鉛フェライト, ニッケルフェライト―カルシウムフェライト系, ニッケルフェライト,リチウムフェライト―四 価金属を含むリチウムフェライト系,リチウム, スズフェライトなどの磁気的性質と高次構造 (陽イオン欠損,陰イオン欠損,陽イオン分布構 造)との関係が詳細に検討された。 21)水素タングステンブロンズ(昭和54年度 ~昭和58年度) 水素化合物は,現在,水素貯蔵器,水素ぜい 性,プロトン電導体,表示材料,原子炉材料, トリチウム処理材料,電極材料,太陽電池等の 領域で大きな社会的要請がある。触媒反応に於 ける無機化合物表面近傍での水素の役割りの重 要性と固体内の水素の状態の多様性の解析を主 たる目標として,水素タングステンブロンズを 研究対象としてとりあげた。研究成果の概要は 以下のとおりである。 (1)HxWO3, HxReO3, WO3及びReO3のオ レフィンのメタセシス反応・ 2量体化反応に与 える効果を表面現象研究の立場から研究した。 NaxWO3は,x =0.16付近で,金属/絶縁体転移 を示すが,上記の反応に対する触媒作用のx依 存性も研究した。ブロンズ型化合物とReO3の状 態密度と触媒作用との関係から触媒反応の機構 を考察し,この機構がブロンズ型酸化物全体に 一般化できる可能性を検討した。 (2) HxWO3及びMxWO3(M ; Ag, Cu, Gd) について,バンド計算を行い,電子構造と物性 との関係を議論した。また,NaxWO3, ReO3の 立方格子安定性,WO3の不安定性を,d-バンド に入った1個の伝導電子にとよるものとして, 電子論的に説明した。 (3) 希土類水素化物を中心として,金属水素 化物の電子構造と物性の関係を研究した。バン ド計算が,CeHx, TiHxについてなされ,イオ ン性,非化学量論的組成に於ける電子構造が明 らかにされた。光電子スペクトルは,CeHx, PrHx,YHxについて測定され,バンド計算との 比較が試みられた。またCeHxの赤外,ラマンス ペクトルが測定され,x= 2~3でソフト化す るフォノンが発見され,バンド構造が説明され た。Ce化合物の異常な物性(混合原子価,近藤 効果)に関連して電子相関を考慮したCe―電子 ―配位子原子からなるクラスターの電子状態の 計算により光電子スペクトルの解析を新しい方 法にもとづき行なった。 (4)化合物結晶内の結合電子構造,欠陥構造 の解明のための新しい手法として陽電子消滅法 の研究を行なった。化合物内での構造の複雑さ に対処するために,より精密なデータを得るこ とを目的として,2次元角相関装置を建設し, まず最も単純な構造をもつ,CoOをとりあげた。 またブロンズ型化合物としては,NaxWO3を, 水素化合物としては,V2Hをとりあげた。CoO 内の結合性,〔4 :1〕欠陥の存在,NaxWO3内 の伝導電子のt2g的性格及びジャングルジム型 のFermi面の形成などが明らかとなった。 (5)高速過程の実時間測定のために,ピコ秒 光パルス発生システムをレーザを用いて作成し, まず標準試料として,CdSeをとりあげ,励起子 ポラリトンのダイナミックスを測定した。 (6) ABO3型化合物の代表例であるペロブス カイト型化合物とMO (M ; 2価陽イオン元素) の固相反応により,層状構造を有するYbFe2O4 型化合物を合成し,その物性(磁性,Mössbauer 効果等)を調べた。 22)バナジン酸アルカリ金属(昭和57年度~) バナジウムは2価から5価までの原子価をと る。このうち5価のVのバナジン酸塩について は,比較的多くの研究がなされているが,4価 のVを含むバナジン酸塩の研究は少ない。我々 は,一次元導体の一つとして注目されているβ 型及び電子イオン混合伝導体であるα型のバナ ジウムブロンズを含む標記の化合物群をとりあ げ,材料への利用を検討するための基盤的研究 として,合成の基礎となる相平衡の解明及び物 性研究のベースとしての結晶構造の決定を中心 として研究を進めている。 相平衡の研究対象としては,Li2O―V2O4 ―V2O5系をとりあげ,部分系LixV2O5 ( 0 ≦ x≦ 2)から逐次全体に拡張する方針で検討を 行っている。新しい化合物の存在も明らかにな りつつあり,構造解析を進めている。電子顕微 鏡による欠陥構造及び構造変化の追跡観察も計 画している。 5価のVのバナジン酸塩については,いくつ かの化合物を水溶液より合成し,構造解析を 行った。特にR4V2O7型の化合物は,アルカリ土 類金属などとのM2 V2O7型化合物と比較して構 造的特徴が明らかになりつつある。 α型リチウムバナジウムブロンズの混合伝導 機構を調べる目的で,インターカレーション法 及び電気化学的注入法により試料を合成し,伝 導度測定並びにESR及びNMRによって検討し ている。 また,変調構造については,多次元空間群に 基づく解析法を体系化する研究の一環として, 多次元空間群の導出と図表化に関する研究を 行っている。 〔4〕窒化物 1)窒化アルミニウム(昭和42年度~昭和47 年度) 窒化アルミニウム(AlN)は安定で高温強度 も高く,化学的耐性にも優れているので,耐熱 材料としても有望と考えられる。又,熱伝導度 の高い電気絶縁材料としても有望と考えられる。 本研究ではAlN本来の性質を明らかにし,応 用方面開拓の基礎試料を提供するために,先づ, 高純度の試料を合成し,次いで良質大型単結晶 を育成し,その物性を測定することを主目標に, 薄膜,粉末体の焼結の問題も合せて研究した。 粉末試料の合成は製法が簡単で高純度のもの が得られ易いアーク法を採用した。生産量は少 ないという欠点はあるが酸素以外の不純物が極 めて少ない試料を得ることができた。 単結晶の育成は昇華法で行った。育成条件と 結晶形態との関係が研究された。ホイスカーは 鉄をliquid agentとするVLS機構により三方向 に成長する。板状結晶はCOが関与している。そ の結果50mm×1mm×20μm位の針状結晶,又,2 mm角位の板状結晶が得られた。 焼結の研究は高密度焼結体を得ることを目的 として加圧焼結法を採用した。不純物酸素が緻 密化に大きな関係をもつことが発見された。又, 加圧焼結機構に対する理論的検討を行い,最終 密度に関する新しい提案をした。 薄膜の研究は緻密な絶縁性窒化物薄膜を得る ことと,その電気的性質を調べることに集中さ れた。超高真空により緻密な窒化物薄膜が得ら れ,それが示す負性抵抗特性を調べた。 その他,X線回折顕微鏡法によって人工水晶 で転位の存在,不純物の偏析の確認をした。光 物性の研究は粉体の蛍光の測定から着手し,機 器の整備をすると共に単結晶での測定を行った。 2)窒化ほう素(昭和48年度〜昭和56年度) 窒化ほう素(BN)はⅢ―Ⅴ化合物に属する が,しかしその性質はⅣ族の炭素に似ている所 が多い。常圧で合成されるものには,BとNと が作る六角形の原子網面が二層周期で繰り返さ れる六方晶BN(hBN),三層周期で繰り返され る菱面体晶(rBN),又,層面が回転をしており 周期性を示さない乱層構造BN(tBN)とがある。 高圧で合成されるものにダイヤモンド類似構造 をもつ立方晶BN(cBN)とウルツ鉱型BN (wBN)とが知られている。hBNは電気を通さ ないこと以外は黒鉛に良く似ている。cBNはダ イヤモンドに次いで硬く,高い熱伝導度を示す。 hBNの合成 高純度hBNの合成はBN研究の出発点として 重要であり,同時にいろいろの処理を行いその 性質の変化を調べた。不純物の中で重要である と考えられたものに炭素,水素,酸素の三つで ある。前二者については光学的その他の手段で 挙動を或る程度把握することが出来たが,酸素 については今後の研究に残された。 hBN単結晶の育成 Siをフラックスとして面積1~2mm,厚さ20 μm程度のhBN単結晶の育成に成功した。成長 機構等について未解決の部分も残っているが, 後述の如くこの単結晶を用いて有用な結果が得 られた。 rBNの合成 黒鉛管状抵抗炉中で酸素含有量の多いhBN を高温に加熱した際,低温部に成長したホイス カーを電子顕微鏡で観察すると種々の面白い形 態が見られた。電子回析,X線回析,電子エネ ルギー損失分光等の結果このホイスカーは菱面 体晶BNであることが分ったのでrBNと名付け た。このように純粋な形で取り出された例は初 めてである。このrBNは(1)高温に加熱しても hBNには変らない。(2)動的に加圧によってhBN がwBNに変るのに対し,rBNはcBNに変るこ とが分った。 hBNの光物性 励起光の波長を変えて蛍光スペクトルの変化 を詳細に調べた結果,スペクトルは短波長側か らα,β,γ, δの4群に分類されることを見出し た。試料作製条件と蛍光スペクトルの変化との 関係を詳細に調べると共に,ESR,単結晶の吸 収スペクトル等の測定を行い,各々を照合した 結果,発光性の欠陥が少くとも4種,非発光性 の欠陥が5種見出された。又,応答速度が1 nsec.程度と極めて早く,発光効率も高い。又, 1000℃以上でも発光する。 ラマン分光器で単結晶を用いて,層間振動に 対応するラマン線を同定し,これから新にhBN の弾性定数を算出した。又,ダイヤモンドアン ビルを用いてラマン線の圧力による変化を測定 した。 薄膜の研究 スパッタリング法によるhBNの薄膜の作製 法を確立した。Al―BN―Au構造のM―I―Mダ イオードを作った。このダイオードは他の絶縁 物薄膜を作ったものとは電圧―電流特性に違っ た特徴をもっていることを見出した。 cBNの合成 cBNの合成触媒はダイヤモンドの場合と大 きく異り,又,作用機能もはっきりと分ってい なかった。高圧力下でのDTAでcBNの合成触媒 の挙動を追跡し,代表的な触媒金属であるMg, Caについてその作用機構を明らかにした。その 結果,触媒作用は高圧容器中で出来るCa3B2N4 によることから,この物質を別に合成して,こ れを触媒として用いることによって良質の cBNを効率よく合成することに成功した。 3)窒化リチウム(昭和56年度~昭和60年度) 窒化リチウム(Li3N)の研究グループではⅠ 固体電解質としてのLi3Nの研究,Ⅱ立方晶窒 化ほう素(cBN)の合成触媒としてのLi3Nを代 表とするアルカリ金属,アルカリ土類金属の窒 化物,同ほう窒化物の研究,及びⅢ cBNの出 発物質としての常圧相BNの研究,を三つの柱 として研究を行った。 Ⅰ固体電解質としてのLi3Nの研究 (1)Liイオン伝導度 Li3Nは低温領域(600°K以下)ではLi系固体電 解質の中で一番高い伝導度を示す。不純物の伝 導度に及ぼす影響を調べるために,高純度の単 結晶,焼結体,Mgをドープした焼結体等を作製 し,伝導度を測定した。Li3N以外の固体電解質 では不純物欠陥―固有欠陥転移が明確に見出さ れていたが,Li3Nでは未だ見出されていなかっ た。しかし不純物としてMgをドープしたもの で220℃付近で始めて転移が見出された。 (2) Li3Nの中性子回析 Li3N中のLiイオンの挙動を直接観察するた めに,室温及び400℃でのLi3N単結晶の中性子 回析を行った。Liイオンの熱振動は高温になる とC軸方向に大きくなることが分った。これは X線回析の結果とも一致した。又,伝導度の温 度依存性の結果も矛楯なく説明できる。 (3)Li3Nの結晶化学的研究 “Li3Nの中にN-3が存在するか”をX線的方 法で研究する立場に対し,我々はLi3Nの中の平 均イオン価が巨視的に熱膨脹曲線の上に反映さ れるという立場でLi3NのC軸に平行及び直角 方向の熱膨脹を低温から650℃までの間で測定 した。現在解析中。 又,陽電子消滅によって,各種方法で作製し た結晶の欠陥を調べた。 Ⅱ cBN合成触媒 cBN緻密焼結体の作製技術の確立は実用的 見地からも重要である。一般に,共有結合性の 高い物質の焼結体を作製することは難しいとさ れている。BNとほう窒化物との反応機構に関 する知見にもとづいて,2―0.15モル%のほう 窒化マグネシウムを常圧下でhBN焼結体に拡 散担持させた後,高温高圧処理してcBN単一相 の緻密焼結体の作製に成功した。更に,この方 法を改良し,常圧下でマグネシウムをhBN焼結 体に拡散反応させ,ほう窒化マグネシウムを均 一分散させた後,高温高圧処理して得られたも のは透過率50% (350~800mn)のcBN透光性焼 結体であり,その硬度は6500kg/mm2であった。そ の後,ほう窒化物の拡散法を改良して,大型緻 密焼結体を作製する方法を見出した。 Ⅲ常圧相BN (1)菱面体晶窒化ほう素(rBN) BNグループに於て既に菱面体晶窒化ほう素 (rBN)を動的加圧によってcBNに直接変換す る方法を開発したが,rBNは少量しか合成する ことができなかった。rBNの生成機構を解明す ることによって多量に合成する方法を開発した。 即ちrBNの生成には一価の陰イオンが深く関 与していることを見出し,NaBH4とNH4Clと を窒素雰囲気中,900℃24hrs加熱することに よって良質rBNを多量に再現性良く合成する ことができた。 (2) hBNのルミネッセンス 炭素炉で高温処理したhBNのルミネッセン スの研究から出発して,光スペクトルの全容, 旧知の高温発光の起源を解明し,発光の高効率 高速応答性を新に見出し,格子置換Cよりなる 光中心とそこでの電子過程のモデルを提案した。 これ等により絶縁性層状物質の典型の基本的性 質を解明し,その有用性を抽出し,材料キャラ クタリゼーションの基礎を提供したことになる。 4)窒化けい素(昭和47年度~昭和51年度) 耐熱構造材料として有望なSi3N4の基本的性 質に関する認識を深めるため,高純度Si3N4単 結晶ならびに粉末の合成を行うこと,耐熱セラ ミックスとして活用する際に必要な焼結および 焼結体に関する基本的な問題点を抽出整理する こと,ならびに電子材料への応用を期待し,薄 膜の作成および薄膜の電気的特性を究明するこ とを重点目標として研究を進めた。 単結晶の育成は,SiCl4―NH3―N2―H2系の 気相反応法およびシリコン融液からの析出法で 試みた。前者で微細ではあったが,六角柱状の 晶癖を有するα形単結晶が得られ,自動四軸X 線回折装置により精密構造解析を行った。単結 晶を用いたα―Si3N4に関する結果は,現在で も,このデータが唯一である。後者の方法では, β形単結晶が得られた。 α形単結晶は1700℃附近での加熱によっても 高温で安定なβ形に直接転移せず,Si3N4のα→ β転移は,主として気相や液相を経由して進行 することが確認された。 粉末合成は,SiH4―NH3―N2―H2系の気相 反応法ならびにSiCl4―NH3系の反応で得られ るシリコンジイミドの熱分解による方法がシリ コン粉末の直接窒化法とともに検討された。前 二者で金属不純物の少ない微細な粉末が得られ ることを確認し,いずれの方法でも,よく結晶 化した粉末は,主としてα形から成ることが 分った。シリコン粉末の窒化では,比較的酸素 含量の少ない(~0.5wt%)粉末を得た。これら の粉末合成に関する研究を進めるにあたり,技 術課や他グループの協力を得て行ったSi3N4中 のSi, NおよびOの分析に関する検討結果は有 用であった。 Si3N4―SiC― C系に於ける窒素1気圧下で のSi3N4の分解温度は,1839±14℃であり,高純 度なSi3N4の安定形は少なくとも1600℃以上で β形となることを示した。高純度なSi3N4粉末の 酸化について調べ,α形とβ形とで差はなく,酸 素の拡散が速度を律する造膜反応で説明できる ことも分った。この酸化,特に反応焼結体の酸 化防止と気密性の賦与に,反応焼結体表面への けい素の含浸が有効であるとの知見も得た。 Si3N4の焼結に関する研究も,ホットプレス, 常圧焼結,および雰囲気加圧焼結の各手法につ いて検討した。Si3N4―Al2O3, Si3N4―SiO2 ―MgO―Mg3N2, Si3N4―Al2O3―ZrO2系を主 たる対象とし,焼結助剤の果す役割りに関心が 向けられた。Si3N4に酸化物系助剤を加えて開 放雰囲気で高温で焼成すると系内の酸素がSiO として飛散し,焼結を阻害することは,現在で はよく知られた事柄だが,この種の反応の進行 に関する研究も行なわれた。この飛散を防止す る手段として雰囲気加圧焼結が有効であること がSi3N4―MgO系で示された。 窒化物薄膜の合成と電気的特性に関する研究 もSi3N4およびAlNを対象に行なわれた。これ らのうち,Al―AlN―Auを積層膜に負性抵抗現 象(VCNR)を観測し,この現象に考察を加え た。 このグループ研究が進行中,Si3N4―Al2O3 ―AlN系でβ形固溶体(β―サイアロン)が生成 することをトヨタ中研とニューカッスル大学 (英)が報告した。このような状況も反映し,Si3 N4およびその固溶体を主とする焼結材料は,次 第に脚光を浴びることになった。 5)複合酸窒化けい素(昭和52年度~昭和56 年度) グループ発足当時の研究の重点は,研究開始 当時,国際的に注目されていた窒化けい素系耐 熱材料の高強度化に資するため,粒界相,およ び窒化けい素固溶体に関し,認識を深めること, ならびに窒化物系薄膜の電気的特性を代表的な 例について検討することにあった。 これらのうち,前者は,このグループが中心 となって昭和52年度~昭和55年度に行なった無 機材質特別研究,“耐熱構造材料の焼結加工法に 関する研究”と関連を保ちながら進められた。 この状況を反映してこのグループでは,関連物 質として窒化アルミニウムおよび炭化けい素に 関する同種の研究も行なうこととなった。これ らの物質が,共有結合性が大きく,耐熱材料と して有望であり,前記特別研究が,これらの物 質を研究対象として取り上げたことと関係して いる。材料の利用技術と密接に関連するテーマ は特別研究とし,基礎的と考えられる部分はグ ループ研究として進行させたからである。 窒化けい素焼結体が関係する粒界相の組成や 構造については,主としてSi―Al―O ―N系, Y―Si―Al―O―N 系およびLa―Si―O ― N 系が研究の対象となった。いずれの系でも緻密 化が急速に進行する温度域では融体の生成が認 められ,放冷した試料中にはしばしば多量のガ ラス質の残留が認められた。共有結合性物質の 焼結の進行には,融体あるいは無定形相の介在 が重要な役割りを果していると考えられた。Si ―Al―O ― N系では,ムライト様構造を有する 代表的な粒界構成鉱物の構造の概略を明らかに し,他の二つの系では相関係も検討し,Laを含 む系では新化合物LaSi3N5の結晶構造を明らか にした。 窒化けい素固溶体については,アルミニウム を含むβ―形固溶体と,イツトリウムとアルミ ニウムを含むα―形固溶体の合成を主として検 討した。当初,粒界相を含まない焼結体にも期 待したが,原理的に難かしい目標であることが 次第に明らかになった。これらの研究を通じて, 半透明のβ―サイアロン焼結体が得られ,α―サ イアロン焼結体の強度や窒素含有ガラスについ ても検討し,β―サイアロンの酸化挙動も調べ ることができた。 窒化物薄膜については,窒化アルミニウムを 中心に抵抗体薄膜,あるいは高温半導性薄膜と しての利用の可能性を検討し,貴金属を分散し た系で抵抗の作成が可能であり,ニオブを窒化 物の形で分散した系で半導体化が可能であるこ とを見出した。 窒化アルミニウムは,焼結研究の対象として もとりあげ,焼結助剤としてのアルミナの寄与 を,焼結体の熱膨脹,熱伝導との関連で検討し た。この過程で,AlN―Al2O3系でも透明度の高 い焼結体が得られた。同様に研究の対象として とりあげたSiCでは,難焼結性の原因が,粒界エ ネルギーの大きさと深く関係していることを明 らかにし,SiC―Al4C3―B4C系の相関係を,粒 界相との関係で検討した。 Si3N4やSiCの粉末合成に高周波プラズマを 用いた気相反応法を利用する試みも行なった。 この種の研究の一部は,最近発足した超高温ス テーションに引き継がれている。 このグループ研究の進行中も,窒化けい素系 耐熱構造材料に関する産業界の関心は次第に高 まり,通産省も,昭和56年度から,次世代基盤 プロジェクト「ファインセラミックス」を10年 計画で進めるに至った。現在も多くの話題を集 めている。 〔5〕炭化物およびほう化物 1)炭化けい素(Ⅰ)(昭和41年度~昭和46年度) 高温半導体への利用を意識しつつ,高純度結 晶の育成と,育成結晶の純度,多形,電気伝導 特性を結晶成長論と関連させて研究した。単結 晶の育成は,気相熱分解法(CVD),シリコン溶 液からの析出法および昇華再結晶法により行な い,気相熱分解法で2 H形針状結晶を,シリコ ン溶媒法でβ形(3 C)結晶を,昇華再結晶法で 6 Hを主とするα形結晶を得ることができた。 いずれの方法によっても,多形の混在を示さ ない構造的に完全性の高い結晶を得ることは困 難であったが,過飽和度を下げることにより, 2200℃以上の昇華再結晶法で6 H形単結晶の育 成が可能になること,1500℃附近でのシリコン 溶媒法およびMoを基板として用いた気相熱分 解法でβ形単結晶ないしウィスカーを得ること ができ,気相熱分解法を行う際に,系内に微量 の酸化物が共存すると,2H形結晶が生成し易 くなることを見出した。 このようにして合成された結晶の純度は,化 学分析と電気伝導特性により評価された。昇華 再結晶法によって得られたものは,金属不純物 を殆んど含まず,主たる不純物は窒素で,1016 ~1017atom/cm3程度であった。 長周期多形の成因についても,結晶の表面構 造を手掛りに,結晶成長論の立場から検討が加 えられ,Frankの渦巻成長論によるのがよいと 考えられた。多形間の熱的安定性の比較および 2 H形結晶の転移実験の結果から,2H, 3 C, 4 Hおよび6 HをSiCの基本的多形と考え,15R を長周期構造の典形と位置づけた。 この研究期間に,単結晶合成炉3基,X線回 折装置,表面観察用光学機器,Hall定数測定装 置を設置した。このグループの分析グループは, 技術課分析室の誕生に貢献した。 2)炭化けい素(Ⅱ)(昭和57年度~) 炭化けい素(Ⅰ)の単結晶に関する知見をふまえ, 難焼結性を示すSiCの焼結に係る基礎的な問題 を解決すべく研究を進めている。主たる研究目 標は,SiCを代表例とする共有結合性の大きい 物質の粒界の状態,焼結の理論的背景の見直し, 焼結による強度発現のメカニズムにおかれてい る。 現在迄に,粒界について,母結晶の構造が粒 界上の原子位置を強く拘束してることを示すこ とができ,高純度SiCの一般粒界のエネルギー は異常に大きいとの気付きを得た。焼結では, 伝統的焼結論が理論体系の基礎とした Thomson-Freundlichの概念に誤りがあること が分った為,新らしい体系を準備中である。こ の体系の整備には,Fickの法則を始めとする伝 統的物質移動の速度式にも拡張が必要なことも 論理的に明らかになった。強度は粒界研究と密 に関連する問題としてとらえている。SiC焼結 体の弾性域内での高温クリープ実験から,焼結 と同様にクリープ現象,とりわけ拡散クリープ の伝統的解釈にも誤りがあることが示された。 SiCやSi3N4焼結体の作成時には,焼結助剤が 用いられるが,この助剤が果す役割りにも検討 が加えられている。新らしい助剤も幾つか見出 された。 このグループ研究は,科学技術振興調整費に よる研究,「高性能材料開発のための表面・界面 の制御技術に関する研究」ならびに次世代基盤 技術プロシェクト,「ファインセラミックス」と も関係を保ちながら続けられていて,400KV高 分解能電子顕微鏡の高性能化およびレーザー ビーム加熱による高温四軸回折計の整備を行 なっている。後者は他グループとの協同作業で ある。 3)硼��化ランタン(昭和47年度~昭和52年度) 硼��化ランタン(LaB6)は赤紫色を示す高融点 化合物であり,安定な化合物でありながら,そ の仕事関数が低いというところにその特長があ る。硼��化ランタンはこの特長を生かして現在, 単結晶熱陰極が電子線描画装置,各種電子線利 用機器への高輝度電子源として実用化されてい る。 本研究では,硼��化ランタンとその関連物質の 合成,物性,表面およびそれらを基礎とした単 結晶陰極の作製の立場から総合的に研究を進め, 金属六硼��化物の結合と電子構造,表面物性につ いて理解を深めるとともに,高輝度単結晶陰極 実現への確実な見通しを得ることができた。 硼��化ランタンは高融点物質であるために融体 の蒸発が激しく,その反応性が大きいので良質 の単結晶育成は一般に困難である。ここでは高 周波加熱浮遊帯域法と金属フラックス法による 単結晶育成の研究を行ったが,特に多重帯域精 製を可能にした浮遊帯域法により大型高純度単 結晶の育成に成功した。高温における蒸発を防 ぐためにアルゴンガスを通常15kg/cm2に加圧し, また単結晶育成速度を10mm/hとした。得られた 単結晶の大きさは直径が8~10mmφ,長さが4 ~6 cmである。3回の浮遊帯域通過で抵抗比(ρ (300K)/ρ (4.2K))は720となり結晶性が優れて いることを示した。本方法は他の硼��化物の単結 晶育成にも適用した。 硼��化ランタンの物性に関する研究はこの物質 のもつ高い硬度,小さい電気抵抗率を究明する ために結合と電子構造に焦点をあわせて研究を 進めた。電子帯構造は,ドハース・ファンアル フェン効果,磁気抵抗効果,光電子分光法によ り実験を行ない,又結合状態或はフォノンに関 する情報は弾性率,比熱,ラマンスペクトル, 11B核磁気共鳴の実験結果から解析された。さら に一連の金属六硼��化物について,電気抵抗と帯 磁率の測定を行ない,硼��化物特有の性質を見い だした。これらの実験から,硼��化ランタンの強 い凝集力の主な部分は硼��素原子間の共有結合に 基づいており,伝導電子はd-キャラクターが強 く,単位胞当り1個存在することが明らかにさ れた。 電子放射現象との関連で硼��化ランタンの表面 の性質を調べた。リチャードソンプロットと二 次電子のカットオフエネルギーより各単結晶面 の仕事関数を正確に求めた。単結晶面の仕事関 数は,(110) < (100) < (111)の関係にあり, (110)面の仕事関数が最も小さい。電子線の安 定性は結晶面の安定性に強く依存しており,こ れはまた高温における蒸気圧,残留酸素との反 応,イオン衝撃に対する強さ等によって決まる。 XPS, UPS, AES, LEED, ISS等の表面研究手 法を用いて,清浄表面の原子構造,電子状態, 表面酸化,表面不純物,表面安定性について調 べた。この結果,安定な電子放射面としては (110)および(100)面の利用が好ましいことを 明らかにした。また,硼��化ランタンの低い仕事 関数の原因として表面最外層に存在するLaイ オンが重要であることがわかった。 図LaB6単結晶電子銃 4)炭化ジルコニウム(昭和53年度~昭和58 年度) 炭化ジルコニウム(ZrC)をはじめとする遷移 金属炭化物は3000℃以上の融点をもつとともに, 硬度が大きく,イオン衝撃にも強い安定な化合 物である。しかも電気や熱の良導体であり,仕 事関数が3~4 eVと比較的低い。炭化物のこの ような性質は高輝度で可干渉性の強い電子線源 である電界電子放射材料として有望であること を示している。本研究はIVa族炭化物およびWC について,単結晶育成,バルクの電子構造,表 面物性および電子放射に関する研究を行なった。 炭化ジルコニウム等の食塩型構造を有する炭 化物は広い不定比組成領域をもつ。単結晶育成 の研究では,この食塩型構造炭化物の大型で且 つ組成の制御された良質単結晶の育成法として, ゾーンレベリング・フローティングゾーン法を 新たに開発した。この育成法により,従来にな い均一組成を有する高純度炭化物単結晶が育成 可能となった。単純六方格子の炭化タングステ ン(WC)単結晶はCoフラックスを用いて,フ ラックス法により育成した。純度の高い単結晶 が得られた。育成単結晶について,組成均一性, 酸素,窒素,金属不純物,格子定数,エッチピッ ト密度,蒸発効果等を調べ,また結晶育成時の 固液界面(結晶内部の温度分布)も実験・理論 の両面から検討した。 炭化物の電子構造の研究では,炭化物ではは じめての,炭化タングステン(WC)のドハース・ ファンアルフェン効果の観測に成功した。 ド ハース・ファンアルフェン振動の振動数解析よ り,WCはフェルミエネルギーでの状態密度の 小さい耐熱性半金属であることを提案した。ま た,WCの結合状態は食塩型構造炭化物の場合 と同様に,W5d―C2pの共有結合が重要な役割 をはたしていることを指摘した。 炭化物の表面物性の研究では,TiC0.94単結晶 の(100),(111),(110), (210), (310)の各結 晶面について,表面原子構造・電子状態,仕事 関数,吸着特性等について詳細に研究した。こ の結果,(100)面と(111)面の性質はかなり異 なり,表面最外層に炭素原子の存在している (100)面は炭化物特有の不活性な性質をもち, 最外層にTi原子のみが存在する(111)面は,Ti 金属に似た活性な性質を示すことがわかった。 仕事関数も(111)面の値が最も大きく 4.7eVで あるのに対し,(100)面を含む他の面は3.7~3.8 eVであることを見いだした。また,(100)面と (111)面は,他の結晶面に比較すると表面エネ ルギーの小さい安定な面であることを明らかに した。 表面原子構造の定量的解析を可能にする新し い表面研究手法として,直衝突イオン散乱分光 法を開発した。この手法は原子構造の決定を容 易に行うだけでなく,表面欠陥の構造や表面電 子の二次元空間分布の解析にも有効であり,表 面原子の熱振動振幅についても定量的な情報を 得ることを示した。この手法を用いて,TiCの表 面に存在する炭素原子空孔の観測に成功した。 炭化物の電界電子放射に関する研究では, TiC単結晶エミッターからの放射電流が,フ ラッシュ加熱温度が1300~1450℃の場合,或い は1700℃以上の場合に,ノイズレス(0.1%以下 の電流変動),ドリフトレス(-0.05%/h)と呼 べる極めて安定な特性を示すことを見いだした。 また,炭化物エミッターからの放射電流は,チッ プ先端が(100)面と(111)面に囲まれること により生ずる電界強度の大きい局所部分から放 射されることが,エミッションパターンの解析 から明らかになった。 5)炭化タンタル(昭和59年度~) 本研究は4000℃の融点をもつ炭化タンタル (TaC)を典型物質とする高融点化合物につい て単結晶育成の研究を行うとともに,育成単結 晶を用いて結合状態,電子構造,バルクの性質, 表面物性について研究を進め,高融点化合物の 特質を明らかにしてその有用性をひきだすこと に主目標をおいている。 炭化タンタルをはじめとする遷移金属炭化物 は,優れた化学的安定性と高硬度,高熱伝導度 を有し,イオン衝撃にも強い等の諸点で,耐熱 耐食性に富む高機能性材料としての用途が期待 される。しかし,これらの諸性質は,組成,欠 陥,不純物等に鋭敏に依存する。したがって, 上記諸要素が充分に特性づけられた単結晶を用 いて基本物性を測定し理解・把握することが炭 化物材料の新たな展開にとって必須のステップ である。以下,これまでの成果の一部を示す。 炭化タンタル単結晶の育成温度領域は3500℃ 以上であるため炭素の蒸発が非常に激しい。し かし,ゾーンレベリング・フローティングゾー ン法により, 供給焼結棒組成と育成速度の適切 な選択により炭化タンタルの大型単結晶の育成 を可能にした。黄金色の単結晶が得られた。 TaCの単結晶表面と希ガスイオンの電荷交換 機構について研究し,イオンの中性化はオー ジェ機構によ る ことを明らかに した。 高分解能 エネルギー損失分光法により,TaC (100)面 で,表面最外層近傍に局在する光学表面フォノ ンおよび音響表面フォノンをはじめて観測する ことに成功し,その分散関係を詳細に調べるこ とにより表面原子の結合状態について新知見を 得た。さらに炭化物の電気抵抗の組成依存性を 測定し,炭素原子空孔の役割を明らかにした。 〔6〕カルコゲン化物 1)カルコゲンガラス(昭和45年度~昭和49 年度) カルコゲンガラスとはカルコゲンと呼ばれる 硫黄,セレン並びにテルルの3元素を主成分と する物質のガラス状態にあるものをいう。ここ では,金属とカルコゲンとの結合体だけでなく, カルコゲン単体又はカルコゲン間の結合体でガ ラス状態にあるものを含めてカルコゲンガラス と呼ぶことにする。組成から見れば,従来の珪 酸塩ガラスやほうけい酸塩ガラスなどのような 酸化物ガラスと異なり,酸素を含まない非酸化 物ガラスであることが一つの特徴である。更に これまでの酸化物ガラスにない長波長領域まで の赤外線の透過性や,低融性,またスイッチン グ作用,記憶作用などのエレクトロニクス素材 としての特異性を持つ新材料である。 カルコゲンガラスは高純度原料をシリカガラ ス管に入れ,管を真空にして封じ電気炉で揺動 して合成した。この際保持時間を長くまたは合 成温度を高くすると,シリカガラスと反応する ことが分かった。またAs2S3ガラスについては ガラス形成に必要な条件を明らかにした。 赤外分光法によりセレンに5 %の硫黄,テル ルをそれぞれ加えたガラス状態ではセレンの環 状(Se8)構造に似たS5Se3及びSe3Te5の環状構 造であることを明らか、にし,硫黄成分の多いAs ―Sガラスの硫黄について蛍光X線で研究を 行った。 As―S, As―Se, As―(S+Se)系ガラスで はAsとカルコゲンの原子比が2 : 3の場合,誘 電率では最低に,熱膨張係数では最低に,熱膨 張係数より求められた転移温度は最高に,熱伝 導率では最高になることが確認された。 2)硫化鉄(昭和43年度~昭和47年度) Fe―S系化合物は,S原子の六方充塡を基本 とする磁硫鉄鉱の超構造相群,S原子の立方充 塡を基本とするFe3S4 (グレーギット)等および S2原子団を基本とするFeS2(黄鉄鉱)等の三種 の化合物群が知られていた。それ等相互の,特 に,300℃以下での低温での熱力学的安定関係, 不定比性,等,結晶化学的な多くの問題が残さ れていると共に,磁性半導体として性質の解明 およびその応用の検討を必要とされていた。 そこで当時注目を集めていたチオスピネルで もあり,山口(元所長,故人)等が初めて合成 に成功したグレーギットを中心として,関連す るFe―S系化合物の研究を行い合成法として (1)水熱法(190℃),(2)低温酸性水熱法,(3)電気 化学的方法,(4)真空蒸発法の四法を確立した。 (1), (2), (3)は,比較的多量の試料を合成し得て, 電磁気学的測定に寄与すると共に,鉄鋼の腐蝕 機構の解明に寄与した。(4)は,グレギット等が 純粋なFe―S二成分系の化合物種であること を証明すると共に,比較的低温でのみ安定な化 合物を,不定比性を制御して合成する方法とし て画期的であった。同法により,ペントランド 鉱型Fe9S8等の新化合物を発見すると共に,更 に,Arガスを導入することにより,世に先駆け て,硫化物の超微粒子(煙微粒子)を合成する 方法として発展させた。磁性半導体としての応 用には成功しなかったが,生成物の磁気的性質 はかなり詳細に明らかになり,また,反強磁性 半導体中のマグネティックポーラロンの挙動な ど理論面で大きく進歩した。電顕格子像法によ る磁硫鉄鉱の超構造相の観察,電子回折による 磁性体の観察および電子線照射による転移の観 察等,電子線回折を用いた先駆的研究も手掛ら れていた。 3)複合バナジウム硫化物(昭和47年度~昭 和51年度) 遷移金属元素を含む化合物には電気的,磁気 的に興味ある性質を示すものが多い。このよう な性質は遷移金属原子が有しているd電子と関 係しており,化合物を作るときの相手の陰イオ ンによっても異なってくる。硫化物の場合は対 応する酸化物と比較してd電子の挙動に非常に 幅があり,結晶の化学的組成のより厳密な規定 と物理的性質との関連性の研究を確立すること が重要である。遷移金属硫化物を理解し,有用 な材料開発の指針を得るための足がかりとして, 多様なd電子の挙動,すなわち,半導性,磁性 半導性,金属性等が狭い化学組成の範囲で内包 されている複合バナジウム硫化物を取り上げた。 バナジウム硫化物はVSからVS2の間にV7 S8, V3S4,V5S8等いろいろな組成の相が存在し,そ れぞれかなりの幅の不定比領域がある。まず, 硫化水素と水素でイオウ分圧を制御して相平衡 実験を行い,相図を作成した。その結果,従来 知られていた相のほかに,1000KでV2S3という 組成の新しい相が確認された。VS2に近い組成 の相は常圧では合成できなかったが,高圧グ ループの協力を得て700~800℃, 20kbの高圧下 ではじめて合成に成功した。VS―VS2系の各相 は,NiAs型構造を基にしてバナジウムの空位が 存在し,その空位の秩序化によって種々の相が できるものである。V5S8相の単結晶について高 温における空位の秩序―無秩序分布状態をX線 回折により明らかにし,相平衡実験の結果とあ わせて検討した。結晶構造や物性の研究にはあ る程度の大きさをもった単結晶試料が必要であ るが,化学輸送法によりV3S4及びV5S8相の単結 晶を得ることに成功した。また輸送剤と晶癖の 関係,原料と成長した結晶の組成の関係,輸送 分子種等に関する知見が得られ,バナジウム硫 化物のような不定比化合物の化学輸送反応の機 構を統一的に説明することができた。このよう にして得られたV3S4, V5S8相の単結晶につい て,結晶構造解析を行い,V―S及びV ―V結 合の性質と構造の安定性の関係について検討し た。V―S系の化合物は電気的,磁気的にも興 味ある性質を示すが,特にV5S8相について詳細 な研究を行い,電気伝導の機構,磁気的相転移 等に関する知見を得た。 鉄,バナジウム,イオウの三成分からなる系 については,イオウ分圧をイオウ蒸気と窒素で 制御する方法により相平衡実験を行い,相図を 作成するとともに,Fe―S系の化合物とV―S 系の化合物相互間の固溶関係を明らかにし,構 造変化との相関関係を検討した。また,V3S4 ―FeV2S4及びFeV2S4―Fe2VS4の固溶相につ いて中性子回折,メスバウアー効果,ラマン散 乱等による研究を行い,FeとVの分布状態,金 属―金属結合の性質,低温での磁気秩序等に関 する知見を得た。 化学輸送法で育成したFe2VS4単結晶 4)複合チタン硫化物(昭和52年度~昭和56 年度) チタンの硫化物の安定相は広い不定比領域を 有し,複雑な様相を呈している。このようなチ タン硫化物の相関係を解明し,遷移金属硫化物 におけるこの系の化合物の位置付けを行い,こ れらの中から有用な材料を見出すきっかけを作 ることを目的として研究を行った。TiS2にリチ ウムなどのアルカリ金属がインターカレートし た化合物は,電極材等への応用が期待されてい るものであるが,Ti―S系化合物の相関係を明 確にすることは,インターカレーションの研究, 物性の研究に基礎的なデータを提供するもので ある。 チタン硫化物にはTiSからTiS2の間にTi8S9, Ti4S5, Ti3S4, Ti2S3, TiS2等の組成の多くの相 がある。従来この系の相関係には不明確な点が 多かったが,高温状態で熱天秤を用いて平衡イ オウ分圧と組成の関係を測定することにより, TiS1.38 ―TiS1.98の組成間の相図を確立すると同 時に,従来報告されていない新しい相を見いだ した。この系の化合物はイオウ原子が密充塡す る間の八面体空��の中にチタン原子が入る層状 構造を基本としているが,不定比の組成ではチ タン原子と空位の配列の仕方,イオウ原子の密 充塡の状態にいろいろな場合がある。このため Ti―S系においては同じ組成のものであって も層の重なり方,空位の配列の仕方の異なった ものが出現する。したがってTi―S系の相関係 を構造的に明確にするためにはこのような複雑 な層構造(積層不整を有する構造)を解析して 相平衡実験の結果とあわせて考えなければなら ない。そこで積層不整を有する化合物のX線回 折,電子線回折のデータを解析する手法を開発 し,Ti―S系の安定相の構造について詳しい知 見を得ることができた。 Ti―S系の単結晶の育成は,各相の固溶領域 が広いために目的とする相あるいは目的とする 組成の単結晶を育成することは困難であるが, 封管の化学輸送法を用い,不定比化合物の化学 輸送反応を解析することにより,いろいろな組 成のTi―S系単結晶の育成に成功した。また, このようにして合成されたTi―S系化合物に ついてラマン散乱の測定を行い,組成による格 子振動の変化,Ti―S結合の性質等に関する知 見を得た。 チタン,バナジウム,イオウの三成分系につ いては,900℃における相関係を確立し,TiS ―TiS2, VS―VS2系との関連を検討した。この 系の化合物については中性子回折,磁気測定, NMRによる研究も行い,チタンとバナジウム の分布状態,磁気的性質,金属―金属結合の性 質等に関する知見を得た。チタン,鉄,イオウ の系についても相関係を明らかにするとともに, X線回折,DTA等により高温での相転移につい て研究し,相転移における構造の変化を検討し た。 TiS1.46の電子線回析図 5)複合モリブデン硫化物(昭和57年度~) モリブデン硫化物では,二硫化モリブデンが 固体潤滑剤等として広く用いられているが,近 年M―Mo―S系(M :金属原子)の化合物で超 伝導等興味ある性質を示す物質が知られるよう になった。この系の化合物の性質は化学組成や 結晶の質の良否に大きく影響されるので,相平 衡関係を解明し,合成条件を確立することを重 点として研究を行っている。まず,Fe―Mo―S 系を中心に研究に着手し,V―Mo―S系,Ti ―Mo―S系,Cr―Mo―S系等の研究を行っ た。さらに希土類原子の入った三成分系等につ いて検討する。 Fe-Mo-S系については,1000℃における相図 を作成し,安定相としてFeMo2S4, FexMo6 S8-y, FeMo3S4等の相の存在を確認した。この 相平衡実験の結果に基づいてFexMo6S8-y相の 単結晶の育成を試み,1200℃で黒色キューブ状 の単結晶を得た。V―Mo―S系についても 1000℃で相平衡関係を解明し,組成変化による 構造の変化についての知見を得た。この系の化 合物(V, Mo)3S4についてX線回折によりバナ ジウムとモリブデンの原子分布について検討し た。また,V0.17Mo0.26S0.57について電気的性質を 調べ,電気抵抗の温度依存性,活性化エネルギー 等に関する知見を得た。Ti―Mo―S系につい ては1300~1400℃, Cr―Mo―S系については 1100℃における相図を作成し,後者については 高圧下における合成を試みた。Yb―Mo―S系 の相関係等については更に検討を進めている。 Mo―S系ではMoS2の化学輸送実験を行い,微 量水分の存在が輸送速度に及ぼす影響を調べ, 輸送反応の機構について知見を得た。 6)金属典型元素カルコゲナイド この化合物群は励起状態の諸過程を活用する 光材料用材質として顕著である。双葉より芳し く,ⅡB―ⅥB化合物ZnSは現役の優れた蛍光 体であるが17世紀初頭まで研究をたどれる。 CdSは古くから光伝導体として知られている, CaS等のⅡ A―ⅥB化合物は蛍光体の近代的研 究の初期の対象であった,ⅣB―ⅥB化合物 PbSは光伝導体として有名だったが今はダイ オードレーザー材でもある。これ等を対象に固 体物理特に光物性論と不完全性結晶の物理化学 が発展し,現在の固体素子材料を生む基盤が形 成された。光技術の隆盛の時代を迎え情報,エ ネルギー等の広範な技術分野で新しい期待が寄 せられている。Ⅲ―Ⅴ化合物での原子レベルに 迫る制御等の材料技術や光材料の学問の進歩に よれば材質の蔵する可能性が技術の要求の高度 化に応えてくれそうだからである。本研究の目 的もこの期待に応えて行くことである。 励起状態が元へ戻る主要な過程を超短パルス レーザー分光で調べる。重要な活性中心となる 希土類,遷移元素の状態を調べる。特にⅡA― ⅥBでは欠陥光物性の知識の空白を埋めて行き たい。以上の関連で光触媒作用の要素過程も垣 間見たい。研究試料,レーザー材,薄膜基板材 として重要な高完全度大型単結晶育成法の確立 を目指す。内外の展開を見定めて人工的材料を 目指す薄膜研究に踏み込まねばなるまい。我々 の有するレーザー系を活用し材料の新しい計測 と評価の方法を拓きたい。これ等の研究の過程 と結果から新材料の発想を興こし検討する。高 密度光記憶材,高速光演算材,レーザー材,シ ンチレーター材等を考えている。如様に,発光 材を足場に未来の光計算機材から光触媒材まで, 材質の可能性を少しでも多く拓くのが課題の目 標である。 2.ステーションの活動 ステーションは,新材質の創製研究の進展に ともない必須となり,各研究グループに共通す る超高圧力技術及び超高温技術について基盤的 な新装置,新手法,大規模技術等の開発を先行 的に行い,各研究グループの要請に応じこれら の技術開発力を提供するものである。現在,超 高圧力ステーション(昭和52年度設置)及び超 高温ステーション(昭和60年度設置)が設置さ れている。 1)超高圧力ステーション 昭和52年当所にとっては新組織であるステー ションとして発足した。ステーションは新規大 型の技術開発を旨とする研究体であるから,グ ループ以上に緊密な共同作業が必要である。最 初にとり組んだのはFR型高輝度X線源を利用 するシステムの整備であった。中沢,下村両主 任研究官を中心に他のメンバーも可能な限り協 力した。X線防護壁を作るためのIビーム加工 や冷却水系のビニール管工事などは楽しい思い 出である。超高圧下のX線解析実験システムと しては,昭和55年から始った放射光利用多面体 アンビル装置MAX―80が大がかりで長期の開 発であった。下村主任研究官の精力的努力は全 国の超高圧研究者や高工研放射光施設スタッフ から高い評価を得た。その後MAX―80による 実験は多岐にわたって急ピッチで進み,我が国 の超高圧実験の水準を示す好例として世界的に 著名となった。 昭和54年から開始したFB75型大容量超高圧 装置の開発は,昭和55年から予算化された科学 技術振興調整費による30,000トンプレス及び FB120型装置へと拡張され,設計全般を担当し た山岡主任研究官は非常な熱意をもって事にあ たった。赤石,神田第8グループ主任研究官, 大沢,長島技術職員の協力も多大なものがあっ た。30,000トンプレス及びFB120型装置のハー ド系は昭和60年3月に完成し,いよいよ本格的 な大容量装置への展開が可能になった。 発足以来8年間が経過し,今後の数年は超高 圧力ステーションとして仕上げの時期と考えて いる。すなわち,多年月と莫大な予算を行使し て完成したシステムを最大限に利用して,世界 に類例のない高度な材質研究に資するべく,こ れまで以上に各研究グループとの共同研究,ス テーションとして独自な材質の芽を確立するこ となどが現実の課題となってきた。また当ス テーションの研究設備及び技術水準は世界的に も評価が高まりつつあり,諸外国からの共同研 究や研究者の滞在に関する希望が年々増してい る。国際的にも国内的にも解放性の高い研究組 織としての整備が緊急の課題である。特に60年 度は中,短期滞在外国人研究者を4名受入れた。 今後は科技庁等の滞在費支給予算が飛躍的に増 強される必要を痛感している。 昭和60年3月に中沢主任研究官は第15グルー プ総合研究官に昇任転出し,カナダNRCから三 島研究員が参加した。依然4名の研究者で構成 しているため,お互いに超多忙の状況である。 発足以来,事務的連絡のみの会議はなるべくさ けているが,全員が同室に机を置くことを原則 としているので,各種の連絡は短時間でスムー ズに流れていく。 研究の進渉状況についてもお 互いに常時顔を合わせているため,およそのこ とは自然に明らかとなる。これは逆に少人数の メリットでもある。 昭和61年新春早々技術課増田,小倉技術職員 と共同で試作設計した高トルク型超硬質材料研 削加工機は,市販品と比較して2桁以上高能率 であることが大型ダイヤモンド焼結体の研削試 験により明らかとなった。独自の技術が新しい 素材を生みそれがさらに別な技術開発へと連続 する流れを示す好個な例を見る思いがする。 2)超高温ステーション 科学技術が進展するにつれて,高度な機能を 有する付加価値の高い材料が,益々要求される ようになってきました。それと共に,材料を合 成する温度も上昇の一途をたどっています。 SiCを常圧焼結して,高密度の焼結体にするに は,2,000℃以上の温度が必要ですし,高融点物 質を単結晶にするには,約8,000℃の超高温を発 するキセノン・アークプラズマの使用が必要で す。また,最近注目されている超微粒子の合成 には,超高温のプラズマ中の化学種を急冷する 手法が用いられます。この数例からもお分かり のように,2,000℃以上の温度を利用する科学技 術は,我々の身近なものになって来ました。こ のような状況の中で,超高温ステーションでは, 超高温の発生・計測・利用技術に関する科学技 術の基礎を充実させ、高温科学の進展を期すべ <,次のような目標をかかげて,研究を推進し ます。「超高温の発生技術・計測・制御技術及び 利用技術の研究を通じ,新物質及び新素材の創 製を行うため,必要な諸技術を開発する。また, 開発技術の効率的推進をはかるため,関連グ ループと共同研究して,種々の材質の合成研究, 解析研究を行う。」この目標を基に研究業務を推 進致しますが,私達は,当面,興味ある装置開 発や応用の期待できる高周波熱プラズマ (4,000~15,000℃)に着目して,その熱プラズ マ発生装置の開発を行います。 先づ,高周波熱プラズマの発生原理を簡単に 述べましょう。コイルの両端に高周波(数百 KHz~数MHz)を印加しますと,コイル内に電 界が誘起します。それがコイル内の気体を絶縁 破壊するのに十分であれば,熱プラズマが発生 します。通常,シリカの管にコイルを巻き,そ の中の気体を熱プラズマにします。この発生法 からも分るように,高周波熱プラズマは次のよ うな特徴を有します。 (1)無電極のため電極物質による汚染がなく, 高純度物質の合成が出来る。 (2)酸化,還元,腐食性などあらゆる反応ガ スが利用できる。 (3)熱容量の極めて大きな熱源である。 (4)プラズマ中の高エネルギーの化学種を反 応に利用できるため,新物質・新素材の創製が 出来る。 (5)プラズマの流速が遅く,熱の有効利用が 出来る,などです。その他にもいろいろと優れ た性質があります。 高周波熱プラズマの利用技術には,超微粒子 の合成,膜合成,金属の製錬,アモルファス材 料の合成,単結晶の育成など波及効果の高い材 料の合成が山積していますので,これらの目的 に応じた反応炉の設計と開発を先づ第一に行い ます。そのためには,熱プラズマと高周波の相 互作用,反応炉の気密と炉壁の冷却法,ガスお よび試料の導入法などの基礎的諸問題を十分検 討します。また反応炉の効率的改良をはかるた め,独自あるいは研究グループと共同して合成 研究も行います。第二に,熱プラズマ中の温度, 密度,化学種の計測を行い,反応炉の設計と開 発に役立てます。それと共に,超高温の熱力学 データーベースの作成を行います。コンピュー ターシミレーションにより, 熱プラズマの温度, 温度分布,物質の流れの数値解析の手法につい ても検討します。第三に,高周波熱プラズマ合 成によりえられた材料の基礎的評価をはじめと して,実用的評価についても行います。 以上が,超高温ステーションの主な業務でご ざいますが,幸にも,昭和60~62年,科学技術 振興調整費をいただきました。現在,世界に類 例のない100KW・15~100MHz連続可変の大型 高周波電源および反応炉を開発中でございます。 末筆になりましたが,超高温ステーションの 新設にご尽力いただきました先輩の方々ならび に所員の方々に心からお礼申し上げます。 3.特別研究の推進 無機材質研究所の特別研究は,グループ研究 における基礎的研究及びステーションでの共通 的,基盤的研究において得られた成果を発展さ せるもので, ① 基礎技術であって学術的要請から早急に その水準を高める必要性がある課題 ② 経済・社会的要請と合致した実用化指向 を持つ課題 のうち,具体的研究目標,研究計画が設定でき, かつ,研究体制の確保が図られるものについて 「特別研究」として強力に推進している。 特別研究は,昭和52年度から実施し,これま で9課題について研究を行い,昭和60年までに 6課題が研究を終了した。 特別研究の研究成果は,新技術開発事業団を 通じ,委託開発あるいはあっせんにより実用化 のための企業化が図られている。 1)電子セラミックス材料(昭和52年度~昭 和54年度) (1)希土類添加型BaTiO3半導体の研究 従来チタン酸バリウムに希土類を添加,焼成 することによって半導体化する事実が知られて おり,これはチタン酸バリウムのバリウム位置 がランタンによって置換される結果生ずるプラ スの実効電荷を補償するために電子が生成する ことによるものと考えられて来た。 この様な機構に対して,半導体化が次の様な 機構で発現することが新しく提案された。(ⅰ)バ リウム位置を置換して生ずるプラスの実効電荷 はバリウム位置がチタン位置の陽イオン空孔の 生成によって補償される(ⅱ)バリウム位置空孔の 導入によって系の化学結合強度が弱化する(ⅲ)そ の結果,このものを高温に加熱した場合,酸素 副格子の熱解離が起り,固体側には酸素空孔と 電子を発生し,該電子がN型半導体の原因とな る。この様な考え方によって従来の多くの難点 が解決された。 (2) La1-xNaxFeO3-δの電磁気的研究 LaFeO3,オルソフェライトのLaの一部を Na+で置換固溶したLa1-xNaxFeO3 (x≤0.25) の欠陥構造について検討した結果,Na+の固溶 によって生じた陽イオンの不足分は,大部分が 酸素欠損によって,一部Fe3+, Fe4+の混合原子 価の生成によって補償される。この系の磁気的 性質としての寄生強磁性成分及び磁化率が共に Na+の含有量と共に増大し,これらの原因とし て酸素欠損及びそれに寄因する斜方歪みなどが 考えられた。 この系の更に大きな特長は,磁化が酸素分圧 によって可逆的に変化することで,従って酸素 センサとしての応用が考えられている。 (3) PZT系及び(Pb1-xNay□x—y) (Zr, Ti) O3-δ系圧電体の研究 相界面組成のPZTを乾式法で作成すると正 方晶と菱面体晶の二相共存が起り圧電的特性に 重大な影響を与えることが知られて来た。これ はPZTのX線的等価位置にあるジルコニウム とチタンが不均一に分布する結果であることを 始めて明らかにした。このような事実に基づい て,いわゆる湿式一乾式組み合わせ法によって 組成変動の全くないPZTの合成に成功した。該 PZTは相界面組成のものであっても二相共存 は起らず,すぐれた誘電特性や圧電性を示した。 一方PZTにNaを添加したいわばNa―PZT の合成に成功した。このものは(Pb1-xNay □ x-y) (Zr, Ti) O3-δの様な欠陥構造を示し, Naの存在が陽イオン空孔の安定化に寄与して いる。このものはペロブスカイトABO3のA位 置での組成変動が顕著で,キュリー点での誘電 異常は拡散している。 (4) ZnO ZnO粉末を加圧焼結することによって透光性 ZnOセラミックの合成に成功した。この条件は, 温度1000℃以下,圧力300kg/cm2以上,添加物と してアルカリ元素が有効であることの三点に要 約される。粒成長の圧力依存性を検討した結果, 応力1000kg/cm2で極大を示し,その大きさは約50 μmに及んだ。また該セラミックスの高次構造 として積層欠陥,転位及び不純物の析出が観測 された。転位は一般に粒子の中央部よりも粒界 近傍に多く存在する。これは粒界近傍が高い応 力状態にあることを示すものである。すべり面 を異にした転位の合体は点欠陥や格子間原子の 濃度を高め,その結果拡散が促進されて粒成長 速度が増大する。 2)耐熱構造材料の焼結加工法(昭和52年度 ~昭和55年度) Si3N4やSiC系焼結材料が,高温構造材料とし て次第に注目されつつあった当時の状況で,構 造材料用セラミックスの研究環境を早急に整備 し,時代の要請に対応すべく計画した特別研究 である。高温で高強度な焼結体を得ることを目 標に,原料粉末の合成,焼結,焼結手法,焼結 体の高温下での機械的性質に関する研究を行 なった。研究の対象とした材質別に概要を記せ ば次のようになる。 Si3N4系材質では,主として酸化物系助剤を 用いた焼結,焼結体の機械的性質に関する研究 が行なわれた。Si3N4に酸化物系助剤を加えて 冷間成形し,これを窒素雰囲気下で高温に保持 すると,反応系からSiOやN2が逸散し,焼結の進 行を妨げる。このため,Si3N4の焼結には,この 難点が緩和されるホットプレス法(加圧焼結法) が当時多用されていた。しかしながら,複雑形 状を有する製品をホットプレスで製造すること は難かしく,無加圧焼結法の開発が望まれてい た。この特別研究では,この難点を解消する方 法としてSiOの分圧制御無加圧焼結によるβ ―サイアロンの無加圧焼結の可能性と,加圧窒 素ガス中で焼結を行なうことの効果を検討した。 この結果,無加圧焼結により,比較的高密度 のβ ―サイアロン焼結体(Z= 2)を得ることが でき,ガス圧下での焼結も,前記逸散を抑制す るのに有効であるとの結論を得た。1300℃以上 の温度域で強度低下はみられたが,室温 ~1200℃の温度域で450~500MPa程度で,ほぼ 一定の曲げ強さを有するβ―サイアロンの無加 圧焼結体を得ることができた。β―サイアロン の焼結体の耐酸化性は,アルミニウム固溶量の 増加と共に低下する傾向があることも分った。 高強度焼結体として知られているY2O3を助 剤の一部として用いた加圧焼結体に関しても, 強度特性,耐酸化性を調べ,特に耐クリープ性 および耐酸化性にまだ問題が残っていることが 分った。 炭化けい素系材質では,アルミニウムを微量 固溶した原料粉末が,易焼結性を示し,ほう素 系助剤の添加量の低減に有効であることを見出 し,この現象の周辺を研究した。ホットプレス による焼結体であるが,微量のアルミニウムを 固溶したα―SiC粉末を用い,ほう素0.2wt―% 添加で室温で580MPa,1000℃で640MPa, 1300℃ で670MPa,1500℃ で730MPa の曲げ強さ を有するものが得られ,耐クリープ性も酸化物 添加のSi3N4系焼結体に比べ良好なことが分っ た。 SiCのような共有結合性の大きい化合物が難 焼結性を示す理由についても検討を加えた。従 来,結晶中のSiないしC原子の拡散速度が小さ いことに根拠を求める考え方が主流であったが, 高純度なSiC結晶や高純度粉末を用いた研究結 果は,SiCの一般粒界の形成による表面自由エ ネルギーの緩和は極めて小さく,これが主たる 原因であると結論した。共有結合性の大きい化 合物の粉体の緻密化には,適当な添加物が不可 欠であると考えられた。 窒化アルミニウム系材質については,AlN ―Al2O3系で得られるホットプレス焼結体の強 度特性を,焼結体を構成する結晶相の種類との 関連で研究した。酸素5wt―%をAl2O3の形で 添加した焼結体で,室温で360MPa,1400℃で 450Mpaの曲げ強さを有するものが得られた。 3)チタン酸カリウム繊維の合成(昭和54年 度~昭和56年度) チタン酸カリウム繊維は「酸化チタン」のグ ループ研究の中でルチル単結晶の結晶成長に関 する研究としてフラックス法で形態変化を制御 する研究過程の中で偶然に合成されたものであ る。これをグループ研究の中でシーズ研究とし て育て,特別研究で発展させたものである。 チタン酸カリウムは一般式K2O・nTiO2で示 す物質系列の総称名である。nは1~8まで知 られているが,工業的に重要なものはnが2, 4, 6の3種類である。本研究ではこの3種類 の二チタン酸カリウム(K2Ti2O5),四チタン酸 カリウム(K2Ti4O9),六チタン酸カリウム(K2 Ti6O13)を取り上げて研究した。当時は米国デュ ポン社が1960年頃一度はK2Ti6O13繊維に関し て企業化したが失敗したと云ういわく付きの材 料であった。 研究の主要な目標は無公害性の方法でマクロ な繊維を製造する技術開発と材料特性を明らか にすることであった。 合成法の研究では最初「フラックス法」を研 究した。フラックスとしてK2MoO4を開発した 結果,低揮発性がありMoO3で回収できるため 無公害化製造が可能となった。繊維の成長反応 及び状態図の研究から溶解―析出反応ではなく, 分解溶融―会合反応で生成するH2Ti4O9繊維が 長繊維化することが判明し,フラックスの触媒 的作用を解明して使用の少量化を計った。次に K2Ti4O9繊維は層状構造であることに注目し, 層間の一部のKイオンの溶出処理と熱処理を施 すことによりトンネル構造のK2Ti6O13繊維へ 移行することを明らかにして製造技術を確立し た。その結果,従来の技術より約10倍~100倍の 長繊維化に成功した。続いて,フラックスを全 く使用しない「徐冷焼成法」を確立した。これ はK2Ti4O9の成長反応である分解溶融―会合反 応を忠実に応用したもので,フラックス法の改 良法でもある。短繊維製造に適する。さらに状 態図の研究からK2Ti2O5が低温で調和溶融する ことが明白となったためそれを応用して「メル ト法」を確立した。融体急冷によりK2Ti2O5繊維 を合成するが,これも層状構造のためK2Ti4O9 繊維と同様に2次処理してトンネル構造のK2 Ti6O13繊維を合成することに成功したものであ る。これらの3種類の合成法はいづれも初生相 として層状構造チタン酸カリウム繊維を合成す るため,2次処理によりK2Ti6O13繊維の他にも 各種の誘導体を合成することができる。酸処理 して全部のKイオンを溶出すればチタニア繊維 となる。 K2Ti6O13繊維の材料特性を明らかにした結 果,耐熱性,断熱性,耐化学性に優れ,硬度も モース硬度4であることから,熱可塑性樹脂の 補強材,断熱塗料をはじめアスベスト代替繊維 として摩擦材,セメント補強材など広い用途に 発展している。層状構造チタン酸繊維は陽イオ ン交換材として優れており,高レベル放射性廃 液処理材,鉱物固定化材,地層処分時の化学バ リア材として優れた特性を示す。特にCsやSrの 分離・固定化材として有効である。 4)超高温耐熱セラミックスの研究開発(昭 和55年度~昭和59年度) 本特別研究はエネルギー関連技術開発に不可 欠な高温耐熱セラミックス材料の研究開発が目 TiS1.46の電子線回析図 図1 層状構造チタン酸カリムウ繊維の合成と各 種誘導体の合成工程概略図 的である。原子力及び省エネルギーのための熱 源高温化の傾向は,材料に対し,高温耐熱性, 同強度,同耐クリープ,耐熱衝撃性,耐酸化性, 耐蝕性,耐放射性などにおいて,より苛酷な条 件を要求している。これ等の苛酷な要求に応え る材料の多くは高融点物質の領域に知られてお り,MgO, Al2O3, ZrO2, ThO2, BeO等の高融 点酸化物,C, B4C, SiC, Si3N4, Sialon等の非 酸化物およびTi, Nb, Ta, W, Mo等のⅤ~Ⅵ 族の高融点遷移元素との炭化物,窒化物,硼��化 物およびけい化物等が含まれており,新エネル ギー開発,省エネルギー技術開発等に必要な 種々の材料を顕在的あるいは潜在的に包含する 領域である。これらの領域は材料科学において 最も未開発の領域である。これら超高融点物質 に共通する特長は,融点付近で蒸発が活発化す ることで,しかもそれは多くの場合,試料組成 に変化をもたらす選択的蒸発である。これ等の 諸問題を踏まえて,以下に示す様な研究を行っ た。 1.高温高圧下における新材料研究システム の開発 浮遊帯域徐冷法(Slow cooling float zone以 下S.C.F.Z.)の採用による200気圧の高ガス 圧下における高融点単結晶育成装置の試作およ び評価システムの開発。 2.窒化けい素の焼結研究 1~10気圧の窒素ガス中で最高温度2300℃で 焼結しうるガス圧焼結炉装置を試作した。常圧 焼結に比し,Si3N4の分解温度を高く出来,焼結 温度のアップを可能にし,焼結体中の粒成長(特 にテスペクト比の大きい粒子)による靱性の向 上を認めた。ガス圧焼結炉にホットプレス装置 を組みこみ,従来焼結が困難とされたSi3N4 ―Y2O3系焼結体の緻密化に成功した。常圧焼結 窒化けい素を10~126MPaの高圧窒素ガスで, 1500~1750℃でHIPした場合の焼結挙動にいて 研究し,焼結体中に包まれる気孔の物理化学的 作用を明らかにすると共に高圧窒素ガスによる 焼結体中に含有するけい素の窒化現象を見い出 した。 3.サイアロンの焼結 β―サイアロンのの常圧焼結による強度と微 構造の関係についての研究を行うと共に,厳選 された高純度原料を使用することによって透光 性のあるサイアロン焼結体を得た。α―サイア ロンの焼結を行い,その微構造及び物理的特性 の測定結果との対比を行い,新たな知見を得た。 4.キャラクタリゼーション 上記1~3の諸装置によって得られた試料の キャラクタリゼーションとして,X線・中性子 線の回折現象を利用した1500℃以上の高温下に おける高温回折装置の試作および非酸化物試料 の高温酸化抵抗測定装置の試作を行い,Si3N4, SiC, Sialon等の焼結体の酸化挙動を明らかに した。 以上の如く本特別研究はグループ制のもとで の研究体制と異なり,任意のグループより研究 員が参加しての特別研究であるため,研究の範 囲は限定された物質に拘束されず,むしろ従来 にない新しい装置を試作し,その装置を利用し て従来の方法では得られない特性をもった,超 高温耐熱セラミックスの創製及びそのキャクタ リゼーションが主目的であったために,極めて リスクの高い,また未踏の極限技術に対する挑 戦として行われた研究と言えよう。周到な理論 的考察と予備実験によって裏付けされた実験計 画は,限定された予算と人員及び期限という厳 しい条件下にもかかわらず,それなりの成果を 納めたものと確信している。 5)電子放射材料(昭和56年度~昭和60年度) 電子ビーム描画装置,新機能電子顕微鏡等の 高輝度電子源として期待されている電界電子放 射材料を開発するために,遷移金属炭化物を中 心にして,単結晶育成,表面状態および電子放 射特性に関する研究を行った。 安定な電子放射特性を示すフィールドエミッ ターとして,高純度で且つ定比に近い組成をも つ炭化チタン(TiC)単結晶が重要であることを 見いだした。TiC単結晶は新たに開発したゾー ン レベリング ・フローテ ィ ングゾーン法を用い て,数気圧のヘリウム雰囲気圧下で,5mm/hの 育成速度で結晶育成を行うのが良質単結晶育成 の最適条件であることを明らかにした。 TiC単結晶チップ(〈100〉,〈110〉,〈111〉)から の電界放射パターンを解析した結果,電子ビー ム は, チップ先端形状が(100),(111)の各面 (イ) (ロ) 図TiC 〈110〉フィールドエミッター(イ)とチップの拡大写真(ロ) で囲まれた多面体形状となり,先端形状の電界 強度の強い局所部分から放射していることがわ かった。この解析結果より,エミッター軸方位 に電子が放射する方位として〈110〉が応用上重 要であることを見いだした。 安定な電界放射電流を得るために種々の要因 を検討した結果,1)陰極材料,2)陽極構造,3) 真空度の3要素技術を解決してはじめて良好な 実用可能な電界放射電流が得られることがわ かった。陰極材料としては,TiC〈110〉チップ が優れているが,再現性よく且つ安定な電流を 得るには,TiC〈110〉チップの表面処理が有効 であることを見いだした。チップの表面処理法 は次の通りである。1500℃以上のフラッシュ加 熱により清浄表面を作製する。次にチップの 入っている超高真空室に酸素,エチレン,硫化 水素等のガスを導入して~1×10-6Torrの真 空度にする。ガス雰囲気中でチップを1100℃に 約10秒間加熱する。後 真空排気後,10μAを30 分間放出し続けて電界放射パターンを変化させ て,表面処理が終了する。表面処理したTiC 〈110〉チップからの放射電流は,電流雑音が 0.2%以下,ドリフトが-0.05%/h以下と極め て安定な特性を示す。次にアノードからの放出 ガスが雑音の原因になるので徹底的にアノード のガス出しのできる構造が重要である。TiC 〈110〉チップの雑音の主原因は残留ガスのイオ ン化によるチップへのイオン衝撃であるので, 真空度向上が3番目の安定化へのアプローチで ある。これまでにチップ位置で5 ×10-12Torrの 真空度を達成して電流安定性の向上を確認した。 電界放射の安定性の向上を目的として極高真 空電界放射型電子銃を試作した。この電子銃の 特徴の一つは,電子銃自体が液体窒素で冷却可 能なサブリメーションポンプになっていること である。チップ近傍の真空度は10-12Torr台に入 るように設計されている。この電子銃に表面処 理TiC 〈110〉チップと特殊構造アノードを搭載 して,実用電流である10μAを5時間安定にとり だすことに成功した。放射電流の安定性の一層 の向上と,大電流化をめざして,現在,TiC〈110〉 チップの表面処理法とアノード構造の再検討を 行なっている。 6)オプトエレクトロニクス焼結材料(昭和 57年度~昭和60年度) 最近オプトエレクトロニクスと云った言葉が 身近かに使われる様になってきた。これは光と 電子が関与する現象を利用した機能を実現する こと,およびその機能を用いて組み立てられた 技術体系である。代表的システムとして光ファ イバーとレーザ光を用いた光通信を挙げること ができる。 オプトエレクトロニクス用セラミックスの代 表的なものとしてPLZTとY2O3 (ThO2)があ る。前者は光シャッタ,光バルブ,画像蓄積装 置,ゴーグル,光変調素子などとして,また後 者は固体レーザとしての大きな期待がある。本 研究ではPLZT, CLN―PZT 〔x(CaO ・ 1/4La2 O3 ・ 1/4(Nb2O5) ・(1-x){Pb(Zry ・ Ti1-y) O3}〕,ZnO, MgO, Al2O3, YAGなどのセラミッ クスの透光化及びそのキャラクタリゼーション, 物性研究を目的としたものである。 (1)多段湿式法によるPLZT及び各種ペロブ スカイトセラミックスの合成法に関する研究 PLZTの原料粉末の合成法として乾式法及び アルコキシド法が知られており,これらを成型 後ホットプレスして透光体を作製する方法が一 般的手法として知られている。この方法の難点 はホットプレス法を採用することで高価に過ぎ ると云うことである。 多段湿式法では,PLZTを構成する元素に係 る溶液を作成し,沈澱を多段に形成して最終的 にPLZTに係る均密沈澱を作成する。例えば PLZの沈澱を形成後,該沈澱分散液中でTの沈 澱を生成する。この手法の特長は(ⅰ)安価な四塩 化チタンを使用できる(ⅱ)沈澱を収率良く作成で きる(ⅲ)易焼結性,均一性,高嵩密度,低コスト を同時に満足するなどである。この手法によっ て作成したPLZT粉末は雰囲気焼結によっても 理論透過度が達成される。 多段湿式法はPLZT原料粉末の作成にとどま らず,広くペロブスカイト系粉末の合成に適用 可能である。現在PZT, PCT (C : Ca),各種 三成分系圧電体,バリウムやストロンチウムを 含むペロブスカイト系に適用することによって, 添加物なしの常圧焼結によって99%以上の相対 密度のセラミックスの合成に成功している。 (2)蓚酸―エタノール法によるPLZTセラ ミックスの合成 これはPb, La, Zr, Tiの共存溶液中に蓚酸の エタノ ール溶液を添加することによって沈澱形 成後,仮焼してPLZT粉末を得る方法である。こ の手法によってサブミクロン級の原料粉末が得 られ,ホットプレスによって理論透過度を達成 することができる。 (3) YAG透光性セラミックスの合成 固体レーザの代表としてのYAGは発振のし きい値が低い,発振利得が大きいなどの特長を 有し,材料の衝撃,硬化,グレージング,穴あ け,溶接,焼入れ,切断などの加工に常用され ているが,大口径のものを引き上げ法などに よって作成するのは難しいとされている。本研 究では各種湿式合成法によってYAG原料粉末 を作成し,これに微量のシリカなどを添加する ことによって透明化に成功している。 (4) MgO透明セラミックスの作成 良く制御されたMgO粉末にシリカ,アルミナ などを添加することによって極めて低温での焼 結によって透光体が作成されている。特にシリ カ添加体は粒界に非吸湿性物質の析出によって, 吸湿性が殆んど認められない特長をもっていて, 赤外線透過体としての利用などの用途が期待さ れている。 7)生体機能性セラミックス(昭和60年度 ~昭和64年度) アパタイト(Ca10 (PO4)6 (OH)2)系焼結体 が生体組織になじみやすい性質を有することか ら,特にすぐれた骨代替用素材であることが見 出されて10年以上経過し,初期強度を要しない 部位への充塡材としての実用にまで進んでいる。 しかし,強度を要する人工骨としてアパタイト 焼結体を用いることは未だ実験段階を出ていな い。現状では各種金属,プラスチック,アルミ ナ等を体内に埋込んで使用することが広く行な われているが,生体親和性等の問題もあり,よ り良質の骨代替物を開発することが必要で,技 術的にこれが実行可能であるとの見地からこの 研究が開始された。老人を含む病弱な人にも適 用可能なアパタイト系人工骨の実用化を図るた めにはまずアパタイト焼結体の新しい製造法と, 異種材質との複合化技術を開発する必要がある。 当研究所においては,これまでの研究成果と して室温水硬性アパタイト質セメント,各種ア パタイト多孔体,高純度で且つ空孔等の欠陥を 持たないアパタイト質ち密質焼結体の製法を確 立して来た。 現在は,アパタイトの新しい製法を検討する と共に,流体を圧力媒体とする加圧,加熱装置 を試作しており,これを用いて非化学量論比ア パタイト焼結体の製造,複合化技術の開発等を 行う計画である。更に,アパタイトへの生体物 質の吸着等の基礎的知見を集積して,将来の動 物実験及び臨床実験において良好な結果を得る ことが期待できるアパタイト系インプラント材 の製法を開発する。 8)ダイヤモンドの半導体化に関する研究 (昭和61年度~) ダイヤモンドは高い熱伝導性をもち,その不 純物拡散係数はシリコンに比べてはるかに小さ いことが予想されている。従ってダイヤモンド の半導体が合成されれば,優れた高温半導体材 料(耐熱半導体材料)として,集積度の極めて 高い素子や,大きな電流密度を必要とするマイ クロ波発振素子など,いずれも発熱密度の高い 用途には最適の材料であることが期待される。 しかし,半導体ダイヤモンドの合成については 米国における1960年代の高圧法による研究以降, 大きな進展がみられない。 気相法は従来の高圧合成法に比べ不純物制御 に対する制約がより少ないと考えられる。そこ で,本研究ではこの特徴を生かし,気相法を中 心にダイヤモンド半導体の合成法を確立すると 共に,その半導体としての基本的特性を明らか にすることを目標とする。第一段階として,改 良型マイクロ波プラズマ合成装置を試作し,ほ う素及びりんを固溶した多結晶薄膜半導体の合 成実験を行ない,さらに他のⅢ族及びⅤ族元素 の固溶についても検討し,合成の最適条件を決 定する。得られた試料について,不純物分析, 電気伝導度とその温度変化,ゼーベック係数な どを測定する。次に,多重ビーム合成装置を試 作し,単結晶薄膜半導体の合成実験を行う。得 られた試料を用いて不純物の拡散,キャリアの 易動度,耐熱性などの基礎的性質を明らかにす る。 9)超耐摩耗性材料の開発研究(昭和61年度 ~) 最近の先端科学技術の進歩に伴い,機械構造 部品に用いられる高性能エンジニアリングセラ ミックスが注目されている。この分野でセラ ミックスを利用するには,高能率,高精度の機 械加工が必要であり,このためにはこれらセラ ミックス材料に対して高い耐摩耗性を持ち,工 具として利用できる新たな材料を開発する必要 がある。 この目的に対応し得る材料としては,現存す る物質の中で最高の硬さと熱伝導性を持つダイ ヤモンド及び立方晶窒化ホウ素の焼結体の利用 が考えられる。しかし,両物質とも典型的な難 焼結性物質であり,現在では多量の焼結助剤を 用いて焼結体が作製されている。この焼結助剤 の存在が,硬度と熱伝導性を低下させ,その結 果,両物質が本来持つ耐摩耗性を著しく低下さ せる原因となっている。 これら焼結体は,通常6万気圧程度の高圧, 1500℃程度の高温下で作製される。昭和59年度 には,加圧空間1ℓ,発生圧力10GPaの超大型 超高圧装置が導入され,実用材料に供すること ができる大型焼結体を作製できるようになった。 本特別研究は,この大型高圧装置を利用し,か つ長年蓄積した超高圧力技術,焼結体作製技術 を適用して,焼結助剤を極力抑えた均質・高緻 密焼結体を作製し,単結晶なみの硬さと熱伝導 率を有する焼結体を作製することを目的とする。 また得られた焼結体のセラミックスに対する摩 耗を研究するとともに,工具を試作し,セラミッ クスの切削試験を行う。 4.その他の研究 グループ研究・ステーション研究及び特別研 究の他に,次のようなプロジェクト研究にも参 加している。 昭和47年度から,国立機関原子力試験研究費 により無機材質の有する優れた特徴を原子力の 研究開発に応用すると共に,放射性同位元素を 利用する手法等を無機材質の諸特性の解明に適 用するための研究を行っている。 昭和56年度からは,科学技術会議の方針に基 づいて,先導的・基盤的・創造的な研究分野に おいて,国際協力を含め,産・学・官の有機的 連携を必要とする総合的研究を実施するための 経費である科学技術振興調整費(昭和47年度か ら昭和55年度までは特別研究促進調整費)に研 究参加している。 このほか,昭和57年度から通商産業省の次世 代産業基盤技術研究開発制度の,新材料分野の プロジェクトの中の一つである「ファインセラ ミックスの研究開発」に参加し,セラミックス の破壊機構等の解明を行い,特に高温強度と寿 命に関する評価技術の研究を行っている。 なお,国立機関原子力試験研究費,科学技術 振興調整費等による実施課題は次のとおりであ る。 (1)国立機関原子力試験研究費による研究 昭和61年度約31百万円 無機材質の研究を行うに当たり,原子力,特 にRI・放射線を特性評価手法として利用するた めの周辺技術開発を行う他,無機材質の特性を 活かして,原子力産業で要請される諸条件に適 した新材料開発の一端を担う。 ①RIを利用する無機材質のキャラクタリ ゼーションに関する研究(昭和49年度~昭和62 年度) 原子力,宇宙航空,電子産業等に利用されて いる無機材質について中性子放射化分析法,ス ペクトロスコピー技術等を用いて,その組成, 組織,構造等を調べてキャラクタライズ(特性 付け)することにより,再現性ある材質創製に 資する。 ② 無機材質の放射性廃棄物処理・処分への 利用に関する研究(昭和57年度~昭和61年度) 結晶質チタン酸繊維を用いて,水溶液中の Cs, Sr, Uや遷移金属,希土類イオン等の重要 模擬核種の分配係数,選択係数等を調べ,吸着 機構を解明する。また,高レベル放射性廃棄物 処理・処分材,特に,地層処分における人工バ リヤー材としての有効性を検討する。 ③ 耐放射線性無機材料に関する研究(昭和 60年度~昭和64年度) 耐熱,耐食性等無機材質の備える優れた特徴 を活かし,高温,高放射線照射環境下で機能す 原 子 力 関 係 予 算 年 度 別 推 移 表 (単 位 : 千 円 ) 年 度 事 項 47 年 度 48 年 度 49 年 度 50 年 度 51 年 度 52 年 度 53 年 度 54 年 度 55 年 度 56 年 度 57 年 度 58 年 度 59 年 度 60 年 度 1 . 陽 電 子 消 滅 法 の 無 機 材 質 構 造 解 析 へ の 利 用 研 究 15 ,1 50 16 ,3 59 12 ,2 28 5, 00 0 1, 00 0 1, 77 7 4, 50 0 18 ,4 90 21 ,5 82 17 ,6 04 2. R Iを 利 用 す る 無 機 材 質 の キ ャ ラ ク タ リ ゼ ー シ ョ ン に 関 す る 研 究 6, 09 6 12 ,4 70 20 ,0 90 5, 07 3 5, 43 1 5, 42 0 3, 37 8 7, 33 3 8, 67 6 4, 46 1 6, 39 4 5, 66 4 3 . 放 射 線 障 害 防 止 に 必 要 な 経 費 3, 87 0 3, 13 6 18 0 15 1 25 2 69 1 59 0 2, 07 2 99 11 9 4 . 中 性 子 収 納 建 屋 6, 62 8 5 . 無 機 材 質 の 中 性 子 線 検 出 材 料 と し て 利 用 に 関 す る 基 礎 研 究 4, 38 2 1, 09 6 88 1 6 . 無 機 材 質 の 放 射 性 廃 棄 物 処 理 ・ 処 分 へ の 利 用 に 関 す る 研 究 16 ,3 00 17 ,7 55 18 ,5 79 15 ,8 54 7 . 耐 放 射 線 性 無 機 材 料 に 関 す る 研 究 8, 83 9 合 計 15 ,1 50 16 ,3 59 18 ,3 24 21 ,3 40 27 ,7 18 14 ,3 67 11 ,2 07 24 ,9 42 25 ,2 12 25 ,5 68 25 ,5 66 24 ,2 88 25 ,0 72 30 ,4 76 る様々な無機センサー,各種放射線測定用材料, 高温耐食性構造材料等の材料の総合的開発を行 う。 〈参考〉過去の研究テーマ ・陽電子消滅法の無機材質構造解析への利用 研究(47~56年度) ・無機材質の中性子線検出材料として利用に 関する研究(52~54年度) (2) 科学技術振興調整費による研究 科学技術振興調整費は,その前身を特別研究 促進調整費と言い,科学技術会議の方針に基づ いて,先導的・基盤的・創造的な研究分野にお いて,国際協力を含め,産・学・官の有機的連 携を必要とする総合的研究等を実施するための 経費であり,無機材質研究所は,現在,次の研 究プロジェクトに参画している。 ① 高性能材料開発のための表面・界面の制 御に関する研究(56~60年度)60年度約18百万 円 材料の表面・界面における原子配列,組成分 布を解明し,この成果を基にして,材料表面や 界面に新しい構造を創出するための技術を開発 し,高性能材料の創製に資する。このため,シ リコンの表面構造及び絶縁膜の成長機構等をイ オン散乱分光法により解明すると共に,シリコ ン上へイオンビームによるダイヤモンド薄膜 (無機絶縁膜)の成長に関する研究を行う。ま た,高温X線法及び分析電顕による構造・組成 の解明に関する研究を行う。 ② 無重力環境を利用した新材料創製に関す る研究(57~61年度)60年度約15百万円 宇宙空間の無重力環境を利用した新材料創製 に資するため,浮遊帯域法によるサマルスカイ ト等の単結晶の育成,相平衡等の研究を行う。 また,熱励起気相成長法によるダイヤモンド薄 膜の合成を行い,再現性向上のための諸因子の 摘出,結晶性に影響する成長条件の検討を行う。 ③ 半導体の格子欠陥を利用した材料機能の 制御に関する研究(58~60年度)60年度約7百 万円 情報・電子技術の基盤である半導体材料の機 能を格子欠陥によって制御することを目的とし て,cBN半導体の合成,格子欠陥の形態・分布 状態と機能制御等に関する研究を行う。 ④ 大出力・波長可変レーザー及びレーザー プロセシング技術に関する研究(58~60年度) 60年度約34百万円 レーザーは,核融合,ウラン濃縮,エネルギー 伝送,医学,通信等のキーテクノロジーとして 重要視されている。これらの技術開発には,波 長可変,大出力レーザーの開発を中心とする新 型レーザーが不可欠であり,ガーネット型大出 力,波長可変レーザー材料のための単結晶の育 成技術に関する研究を行う。 ⑤ ハイブリット化構造制御技術による新材 料創製のための基盤技術に関する研究(59~63 年度)60年度約72百万円 既存の材料分野の枠を超え,金属結合,共有 結合,イオン結合等を重畳し,原子・分子レベ ルでの構造を制御することにより,新材料創製 を行う研究である。 このため,セラミックスの構造設計に必要な 項目の抽出を行い,収集した資料のデータベー ス化を図る研究を行うと共に,格子欠陥,トン ネル構造等の低次元イオンパス構造の物質を原 子・分子レベルで制御して合成する研究を行う。 また,高分解能透過型電子顕微鏡によるハイ ブリット化構造を持つ材料の原子配列を解析・ 評価する技術に関する研究を行う。 ⑥ 超高温の発生・計測・利用技術に関する 研究(60~62年度)60年度約58百万円 新材料・新物質の創製のための重要な技術と して大きな可能性が期待される超高温技術の確 立を図るため,高周波熱プラズマによる高出 力・可変周波数(100Kw, 15~100MHz)電源 用熱プラズマ発生炉の開発研究を行う。 〔重点基礎研究〕 ⑦ 無機発光材料の高速励起緩和機構に関す る研究(60年度)60年度約8百万円 無機発光材料の未解明部分である発光状態に 至るまでの現象を系統的に解析するため,レー ザー 分光 技術 を 用い 発光過程及 び発光性を失わ せる様々な無輻射過程を解明する。 〈参考〉 過去の研究テーマ 特別研究促進調整費 ・超高圧力の発生測定技術に関する総合研究 (47~49年度) ・窒化物系誘電体膜に関する総合研究(50~52 年度) ・高輝度ビーム技術に関する総合研究(50~52 年度) ・超高圧力による焼結材料の合成に関する総 合研究(51~53年度) ・宇宙空間を用いた新材料製造のための地上 実験に関する総合研究(52~54年度) ・動的超高圧力に伴う温度の抑制技術に関す る総合研究(52~54年度) ・窒化物セラミックスの超高温高圧焼結法に 関する総合研究(54~55年度) ・生体成分及び細胞成分の分離技術に関する 総合研究(54~55年度) 科学技術振興調整費 ・大型超高圧力発生システムに関する総合研 究(55~59年度) ・高性能レーザーセンシングシステムに関す る総合研究(55~59年度) ・高性能電子顕微鏡の開発に関する研究 (55~56年度) (3)次世代産業基盤技術研究開発制度 (昭和60年度14百万円) 次世代産業基盤技術研究開発制度 (単位:千円) 年度 57 58 59 60事項 ファインセラミックス の研究開発評価技術 保証試験技術 破壊機構の解明 12,846 12,857 12,939 14,129 本制度は,通商産業省が,将来産業の基盤を 確立し,我が国が技術立国を目指すためのもの で,計画的かつ効率的な開発方式の下に,民間 のポテンシャルも積極的に活用し,次世代産業 に必要不可欠な基盤技術として,新材料,バイ オテクノロジー,新機能素子の3分野,12テー マを取り上げている。 当研究所は,新材料分野の一つである「ファ インセラミックの研究開発」に参画している。 当研究所は,電子顕微鏡によるミクロな観点 からファインセラミックス(窒化けい素,炭化 けい素焼結体等)の亀裂の発生・成長・伝播の 科 学 技 術 振 興 調 整 費 (特 別 研 究 促 進 調 整 費 ) 研 究 課 題 一 覧 (単 位 : 千 円 ) 年 度 研 究 課 題 名 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 備 考 1 . 超 高 圧 力 の 発 生 測 定 技 術 に 関 す る 総 合 研 究 1, 70 1 ← 2, 39 0 3, 87 3 → 2 . 窒 化 物 系 誘 電 体 膜 に 関 す る 総 合 研 究 11 ,0 33 ← 11 ,5 74 5, 84 0 → 3 . 光 輝 度 ビ ー ム 技 術 に 関 す る 総 合 研 究 46 8 ← 3, 60 6 4, 57 9 → 4 . 超 高 圧 力 に よ る 焼 結 材 料 の 合 成 に 関 す る 総 合 研 究 9, 26 2← 8, 43 0 5, 80 9→ 5 . 宇 宙 空 間 を 用 い た 新 材 料 製 造 の た め の 地 上 実 験 に 関 す る 総 合 研 究 3, 63 2← 5, 66 8 3, 54 3 → 6 . 動 的 超 高 圧 力 に 伴 う 温 度 の 抑 制 技 術 に 関 す る 総 合 研 究 3, 20 9 ← 5, 21 1 2, 60 7 → 7 . 窒 化 物 セ ラ ミ ッ ク ス の 超 高 温 高 圧 焼 結 法 に 関 す る 総 合 研 究 14 ,7 20 ← 11 ,0 28 → 8 . 生 体 成 分 及 び 細 胞 成 分 の 分 離 技 術 に 関 す る 総 合 研 究 4, 41 7 ← 2, 82 5 → 9 . 大 型 超 高 圧 力 発 生 シ ス テ ム に 関 す る 研 究 23 ,7 39 ← Ⅰ 40 ,1 00 期 → 16 2, 25 2 ← 28 2, 93 6 Ⅱ 期 53 ,1 74 → 1 0 .高 性 能 電 子 顕 微 鏡 の 開 発 に 関 す る 研 究 7, 19 9 8, 04 0 1 1 .高 性 能 レ ー ザ ー セ ン シ ン グ シ ス テ ム に 関 す る 研 究 12 ,3 67 ← Ⅰ 11 ,7 22 期 → 11 ,1 94 ← Ⅱ 11 ,1 67 期 → 1 2 .高 性 能 材 料 開 発 の た め の 表 面 ・ 界 面 の 制 御 技 術 に 関 す る 研 究 45 ,9 47 ← 49 ,4 85 Ⅰ 期 41 ,2 92 → 36 ,1 58 ← Ⅱ 17 ,7 78 期 → 1 3 .無 動 環 境 を 利 用 し た 新 材 料 の 創 製 に 関 す る 研 究 54 ,9 63 ← 58 ,4 34 17 ,0 02 15 ,2 43 ~ 61 年 度 1 4 .半 導 体 の 格 子 欠 陥 を 利 用 し た 材 料 機 能 の 制 御 に 関 す る 研 究 6, 39 2 ← 9, 40 9 6, 97 1 → 1 5 .大 出 力 ・ 波 長 可 変 レ ー ザ ー 及 び レ ー ザ ー プ ロ セ シ ン グ 技 術 に 関 す る 研 究 1, 42 1 ← → 調 査 研 究 38 ,9 31 ← 33 ,8 27 ~ 63 年 度 16 ・ ハ イ ブ リ ッ ド 化 構 造 設 計 技 術 に よ る 新 材 料 創 製 の た め の 基 盤 技 術 に 関 す る 研 究 3, 38 9 ← 調査 研究 → 10 7, 48 2 ← 71 ,6 43 ~ 63 年 度 1 7 .超 高 温 の 発 生 ・ 計 測 ・ 利 用 技 術 に 関 す る 研 究 3, 83 4 ← 調査 研 究→ 58 ,4 06 ← ~ 62 年 度 1 8 .無 機 発 光 材 料 の 高 速 励 起 緩 和 機 構 に 関 す る 研 究 (重 点 基 礎 研 究 ) 8, 33 1 ← → 計 1, 70 1 2, 39 0 3, 87 3 11 ,5 01 24 ,4 42 25 ,6 90 16 ,6 88 25 ,2 87 57 ,1 58 10 5, 80 9 27 7, 89 1 40 5, 03 1 26 5, 99 0 21 2, 19 9 直接観察及び粒界の組成分析,特に100Åφ以下 の局所領域でのB, C, O, N等軽元素の分析 を行い,高温強度と破壊に関する基礎的な知見 を得,破壊機構の明確化のための体系的な研究 を通してセラミックスの評価技術の確立に寄与 している。 Ⅲ.無機材質研究所に望む Ⅲ.無機材質研究所に望む 無機材質研究所に望む 旭ダイヤモンド工業(株) 取締役研究所長 犬塚英夫 ”無機材研に望む”と改まって言われると少しとまどいますが,我々材料関係者がいつもやって見 たいと考えていること,それが無機材研への要望となるでしょう。 そこでいつも考えていることを一つ二つ書いて見ましょう,その一つは未知の物質(新物質)の発 見への努力でしょう,周期率表とにらめっこをしながら組合せを考えて,しらみつぶしに色々の環境 の下で合成して行くのも一つの方法でしょう,又その他研究中に思いがけない物が出来たのを捨てず に追求するのも重要なことと思います。 未知物質に関した研究のことは運営会議にも話題となったことがあります。先日ニューダイヤモン ドフォーラムの開会の時もダイヤモンドより硬い物質は無いものか,又は今は無くても研究してほし いと言う意味の話をしたと思います。 これも非常に運の良い研究者は見つけるかも知れません,又だめかも知れません。 併しこう言うことを積極的に考えながら材料の研究をして行ける研究所があってもいいと考えます。 それには無機材研が最も適していると考えます。 その他に現在のダイヤモンドの合成,育成は皆高圧容器の中で行われているので眼で見ることが出 来ません,何とかダイヤモンドの核発生,成長の様子が見られないでしょうか。 その他願望は結晶成長を自然にまかせないで,人間の意思にそって高倍率の電顕で見ながら電子を 一ケ一ケ並べ,又つみ重ねて結晶を成長させて見たいものです。現在の技術を動員すれば出来るので はないでしょうか。 言いたいことをここに書きましたが,最後に一言,今迄の日本の研究・技術は一般に海外の追試が 多く,又それによって日本もここまで来たのでしょうが,もう日本も日本らしいオリジナルな研究・ 技術がほしいものです。 無機材研は国立機関か (財)ライフテクノロジー研究所常務理事 碓井 求 今から丁度10年前,「無機材研十年史」の座談会の席上伺ったが,研究所の創設に当りその性格は, 国立か,理研のような特殊法人か,又は制約の少ない財団法人にするかと検討された時期があった。 それぞれ長所があるが基礎研究を重視すること,そのためには研究者の身分と研究資金の安定が求め られる点が配慮され国立で行くと決められた経緯がある。 国立は,社会の信頼度も高く,創設時の願望があったとは言え,数次に亘る定員削減の波を乗り越 えて15グループが達成されたのも国立のお陰である。特に筑波移転を初め10年余の国の投資,最近完 成した超高圧力棟とその設備を見る時,流石は国の予算とその有難味が感じられる。 しかしこれに安住していて果たしてよいかどうか。確かに容れ物や,姿・形は国立でよいが,中身 と運営は国立の殻を破って欲しいと切望する次第である。 それは今から20年前,新規の国の機関は罷り成らぬという時期にも拘らず,認められたのは,無機 材質分野の研究の重要性が認められたのは勿論であるが,これと並んで従来にない研究体制と斬新な 運営を標榜したからにほかならない。 創立20年,「グループ研究」は,他に類例を見ない研究体制として定着し,その結果,多数の優れた 論文,卓越した特許,ノウハウ等も続出し,また企業化へのテンポも早いことは誠に御同慶の至りで あり,正に新体制の効果が出ていると言える。 しかしここで尚一層の努力目標として苦言を呈すれば体制と表裏一体となるべき運営面で残された リーダーのあり方につき申し上げたい。 研究所設立直後,山内先生にグループ研究とグループリーダーのあり方について御高説を伺った。 特にリーダーとは何かが分らず「部長と何処が違うのか。」「部長では何故駄目なのか。」を御教示戴い た。先生は「リーダーのあり方」を最初からこうだと決めるのではなく,「先ず実行しながら様子を見 て,固めて行く,悪い処は直して行く。そして慣習として皆で造って行くのだ」と。しかしその基本 は,「部長でなく委員長のようなものと言えるだろう。だからテーマに対し最も適任と思われる者が携 わる。自らも研究をする。給与面でも優遇するが,激職であるから,時々休むのも一方法であろう。」 と記憶している。 このような趣旨の第1号「リーダー」が田中前所長であって,「モルモット」代りだと冗談を言って おられた。 無機材研は,発足以来,その課題,将来計画等,かなりの回数と時間をかけ論議されたが,このリー ダーの性格,あり方等については,当事者が存在し,気の毒な事態が考えられるため出来るだけ避け て通ったキライがなかったか。 最近芸能界でも忙しいタレントは,数ケ月から半年間位充電と称して休養をとり、新しい仕事につ くため,整備点検した例がある。芸能界とちがうとお叱りを受けるかも知れないが,リーダーは,自 らが研究を行いそしてグループ全体の面倒を見る立場で,長い間には充電が必要ではないか。このと ころが部長と違う点と思われる。 無機材研は,国立である。国立なるが故に人事,処遇等形式論から始まるが,その前に研究が如何 に活性化し,よりよい方法で進めるべきか。の実質論を忘れないで欲しい。そしてこの問題は外部か ら言われる筋合いでなく所員が論じて方向づけを行う。そして事務系部門が仕上げをし,関係方面と 折衝すべきものと考える。 どうかリーダー問題に限らず運営面だけは,国立の壁を破り,前例を取り外す努力を重ねて戴きた い。 ――在職中は何も出来ず勝手なことを書きました。最も働き甲斐のあった無機材研の益々の発展を願 うあまり敢えて拙文を寄せた次第であります。―― 無機材質研究所に望む 前海洋科学技術センター理事長 梅沢邦臣 無機材研が茅先生,山内先生ほか多数の方々のご協力により設立されて20年,当時私も設立事務当 局の一員でしたが,時の流れの早い事と同時に石油ショック等の困難期もあったにもかかわらず,よ くここまで健全に発展出来たものと,感慨無量にて凡て所員各位の努力の賜と,改めて御礼を先ず申 し上げたい。 当時の計画を振り返って見ると,グループの陣容の不足は別として,所長研究室が設けられていな いが,ステーションが設けられて活躍している。 当時所長研究室を考えた時には,グループリーダーの若返り,あるいは,15グループへの指導協力 に必要ではないかと考え出されたものであるが,そろそろ検討にあたいするのではないかと私考して いる。 設立当初からの問題点で,もう一つ残っているのは,グループリーダーへの管理職手当の問題と思 う。私達は,大学の学部長手当の様なものを考えていて,その他は研究職手当で進めて行く方針であっ たが,関係官庁の方式をまげ得ず,部課長手当に類似してしまっている。この点はお詫びしなければ ならない一人であろう。 最近国立研究機関,大学等の研究機関に於ける創造性発揮への問題点についてのアンケート調査を 行ったのに関与したので,その中から将来への要望を(実施するには多難の関所があろうが)以下述 ベてみよう。 (1)創造的人材の育成充実について 研究者の自由な発想の尊重。研究施設の整備。ある程度の無駄や失敗を恐れず研究が出来る様 にすること等の意見が多い。 (2)研究機関を常に若々しく保つ方策について 国立研究機関と大学との交流が必要に応じて,容易に出来る制度。民間の研究者が容易に参加 出来る制度。人事交流又は協同研究参加に伴う処遇上の不利益がないようにすること。等々を要 望している。 (3)研究の評価について 第三者を含めての評価。所内幹部での評価。国内外学会での評価。研究所長の評価等意見はま ちまちであり,評価するタイミングについても夫々意見が異なっておる。 要するに夫々の研究所が自主的に考えるべきものと思われる。 (4)研究者に今後付与すべき諸点について 所内で研究にすぐれたと認められる研究者の特別優遇方策。海外に於ける研究の機会を与える こと。国際学会で発表出来る機会を多くすること。等が多く望まれている。 研究機関の在り方については種々な意見があろうが,研究所の立派な指導層の歴史的継承が研究所 の伝統的体質を作るものと私は考えている。この20年間の伝統的基本的体質を守りつつ創造的発想の 実現に周囲が温かく見守れる様な所内全体が明るく,和を保てる環境であることを望みたい。 私はいづれは国立研究機関も大学院をあづかると共に,博士号を与えられる機関となることを夢み ている。 無機材質研究所に望む (財)ファインセラミックスセンター常務理事 奥田 博 無機材質研究所創立20周年おめでとうございます。昭和41年に設立されて以来,早くも20年たった という感じがしますが,この間に施設・設備や組織も立派に整備され,その研究業績は今日では国内 ではもちろんのこと海外でも高く評価されるようになったことは,歴代の所長様始め皆様方のご努力 の結果と深く敬意を表します。 私はここ数年の間,運営委員として関係させていだだいていますが,研究内容の先進的なこと,ま た研究への取り組み方の極めて真しな態度にいつも感心させられています。この上はますます研究活 動に成果をあげられ,無機材質に関しての世界一の研究所として活躍していただきたいと思います。 無機材研は,無機材料の作成やその物性の基礎的研究を行っていますが,これは我が国の不得意と する創造的な科学技術を育てる最も重要な方策です。最近,研究成果を急がれることも多くあると思 いますが,材料の研究はそんなに早く成果があがるものではありません。新材料の創製には,基礎的 な多くのデーターの積上げが必要ですし,極限技術のような極めて困難な技術に挑戦しなければなら ないことが多く,これらのことを着実に実行して始めて成果という果実が得られるのです。この点無 機材研は,創立以来そのような方針を貫いており,そのような中から,極めて立派な成果を挙げられ, その成果は多くの企業に利用されています。今後もこの方針は持ち続けていただきたいと思います。 無機材質研究所のますますのご発展を期待します。 無機材料の研究開発 大阪大学名誉教授 桐山良一 無機材質研究所は創立以来20年間に多くの優れた成果を挙げられ,新材料の創製と製造技術の開発 の業績が内外に認められております。すでに設立の趣旨は十分に発揮されたといってよろしいでしょ う。 研究所の将来計画は所内で絶えず検討され,実現への努力が払われておりますが,これからの10年, 20年の研究所の将来はどうあったらよいでしょうか。 私は昭和47年以来,運営委員として新設グループや新設ステーションあるいはグループ再編成の計 画立案について所員の方々からの意見をきく機会を得ました。また,一部の所員の方の研究室での研 究状況も見学する機会も度々ありました。この経験から感じた二三の点を記します。 グループは物質名を看板にしております。研究期間が5年間と限られているため,進捗状況によっ ては突っ込みの足らない結果に終わることがあります。再編成の折に関連物質が看板となり,実質上 は継続された例も少なくありません。国家財政事情逼迫の現状では,今後の人員および研究費の大幅 な増加は期待できません。ある段階で,看板物質を変更しない限り多種多様の無機物質中,採択され る物質群が偏る懸念を生じます。 ステーション構想は、横の連絡がとれるチームで大いに期待されます。極限状態に限らず,現象解 明に対しても横の連絡のとれるチームの組織化が必要でしよう。所員の自発的意志統一によって組織 される機運の生ずることを望みます。 世はセラミックスの熱気に包まれています。大企業では応用研究ばかりでなく,基礎分野での研究 にも投資する機運にあります。国立研究機関はより基礎的な研究テーマを選択すべきでしょう。 無機材質研究所はこれまで,新物質の製造とキャラクタリゼーションに多くの成果を挙げました。 これからもこの研究方針は大きく変更すべきではありません。その上に,新素材物質生成に関する化 学反応機構の解明にも努めてほしいものです。水熱反応,フラックス反応,ゾルーゲル反応などの溶 液化学反応が物質製造に利用される傾向が高まっています。溶液内の化学構造の探求は解析手段の進 歩により解明の端緒はできております。多成分系の溶液の構造化学は新しい無機物質の材料設計に役 立つに違いありません。 物質研究の三本柱の構造,物性,反応の中でやや手薄であった反応の分野でも一層の研究を進めて もらいたいものです。 無機材質研究所に望む 長岡技術科学大学長 齋藤進六 無機材質研究所が早くも創立20周年を迎えると聞き,年月のあまりにも早く,過ぎ去り行く姿に瞠 いている。私は幸にして,初代所長の山内先生のお手伝いをすることとなり,未だ本郷上富士前に仮 事務所を置いた頃から御相談にあづかったので,この年月は同時に,私の無機材料研究に深く関係す る暦程でもある。鈴木さんや,岩田さん,田中さん,中平さんいろいろな人達の顔が走馬灯のように 想い出される。そして,言うまでもなく,決意と気力に満ちた山内俊吉先生の姿が,そのまま甦る。 つい,先だって,私が東工大の学長の任を退いて,2年後に再び長岡技術科学大学長に選任され,東 京・横浜・長岡との間をきりきり舞いに往復し出した頃,「どうだい,筑波にピストン往復していた頃 の儂の忙しさが分ったろう」とひやかされたが,それは將に,私が現在,当時の先生の年頃になった ということである。 さて,無機材研の歩みを,それ以来,運営委員の一人として,見つづけて来ると,私が創業当時考 えていたよりも,遙かに進歩充実した面もあるし,未だ果していないところもある。命題から見て後 者に注文をつけるのが私に課された役目のようである。無機材研が,創立間もなく直面した問題は, グループ研究を如何に計画し,その人事をどうするかということであったが,部課長のポストを研究 者の間に持ちこまないということは,常に研究者を活性化する独特の基本方針であった。これは今日 も立派に貫かれ,所期の情況を研究所に創り出している。しかし,グループ解散後の初期の方針は, 他の大学,研究所などとの人事交流をも目ざしていたが,これは無機材研だけが,そうしようと考え ても,他の機関の人事が,終身雇用的に固定していたのではどうにもならない。我が国全体の情勢も, 今やその方向が少しづつではあるが熟成して来たと考えられるが,どんなもんであろうか。これは, 研究の本質的問題にかかわるので真剣に取り組んでもらいたい。次に,標準サンプルを製作して,手 はじめに日本の研究者に便宜供与をしようという計画があったが,本格的にそれに従事するテクニ シャンの予算がつかず立消えている。全くプライベートなセクターである鉄鋼協会などが既にそれに 着手しているし,GrenobleのCNRSにもその機能がある。私は無機材研は純粋に無機物質の科学を追 求することによって,かえって現代の市場要求にも成果を送り出しつつある特色を固く守るべきと信 ずる一方において,今や社会が待望する良く制御された標準試料を供給する役割も進んで負うべきと 思っている。ともあれ,今は世界の無機材研としての好望を担うに相応しい未来への歩みを始めるべ き時である。 冒険のすすめ 東京大学名誉教授 定永両一 20年前に貴研究所が設立された当時では,無機材質といえば「それ何ですか?」とけげんな顔をさ れ,セラミックといえば世間は茶碗くらいにしか考えていなかった。それが今では時代の寵児である。 この20年間の間に貴研究所が果たした大きい役割は,無機材質研究所十年史および本書を見れば明ら かである。そして今や青年期を迎えて,貴研究所はその研究成果の飛躍的増大を図らねばならない時 期にさしかかっている。 「人々の懸命の努力にもかかわらず,今日まで解けなかった問題を解決すること」,「人々が当然と 考えていたことが実はそうではないことを見抜いて,その理由を解明すること」,あるいは「人々が夢 想もしなかったことを発見して,その研究を完成すること」のいずれかを成し遂げることは,科学の 研究に携わる者にとっては無上の喜びであり,これこそ研究者冥利に尽きるというものであろう。し かし,まずそのような問題に遭遇すること自体が誠に容易でない。また幸いにしてそのような問題を 見つけ出すことができても,乗るか反るかでそれと対決することは,研究者の研究生命を賭ける大き な冒険である。それは大変危険なことではあるが,それに乗り出すことを躊躇しているようでは,真 の研究者とはいえない。もし所員の一人がその研究分野でこのような問題に当面し,その研究に邁進 する強い意欲を表明した場合には,研究所は彼への最大級の援助を惜しむべきではなかろう。 上のことは言うは易しいが,現実には色々の困難が伴う。一般には,真の勇者とドンキホーテとを 見分けることが容易でないことが起こるであろう。また貴研究所の場合には,上のような問題が必ず しもクループ研究の現行の課題の枠に納まり切るとは限らない。しかし,基礎固めの少年期は過ぎて, 貴研究所は今や青年期に達したのだから、グループ研究の基本は堅持しながらも,上のような冒険に も堂々と乗り出しうる方策を立てられることを切に希望する。何物にも替え難く貴重なこの独創性と いうものを尊重することが,貴研究所のこれからの成果を飛躍的に上昇させる最短の道であると私は 確信している。 無機材質研究所に望む 東京理科大学教授 鈴木 平 無機材質研究所が20周年を迎えられ,ますます進展されていることは誠に慶賀にたえません。その 顕著な足跡を顧みて,研究者をはじめ職員の皆様のこれまでのご努力に対し心からの敬意を表するも のですが,同時に坪井,山内,故末野三先生が生みの親,育ての親として終始変わることなく注がれ たご愛情とご指導に対してひたすら頭のさがる思いがいたします。 時に,国の研究機関が20年,30年と長期にわたって存続することに疑問を抱く向きもありますが, 私はこのような一律的考え方に賛同できません。一般的に研究所には多少の盛衰があるものですが, その存廃は研究所が基盤とする研究対象域の活性度の如何によるべきものと考えるからです。創設趣 旨にうたわれている無機材質研究の必要性はますます増大しているのが今日の趨勢です。将来に向け て一層のご発展を祈念してやみません。 ふり返ると,駒込庁舎の時代から10数年間を運営委員の一人として,私は無機材質研究所の発展を 見守る機会に恵まれました。今日,日頃心に去来する考えの一端を述べることは私に課せられた責任 の一部かも知れないと思います。 グループ研究体制は本研究所が創設以来堅持してきた特色ある制度であり,安易に棄て去るべきで ないことはいうまでもありません。しかし,どんなに新鮮で強力なものでも,年とともに陳腐化し, 活性を失うものです。常に反省し,その本来の意義が失われることのないように心掛けることが肝要 です。青年に特有の力があるように,新しいものごとには力があるという通念は,必ずしも間違って いません。ただし,その力が問題なのであって,若さや体制の新規さに意義があるわけではありませ ん。 現在,各研究グループは特定物質名をあげてそれをグループ名として構成されています。この伝統 に対して次のような提案は果して受け入れられるでしょうか。研究上の著しい業績は,世界的規模で 行われる集中的研究の成果として生まれることが多いものです。純学理的研究にしても応用的研究に しても,広く関心の高いもの程その発展は著しく,且つ偉大です。このような幅と厚みのある研究の 流れの中で,顕著な業績をあげることこそ真の貢献であり,科学者の責任と考えます。今後の無機材 質研究所に期待されるものもそこにあると考えます。独自性とか,あるいは創造性という言葉の二ュ アンスから,他の研究者が余り注目していないところを好んで選び,これを発掘しようと考える問題 の選択の姿勢は,むしろ例外とするのが望ましいと思います。たとえば,最適の例ではないかも知れ ませんが,非金属無機材料の高温靱性とか高温耐蝕性とか,世界的に関心の深い,しかし困難な課題 に注目して,時には複数の研究グループが協力と競合のバランスを保ちながら研究を進める試みが実 現できないでしょうか。十分の時間をかけて全研究所規模の討議を重ねて後,視点をしぼって,共通 の課題を互いに異なる観点から基礎開発的に研究を進める複数の研究グループを構成できたらどんな に素晴らしいことか。他の機関では得難い組織的な力を発揮できると期待します。 上記は一種の水平思考の大切さをいうものですが,同様の趣旨で,設立当初来いわれている総合研 究の総合の意義を考えます。これは手段,方法,あるいは専門上の総合的結合を意味すると同時に, 無機材料全般の理学的観点からの「総合」的理解,あるいは理解の「体系化」を積極的に推進する意 図を含む,と私は理解します。その意味で、物理的センスの重要性に注目して,これを従来からの研 究所の性格の中枢に加えて欲しいと願うものです。物を作り出す化学者的センスと結合して,無機材 質に関する学理的,技術的発展を促す力となると考えます。これは,今や青年期に達した無機材質(総 合)研究所に対する私の願いの一つです。 無機材質研究所に望む 東京工業大学名誉教授 鈴木弘茂 筆者は,非金属無機材質基礎研究所(当時,本研はこのように仮称されていた)設立準備研究検討 小委員会の4人の委員の中の1人として,本研設立に備えて各種計画案の策定に参画し,設立後,初 期の井草,駒込にあった時代に研究官として又グループリーダーとして47年春まで本研に勤務(東京 工大教授と併任で)していた。それ故,創設期あるいはそれ以前の関係と記憶は深い。その後筆者は 本研の運営には関与せず,その最新の状況には甚だ疎いが,しかし文部教官として官,学界の各種調 査,審議に取組み,無機非金属以外の材質(料)にも,又海外との交流にもかかわりを深めているか ら,その立場から,本研の将来像を思考される際の拠り所として役立てばと願い,当時設定の目標等 を改めて照らしつつ所感の一端を記述するものである。 ① 研究所の目標(任務)は当時,特定材質の合成,解析および類似天然物との比較研究をするこ とにおかれたが,最初「目前の経済性,用途等に支配されることなく基本的な事項を研究対象とする。」 という意見が強く,次に「純理応用の区別に拘らず,基本的事項(その研究により,より広般な現象 の解明に役立つ事項をいい,従って新材質の創製,新用途の開発に役立ち,さらに経済効果の向上に 資するものである)を研究の対象とする」という考え方が台頭してきた。この両意見の間の微妙な差 が,その後の本研の運営に時に影響を及ぼすことになった。本件が科技庁の所管である以上,後者の 対象が妥当で,現状は概ねその線に沿って進み,本邦の学術,技術のレベル向上に大きく貢献したこ とは多とすべきである。けれども1部には,前者の意見を順守する立場から,国のプロジェクト研究 等への本研の参入がやや消極的になっている面も見えた。このことの是非を考えるとき筆者は大きな 新課題がそこにあることに気付く。というのは,最近の科学技術の進歩が急で,既成のものは速に陳 腐化してゆくことを考えると,長期的展望に立った創造的な基礎研究が,所のポテンシャルを高める ために今程必要なときはないと考えられるからである。かくてこの問題は別な角度から解決されなけ ればならないと思われる。 ② グループ研究体制は,本研の新しい試みの1つであったが,これも一応の成果を収めており欣 こばしい。今これを見直すとすれば,そろそろ金属や有機物との複合材質を加えたり,広い範囲のガ ラス質に注力する必要があると思う。さらに現象や手法に主体を置く,従来一般的な分類体系につい ても考えを巡らす時期であろう。超高圧力,超高温などステーションの開設,充実によってこれに対 処しているのはよいが,世の進歩から見るとこのテンポは如何にも遅く感じられる。新しい状態や方 法による研究が著増しているように思う。 さらに最近のセラミック技術の動向を見ると,材質のみでなく材料としての特性の研究や評価が重 要課題となり,この種の研究,業務を何処が遂行するかが問題である。通産省の肝入りで設立された F.C.センターでこれにあたるというが,本研が真剣にこれに取組むことが極めてのぞましいと思う。 ③ 上記の①と②を併せ考えると現在の組織の左右に,純基礎と材料評価技術の2つの翼を張出し て,本研の目標,規模を倍増してこそ,海外の追い上げに耐え,次世代の工業立国に備えうることと なろう。 本研創設当時の,坪井,山内,(故)未野ら諸先生のご熱意と先見性を間近に体験した筆者として, 又その結果創設された本研の素晴らしい成長とその成果を見るにつけて,感ずるのは,今こそ第2期 の拡大,飛躍が,高度技術社会のために本研に望まれるということを確信するものである。前がきに 書いた現況認識の不足による誤まりがあったらご寛容されたい。 無機材質研究所に望む 筑波大学教授 鈴木淑夫 昭和41年4月に無機材質研究所が発足して以来既に20年が過ぎ,盛に研究活動を行っていることは, 誠に喜ばしいことである。設立当時は非金属無機材質とは何であるか世の中ではあまり判らず,セラ ミックスという語さえもその度に説明しなければならないのが普通であった。しかし次第に素材関係 への関心が高まり,現在この分野での発展には目ざましいものがある。 新しい分野の研究は,かつては大学が主導的な役割を果したが、その後国立研究所もその役を担う ようになった。しかし近年社会的要請の多い分野の研究開発は企業が中心となって来ており,それに 伴って優秀な人材は次第に企業に集る様になって来ている。 国立研究所についての昔からの問題点の一つに,役に立つ人は外部に引き抜かれてしまい,問題の ある人が次第に溜って来ることがあげられている。近頃はこの傾向は大学でも同様であって,この様 な状態では研究活動は次第に不活発となってしまう。国立機関としての大学や研究所では,国家公務 員法の庇護の下に,一旦就職すると大過なく過ごせばその地位は定年まで安泰であるために,研究者 がこの様な考え方をもつ様になるとその研究活動が低迷することは明らかである。 研究の停滞を防ぐためには,テーマと人間との両方の新陳代謝をはかり,常に研究者を刺激すべき であるという発想の下に,無機材研では研究グループ制を発足させた。しかしグループ解散となって も研究者がやめるわけではないために,再編成してもグループ構成員はあまり変らず,テーマも安易 に決める傾向があるように見える。 無機材研の発足当初には外部から色々な考え方の研究者が採用されて来た。その頃無機材研に大学 卒業後初めて就職した研究者は現在総合研究官になるまでに成長したことは喜ばしいことである。し かし一方無機材研だけしか知らない人も増えて来ており,人の移動があまりなく固定化する様になる と,将来人事と研究活動の両方に停滞の可能性が現われて来るであろう。新しい研究を進めるために は研究者の新陳代謝は最も重要な条件の一つであって,無機材研としては外部との人事交流を積極的 に推進することが是非とも必要である。 研究者は色々な面で優遇されている以上,それに相当する責任を持たなければならない。国立研究 所の研究者はプロとしての自覚を持ち行動すべきで,その覚悟のない人は研究者をやめるべきである。 無機材研としても,20年を経たことを契機として更に将来の無機材質研究の発展のために,よりよい 研究体制を考え実行することを期待する。また各研究者も,それぞれの分野で充分通用する能力と識 見を持つ研究者に育ち,積極的に外部に出て大いに活躍することが望まれる。 無機材質研究所に望む 東京工業大学名誉教授 田賀井秀夫 (第2代無機材質研究所長) 無機材質研究所創立20周年を記念して,その二十年史を編纂されることになったことは,関係者と して,まことにうれしく思います。20年といえば,人については成人式に当るわけで,誕生から閲し た年月の間に,現在に見られるような壮大な業績が得られたことは,所長を始め所員各位の弛まぬ御 研鑽の賜と,深く敬意を表しています。しかし乍ら科学技術は日進月歩の進展をしており,これに対 し,無機材質研究所が、常に先駆的な立場をとって,新物質の創製,新技術の開発などに努めてこら れているわけであります。ここで今世紀後半の山場に到達しているので,各位におかせられては,無 機材質研究所設立の理念に則って折角の御努力をなされますことを切望してやみません。 無機材質の創製について 京都大学名誉教授 田代 仁 米国のあるガラス会社の研究所は新しいガラス材質を次々に創製することで有名である。低膨脹硼�� けい酸ガラス,感光性ガラス,結晶化ガラス,光ファイバーなど現在世界で製造されているいろいろ なガラスの第1号の多くはこの研究所で創製された。この研究所は現在では500人以上の所員と,最新 の実験設備を持っているが,創立時の所員はある優れた研究者とその補助者1名で,研究は1つの小 さな実験室から始められた。それでも間もなく,上記の新しいガラスが世界の研究所に先駆けて次々 に創製されていったのである。その原動力は何であったのか。新材質の創製には,合理的に組織され た研究集団,完備された装置,学理に立つ理論的思考が望ましいことは論ずるまでもない。しかし筆 者はその研究所の研究の脈絡を辿り,この研究所には,さらにその上に,物をつくる上の独特の勘を 持った研究者の多いことに気がついた。一筋の道に生きた名工の鋭い勘のようなものがある。そして その勘は実験中に起きる現象の微細な変化も見逃さず,その不思議さに感動し,その原因を執拗なま でに集中的,継続的に追求する習慣から会得したものと感じた。そこで創製された材質は形は変わっ ても,その性質のどこかに共通点があり,それがつながって線となりどこかに伸びている。このよう な勘が若い研究者に伝統的に受けつがれて新材質創製に適する独特の風土をもった研究所が形成され ていると感じた。 無機材研が設立されて,間もなく20周年を迎える。この間の運営会議への出席は,筆者にとって常 に誠に楽しいものであった。所員の方々から新しい研究成果を教えて戴くたびに,研究所は一歩一歩 正しい方向に前進していると感じたし,筆者の住む遠く離れた関西の学会からもこの研究所の活動は 高く評価されていたからである。 最近特に嬉しく感じたのは,2つの研究グループの解散の時期に当たり,その補充のために研究者 の真の体験を基とする6件という数多くの意欲的な研究課題が提出されたことである。そのいずれも が,本文の冒頭に述べた長期の実験経験と連続的集中的思考から発想されたものと感じられた。提案 された方々のお話の端々からも材質創製についての造詣の深さが察せられた。 全所員の御努力と20年の歳月によりこの研究所に豊かな創造的風土が築きあげられたことを感じる。 最後に,かつて筆者が感銘を受けた京都大学化学研究所の先達が述べられた言葉をお伝えしたい。 「この研究所には20の部門(研究グループ)がある。各々のグループは20年に一度で良いから,ノーベ ル賞級の良い仕事を完遂して欲しい。そうすれば研究所から全体として毎年毎年そのような成果が生 まれることになる。」温かく,厳しい言葉であった。 Challengeする精神 TDK株式会社技術顧問 田中廣吉 (第四代無機材質研究所長) 最近外部から無機材研を眺めて,一番心強く感ずる点は,設立後2 0年経ってもその活力が少しも 衰えずに益々盛んであることです。 研究所として一番注意しなければならないことは,研究の類型化,惰性化による活力の低下である と思いますが,この点頼もしいかぎりです。 このことは,無機材研の設立の理念が無機材質の創製にあり,常に新しい材質をつくり出して行く というChallenge精神が惰性化を防ぎ,また研究所の運営もこれを助長する制度をとっていることに よるものと思われます。 国立研究所では,若手研究者の採用に弾力性がないなど種々の制度上の困難はあることと存じます が,衆知を集めて対策を考え,今後共一層活力の向上に努力していただくよう希望します。 第二の希望としては,材質の創製は勿論として,その材質のもつ特性,機能の創造にも努力いただ き度いということです。 企業に身を置いてみますと,世の中が求めているものは材質そのものではなくて,その材質のもつ 特性,機能であるということができます。したがって折角新材質をつくっても,その性質をとことん 迄追及しその有用性を引き出して活用しなければ,その材質をいかしたことになりません。 物性の研究は,材質そのものが本来もっている本性の解明は勿論として,最近は一見その材質がもっ ていないような特性,機能を新しく創造するという方向にも発展しています。 たとえば本来電気の絶縁物であるチタン酸バリウムを半導体化し,スイッチレス・スイッチの機能 をもつPTCヒーターにしたり,本来結晶転移のため破壊し易いジルコニア燒結体を逆に強靱性ジルコ ニアにしたりするのもこの例です。 これは材質のもつ本来の性質の応用ともいえるかも知れませんが,一面からみますと新しい特性, 機能の創造ともいえると思います。 要は常に新しいideaをもってChallengeし,活力を高めて学術面にまた応用面に,世界に誇りうる立 派な研究成果を擧げて下さることを願ってやみません。 無機材質研究所に望む 前東京工業大学工業材料研究所長 濱野健也 新素材の開発が今後の科学・工業の進歩を支配するであろうことがようやく認識され,特に無機質 材料に期待が集まっている時に,創立20年の成人の年を迎えられたことは誠におめでたく,また意義 深いことであり,今後一層の御発展を希望してやみません。 無機材料が金属,有機とならんだ材料として,元来もっと汎用されるべきものでありながら,今日 まで余り使われずに来たことは,色々な理由があるとしても残念なことである。しかし,耐熱,耐摩 耗性が必要となってようやく無機材料が注目され始め,さらに新しい機能をもった材料への期待から、 まだ未開拓な部分の多い分野としても注目されるようになり,今日のセラミックスブームを迎えた。 しかし無機材料に新しい機能をもったものが出現するであろうことは,このような漠としたものでは なく,期待できる根拠がある。金属は陽性の元素のみ,有機物はH,C,N,Oなど小数の元素を主体とす るのに対し,無機材料は陽性,陰性の元素,さらに陰性の元素間の組合わせから成るため,対象とな る元素が多い。当然原子間の結合様式も多様である。三次元の立体構造もつくることができる。その 上に普通のセラミックス材料はいろいろな結晶,ガラス,さらに空��の組合わせから成る組織をもっ ている。これによっても性質が変化することを考えると,無機質材料には非常に様々な性質をもった ものが存在すると期待できることがわかる。 ところが現在無機材料として取上げられているのは幾つかの金属元素と酸素の組合わせで,最近 やっと炭化物,窒化物,ほう化物などが研究され始めたに過ぎない。これは多分無機材料が粘土でつ くられた土器に始まり,日常用器として使われ,改良されて来たため,他の組合せを考えることが無 かった,そのため工業材料としても重視されず,世界的に研究者が少なく,その上高温を使い,固体 状態での現象を対象とするため,最近まで研究自体が困難だったことなどによるものと思われる。そ のため元来非常に様々な元素の組合せがありながら,そのほとんどが手つかずのまま残されて来た。 今日新素材として無機材料に期待されているのは,この未開拓分野の堀起しである。これは高度な学 識と技術を持った色々な専門分野の研究者をそろえた組織でのみ可能な大変な仕事であるが,同時に 無機材料の,さらに今後の科学,工業の発展のためには不可欠な仕事でもある。無機材研はこのよう な力を備え,この難問に取組める唯一の組織ではないかと思われる。 「無機材質研究所に望むこと」は,この未開拓分野を世界に先駆けて強力に開拓していただきたい ということであり,これが,無機材質研究所が今後ますます強化されなければならない最大の所以で もあると思います。 ますますの御発展を期待してやみません。 無機材質研究所に望む 日本碍子(株)専務取締役 福井 博 無機材研創立20周年おめでとうございます。 新素材に対する社会的ニーズが高まる中で,無機材研の設立の趣旨とも言うべき「超高純度無機材 質の創製」並びに「先端的科学技術分野からの要請にこたえる無機材質の研究開発」に着々と成果を 上げておられる事はまことに喜ばしい限りであります。 今でこそセラミック,セラミックスは女子供も口にする時代ではありますが,20数年前に此の分野 の専門研究機関のの必要性を予見されて,無機材研の設立に奔走又基盤作りに尽力された諸先輩の先 見性と御苦労に対して最大の敬意を表するものであります。 今,改めて無機材研に何を望むかと自問自答した時,その設立の歴史が示す先見性が何ものにも変 え難い貴いものに思われ,無機材研は今後も先見性のある研究によってリードして戴きたいと思いま す。 関係業界にあるものとして20年前に今日の如くセラミックスがクローズアップされる事を夢想だに しなかった不明を恥じる一方,日本的エネルギーの発露ではありますが期待が先行しすぎている昨今 のセラミックスフィーバーに若干の危惧を感じるものでもあります。 国立研究機関―民間企業或いは基礎的な研究―実用化という流れの中での役割分担として,無機材 研は極限状態又は条件下での物質の挙動や,可能性を徹底して追求して頂きたいと思います。無機材 研が既にこうした分野で多くの研究成果を上げておられる事を百も承知の上で申し上げるなら,民間 企業では手の出し得ない超高温,超高圧,超微粉,超高純度,超高配向等々のもとでの材質を解明し て頂く事は無機材研設立の趣旨にも合致し,又一見迂遠な様に見えて産業界,社会を裨益する所極め て大きいと思います。 セラミックスに対する現実的な期待が大きければ大きい程,無機材研は先見性を持った,10年20年 先を見据えたより基礎的な研究を着実に進められる事を期待します。 研究所のますますの御発展を祈ります。 無機材質研究所に望む 前新技術開発事業団専務理事 牧村信之 無機材質研究所はその研究成果のうち,産業技術に係わるものの実用化につきましては,研究所発 足以来,新技術開発事業団の開発制度を積極的に活用していただいてきております。 現在までに,新技術開発事業団によせられた課題は既に200件を超えており,このうち8課題が委託 開発制度により27課題があっせん制度を通じて,民間企業により開発が行なわれております。ほう化 ランタン単結晶,ガーネット単結晶,ダイヤモンド合成技術,ガス圧焼結法,チタン酸アルカリ金属 繊維,立方晶窒化ほう素等々はすでに実用化されております。その他の多くの課題についても,企業 による開発の実施の検討が行われております。以上は,無機材質研究所の研究成果の現状を新技術開 発事業団の業務を通じて申し上げさせていただいたものであります。 このことは,無機材質研究所の研究が独創性に富み,かつ活力ある研究を行なうことにより数多く の業績を上げておられることを示すものであり,研究所発足以来,20年にして研究所がわが国の無機 材質の分野における,研究の中枢的地位を確固として占められるまでに発展されたことを示すもので あると深く敬服いたす次第であります。勿論,無機材質研究所の役割は実用化のための技術の研究の みにあるのではなく,無機材質の創製に関する研究を,特に理論に立却した基礎的な研究を行うこと に力点をおかれているとうかがっており,私供に提供される課題は,このような研究の結果生みださ れたもののうち,企業化可能な工業技術に限られていることを考えますと,研究所の成果には,更に 多くの学術的に高い水準のものがあり,将来そのみのりは益々多いものであると推察いたしておりま す。 実は,新技術開発事業団が昭和56年度より初めました,人中心の基礎研究を行なう制度である創造 科学技術推進事業は,研究テーマの選定,研究の仕組みは異なりますが研究所の研究に対する考え方 等は極めて類似している面があり,制度を発足させるにあたり色々と参考にさせていただきました。 貴研究所が創立20周年を迎えられ、今後の一層の発展を期せられるに当たり,余り時流におもねる ことなく研究所設立の理想にそって無機材質の創製の研究に実を上げられることを期待致すものであ ります。 無機材質研究所の発展を祝して 東京工業大学名誉教授 森谷太郎 このたび「無機材質研究所二十年史」の刊行に際し,一言所見を述べる機会を与えられましたこと を感謝いたしております。 当研究所の設立準備委員会が創設された当初,工業材料の研究についての在り方に対して多角的な 論議が行われ,新しい研究所の組織やその運営などについて,いろいろの面から検討された後,わが 国では当時としてはユニークな組織と運営を主軸として発足したのが当無機材研であったのでありま す。20年後の今日その成果が世間に問われる時期となったものと思っております。 当時,準備委員会では,材料の開発研究は少数の天才的業績よりも寧ろ多くの基礎的研究の積み重 ねによる総合的成果に期待すべきこと,また研究者特に研究指導者となるべき者は年齢に拘らず頭脳 は常に若く新鋭かつ自在でなければならない。したがってその自由な創造性が重視され,新鮮な感覚 と問題意識を現実に発展させ得る環境を与えることこそ必須であるというのが大方の意見であったと 思います。新設研究所は以上の趣旨を十分生かし育て得る組織をもち,適切な運営を行なうものでな ければならないという結論が了解され,昭和41年「無機材質研究所」として発足したのであります。 20年経た今日,15研究グループが最新の設備と人員組織により歴代所長の運営指導のもとに立派な研 究業績を挙げつつあるのを拝見すると感慨無量であります。 材質研究はあたかも肥沃の土地に大樹を培う如きもので,よき種子を蒔いても肥料が十分与えられ 適切に耕された地力ある土壌がなければ大樹となるべき根は育成できないと思います。一見無駄と思 われるような,土壌となるべき基礎研究と労力投資を必要とする面があり,それがやがてあらゆる技 術開発に対する大きな潜力となって顕現することになると思います。すなわち材質研究には無駄を無 駄と思わず研究費を十分投入すべき所以がそこにあるといえます。 当研究所も只今15グループの大樹が育てられているが,これを名実共に大樹となし,さらに発展さ せるためにはよき肥料を十分与え常に生き生きした土壌を培い,その上に更に新しい種苗を順次植え つけていかなければならないと思います。そしてまた収穫が多ければ多いほど肥料の投入や人手の必 要性は当然のこととして一般に是認されることになるものと思います。そしてそれは研究費の獲得に は優れた多くの稔りある研究成果の裏付けがあって始めて説得力があるのだということに通ずるもの と思われます。 終りに,当研究所の限りなき発展と研究所々員の皆様の御健康を心からお祈り申しあげて筆をおく 次第であります。 Ⅳ.研究業績一覧 NV. DERBI Fe Ⅳ .研究業績一覧 1.学・協会誌等に発表された研究成果 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 593 旭硝子工業技術奨励会研究報告 ガラスの均質度及び屈折率測定装置の試作 境野照雄・山根正之 牧島亮男・井上 悟 31 1977 431 圧力技術 ベルト型超高圧装置の改良 福長 脩・赤石 實 遠藤 忠・山岡信夫 14 2 35 1976 597 ベルト型超高圧装置の改良(Ⅱ) 福長 脩・山岡信夫 遠藤 忠・神田久生 赤石 實・大沢俊一 16 3 160 1978 506 アルミニウム研究会誌 アルミニウム陽極酸化皮膜の多色電解着色 和 田 健二 108 7 82 1976 505 アルトピア アルミニウムの多色電解着色法の開発 田賀井秀夫・和田健二 6 11 21 1976 1273 X線分析の進歩 粉末X線回折図形のRietveld解析とシミュレーション 泉富士夫 Ⅹ.Ⅳ 45 1413 Rietveld解析システムXPDの改訂 泉富士夫 15集 155 1983 1338 F.C. Report 多孔質ガラスの応用 牧島亮男 1 10 1983 1489 ガラス及びセラミックスへのゾルーゲル法の応用 牧島亮男 2 11 24 1984 1494 非酸化物セラミックスの研究 三友 護 2 11 8 1984 698 FOP 代表的電子セラミックスについての新しい考え方(Ⅰ)希 土類添加型BaTiO3半導体 白㟢信一 4 1 21 1979 699 代表的電子セラミックスについての新しい考え方(Ⅱ) PZT圧電体 白㟢信一・掛川一幸 真鍋和夫 4 3 4 1979 700 代表的電子セラミックスについての新しい考え方(Ⅲ) PbTiO3, BaTiO3誘電体 白㟢信一 4 5 19 1979 726 代表的電子セラミックスについての新しい考え方(Ⅳ) NiO p型半導体 白㟢信一 4 8 37 1979 774 多孔質ガラスの新しい展開 牧島亮男 4 11 17 1979 912 透光性酸化亜鉛焼結体の調整 守吉佑介・池上隆康 丸山 修 27 6 942 人工的な表面と触媒 津田惟雄 4 9 55 1979 1042 ZnO系バリスターに関する最近の研究 藤本正之・守吉佑介 6 10 34-44 1097 STEMによる最近のセラミックス粒界の研究 板東義雄 7 1 18 1982 注)番号については,当所の論文リストの整理番号です 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1159 無意識の意識化 ―単結晶育成における重力効果の認識 進藤 勇 7 51 22~23 1982 1226 セラミックの原料調整と焼結性 池上隆康・守吉佑介 56 12 1982 544 エレクトロニク・セラミクス 超伝導セラミック材料 津田惟雄 8 49 66 1977 570 L.E.クロス教授―ペンシルバニア州立大学電気工学科― 高橋紘一郎 32 1978 749 高分解能超高圧電顕による結晶構造および欠陥の解析 松井良夫・堀内繁雄 秋 26 1979 1153 セラミックス粒界の追跡はどこまで可能か 板東義雄 春 1982 1443 透光性酸化亜鉛焼結体 守吉佑介・池上隆康 夏 41 1984 1468 インターカレーションによる材料の可能性 遠藤 忠 秋 35 1984 1513 エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術 高輝度電子源としてのLaB6, TiC単結晶 石沢芳夫・田中高穂 大谷茂樹 8 116 1985 422 応用物理 LaB6単結晶の表面と熱電子放射 大島忠平・河合七雄 45 7 600 1976 485 BN薄膜の作製とI-V特性 田中耕二・上村揚一郎 岩田 稔 46 2 120 1977 748 光音響分光法による固体材料の研究 江良 皓 48 10 985 1979 750 ホウ化ランタンに関する研究 河合七雄・大島忠平 青野正和・田中高穂 石沢芳夫・志水隆一 西谷龍介 48 10 908 1979 792 超高圧力技術による材料開発 福長 脩 49 2 182 1980 969 遷移金属炭化物の表面物性 大島忠平 50 5 515 1981 1169 直衝突イオン散乱分光(ICISS) 青野正和 51 8 887 1982 1196 ニオブ・タングステン酸化物(2Nb2O7 ・ 7WO3)結晶の1MV 高分解能電子顕微鏡像 堀内繁雄・村松国孝 松井良夫 51 9 997 1982 1242 遷移金属炭化物の良質単結晶育成とその応用 大谷茂樹・田中高穂 52 2 139 1983 1402 高安定TiCフィールド・エミッター 石沢芳夫 大島忠平・左右田龍太 郎 53 3 206 1984 1419 分析電子顕微鏡の現状と高性能化への展望 ―セラミック ス研究の立場から― 大谷茂樹・石沢芳夫 坂東義雄・松井良夫 53 3 199 1984 1309 オプトエレクトロニクセラミックス オプトエレクトロニクセラミックス総論 白㟢信一 775 化学技術誌MOL ミクロの世界の観察技術への大いなる期待 堀内繁雄 48 52 1980 1357 最先端科学技術を支えるニュータイプのガラス 牧島亮男 12月号 1 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 883 化学工業 金属表面のオールカラー化 ―アルミニウムの多色電解着 色法― 和田健二 31 10 1 1148 多孔質ガラスを用いる分離 牧島亮男 33 4 1500 サイアロンセラミックス 三友 護 1月号 31 1985 531 化学教育 錯体の教育について思うこと 泉富士夫 25 3 1977 935 吸着熱およびエントロピー変化文献検索(個人用データ ベース) 泉富士夫 29 2 40 文献検索(個人用データベース) 泉富士夫 29 2 58 1524 高強度セラミックス ―はさみからエンジンまで― 猪股吉三 33 1 29 1985 719 化学工場 無機材料開発の諸問題 白㟢信一・渡辺佳弘 23 7 17 1979 720 MgO透明多焼結体 白㟢信一・松田伸一 23 7 52 1979 867 セラミックスの焼結 守吉佑介・池上隆康 44 9 528 1980 1238 無機系機能材料の現状と問題点 白㟢信一 27 2 37 1983 1361 ニューセラミックス機能性ガラス 牧島亮男 27 11 89 1983 1363 セラミックス―エンジニアリングセラミックス― 木島弌倫 27 12 89 1324 化学総説 EXAFSと局部構造 貫井昭彦 41 62 1983 630 化学と工業 構造敏感な性質 白㟢信一 31 9 98 1978 664 固体電池による熱力学関数の測定 君塚 昇 32 2 91 1979 707 オールカラー化を実現したアルミニウムの表面着色技術 和田健二 32 6 422 1972 807 窒化ケイ素の性質と新しい用途 猪股吉三 33 2 126 1980 1277 ファインセラミックス 研究開発上の問題点 猪股吉三 36 5 284 1983 1303 透明なセラミックス 千田幸雄・守吉佑介 池上隆康 36 8 551 1983 1423 リン酸とその塩類の化学 岡村富士夫 37 4 218 1984 680 科学の実験 結晶内の原子の観察 堀内繁雄 30 4 282 1979 426 化学の領域 結晶の赤外およびラマンスペクトル(1) 石井紀彦・平石次郎 高橋博彰 27 9 45 1973 428 結晶の赤外およびラマンスペクトル(2) 石井紀彦・平石次郎 高橋博彰 27 10 52 1973 429 結晶の赤外およびラマンスペクトル(3) 石井紀彦・平石次郎 高橋博彰 27 11 65 1973 430 結晶の赤外およびラマンスペクトル(4) 石井紀彦・平石次郎 高橋博彰 27 12 43 1973 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 656 核理研研究報告 FeV2S4のTOF中性子回折データのプロフィル解析 川田 功・磯部光正 和田弘昭・新村信雄 11 2 226 1978 773 Neutron TOF Profile Analysis Ti-V-S System:l Ti0.5 V0.5S1.67 川田 功・磯部光正 岡村富士夫・佐伯昌宣 新村信雄 12 2 191 1979 781 Structural Study of DxReO3(0.1 藤森 淳 57,9,8 1060 日本の科学と技術 微小欠陥に挑む 白㟢信一 23 214 34 1982 1504 人工骨・歯とバイオテクノロジー 牧島亮男 26 231 40 1985 1506 精密加工技術の高度化を目指して 遠藤 忠 26 231 55 1985 1064 日本複合材料科学会誌 チタン酸カリウム繊維とその誘電体 藤木良規 7 4 131 -139 1981 767 日本物理学会誌 熱雑音温度計―高圧力下の測温 田村脩蔵 34 12 1052 1979 1092 光電子分光 青野正和 37 2 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1125 二次元表示型電子分光器 青野正和 35 7 601 1980 1243 高融点化合物の単結晶育成技術 大谷茂樹・田中高穂 石沢芳夫 38 3 219 1983 1470 日本レオロジー学会誌 エチルシリケートの加水分解過程におけるケイ酸ゾルの粘 度の変化 毛利尚彦・下平高次郎 12 3 156 1984 1241 New Glass Technology 新しい窒素含有ガラスの性質と構造 牧島亮男 2 4 1983 1350 ゲルマン酸鉛焦電センサー ―ガラス再溶融結晶化法― 高橋紘一郎 3 3 18 1983 1398 ニューガラスの可能性 泉谷徹郎・作花済夫 境野照雄・守屋喜郎 牧島亮男・中山 淳 3 4 1983 1061 ファインセラミックス 常圧焼結法によるβ―サイアロン焼結体の製造 三友 護 2 109 -117 1981 1090 最近の新しいガラス―その開発と応用― 牧島亮男 2 152 1981 1515 ニューセラミックスの研究開発の現状 長谷川安利 1126 ファインセラミックスの最新技術 酸化物の焼結 守吉佑介・小松和蔵 76 1139 焼結技術―非酸化物系 三友 護 1518 フォトン・ファクトリー・ニュース 価数揺動状態の光電子分光 藤森 淳 1084 表 面 アルミニウム表面につくる太陽熱吸収皮膜 早坂公郎・和田健三 19 12 699 1981 1124 ガラスの化学強化 牧島亮男・境野照雄 20 3 121 ~129 1982 1249 分離・吸着機能をもつ多孔質ガラス 牧島亮男 21 2 105 1983 1059 表面科学 表面電子構造の定量的解析のための新手法:低エネルギー 直衝突イオン散乱分光法(ICISS) 青野正和・大島忠平 財満 鎮明・大谷 茂樹 石沢芳夫 2 3 204 -211 1981 1072 マサチューセッツ工科大学における表面・界面の研究 木島弌倫 2 3 234 1152 アリゾナ州立大学における最近の電子顕微鏡学の研究 板東義雄 3 2 1982 1299 表面・界面とセラミックス 猪股吉三 4 2 32 1983 1331 無機材質研究所における表面,界面研究の現状 上村揚一郎 4 3 41 1983 1388 薄膜に現われる張力と膜の拡散スリープ 猪股吉三 4 4 33 1983 1429 ダイヤモンドの気相合成 佐藤洋一郎・松本精一郎 加茂睦和・瀬高信雄 5 1 54 1984 1491 拡散に律せられた物質移動の自由エネルギー理論 猪股吉三 5 3 308 1984 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 977 プロメテウス 超ミクロの世界 堀内繁雄 22 1981 432 ぶんせき 遷移金属酸化物及び硫化物のラマンスペクトル 石井紀彦 7 450 1976 1151 分析化学 Ion-exchange Equilibrium of Alkari Metal Ions between Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers and Aqueous Solutions 小松 優・藤木良規 佐々木高義 31 E225 ~229 1982 1225 Distribution Coefficients of Alkaline Earth Metal Ions and their Possible Applications on Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers 小松 優・藤木良規 佐々木高義 32 E33 1983 1412 Adsorption of Alkaline Earth Metal Ions on Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers at 298 to 353 K 小松 優・藤木良規 佐々木高義 33 E159 1984 427 分光研究 固体の吸収スペクトル測定法第3講正反射法 高橋博彰・平石次郎 石井紀彦 25 3 153 1976 420 粉体および粉末冶金 無定形シリカ球の合成とその加熱性状 下平高次郎・戸室 昇 23 4 137 1976 704 アルミナを添加したAIN焼結体の強度 酒井利和 25 8 272 1978 985 炭化タングステンの高圧焼結 赤石 實・瀬高信雄 福長 脩 28 4 141 1981 1427 易焼結性および難焼結性Al2O3粉体の焼結挙動 池上隆康・垣尾寿彦 千田幸雄・守吉佑介 31 4 130 1984 1528 Petrotech 無機・有機複合ホスト 木島 剛 8 4 18 1985 1054 宝石学会誌 天然ダイヤモンドの微細構造 Theガラス 守吉佑介・瀬高信雄 加茂睦和 7 2 13(45) 1980 1441 新しいガラスの話 牧島亮男 2 150 1984 1349 未踏加工技術 材料開発の表裏―新材料開発について何をなすべきか 鈴木朝夫・矢部 明 永井治男・冷水佐寿 永田明彦・中村森彦 佐藤満雄・君塚 昇 9 1983 1439 無機固体酸化物の物質設計―フェライトの場合 君塚 昇 176 2 1984 929 メカトロニクス 排ガス分析に威力の酸素センサー 白㟢信一・小川 誠 真鍋和夫 7 45 1981 945 文部省科研費総合研究(A) 金属酸化物多結晶の欠陥構造と拡散 白㟢信一 3 50 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 403 窯業協会誌 ウルツ鉱型窒化硼��素の高温高圧下での相転移 平岡秀雄・福長 脩 岩田 稔 84 4 163 1976 406 Reaction between Al2O3 and Silicon in Nitrogen Atmosphere 猪股吉三・雪野 健 和田寿璋 84 5 254 1976 414 Microstructure and Etching of Hot Pressed Si3N4 with Al2O3 猪股吉三・松山辰夫 雪野 健・堤 正幸 84 6 304 1976 438 窒化珪素の雰囲気加圧法焼結に伴う微細構造の変化 三友 護・大島忠平 堤 正幸 84 8 356 1976 445 CoO ・ Al2O3スピネルの合成に関する研究 毛利尚彦 84 9 447 1976 454 硼��化ランタン中の硼��素及びランタンの定量 小林美智子・一ノ瀬昭雄 永長久彦 84 10 513 1976 461 窒化珪素の加圧焼結―Mg―Si―N―O系化合物添加の場 合― 猪股吉三・雪野 健 松山辰夫・和田寿璋 84 11 534 1976 463 CoO ・ Al2O3スピネルへのAl2O3の固溶に関する研究 毛利尚彦 84 11 539 1976 472 窒化珪素の加圧焼結助剤としてのZrO2 猪股 吉三・長谷川安利 松山辰夫・矢島祥行 84 12 600 1976 481 Reaction between Si3N4 and MgO added as a Hot -Pressing Aid 猪股 吉三・長谷川安利 松山辰夫 85 1 29 1977 487 シリコン粉末の窒化過程におよぼすFe2O3添加の影響 長谷川安利・猪股 吉三 木島弌倫・松山辰夫 85 2 88 1977 490 ニッケル触媒によるダイヤモンド合成とその成長機構 山岡信夫・小松 啓 飯塚栄一・福長 脩 瀬高信雄 85 2 73 1977 491 Thermal Reactions in the Systems Tricalcium Phosphate-Fluorides 全沢孝文・門間英毅 榎本 茂・布沢正雄 85 2 96 1977 498 フラックス法によるチタン酸カリウム繊維の合成 藤木良規・泉富士夫 85 4 155 1977 523 The Surface Diffusion Coefficient of Al2O3 Obtained by Free Sintering 小松和蔵・守吉佑介 文 世基・鎌田秀明 倉島茂幸 85 4 185 1977 528 Sintering of Si3N4 with Al2O3 and Y2O3 三友 護 85 8 408 1977 529 融剤法によるYAG単結晶の育成 進藤 勇・小松 啓 85 8 380 1977 542 四チタン酸カリウムの吸水性と熱的挙動 藤木良規・泉富士夫 大坂俊明・渡辺 遵 85 10 475 1977 543 CoO―ZnO―Al2O3―Cr2O3―SnO3系スピネル固溶体の生 成と色 大塚 淳・羽田 肇 84 2 76 1976 551 Si3N4 (60 mol%)―Y2O3―Al2O3―SiO2四成分系の1400℃ における相平衡関係 猪股 吉三・長谷川安利 85 11 533 1977 559 Effects of Al2O3/Na2O Ratio on the Rate of Ion Exchange in PbO Containing Optical Glasses 牧島 亮男・To-Tiep -Ich ・境野照雄 85 12 594 1977 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 571 リン酸カルシウムから非化学量論性水酸アパタイトの湿式 生成過程 門間英毅・金沢孝文 86 2 34 1978 578 MgOの仮焼及び焼結におけるハロゲンイオンの添加効果 池上隆康・松田伸一 鈴木弘茂 86 3 97 1978 579 A Method for Obtaining Surface Diffusion Coefficients from Initial Sintering Data 守吉佑介・小松和蔵 86 3 42 1978 581 Hot-pressing of the AlN-Al2O3 System 酒井利和 86 3 125 1978 588 AlNの焼結と熱伝導率に及ぼす不純物酸素の効果 酒井利和・栗山正明 犬飼 隆・木島 剛 86 4 174 1978 617 Si2ON2-Y2O3-Al2O3三成分系の1400℃における相関係 田中英彦・長谷川安利 猪股吉三 86 8 365 1978 618 Al固溶Ca3(PO4)2の化学的性質 門間英毅・金沢孝文 86 8 46 1978 621 Comment on the Evaporation of Si-Al-O-N Compounds under N2 Atmosphere at High Temperature 猪股吉三・田中英彦 86 9 435 1978 465 The Formation of Single Phase Si-Al-O-N Ceramics 三友 護・倉元信行 堤 正幸・鈴木弘茂 86 11 526 1978 655 リン酸三カルシウムの各種pH水溶液中での組成・構造変化 門間英毅・上野精一 堤 正幸・金沢孝文 86 12 590 1978 682 Flux Growth Reactions of Potassium Tetratitanate Fibers 藤木良規・太田進啓 87 3 168 1979 685 Si3N4-SiO2-AlN系でのβ―サイアロンの合成 三友 護・倉元信行 87 3 142 1979 711 The Composition of Mullite Like Compound Appeared in Si-Al-O-N System 猪股吉三・小野 晃 長谷川安利・矢島祥行 87 7 372 1979 732 La2O3, Y2O3含有アルミノケイ酸塩ガラスの遷移金属酸化 物による着色 金 炳勲・牧島亮男 境野照雄 87 9 468 1979 747 Microstructure of Hot-pressed SiC with AlB2 Additive 田中英彦・猪股吉三 87 10 541 1979 751 Chemical,Thermal and Elastic Properties of Low Expansion Copper Aluminosilicate 牧島亮男・宇津木剛 境野照雄 87 10 543 1979 786 四チタン酸カリウム繊維から六チタン酸カリウム繊維及び アナターゼ繊維への変換過程 太田進啓・藤木良規 88 1 9 1980 787 Thermal Decomposition Reaction of Sialon 三友 護・倉元信行 矢島祥行 88 1 50 1980 798 Strength of Hot-pressed SiC from Al Doped α-SiC Powder 田中英彦・猪股吉三 川端治雄 88 3 158 1980 799 四チタン酸カリウム(K2Ti4O9)繊維のフラックス成長反応 藤木良規・太田進啓 88 3 111 1980 813 MgOのち密化と粒成長に及ぼすCr2O3の添加効果 池上隆康・堤 正幸 松田伸一・鈴木弘茂 88 1 16 1980 827 Oxidation Behavior of Hot-pressed Si3N4 with Addition of Y2O3 and Al2O3 長谷川安利・田中英彦 堤 正幸・鈴木弘茂 88 5 292 1980 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 828 The Strength of Hot-pressed β-sialon 三友 護・長谷川安利 板東 義雄・渡辺 昭輝 鈴木弘茂 88 5 298 1980 841 ルチルの高温熱容量の測定と解析 三橋武文・高橋洋一 88 6 305 1980 842 Phase Relation in SiC-Al4C3-B4C System at 1800℃ 猪股吉三・田中英彦 井上善三郎・川端 治雄 88 6 353 1980 854 チタン酸鉛セラミックス中の鉛及びチタンの定量 矢島祥行・小林美智子 一ノ瀬昭雄・永長久彦 88 7 423 1980 863 The Strength of Reaction Sintered β-sialon 三友 護・倉元信行 猪股吉三・堤 正幸 88 8 489 1980 868 アルミニュームとホウ素に添加して加圧焼結した炭化ケイ 素の強度 田中英彦・猪股吉三 川端治雄 88 9 570 1980 870 14MeV中性子放射化法による窒化ケイ素中の酸素の分析 長島 隆・加茂睦和 田中英彦・猪股吉三 88 9 511 1980 884 SiC結晶の六方格子面内の回転によって得られる粒界のエ ネルギー 猪股 吉三・上村揚一郎 井上善三郎・田中 英彦 88 10 629 1980 889 Preparation of La-Si-O-N Oxynitride Glass of High Nitrogen Content 牧島亮男・三友 護 田中廣吉・井伊伸夫 堤 正幸 88 11 701 1980 909 Rate Equations of Grain and Particle Growth from Statistical Viewpoint 池上隆康・松田伸一 守吉佑介・鈴木弘茂 88 12 746 1980 930 Oxidation Behavior of Hot-Pressed Si3N4 Containing MgO 長谷川安利・山根典子 広田和士・堤 正幸 鈴木弘茂 89 1 46 1981 961 β-サイアロン加圧焼結体の酸化挙動 長谷川安利・広田和士 山根典子・三友 護 鈴木弘茂 89 3 148 965 リチウム固溶亜鉛フェライトにおける酸素欠陥 山村 博・羽田 肇 磯部光正・守吉佑介 白㟢信一 89 4 175 975 Strength of Sintered Potassium Hexatitanate 田中英彦・太田進啓 藤木良規 89 5 275 1981 991 Sialon Formation by Shock Compression 三友 護・瀬高信雄 堤 正幸 89 7 390 1981 995 層構造複合ビスマス酸化物の結晶化学的性質(第1報) 島津正司・村松国孝 89 7 356 1981 1033 酸化がβ-サイアロン加圧焼結体の強度に及ぼす影響 長谷川安利・三友 護 広田和士・田中英彦 藤井洋治・鈴木弘茂 89 10 533 1981 1044 The Stability Of α-Sialon at High Terperatures 三友 護・福長 脩 89 11 631-33 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1045 NiFe2O4-CaFe2O4系における磁気的性質 山村 博・羽田 肇 渡辺明男・守吉佑介 白㟢 信一 89 11 595-98 1981 1077 二チタン酸カリウム繊維の水和の誘導体 藤木良規・大坂俊明 90 1 21 1982 1086 α-SiCの(1010)粒界での結合手の一致度 猪股 吉三・井上善三郎 上村揚一郎 90 2 87 1982 1140 二つのSiC結晶の接合 猪股吉三 90 5 1982 1155 α-サイアロン加圧焼結体の強度 田中英彦・三友 護 堤 正幸 90 7 1982 1163 CoO-Al2O3系状態図 毛利尚彦 90 2 100 1982 1164 CoO-MgO-Al2O3スピネルへAl2O3の固溶限界 毛利尚彦 88 10 640 1980 1179 固体の初期焼結過程に関する自由エネルギー理論 猪股吉三 90 9 527 ~531 1982 1180 MgOへのAl2O3の固溶 毛利尚彦 90 9 551 1982 1185 Growth of Mixed Fibers of Potassium-Tetratitanate and Dititanate by slowcooling Calcination Method 藤木良規 90 10 624 ~626 1982 1200 Densification of Hydroxyapatite by Hot Isostatic Pressing 広田和士・長谷川安利 門間英毅 90 11 680 ~682 1982 1202 Thermal Properties of Sintered Potassium Hexatitanate 三橋武文・田中英彦 藤木良規 90 11 676 ~678 1982 1247 擬 2 成分系SnO2-ABO4 (A=Ga, Cr;B = Nb, Ta, Sb5+) 及びSnO2-AB2O6(A=Mg, Zn; B=Sb5+)におけるルチル 型固溶体の生成 菊地 武・渡辺昭輝 内田健治 91 3 1983 1258 徐冷焼成法によるチタン酸カリウム繊維の成長反応 藤木良規 91 4 189 1983 1260 常圧焼結β-サイアロンの常温強度 三友 護・長田真司 堤 正幸・藤井洋治 91 4 171 1983 1274 メリライト型希土類化合物の構造と磁性 越智康雄・森川日出貴 丸茂文幸・野崎浩司 91 5 1983 1293 微粉末が保有する余剰エネルギー 猪股吉三 91 7 318 1983 1325 3B2O3 ・ Na2Oガラスの構造 呉 基東・森川日出貴 丸茂文幸・貫井昭彦 90 5 270 1983 1333 Behavior of the α⇄β Phase Transformation in Tricalcium Phasphate 門間英毅・後藤 優 91 10 473 1983 1335 粒度分布と粒成長速度定数との相互関係 池上隆康・守吉佑介 91 10 57 1983 1339 カオリナイトからのサイアロン粉末の合成 吉松英之・三友 護 三橋 久・大森蕃三 矢吹達美 91 10 443 1983 1372 六チタン酸カリウム単結晶の二,三の性質 長谷川泰・田中英彦 藤木良規 91 12 565 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1389 粒径の異なる単分散シリカ球の2元系混合物に見られる粒 界モデル 下平高次郎・毛利 尚彦 堤 正幸 92 1 55 1984 1414 α-リン酸三カルシウムの焼結 門間英毅・堤 正幸 後藤 優・梅垣高士 金澤孝文 92 4 157 1984 1417 常圧焼結窒化ケイ素のHIP処理 広田和士・市来崎哲雄 矢島祥行 92 4 188 1984 1427 鉄(Ⅱ, Ⅲ)を含有するリン酸カルシウム系ガラスセラミッ クスの分析 小林美智子・竹ノ内智 永長久彦 92 5 288 1984 1430 焼結論の進歩 小松 和蔵・守吉 佑介 伊熊泰郎 92 6 299 1984 1457 β-SiC粉末の常圧焼結 ―ホウ素と炭素の最適添加量― 田中英彦・猪股吉三 佃一志・萩村 厚 92 8 461 1984 1483 Heat-Treatment of Crystalline Hydrated Titania Fibers and Adsorption Behavior of Uranium from Sea Water 藤木良規・小松 優 佐々木高義・加藤俊作 宮崎秀甫 92 11 660 1984 1484 Heat-Treatment of Crystalline Hydrated Titania Fibers and Ion-Exchange Properties for Alkaline Earth Metal Ions in Aqueous Solutions 小松 優・藤木良規 佐々木高義 92 11 665 1984 1498 Development of Microstructure during Intermediate -and Final-Stage of Sintering 池上隆康・守吉佑介 92 12 728 1984 1502 Diffusional Creep in Sintered Silicon Carbide 田中英毅・猪股吉三 93 1 45 1985 1542 合成サイアロン粉末の焼結性 三友 護塩見達也 吉松英之・堤 正幸 93 2 69 1985 452 Acta Crystallographica A Superstructures in an Imperfectly Quenched Vanadium Monosulphide. VS1.155, as Observed by High-Resolution Electron Microscopy 堀内繁雄・川田 功 小野田みつ子・加藤克 夫 松井良夫・永田文男 中平光興 A30 4 558 1976 511 The Transition Mechanism between the CsCl-type and NaCl-type Structures in CsCl 渡辺 遵・床次正安 森本信男 A33 294 1977 549 Structure Determination of a Mixed―Layer Bismuth Titanate, Bi7Ti4NbO21,by Super ―High― Resolution Electron Microscopy 堀内繁雄・菊地 武 後藤 優 A33 701 1977 677 New Layered Structure of Bi2W2O9 Petermined by 1MV High-Resolution Electron Microscopy 板東義男・渡辺昭輝 関川喜三・後藤 優 堀内繁雄 35A 142 1979 703 The Crystal Structure of 4Nb2O5 ・ 9WO3 Studied by 1 MV High Resolution Electron Microscopy 堀内繁雄・村松国孝 松井良夫 A34 939 1978 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 721 Determination of Crystal Point Group by a High -Resolution Electron Microscope Image 堀内繁雄 A35 429 1969 723 On the Contributions of the Internal Modes of Molecules to the Debye-Waller Factors. Ⅲ. Urea 石井紀彦 C. Scheringer A35 613 1979 746 (4H)2 4C Type Superstructure of TiS1.46 as Determined by High-Resolution Electron Microscopy 板東義雄・佐伯昌宣 関川喜三・松井良夫 堀内繁雄・中平光興 A35 564 1979 802 X-ray Diffraction from Nonstoichiometric Titanium Sulfide Containing Stacking Faults 小野田みつ子・川田 功 A36 134 1980 920 Intensity Distribution in Powder X-ray Diffraction from Nonstoichiometric Titanium Sulfide Containing Stacking Fault 小野田みつ子・佐伯昌 宣 川田 功 A36 952 981 Irradiation-Induced Defects inβ-Alumina Examined by 1MV High-Resolution Electron Microscopy 松井良夫・堀内繁雄 A37 51 1981 1050 Crystal Structure Analysis of Ca4 YFe3O13 by Combining 1 MeV High-Resolution Electron Microscopy with Convergent-Beam Electron Diffraction 板東義雄・関川喜三 山村 博 A37 723- 728 1981 1089 Application of Modulated Structure Analysis to Polytypes 山本昭二 A37 838~ 842 1981 1107 Modulated Structure of the NC-Type (N = 5.5) Pyrrhotito, Fe1-xS 山本昭二・中沢弘基 A38 79 ~86 1982 1146 Combination of Convergent-Beam Electron Diffraction and 1 MeV Structure Imaging in a Structure Determination of Na2Ti9O19 板東義雄 A38 211~ 214 1982 1318 X-ray Diffraction from nonstoichiometric titanium sulphide containing stacking faults: errata 小野田みつ子・川田 功 A39 269 1983 1319 Intensity distribution in powder X-ray diffraction from nonstoichiometric titanium sulphide containing stacking faults: errata 小野田みつ子・佐伯昌 宣 川田 功 A39 269 1983 1393 High Temperature X-ray Diffractometer using YAG Laser Beam 井上善三郎 A40 416 1984 410 Acta Crystallographica B Structure Refinement of H-Nb2O5 加藤克夫 B32 3 764 1976 424 New Compounds of Yb3Fe5O13 君塚 昇・加藤克夫 進藤 勇・川田 功 B32 5 1620 1976 455 Die Kristallstruktur des monoklinen Tief-Tridymits 加藤 克夫・貫井 昭彦 B32 8 2486 1976 482 Strontium Disulphide Prepared at High Pressure 川田 功・加藤克夫 山岡信夫 B32 11 3110 1976 番号 題 名 発 表 者 巻 号頁 年 499 Raspite from Broken Hill 藤田武敏・川田 功 加藤克夫 B33 162 1977 563 Die Kristallstruktur von LaCrS3 加藤克夫・川田 功 高橋立夫 B33 3437 1977 599 Structural Re-investigation of the Low Temperature Phase of V6O13 川田 功・石井紀彦 佐伯昌宣・君塚 昇 B34 1037 1978 648 Die Kristallstruktur von Wismuttitanoniobat BiTiNbO6 加藤克夫・菊地 武 B34 2393 1978 710 Die Kristallstruktur von Pentablei (Ⅱ) germanat -trioxid 加藤克夫 B35 795 1979 712 Structure Image of Yb3Fe4O10 by a 1MV High -Resolution Electom Microscope 松井良夫・加藤克夫 君塚 昇・堀内繁雄 B35 561 1979 727 Die Kristallstruktur von Bariumgermanathydrat BaO. GeO2. 5H2O 加藤克夫・高山英治 B35 1324 1979 759 Structure Analysis of Na2Ti9O19 by 1MV High -Resolution Electron Microscopy 板東義雄・渡辺 遵 関川喜三 B35 1541 1979 764 Dieuropium (Ⅲ) Germanate Oxide 加藤克夫・関田正實 木村茂行 B35 2201 1979 790 (4H)3-6C-Type Superstructure of TiS1.51 as Revealed by High-Resolution Electron Microscopy 板東義男・佐伯昌宣 小野田みつ子・川田 功 中平光興 B35 2522 1979 932 Die. OD-Strucktur von Bbeisilicat Pb2SiO4 und Bleisilicat-germanat-Mischkristall Pb2(Si, Ge) O4 加藤克夫 B36 2539 1980 1116 Die Kristallstruktur des Bleisilicats Pb11Si3O17 加藤克夫 B38 57 ~62 1982 1156 Modulated Structure of Wustite (Fe1-xO) (Three -Dimensional Modulation) 山本昭二 B38 1451~ 1456 1982 1157 Modulated Structure of CuAu Ⅱ (One-Dimensional Modulation) 山本昭二 B38 1446~ 1451 1170 Application of Modulated Structure Analysis to Polytypes Ⅱ. Determination of a 66R SiC Polytype 山本昭二・井上善三郎 B38 1703~ 1707 1982 1261 Order of Titanium Atoms and Vacancies in Polytypic Ti1+xS2(x≃0.25 —0.33) 小野田みつ子・佐伯昌 宣 B39 34 ~39 1983 1263 Application of Modulated Structure Analysis to two -Dimensional Antiphase-Domain Structure of Au2+x Cd1-x 山本昭二 B39 17 ~20 1983 1304 Weak Asymmetry in β-Si3N4 as Revealed by Convergent- Beam Electron Diffraction 板東義雄 B39 185 1983 1370 Metal Ordering in (Fe, V)3S4 中沢弘基・月村勝宏 平井寿子・和田弘昭 B39 532 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1421 Das Entwässerungsverhalten des N atriumme Tavauadatdihydrats und die Kristallstrutur des β -Natriumme Tabanadats 加藤克夫・高山英治 B40 102 1984 1473 Structure of U-W Oxides Investigated by Means of 1 MV High Resolution Electron Microscopy N.D. Zakharov ・ M.A. Gribeluk ・ B.K. Vainshtein ・ O.N. Rozanova ・ 内田健二・堀内繁雄 B39 575 1983 1485 The Modulated Structure of Intermediate Plagioclase Feldspay CaxNa1-xAl1+xSi3-xO8 山本昭二・中沢弘基 北村雅夫・森本信男 B40 228 1984 1536 High-Resolution Electron-Microscopy Study of Irradiation-Induced Defects in the β''' Phase of Potassium Ferrite 松井良夫・板東義雄 北見 喜三・ R.S. Roth B41 27 1985 1262 Acta Cryst. C Eisen (Ⅱ ,Ⅲ) germaniumoxid Fe3.2Ge1.8O8 加藤克夫・高山英治 君塚 昇 C39 148~ 151 1983 1264 Eisen (Ⅱ ,Ⅲ) germaniumoxid Fe15Ge8O36 加藤克夫・高山英治 君塚 昇・羽田 肇 山村 博 C39 151~ 154 1983 1381 Tetrasodium Divanadate,, Na4[V2O7] 加藤克夫・高山英治 C39 1480 1883 1530 Tetracaesium Divanadate Dihydrate, Cs4V2O2 ・ 2H2O 加藤克夫・室町英治 C41 163 1985 1520 Adv. Ceram Dislocations in MgO 守吉佑介・池上隆康 10 258 1984 1177 Advances in Earth and Planetary Sci Growth of Large Diamond Crystals 神田久生・福長 脩 12 525~ 535 900 Advanced Metal Finishing Technol. Japan Electrolytic Multi-coloring of Anodized Coatings on Aluminum 和田健二・内田健治 93 1980 753 AIP Conf. Proc Non-Integral Phase in Tridymite 貫井昭彦・山本昭二 中沢弘基 53 327 1979 754 Wave Distribution Vacancies in the NCtype Pyrrhotite, Fe1-xS 中沢弘基・山本昭二 森本信男 53 358 1979 757 A General Treatment of Modulated Structures 山本昭二・中沢弘基 床次正安 53 84 1979 416 The American Ceramic Society Bulletin Sintering of Si3N4 三友 護・堤 正幸 坂内英典・田中高穂 55 3 313 1976 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 690 Thermal Conductivity of Hot-Pressed Si3N4 by the Laser Flash Method 栗山正明・猪股吉三 木島 剛・長谷川安利 57 12 1119 1978 919 Thermal Expansion of Sintered Oxynitrides in the System AlN-Al2O3 酒井 利和・渡辺 昭輝 59 8 853 1980 1440 Thermal Expansion of α-Sialon Ceramics 三友 護・泉富士夫 Peter Greil・ Gunter Petzow 63 5 730 1984 533 The American Mineralogist Orientation Relationships of Augite Exsolution Lamellae in Pigeonite Hosts 中沢弘基 S.S. Hafner 62 79 1977 554 A High-Temperature Study of the Thermal Expansion and the Anisotropy of the Sodium Atom in Low Albite J.K. Winter ・ S. Ghose ・岡村富士夫 62 921 1977 670 Thermal Changes in Monoclinic Tridymite 貫井昭彦・中沢弘基 赤尾 勝 63 1252 1978 950 Pressure-Induced Phase Transitions in Tridymite 貫井昭彦・山岡信夫 中沢弘基 65 1283 1980 1096 Analytical Electron Microscopy Combination of CBED and Structure Imaging in Crystal Structure Determination 坂東義雄 117 1981 1006 Applied Physics Positron Wave Function in ReO3 by the APW Method 藤森 淳・千葉利信 津田惟雄 25 135 1981 550 Applied Physics Letters Structure and Initial Oxidation of the LaB6(001) Surface 青野正和・田中高穂 坂内英典・河合七雄 31 5 323 1977 791 Smoll Changes in Wark Function of the TiC(001) Surface with Chemisorption of O2 and H2O 大島忠平・田中高穂 青野正和・西谷龍介 河合七雄・矢島文和 35 822 1979 1340 Stable field electron emission from a tungsten tip under the ultrahigh vacuum of 10-10 Pa 大島忠平・青野正和 石沢芳夫・左右田龍太 郎 43 6 611 1983 1351 Stable Carbide Field Emitter 安達 洋・藤井 清 財満鎮明・柴田幸男 大島忠平・大谷茂樹 石沢芳夫 43 7 702 1983 780 Ber. Bunsenges. Phys. Infrared Spectra of Polynuclear Metal Carbonyls under High Pressure 石井紀彦・ H. Ahsbahs ・ E. Hellmer ・ G. Schmid 83 1026 1979 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 435 Ber. Dt. Keram. Ges. Rubinpulver als Schleifmittel 山口成人・毛利尚彦 53 5 154 1976 574 Keramische Oberflächen Zahntechnisher Legierungen 山口成人・土屋輝彦 西川 誠・長谷川安利 54 5 151 1977 1252 Biochimica et Biophysica Acta Isolation and Characterization of a Ferredoxin from MYCOBACTERIUM SMEGMATIS Takeo 今井竹夫・松本高志 太田角夫・大森大二郎 鈴木浩二・田中順三 月岡正至・戸張二郎 743 91~97 1983 401 Bulletin of the Chemical Society of Japan The Polymorphic Crystallization of TiO2 under Hydrothermal Conditions. Ⅰ. The Effect of Phosphate Ions on the Selective Crystallization of Anatase 泉富士夫・藤木良規 49 3 709 1976 540 The Synthesis of Greigite from a Polysulfide Solution at about 100℃ 和田弘昭 50 10 2615 1977 591 Equilibrium Study of the Fe-V-S System by Thermogravimetry 和田弘昭 51 5 1368 1978 594 The Polymorphic Crystallization of Titanium (Ⅵ) Oxide under Hydrothermal Conditions. Ⅱ .1) The Roles of Inorganic Anions in the Nucleation of Rutile and Anatase from Acid Solutions 泉富士夫 51 6 1771 1978 692 Phase Relation in the System PbO-PbGeO3 広田和士・関根利守 52 5 1368 1979 713 Phase Relations in the Sulfur-rich Portion of the Fe-V -S System at Temperatures between 520 and 815℃ 和田弘昭 52 7 2129 1979 752 Phase Transformation of Iron Vanadium Sulfides at High Temperatures 和田弘昭 52 10 2918 1979 804 Equilibrium Study of Iron Vanadium Sulfides in the Iron-rich Portion of the Composition Triangle of FeS -VS-S 和田弘昭 53 3 668 1980 843 The Partial Molar Quantity of the Sulfur of the Compounds in the Fe-V-S System 和田弘昭 53 4 1173 1980 937 Solvent Extraction of Iron (Ⅲ) in Concentrated Nitric Acid with Several β-Diketones 関根達也・小松 優 稲葉一穂 54 1 295 1981 938 Phase Relations in the System PbO-PbSiO3 広田和士・長谷川安利 54 3 754 1981 947 The Isomerization of 1-Butane over the ReO3 Catalyst 山口 勉・津田惟雄 田部浩三 53 539 1980 1079 The Preparation of Ti5S8 佐伯昌宣・小野田みつ 子 55 113 1982 1094 A New Phase of Compound CaMn O2+δ 高橋紘一郎-山村 博 村松国孝・白㟢信一 55 619~ 620 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1176 Direct Preparation of θ-Zirconium Phosphate 木島 剛 55 3031~ 3032 1982 1186 The Phase Pelation of the Titanium-Sulfur System 佐伯昌宣・小野田みつ 子 55 10 3144~ 3146 1982 1211 On the Structure of Cobalt Garnet, a New Synthetic Silicate Containing 8-Coordinated Cobalt (Ⅱ) 曾根興三・大橋晴夫 55 12 3806~ 3807 1982 1341 Distribution of Calcium Ion in the Cystal of MgTiO3-CaTiO3 System 長田英次・田中順三 堤 正幸・坂内英典 56 3173 1983 1371 Snccinate-Complexed Octacalcium Phosphate 門間英毅・後藤 優 56 12 3843 1983 1404 The Incorporation of Dicarboxylates into Octacalcium Bis Chydrogeuphosphatel Tetrakis Cphosphatel Pentahydrate 門間英毅 57 599 1984 1418 Sorption of Ammonia/Ammonium Ion on Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers 佐々木高義・小松 優 藤木良規 57 1331 1984 1501 Phase Relations in the System NH4Ti2P3O12-NH4Zr2P3O12 小野 晃 58 381 1985 1507 Reaction in the System N (CH3)4-ZrO2-P2O5-H2O. Preparation and Characterization of Framework Zirconium Phosphate (NH4)xH1-xZr2 (PO4)3 and HZr2 (PO4)3 木島 剛・矢島祥行 58 2 570 1985 1519 Preparation and Properties of the New High Pressure Phase β-Zr(OH)PO4 小野 晃・岡村富士夫 58 3 1051 1985 442 Bulletim of the JSME The Effect of Radiation Heat Transfer in the Measurement of Thermal Conductivity for the Semitransparent Medium 栗山正明・片山功蔵 田熊良行 19 134 973 1976 568 Carbon Thermal Desorption Spectra of the Oxidized Surfaces of Diamond Powders 松本精一郎・神田 久生 佐藤洋一郎・瀬高 信雄 15 299 1977 635 Raman Spectra of Carbons at 2600-3300cm-1 Region 佐藤洋一郎・加茂 睦和 瀬高信雄 16 4 279 1978 737 Thermal Desorption Spectra of Oxidized Vitreous Carbons 松本精一郎・瀬高 信雄 17 303 1979 776 Thermal Desorption Spectra of Hydrogenated and Water Treated Diamond Powders 松本精一郎・瀬高 信雄 17 485 1979 779 Evolution of Ethylene and Acetylene from Ethanetreated Diamond Powders 松本精一郎 17 508 1979 968 Effect of the Preceding Heat Treatrent on Hydrogen Chemisorption of Diamond Powders 松本精一郎・佐藤洋一郎 瀬高信雄 19 232 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1306 Ceramic Bull. Effect of Additive Graphite on Sintering of Diamond 赤石 實・佐藤洋一郎 瀬高信雄・堤 正幸 大沢俊一・福長 脩 62 6 689 1983 862 Ceramuraia Int'l Oxidation Behavior of Hot-pressed Si3N4 with Y2O3 and Al2O3 Additions 長谷川安利・田中 英彦 猪股吉三・鈴木弘茂 5 1979 1549 Preparation of Barium Titanate by Oxalate Method in Ethanol Solution 山村 博・渡辺明男 白㟢信一・守吉佑介 棚田正英 11 1 17 1985 1266 Ceramic Powders Microstructre of Translucent β-Sialon Ceramics 三友 護・守吉佑介 鈴木仁一郎 911 1983 464 Ceram. Soc. Japan Interaction between Molten Chalcogenide and Silica Glass 長谷川 泰・上野 精一 藤木良規・山根典子 田賀井秀夫 8 55 1974 465 Observation on the Glassformation Process of Chalcogenide Glass 上野精一・大庭茂樹 長谷川泰 8 74 1974 592 Chemical Physics Letters Relationships between Oxygen Diffusion Characteristics of Polycrystalline and Single Crystal 2MgO ・ TiO2 白㟢信一・進藤 勇 羽田 肇・小川 誠 真鍋和夫 50 3 459 1977 836 Chemistry Letters 6R-type of Ti2S3 Synthesized in an H2S-H2 Atmosphere 小野田みつ子・佐伯昌 宣 665 1980 858 A Cesium Immobilization from an Aqueous Solution using the Crystalline Adsorber of Hidrous Titanum Dioxide Fibers 藤木良規・小松 優 太田進啓 1023 1980 902 Adsorption of Cesium from Aqueous Solutions Using A Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers 小松 優・藤木良規 1525 1980 990 Immobilization of Strontium from an Aqueous Solution using the Crystalline Hydrons Titanium Dioxide Fibers 佐々木高義・小松 優 藤木良規 957 1981 1172 A New Ternary Phace Zn2Ti18S32 佐伯昌宣・小野田みつ 子 1329~ 1330 1982 1191 Lattice Constants of Monoclinic (La08Ca02)MnO3 田中 順三・高橋紘一郎 矢島祥行・月岡正至 1847~ 1850 1982 1193 Synthesis of (Ba, Pb) TiO3 Solid Solution having on Compositional Fluctuation 掛川一幸・毛利純一 石黒 弘之・高橋紘一郎 白㟢信一 1655~ 1658 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 835 Chemica Scripta Visualizing Atom in Inorganic Compounds by 1MV HRTEM 堀内繁雄 14 1-4 75 1978- 79 951 Clays and Clay Minar. Intercalation of Silica in Smectite 遠藤 忠・ M.M. Mortland T.J. Pinnavaia 28 2 105 1980 974 Properties of Silica-Intercalated Hectorite 遠藤 忠・ M.M. Mortland T.J. Pinnavaia 29 2 153 1981 641 Contrib. Mineral. Retrol. Principal Stress Directions From a Natural Occurrence of Stress-Induced Clinoenstatite B.R. Frost ・ R.S. Coe・ 岡村富士夫 67 119 1978 1046 Cosmo ニューセラミックスの時代 白㟢信一 4 11 1981 1080 ニューセラミックスの時代 白㟢信一 70 1981 524 Crystal Research & Technology ⇐ Kristal ind Technik Structure of the Pt-Al2O3Catalyst 山口成人 12 5 K34 1977 642 Optical Anisotropy Associated with Growth Striation of Yttrium Garnet, Y3(Al,Fe)5O12 北村健二・小松 啓 13 7 811 1978 649 Welding of Nickel Oxide Single Crystals 守吉佑介・野口義一 丸山 修・小松和蔵 3 10 1221 1978 650 A Simple Determination of Crystallographic Orientation of Grains in Polycrystal Zinc Oxide 守吉佑介・白㟢信一 大島弘歳・堤 正幸 進藤 勇 13 10 1225 1978 893 Stability of Dislocations in MgO Single Crystals at High Tempratures 守吉佑介・池上隆康 松田信一・関川喜三 白㟢信一 15 7 803 1980 1008 Structural Defects in Type Ⅰ Diamonds 守吉佑介・加茂睦和 佐藤洋一郎・瀬高 信雄 16 6 717 1981 448 Electron Microsopy in Mineralogy Direct Observation of Iron Vacancies in Polytypes of Pyrrhotite 中沢弘基・森本信男 渡辺栄一 305 1976 504 Experimentelle Technik der Physik Zur Kolloidchemisch Fertiggestellten Spiegelfläc he der Eisenlegierung 山口成人 24 3 311 1976 918 5th Int'l Symp. High Purity Maters in Sci. Technol. Proc. Chemical Transport of Nonstoichiometric Transition Metal Sulfides 佐伯昌宣・中平光興 1 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 598 Geochem. J. Synthesis, X-ray Crystallography and Infrared Absorption Spectroscopy of EuAl2Si2O8 岩崎文嗣・君塚 昇 12 1 1978 639 Glass Tachnol. An Improved Method for Measuring the Homogeneity of Glass by Shelyubskii's Method 境野照雄・山根正之 牧島亮男・井上 悟 19 4 69 1978 910 Einfluβ des Mischerdalkalieffecktes auf die Transformationstemperatur im Grassystem RO-Al2 O3-SiO2 長谷川泰 53 10 277 1980 1463 Glastechnische Berichte Mischerdalkalieffekt in Glassy stem RO-Al2O3-SiO2 長谷川泰 57 7 177 1984 512 Gypsum & Lime MgOの機械的性質の研究における透過電子顕微鏡の応用 守吉佑介 148 135 1977 562 焼結の基礎理論 守吉佑介 152 17 1977 620 アパタイト硬化体の性状におよぼす水溶性添加物の影響 門間英毅・上野精一 堤 正幸 156 6 1978 659 MgOにおける転位 守吉佑介 158 23 1979 660 水酸アパタイトの表面化学―有機化合物の液相吸着 木島 剛 158 28 1979 673 リン酸三カルシウムの水和によりえた水酸アパタイトの熱 重量分析 門間英毅・上野精一 159 53 1979 755 Ca3(PO4)2 - H2O-F-系におけるアパタイトの生成とフッ素 の挙動 門間英毅・上野精一 163 226 1979 795 非化学量論水酸アパタイトおよびフッ素アパタイト中の ‶水"の熱的挙動 門間英毅・田中順三 上野精一 165 60 1980 821 リン酸八カルシウム 門間英毅 33 166 1980 846 一般カルシウム塩・マグネシウム塩 金沢孝文・梅垣高士 近沢正敏・永井正幸 門間英毅 167 132 1980 970 リン酸カルシウムおよび関連カルシウム塩によるフッ素イ オンの吸収 門間英毅・上野精一 172 101 1981 1067 硫酸カルシウムナトリウム水酸アパタイトの性状 門間英毅・小野 晃 太田正恒・岡村富士夫 176 9 1982 1376 リン酸三カルシウムの水和と凝結におよぼす添加物の影響 門間英毅・後藤 優 甲村 保 188 11 1984 681 High-Pressure Sci. Technol. Modification of Belt-like High-Pressure Apparatus 福長 脩・山岡信夫 遠藤 忠・赤石 実 神田久生 1 846 1979 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 887 EXAFS Measurement and K-Absorption Edge Spectrum of-High-Pressure Metallic Phase of GaAs 下村 理・川村隆明 深町共栄・国谷資明 S. Hunter ・ A. Bienestock 534 1980 891 A Comprehensive Rule of Pressure Induced Phase Transformations in Ternary Oxides 福長 脩・山岡信夫 407 1980 1240 High Temperatures-High Pressures Electric Resistance of Manganin to 2 GPa and 80 k 田村脩蔵 14 307 1982 486 Inorganic Chemistry Synthesis and some Crystal Data of HxReO3 (x = 0.15) 君塚 昇・赤羽隆史 松本精一郎・雪野 健 15 12 3178 1976 510 Inorg. Nucl. Chem. Letters Hydrothermal Crystallization of Titanium (Ⅳ) Oxide and Oxofluorides of Niobium (Ⅴ) from Hydrofluoric Acid 泉富士夫・小玉博志 藤木良規 13 157 1977 987 ISIAT Proc. Auger Electron Spectroscopic Study on Implanted B in SiC 木島弌倫 W.D. Kingery 109 404 Japanese Journal of Applied Physics On the Final Stage in Pressure Sintering Process 酒井利和・岩田 稔 15 3 537 1976 413 Preparation and Structural Properties of Epitaxially Grown LaB6 Films on MgO Crystals 村中重利・河合七雄 15 4 587 1976 419 Dependence of Dichroism in SmFeO3 on Crystal Growth Technique and Hydrogen Treatment 阿部正紀・五味 学 森 泰道・野村昭一郎 15 6 1147 1976 451 LaB6 Coating on Carburized Ta Filament 村中重利・河合七雄 15 9 1809 1976 471 A High Resolution Lattice Image of Nb12O29 by Means of a High Voltage Electron Microscope Newly Constructed 堀内繁雄・松井良夫 坂東義雄 15 12 2483 1976 489 A Method for Measuring the Direction Angle of a Magnetization with a Vibrating Sample Magnetometer : Application to SmFeO3 in the Spin Reorientation Region 阿部正紀・五味 学 庄野敬二・森 泰道 野村昭一郎 16 2 279 1977 501 Stability of Beam Current of Single Crystal LaB6 Cathode in High Vacuum 志水隆一・新池 巧 河合七雄・田中高穂 16 4 669 1977 516 Pressure Correction at High Temperature Using the Melting Curve of Pb 赤石 實・神田久生 瀬高信雄・福長 脩 16 6 1077 1977 520 Carbon Layer on Lanthanum Hexaboride (100) Surface 大島忠平・坂内英典 田中高穂・河合七雄 16 6 965 1977 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 541 Magnetostriction of SmFeO3 and YFe1-x COx/2 Tix/2 O3 in the Spin Reorientation Regin 阿部 正紀・金田久美子 五味 学・森 泰道 野村昭一郎 16 10 1799 1977 552 Thermal Diffusivity and Seebeck Coefficient of Semiconducting KTaO3 川嶋正和・阿部正紀 月岡 正至・野村昭一郎 16 11 2049 1977 595 Photoconduction of Lead Trititanate 江原 襄・村松国孝 服部武志・増尾 翼 島津正司 17 6 1153 1978 830 Pressure-Induced Resistance and Color Change in KTN 岡井 敏・月岡正至 藤田武敏 19 5 248 1980 971 Dielectric Properties of Bi4Ti3O12 below the Curie Temperature 江原 襄・村松国孝 島津正司・田中順三 月岡正至・森 泰道 服部武志・田中 博 20 5 877 1981 1078 Ouantatative Surface Atomic Geometry and Two -Dimensional Surface Electron Distribution Aralysis a New Technique in Low-Energy Ion Scattering 青野正和・大島忠平 財満鎮明・大谷茂樹 石沢芳夫 20 11 L829 1981 1093 Point Defects in Nb22O54 Oxidized at 200℃ 堀内繁雄・木村茂行 21No.2 L97~ L99 1982 1108 The NMR Study of Li Ion Motion in K3 LiNb6 O17 and K3LiTa6O17 田中順三・小野田義人 月岡正至・島津正司 江原 襄 21 3 451~ 455 1982 1171 Vapor Deposition of Diamond Particles from Methane 松本精一郎・佐藤洋一郎 加茂睦和・瀬高信雄 21 4 L183 ~ 185 1982 1219 Interaction Potential between He+and Ti in a KeV Range as Revealed a Specialized Technique in Ion Scattering Spectroscopy 青野正和・侯 印春 左右田龍太郎・大島忠平 大谷茂樹・石沢芳夫 松田泰二・志水隆一 21 11 L670 1983 1288 Titanium Oxycarbide on TiC (100) Surface 大島忠平・大谷茂樹 青野正和・財満鎮明 柴田幸男 22 6 930 1983 1295 Growth and Properties of A15-type Nb3Sn Single Crystals 武居文彦・渡辺浩英 豊田直樹・深瀬哲郎 北村健二 22 5 887 1983 1342 Electrical Conductivities of Single Crystals of K (Nb1-x Tax) O3 田中順三 22 10 1983 1403 Pyroelectricity of Preferadly-Oriented Pb5Ge3-xSixO11 Thick Films Prepared by the Printing Technique 高橋紘一郎・白㟢信一 高松恵二・小林伸夫 御手洗征明・掛川一幸 22 73 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1444 A 400KV High Resolution-Andytical Electron Microscope Newly Constructed 坂東義雄・松井良夫 北見喜三・猪股吉三 井部克彦・本田敏和 原田善晏 23 6 L412 1984 433 Joural of the American Ceramic Society Effect of Oxygen Partial Pressure on Nitridation of Silicon 三友 護 58 11-12 527 1975 507 Structural Conformation and Solidification of Molten Alumina 貫井昭彦・田賀井秀夫 岩井津一・森川日出貴 59 11-12 534 1976 509 Moessbauer Effect in the Defect Perovskite System La1-xNax FeO3-x 山村 博・白㟢信一 高橋紘一郎 ・掛川 一幸 59 11-12 533 1976 536 Subsolidus Phase Equilibria in the System Bi2O3-TiO2-Nb2O5 菊地 武 60 3-4 148 1977 545 A Study of 2-3 and 2-4 Magnesivanadate Spinel Solid Solutions 大島弘歳・白㟢信一 山村 博 60 5-6 277 1977 603 Subsolidus Phase Equilibria in the System Na2O-Bi2 O3-TiO2 at 1000℃ 内田健治・菊地 武 61 1-2 5 1978 612 Structural Study of Molten Silica by an X-Ray Radial Distribution Analysis 貫井昭彦・田賀井秀雄 森川秀樹・岩井伸一 61 3-4 174 1978 613 Segregation of Li2O at the Grain Boundaries of Zinc Oxide 守吉佑介・白㟢信一 Eung Sang Lee 高橋紘一郎・磯部 光正 堤 正幸 61 3-4 183 1978 626 Elastic Moduli and Refractive Indices of Aluminosilicate Glasses Containing Y2O3, La2O3, and TiO2 牧島亮男・田村良明 境野照雄 61 5-6 247 1978 663 Spectral Variation of SKβ Emission with Sulfur Content in As-S Grasses 大庭茂樹・上野精一 合志 陽一 61 9-10 385 1978 665 Effect of Oxygen Composition on Flexural Strength of Hot-Pressed AIN 酒井利和 61 9-10 460 1978 679 Sintering Processes of a Sinterable and a Nonsinterable BeO Powder 池上隆康・松田伸一 守吉佑介・鈴木弘茂 61 11 532 1978 714 Grueneisen's Constant of Low Expantion Aluminosilicate Glass Containing Copper Oxide 牧島亮男・宇津木剛 境野照雄 62 3 224 1979 740 Thermal Decomposition of Si-Al-O-N Ceramics 三友 護・矢島祥行 倉元信行 62 5-6 316 1979 777 Transformation Enthalpies of the TiO2 Polymorphs 三橋武文・ 0. J. Kleppa 62 356 1979 815 Preparation and Thermal Properties of Dense Polycrystalline Oxyhydroxyapatite 木島 剛・堤 正幸 62 9-10 455 1979 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 852 Chaoite, A New Allotropic Form of Carbon, Produced by Shock Compression 瀬高信雄・関川喜三 63 3-4 238 1980 956 Characterization of Sintered MgO Compacts with Flunrine 池上隆康・小林美智子 守吉佑介・白㟢信一 鈴木弘茂 63 11-12 640 1980 1003 High-Temperature Strength AIN Hot-Pressed with Al2 O3 Additions 酒井利和 64 3 135 1981 1018 Phase Relation in the System MgO-V2O3-VO2 at 1200℃ 大島弘歳 63 9-10 504 1204 Formation of Cubic Boron Nitride from Rhombohedrol Boron Nitride by Explosive Shock Compression 佐藤忠夫・石井敏彦 瀬高信雄 65 10 C-162 1982 1205 Sluggish Transition Between Tetragonal and Rhombohedral Phases of Pb (Zr, Ti) O3 Prepared by Application of Electric Field 掛川一幸・毛利純一 白㟢 信一・高橋紘一郎 65 10 515~ 519 1982 1237 Formation of Aluminosilicate Glasses Containing Rare -Earth Oxides 牧島 亮男・小林美智子 下平高次郎・永田達也 65 12 1982 1275 Microhardness and Transparency of an La-Si-O-N Oxynitride Glass 牧島亮男・三友 護 井伊伸夫・堤 正幸 66 3 C-55 1983 1316 Solid Solubility of GeO2 in SnO2 渡辺昭輝・菊地 武 堤 正幸・竹之内智 内田健治 66 7 C-104 1983 1329 Surface Morphologies of Magnesium Vanadium Oxide. Mg2-xV 1+xO4 大島弘歳 66 7 482 1983 1337 Characterization of Insoluable Layers Formed by NaOH Attack on the Surface of a ZrO2-Containing Silicate Glass 牧島亮男・堤 正幸 下平高次郎・永田達也 66 8 139 1983 1409 Preparation of Pb(Zr, Ti) O3 Through the Use of Cupferron 掛川 一幸・毛利 純一 白㟢 信一・高橋紘一郎 67 1 1984 1422 Intermediate-Stage Sintering of a Homogeneously Packed Compact 池上隆康・守吉佑介 67 3 174 1984 1442 Direct Observation of Crack Tip Geometry of SiO2 Glass by High-Resolution Electron Microscopy 板東 義雄・伊藤 節郎 友沢 稔 67 3 C-36 1984 1505 J. Ame Ceram. Soc. Reply on Direct Obserrasion of Crack Tip Geometry of SiO2 Glass by High Resolution Electron Microscopy 友沢 稔・板東義雄 伊藤節郎 67 11C-254 1984 1547 Oxygen Self-Diffusion in Single Crystal Mn-Zn Ferrite 羽田 肇・山村 博 渡辺明男・白㟢信一 68 2 C-53 1985 488 Journal of Applied Crystallography High-Temperature X-Ray Diffraction Furnace using a Thermal-Image Technique 渡辺昭輝・島津正司 9 466 1976 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 822 Circular Diffuse Scattering from Niobium Tungsten Bronze, 3 Nb2O5 ・ 8 WO3, Studied by 1 MV High -Resolution Electron Microscopy 堀内繁雄・村松国孝 松井良夫 13 141 1980 869 Extra Electron Reflections Observed in YFe2O4, YbFe2O4 Yb2Fe3O7 and Yb3Fe4O10 松井良夫 13 395 1980 946 Irradiation-Induced Defects inβ-Alumina Examined by High-Resolution Electron Microscopy 松井良夫 14 38 1980 1305 X-ray Guide Tude for Diffraction Experiments 中沢弘基 16 239 1983 724 J. Appl. Electrochem. Coloured Coatings on Aluminium Produced by a Varying the Duration of a. c. Electrolysis Treatment Ⅰ. Thin Coatings 和田健二・畑野東一 内田 健治 9 445 1979 725 Coloured Coatings on Aluminium Produced dy a Varying the Duration of a. c, Electrolysis Treatment Ⅱ. Thick Coatings 和田健二・畑野東一 内田 健治 9 457 1979 400 Journal of Applied Physics Preparation of a Dielectric and Ferromagnetic Mirror Surface on Stainless Steel 山口成人 47 2 783 1976 555 Thermionic Work Function of LaB6 Single Crystals and Their Surfaces 大島忠平・坂内英典 田中高穂・河合七雄 48 9 3925 1977 611 “Structure of the LaB6 (001)Surface Studied by Angleresolved XPS and LEED” 青野正和・大島忠平 田中高穂・坂内英典 河合七雄 49 5 2761 1978 624 A Model of Densification with Simultaneous Grain Growth 池上隆康・堤 正幸 松田伸一・白㟢信一 鈴木弘茂 49 7 4238 1978 743 Direct Observation of LaB6(001) Surface at High Temperatures by X-ray and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy, Lowenergy Electron Diffraction, Auger Electron Spectroscopy, and Workfunction Measurements 青野正和・西谷龍介 大島忠平・田中高穂 坂内英典・河合七雄 50 7 4802 1979 819 Galvanomagnetic Properties of Fe3S4 野崎浩司 51 1 486 1980 825 Low Work Function and Surface of the LaB6 (210) Surface Studied by AngleResolved X-ray Spectroscopy, Ultraviolet Spectroscopy, and Low Energy Electron Diffraction 大島忠平・青野正和 田中高穂・西谷龍介 河合七雄 51 2 997 1980 826 Thermionic Emission from Single-Crystal LaB6 Tips with (100),(110),(111),and (210) Orientations 大島忠平・青野正和 田中高穂・河合七雄 志水隆一・萩原宏俊 55 2 1201 1980 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 850 Magnetic Characterization of Semi-Amorphous Dispersions Nickel on Alumina-Graphite Substrates 山村 博 50 11 7795 1979 875 The Preparation and Properties of CeB6, SmB6 and GdB6 田中高穂・西谷龍介 大島忠平・坂内英典 河合七雄 51 7 3877 1980 1292 Induced emission cross section of Nd: Y3Al5 O12 grown by floating zone method 関田正實・木村茂行 54 6 3415 1983 1538 Field Electron Emisson Properties of TiC Single Crystals 藤井 清・財満鎮明 安達 洋・大谷茂樹 57 5 1723 1985 585 J. Catal. Tribophysical Preparation of Al2O3-Pt-Pd Catalyst 山口成人 50 541 1977 1021 Metathesis of Propylene over Unsupported Rhenium Trioxide 津田惟雄・藤森 淳 69 410 1981 1147 Catalytic Behavior of Calcium Phosphates for Decompositions of 2-Propanol and Ethanol 門間英毅 75 1 200~ 203 1982 467 The Journal of Chemical Physics Nitrogen Self-Diffusion in Silicon Nitride 木島弌倫・白㟢信一 65 7 2668 1976 647 Ramanactive Modes of Alpha Silicon Nitride 葛葉 隆・木島弌倫 板東義雄 69 1 40 1978 944 Defect Structure and Oxygen Diffusion in Undoped La -doped Polycrystalline Barium Titanate 白㟢信一・山村 博 羽田 肇・掛川一幸 毛利純一 73 9 4640 1980 1364 Diffusion of Ion Implanted Aluminum in Silicon Carbide 多島 容・木島弌倫 W. D. Kingery 77 5 2592 1982 522 J. Chem. Soc. Hydrolysis of Magnesium (Ⅱ) in 1.0 mol dm-3 Aqueous (Na, H) No3 Solution 永長久彦 912 1977 1235 Uptake of Amino-acids by Zirconium Phosphates Part 2. Intercalation of L-Histidine, L-Lysine, and L -Arginine by α-Zirconium Phosphate 木島 剛・上野精一 後藤 優 2449 1982 955 J. Chem. Tech. Biotechnol. Properties of Hydroxyapatite Prepared by the Hydrolysis of Tricalcium Phosphate 門間英毅・上野精一 金沢孝文 31 15 1981 1083 J. Clay. Japan 粘土―シリカ複合体 遠藤 忠 21 83 1981 469 Journal of Colloid and Interface Science The Mirror Surface of Stainless Steel Prepared by a Colloid Chemical Reaction 山口成人 57 1 187 1976 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 421 Journal of Crystal Growth Formation of Iron Sulfide Particles by Evaportion in Argon Gas 大坂敏明・中沢弘基 畑野東一・坂口幸助 34 1 92 1976 423 Growth of H―Nb2O5 Single Crystals by the Floating Zone Method 進藤 勇・小松 啓 34 152 1976 476 Chemical Transport of Non―Stoichiometric TiS2 佐伯昌宣 36 77 1976 477 The Growth of Single Crystals of NbO by Chemical Transport Reactions 小玉博志・小松 啓 36 1 121 1976 513 Growth of Diamond with Rhombic Dodecahedral Faces 山岡信夫・小松 啓 神田久生・瀬高信雄 37 349 1977 514 Etching of Diamond Octahedrons by High Pressure Water 神田久生・山岡信夫 瀬高信雄・小松 啓 38 1 1 1977 521 Growth of Hollow Particles of Iron Sulfide 大坂敏明・岩田 稔 中沢弘基・畑野東一 小野田みつ子 38 272 1977 538 Preparation of EuB6 Single Crystal 田中高穂・坂内英典 河合七雄・石川義和 笠谷光男 40 125 1977 560 Single Crystal Growth of YIG by the Floating Zone Method 木村茂行・進藤 勇 41 2 192 1977 614 Flux Growth of Bi2WO6 Single Crystal below the Transformation Temperature 村松国孝・渡辺昭輝 後藤 優 44 1 50 1978 615 Interface Shape Transitions in the Czochralski Growth of Dy3Al5O12 宮沢靖人・森 泰道 本間 茂 43 541 1978 666 Evaluation of Yttrium Iron Garnet Single Crystal Grown by the Froating Zone Method 木村茂行・進藤 勇 北村健二・森 泰道 高見沢秀男 44 5 621 1978 667 Effect of Addition of Vanadium on the Chemical Transport of TiSx, x =1.40―1.70 佐伯昌宣・石井紀彦 川田 功・中平光興 45 25 1978 669 Growth of FeTiO3 (ILMENITE) Crystals by the Flooting-Zone Method 武居文彦・北村健二 44 629 1978 676 Interface Shape and Horizonatal Variations of Al and Ga Contents in Substituted YIG Single Crystals Grown by the Floating Zone Method 北村健二・進藤 勇 木村茂行・井伊伸夫 46 2 277 1979 687 Single Crystal Growth of Substituted Yttrium Iron Garnets Y3Fe5-x (Ga, Al) xO12 by the Floating Zone Method 進藤 勇・井伊伸夫 北村健二・木村茂行 46 3 307 1979 689 Single Crystal Growth of Akermanite (Ca2MgSi2O7) and Gehlenite (Ca2Al2SiO7) by the Floating Zone Method 井伊伸夫・進藤 勇 46 4 569 1979 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 715 Observations of Etch Pits on As-Grown Faces of Brushite Crystals 太田正恒・堤 正幸 上野精一 47 135 1979 728 Growth of Anatase (TiO2) Crystal by Chemical Transport Reactions with HBr and HCI 泉富士夫・小玉博志 小野 晃 47 2 139 1979 758 Preparation of TiCx Single Crystal with Homogeneous Compoisitions 矢島文和・田中高穂 坂内英典・河合七雄 47 4 493 1979 796 The Interface Shapes of Some Oxide Materials Grown by the Floating Zone Method 北村健二・木村茂行 細谷正一 48 3 469 1980 878 Crystallization of γ-Bi2MoO6 under Hydrothermal Conditions 小玉博志・泉富士夫 50 515 1980 888 Thermal Stability of the Long Period Poly-type of SiC, 51R, at 2500℃ 井上善三郎・猪股 吉三 50 4 779 1980 924 Preparation of ZrC Single Crystals with Constant Compositions by Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 原 昭夫 51 164 1980 952 A Symmetries of the Crystal Shapes of Synthetic Diamonds 神田久生・瀬高信雄 大沢俊一・福長 脩 51 629 1981 954 Preparation of HfC Single Crystals by a Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 51 381 1981 966 Growth of Whiskers of Hexagonal Boron Nitride 石井敏彦・佐藤忠夫 関川喜三・岩田 稔 52 1 285 1981 1000 The Growth Mechanism of Negative Crystals and Microscopic Point Imperfections in Flux Growth YAG Single Crystals 進藤 勇 51 3 573 1981 1002 Observations of Holes Around Dislocation Core in SiC Crystal 田中英彦・上村揚一郎 猪股吉三 53 3 630 1981 1057 Preparation of TaC Single Crystals by A Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 石沢芳夫 55 431~ 437 1981 1087 The Relationship between the Morphology of Brushite Crystals Grown Rapidly in Silica Gel and Its Structure 太田正恒・堤 正幸 56 652~ 658 1982 1088 Needles of WO2,9 Grown in an Electron Microscope Jean Pierre Bonnet 堀内繁雄・川田 功 56 633~ 638 1982 1095 Growth of SnO2 Crystals from the vapor Phase by Reaction of Tin with Water Vapor 畑野東一・内田健治 57 197- 198 1982 1141 Structural Polytypism of Tin Disulfide: its Relationship to Environments of Formation 藤木 良規・石沢 芳夫 57 273~ 279 1982 1150 Control of Interface Shape by Using Heat Reservoir in FZ Growth with Infrared Radiation Convergence Type Heater 北村健二・木村茂行 57 3 1982 1203 Crystal Growth of (La0.8, Ca02) MnO3 by the TSFZ Method 田中順三・坂内英典 堤 正幸・月岡正至 60 1 191~ 194 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1236 Growth Condition for the Dodecahedral Form of Synthetic Diamonds 神田久生・瀬高信雄 大沢俊一・福長 脩 60 441 1982 1246 Preparation of TiCx Single Crystals with Maximum Carbon Content by a Floating Zone Technique 大谷茂樹・本間 茂 田中高穂・石沢芳夫 61 1 1983 1283 Growth of Single Crystals of Hexagonel Boron Nitride 石井敏彦・佐藤忠夫 61 689 1983 1297 Preparation of NbCx Single Crystals by a Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 石沢芳夫 62 211 1983 1298 Stress-birefringence Associated with Facets Rare -Earth Garnets Grown frome the Melt; a Model and Measurement of Stress-birefringence Observed in thin Section 北村健二・木村茂行 宮沢靖人・森 泰道 鎌田 修 62 2 351 1983 1328 Diamond Synthesis from Gas Phase in Microwave Plasma 加茂睦和・佐藤洋一郎 松本精一郎・瀬高 信雄 62 642 1983 1387 Origin of Difference in Lattice Spacings between on and off-facet Regions of Rare-Earth Garnets Grown from the Melt 北村健二・宮沢靖人 森 泰道・木村茂行 樋口幹雄 64 2 207 1983 1405 Small Particles Cubic Boron Nitride Prepared by Electron Irradiation of Hexagonal Boron Nitride in a Transmission Electron Microscope 松井良夫 66 243 1984 1416 Temperature Distribution in Crystal Rods with High Melting Roints Prepared by a RF Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 石沢芳夫 66 419 1984 1471 Growth of Rare Earth Garnet Crystals by the Floating Zone Method 木村茂行・北村健二 進藤 勇 65 1-3 543 1983 1476 Microscopic Voids in FZ-Grown NdGG Garnet: Occurrence and Morphology 北村健二・堤 正幸 木村茂行・小松 啓 67 656 1984 1477 Oxgen Diffusion in Single Crystal Yttrium Aluminu Garnet 羽田 肇・宮沢靖人 白㟢信一 68 2 581 1984 1527 Differences between {110} and {211} Facets of Vare -Earth Garnets Grown from the Welt and their Formation Mechanismes 北村健二・木村茂行 樋口幹夫・押切利広 小松 啓 69 537 1984 1546 Oxygen Diffusion in Single Crystal Yttrium Aluminum Garnet 羽田 肇・宮沢靖人 白㟢信一 68 2 581 1984 589 J. Electron Microsc. A High Voltage Electron Microscope Constructed for Observing High-Resolution Crystal Structure Images 堀内繁雄・松井良夫 板東義雄・勝田禎治 松井 功 27 1 39 1978 470 Journal of the Electrochemical Society Structural Study of the Sunlight Absorber 山口成人 123 10 1586 1976 609 Preparation of Magnetic and Dielectric Emulsion 山口成人 124 11 1813 1977 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 789 Modified Mixed-Gas Flow Method Controlling the Oxygen Partial Pressure in a Furnance below 1100℃ 高山英治・君塚 昇 126 2012 1979 832 Thermodynamic Properties and Subphases of Wustite Field Determined by Means of Thermogravimetric Methed in the Temperature Range of 1100°-1300℃ 高山英治・君塚 昇 127 4 970 1980 1182 J. Electron Spectrosc. Related Phenomena Study of Boron Nitride by Electron Energy-Loss Spectroscopy 細井 純・及川哲夫 井上雅夫・松井良夫 遠藤 忠 27 243~ 254 1982 1985 JHPI 正六面体型超高圧力発生装置のアンビル位置の調整 増田安次・小倉好次 20 1 21 1982 1548 J. Inclusion Phenomena Complexation of Copper (Ⅱ) -Montmorillonite with a Modified Cyclodextrin 木島 剛・小林美智子 松井佳久 2 807 1984 1550 Complexes of Apatitic Layered Compound Ca8 (HPO4)2 (PO4)4 ・ 5H2O with Dicarboxylates 門間英毅・後藤 優 2 127 1984 453 Journal of Inorganic & Nuclear Chemistry Kinetic Studies of the Solvent Extraction of Metal Complexes—Ⅴ 小松 優・本田博史 関根達也 38 1861 1976 806 The Extraction Behavior of Titanium (Ⅳ) in Concentrated Hidrochloric Acid with Tri-n-Butyl Phosphate and β-Diketones 小松 優 42 265 1980 845 Hydrothermal Synthesis of Tritantalum Hydroxide Heptaoxide 泉富士夫 42 927 948 Adsorption of L-Asparagine and L-Alanine onα -Zirconium Phosphate 木島 剛 ・関川喜三 上野精一 43 849 1981 1051 Hydrolytic Precipitation of Titanium (Ⅳ) from (Na, H) Cl Aqueous Solution. 永長久彦・小松 優 43 10 2443- 2448 1981 1052 Complex Formation and Precipitation Reaction of Titanium (Ⅳ) from (Na, H) Cl Aqueous Solution Containing Phosphate 永長久彦・小松 優 43 10 2449- 2454 1981 The Journal of the Japanese Association of Mineralogists, Petrologists and Economic Geologists 405 Decomposition of CaFe3+ AlSiO6 Pyroxene at High Pressure and Low Oxygen Partial Pressure 大橋晴夫・針谷 宥 和田寿璋 70 10 347 1975 548 Flux Growth of Ilmenite and Pyrophanite under Controlled Oxygen Fugaciy 藤木良規・大塚芳郎 72 10 394 1977 587 Studies on CaScAlSiO6-pyroxene 大橋晴夫 73 2 58 1978 619 Solubility of CaAl2SiO6 in CaScAlSiO6- pyroxene 大橋晴夫 73 7 191 1978 640 Structure of CaScAlSiO6-pyroxene 大橋晴夫・井伊伸夫 73 9 267 1978 番号 題 名 発 表 者 巻 号 一頁 年 674 Crystal Chemistry of Kosmochlor-diopside Solid Solutions 大橋晴夫・藤田武敏 74 1 16 1979 716 Structure of Ca1.00 Sc0.84 Ti0.27 Al1,16 Si0.73 O6 Pyroxene 大橋晴夫・藤田武敏 井伊伸夫 74 7 280 1979 731 Studies on the Immiscibility Phenomena in NaCrSi2O6 Bearing Pyroxene Systems 大橋晴夫 74 9 326 1979 761 T-O Bond Lengths in C2/c Clinopyroxenes and the Role of Enpty Low Energy Level 3d Orbital in Ml Site Cations 大橋晴夫 74 413 1979 876 Si―O Bond Lenghts in M32+ Al2Si3O12 Garnets and the Role of Empty 3d Oribital in M2+ Cations 大橋晴夫 75 8 254 1980 877 The Behavior of Cr3+ Ion in Some Silicates 大橋晴夫 75 7 209 1980 943 The Correlation between the Si―O (Bridging). Distance and the Frequency of the Si―O―Si Stretching in Clinopyroxenes 大橋晴夫・大沢俊一 76 5 172 1981 962 Unit Cell Dimensions of the Pyroxenes in the System NaCrSi2O6―NaSCi2O6 Formed at 50 Kbar Pressure 大橋晴夫・大沢俊一 76 1 17 1981 963 Structure of Co3Al2Si3O12 Garnet 大橋晴夫・藤田武敏 大沢俊一 76 2 58 1981 1011 Correlation Between Chemical Shifts of X-Ray Photoelectron Spectra and Si―O Bond Lengths in M22+ SiO4 Olivines 大橋晴夫 76 8 273 1981 1026 Crystalization and Phase Transformation of Anatase under the Hydrothermal Comditions of Controlled Po2 大塚芳郎・藤木良規 鈴木淑夫 76 8 253 1981 1032 Studies on the Si―O Distances in NaM3+Si2O6 Pyroxenes 大橋晴夫 76 9 1981 1043 Infrared Spectra of M23+Si2O7 Compounds with Thortveitite Structure 大橋晴夫・大沢俊一 76 11 368- 371 1981 1110 Si―O Distances in Some Silicates Containing Fluor Ions 大橋晴夫 77 2 233~ 236 1982 1178 Impurity Effects on Anatase-Rutile Transformation 大塚芳郎・藤木良規 鈴木淑夫 77 4 117~ 124 1982 1181 The Crystal Structure of NaTiSi2O6 Pyroxene 大橋晴夫・藤田武敏 大沢俊一 77 9 305~ 309 1982 1224 Raman Spectroscopic Study of the Si―O―Si Stretching Vibration in Clinspyroxenes 大橋晴夫・関田正實 77 12 455 1982 1281 Flux growth of potassium-priderite Single Crystals 藤木 良規・佐々木高義 小林美智子 78 4 109 1983 1285 The Crystal Structure of NaGaSi2O6 Pyroxene 大橋晴夫・藤田武敏 大沢俊一 78 5 159 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1307 Fe―Mg Partitioning between Ilmenite and Spinel 小野 晃 78 6 221 1983 1315 Raman spectroscopic study of clinopyroxenes in the join CaScAlSiO6CaTiAl2O6 大橋晴夫・関田正實 78 7 239 1983 1322 Flux growth and state analysis of ilmenite and pyrophanite 大塚 芳郎・藤木 良規 鈴木淑夫 78 7 229 1983 1326 Electronegativity of Cr3+ion and the role the geometrical feature of the CrO6 octahedron 大橋晴夫 78 8 274 1983 1373 Crystal Field Spectra of Chromiumcontaining Clinopyroxenes and Role of the Electronegativity of Cr3TIon 大橋晴夫 78 11 449 1983 1437 J. Jpn. Assoc. Min. Pet. Econ. Geol. Si-O Distances in X2YSi2O7Melilites and Role of the Electron Density of the Y ions 大橋晴夫 79 6 235 1984 1464 Relation between Electronegativity and Ratio of the Heat of Formation to the Potential Energy 大橋晴夫 79 8 329 1984 446 Journal of the Less-Common Metals A New Method of Growing Crystals of Bi4Ti3O12 内田健治 48 315 1976 447 Synthesis of New, Layered Bismuth Titanates, Bi7Ti4 NbO21 and Bi6Ti3WO18 菊地 武 48 319 1976 459 Preparation and Properties of CrB6 Single Crystals 田中高穂・野崎浩司 坂内英典・石沢芳夫 河合七雄・山根典子 50 15 1976 556 Synthesis of a New, Mix―Layered Bismuth Titanate SrBi8Ti7O27 菊地 武 52 163 1977 657 Characterization of Bi2W2O9 Having a Unique Layered Structure 渡辺昭輝・後藤 優 61 265 1978 686 A New Modification of Tantalum (Ⅴ) Oxide 泉富士夫・小玉博志 63 2 305 1979 848 An Electron Microscopic Study of a Perovskite-Type Compound Ca4YFe5O13 板東義雄・山村 博 関川喜三 70 281 1980 960 2H-Type Ti1+xS2 in the Range χ = 0.11 — 0.33 佐伯昌宣・小野田みつ 子 川田 功 77 131 1981 993 Growth of Single Crystals of VxSe2 by Chemical Transport with Iodine 大谷槻男・中村英明 中平光興・石井紀彦 77 2 185 1981 1070 The Surface Properties of TiC(001)and TiC(111)Surfaces. 大島忠平・青野正和 82 69 1981 1071 Growth of Single Crystals of the Ⅳ a Group Transition Metal Carbides by Floating Zone Technique 大谷茂樹・田中高穂 82 63 1981 1121 The Surface Properties of TiC(001) and TiC(111) Surfaces 大島忠平・青野正和 82 69~ 74 1981 番号 題 名 発 表 者 巻号 頁 年 1233 Electrnic Structure of Non-Stoichiometric Titanium Hydride 藤森 淳・津田惟雄 88 269 1983 1469 Preparation of High Purity Single Crystals of YB4 and their Application to De Haas-Van Alphen Effect Measuremants 田中高穂・大谷茂樹 石沢芳夫 102 281 1984 1937 J. Luminescence Emission and Excitation Spectra of Bi2Ge3O9: Eu3+ 関田正實 22 335 1981 1066 Fast 1-Luminescence from Carbon-Related Defects of Hexagonal Boron Nitride 江良 皓・南不二雄 葛葉 隆 24/25 71 1980 1981 1251 J. Mag. Mag. Mat. Magnetic Ordering in Lu2Fe3O7 田中みどり・君塚 昇 秋元 純・船橋 達 白鳥紀一 31~ 34 769~ 770 1983 1253 NMR Study of Mixed Valent Compounds SmB6 with La and Yb Substitution and CeB6 滝川 仁・安岡弘志 田中高穂・石沢芳夫 笠谷光男・糟谷忠雄 31-34 391 1983 1254 Low-Temperature Transitions of RFe2O4 岸 文夫・中川康昭 田中みどり・君塚 昇 進藤 勇 31-34 807 1983 1256 Effect of Hydrostatic Pressure on the Magnetic Transition Temperature of Mixed-Valeuce Perovskite (La0.8Ca0.2) MnO3+y 田村脩蔵 31-34 805 1983 1259 Magnetic Properties of R3+Fe3+M2+O4 白鳥紀一・三浦成人 船橋 達・秋元 純 君塚 昇・竹川俊二 31-34 799~ 800 1983 1195 Journal of Magnetic Resonance Biradical Center in α-Quarts 磯谷順一・W. C. Tennant 内田吉茂・J. A. Weil 49 3 1982 434 Journal of Materials Science Pressure Sintering of Si3N4 三友 護 11 1103 1976 473 Mössbauer Effect of 57Fe―Doped Silicon Nitride 山村 博・木島弌倫 白㟢信一・猪股吉三 鈴木弘茂 11 1754 1976 484 Growth of Polycrystalline Diamond 神田久生・鈴木和一 福長 脩・瀬高信雄 11 2336 1976 493 Effect of Fe and Al Additions on Nitridation of Silicon 三友 護 12 273 1977 534 Effect of Oxygen on Sintering of AIN 酒井利和・岩田 稔 12 1659 1977 558 The Fabrication of the Translucent ZnO by Sintering 守吉佑介・磯部光正 長谷川泰・小松和蔵 12 2347 1977 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 572 AIN Film Containing Si 上村揚一郎・岩田 稔 13 208 1978 586 Growth and Properties of Strontium Cobaltate Single Crystals 武居文彦・織田 仁 渡辺 浩・進藤 勇 13 519 1978 605 Welding of Magnesium Oxide Single Crystals by H3PO4 守吉佑介・堤 正幸 松田伸一・池上隆康 山村 博・白崎信一 13 6 1366 1978 634 The Growth of Dy3Al5O12 宮沢靖人・森 泰道 本間 茂 13 2272 1978 636 Fracture in Magnesium Oxide Bicrystals 守吉佑介・W. D. Kingery J. B. Vander Sande 12 1062 1977 637 Dislocation Motion in Magnesium Oxide 守吉佑介・W. D. Kingery J. B. Vander Sande 13 2507 1978 646 A New Compound with Fluorapatite Structure in the System La-Si-O-N 三友 護・倉元信行 鈴木弘茂 13 2523 1978 662 Graphitization Behaviour of Carbon Fibreglassy Carbon Composites 田中英彦・鏑木 裕 木村脩七 13 2555 1978 717 Growth Pressure-Temperature Region of Cubic BN in the System BN-Mg 遠藤 忠・福長 脩 岩田 稔 14 1375 1979 736 Precipitation Mechanism of BN in the Ternary System of B-Mg-N 遠藤 忠・福長 脩 岩田 稔 14 1676 1979 741 Growth of Mg2TiO4 Single Crystals by the Floating Zone Method 進藤 勇・木村茂行 北村健二 14 1901 1979 768 Fabrication of High Strength β-Sialon by Reaction Sintering 三友 護・倉元信行 猪股吉三 14 2309 1979 770 Crystal Structure of Si3N4 ・ Y2O3 Examined by a 1 MV High-Resolution Electron Microscpe 堀内繁雄・三友 護 14 2543 1979 771 Reply to Comments on New Compound in the System La-Si-O-N 三友 護・倉元信行 鈴木弘茂 14 2779 1979 810 Etching of Diamond Octahedrons at High Temperatures and Pressure with Controlled Oxygen Partial Pressure 山岡信夫・神田久生 瀬高信雄 15 332 1980 817 X-ray Crystallographic Data on Alminum Silicon Carbide, α-Al4SiC4 and Al4Si2C5 井上善三郎・猪股 吉三 田中英彦・川端治雄 15 575 1980 840 Consolidation of Diamond Powders by Thermal Decomposition Methane and Benzene 松本精一郎・瀬高 信雄 15 1333 1980 865 Single-Crystal Growth of La4Si2O7N2 by the Floating Zone Method 井伊伸夫・三友 護 井上善三郎 15 1691 1980 871 Non-Stoichiometry of (La0.8Ca0.2) MnO3+y 田村脩蔵・山本昭二Letters 15 2120 1980 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 872 Polymorphic Transition of GaNbO4 under High Pressure 田村脩蔵・若桑睦夫 広田和士 15 2128 1980 873 Synthesis of LaB6 from BN and Lanthanum-Citrate -Hydrate 塩田 勝・堤 正幸 内田健治 15 1987 1980 913 The Strength of α-sialon Ceramics 三友 護・田中英彦 村松国孝・井伊伸夫 Letters 15 2661 1980 914 X-ray Crystallographic Data on the Compound Bi2-x LaxWO6 井上善三郎・渡辺 昭輝Letters 15 2669 1980 915 Preparation of Octacalcium Phosphate by the Hydrolysis of α-tricalcium Phosphate 門間英毅 15 2428 1980 916 Surface Structures of Synthetic Diamonds 神田久生・赤石 實 瀬高信雄・山岡信夫 福長 脩 15 2743 1980 917 A Crystallographic Study of a New Compound of Lanthanum Silicon Nitride LaSi3N5 井上善三郎・三友 護 井伊伸夫 15 2915 1980 931 Electrical Conductivity of α-Sialon Ceramics 三友 護・上村揚一郎 16 552 1981 940 Synthesis and X-ray Crystallography of Aluminium Boron Carbide Al8B4C7 井上善三郎・田中英彦 猪股吉三 15 3036 1980 988 Consolidation of Si3N4 by Shock Compression 三友 護・瀬高信雄Letters 16 851 1981 989 Formations of Rhombohedral Boron Nitride, as Revealed by TEM-Electron Energy Loss Spectroscopy 松井良夫・関川喜三 佐藤忠夫・石井敏彦 Letters 16 1114 1981 1009 Diamond Systhesis from Carbon Precursor by Explosive Shock Compression 瀬高信雄・関川喜三 16 1728 1981 1013 Effect of Oxygen on the Growth of Cubic Boron Nitride Using Ng3N2 as Catalyst 佐藤忠夫・平岡秀雄 遠藤 忠・福長 脩 岩田 稔 16 1829 1981 1024 A SiC Bicrystal Junction on the (0001)Plane 井上善三郎・上村揚一郎 猪股吉三 16 2297 1981 1025 The Synthesis of cBN Using Ca3B2N4 遠藤 忠・福長 脩 岩田 稔 16 2227 1981 1027 A Grain Boundary of α-Sic Bicrystals 上村揚一郎・猪股 吉三 井上善三郎 Letters 16 1981 1062 Silicon Carbide Micro-Crystals Growth from Aqueous Solution 猪股吉三・市川二朗 中村正實 Letter 16 2622- 2625 1981 1075 Ionic Conduction in K3LiNb6O17 田中順三・月岡正至 坂内英典・島津正司 Letters 16 133~ 135 1981 1106 Translucent β-Sialon Ceramics 三友 護・守吉佑介 酒井利和・大坂俊明 小林美智子 Letters 17 25~26 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1109 Sintering Bahavior of the Diamond-Cobalt System at High Temperature and Pressure 赤石 實・神田久生 佐藤洋一郎・瀬高 信雄 大沢俊一・福長 脩 17 193~ 198 1982 1138 Crystal Structure of LiFeSnO4 渡辺明男・山村 博 松井良夫・守吉佑介 白崎信一 Letters 17 116~ 118 1982 1168 Microstructure in ZnO thin Plates from Molten mixed Alkali Solutions 橋本栄久・守吉佑介Letters 17 4~6 1982 1174 Phase Separation and Structural Change Accompaning the Introduction of Silver to Arsenic Trisulphide Glass 太田正恒・堤 正幸 泉富士夫・上野精一 17 2431~ 2434 1982 1183 Phase Relationships in the System Si3N4―SiO2―La2O3 三友 護・泉富士夫 堀内繁雄・松井良夫 17 2359~ 2364 1982 1218 Structure Refinement of Yttrium α-Sialon from X-ray Powder Profile Deta 泉富士夫・三友 護 鈴木仁一郎 Letters 18 533 1983 1220 A Simplified Method of Generating Layer Sequences for SiC Polytypes 井上善三郎 17 3189 1982 1221 A Simplified Method of Generating Layer Sequences for SiC Polytypes Part 2 Application to the Determination of New Polytypes 20H(a)and 20H(b) 井上善三郎・猪股 吉三 田中広吉・小松 啓 17 3197 1982 1227 Normal Grain Growth in Porous snd Dense Compacts 池上隆康・松田伸一 守吉佑介・鈴木弘茂 17 2855 1982 1231 Growth of Diamond Particles from Methane-Hydrogen Gas 松本精一郎・佐藤洋一郎 堤 正幸・瀬高信雄 17 3106 1982 1268 Growth of Co1-xFexTiO3 Single Crystals 武居文彦・庄野安彦 北村健二・伊藤厚子 18 894~ 898 1983 1289 Electron microscopic observation of diamond particles grown from the vapour phase 松本精一郎・松井良夫 18 1785 1983 1321 TEM-electron energy loss spectroscope study of the diamond particles prepared by the chemical vapour deposition from methane 松井良夫・松本精一郎 瀬高信雄 Letters 18 532 1983 1353 The Microstructure of Natural Polycystal Diamond, Carbonado and Dallas 守吉佑介・加茂睦和 瀬高 信雄・佐藤洋一郎 18 217 1983 1358 Formation Mechanism of cBN Crystals under Isothermal Conditions in in the System BN-Ca3 B2N4 佐藤忠夫・遠藤 忠 加島慎治・福長 脩 岩田 稔 18 3054 1983 1415 Oriented Pb5Ge3-xSix O11 thick films Prepared by the Printing technique 高橋紘一郎・白㟢信一 高松恵二・小林伸夫 御手洗征明・掛川 一幸 19 239 1984 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1446 Formation Mechanism of cBN Crystals under Isothermal Conditions in the System BN-Ca3B2N4 佐藤忠夫・遠藤 忠 加島慎二・福長 脩 岩田 稔 18 3054 1983 1447 Preparation and Properties of HZr2P3O12 and Related Compounds 小野 晃 19 2691 1984 1490 Oxgen Self-Diffusion in Single and Polycrystalline Magnesio-Ferrites 羽田 肇・進藤 勇 山村 博・白㟢信一 19 2948 1984 1493 Rietveld Vefinements for Calcium and Yttrium Containing α-Sialons 泉 富士夫・三友 護 板東義雄 19 3115 1984 1495 Thermal Conductivity of α-Sialon Ceramics 三友 護・廣崎尚登 三橋武文 Lett. 19 915 1984 1522 Thermal Alteration of Succirate-Complexed Octacalcium Phosphate 門間英毅・後藤 優 Lett. 20 147 1985 1541 Normal Sintering of Al-doped β-SiC 田中英彦・猪股吉三 原 和久・長谷川晴久 Lett. 20 315 1985 441 Journal of Non-Crystalline Solids Infrared Studies of Se―Based Polynary Chalcogenide Glasses (Ⅰ) : YxSxSe100-2x(Y = Ge, As, Te) 大坂俊明 21 1 23 1976 468 Infrared Studies of Se―Based Polynary Chalcogenide Glasses (Ⅱ) : YxZxSe100-2x (Y = Ge, As ; Z = As, Te) 大坂俊明 22 1 89 1976 483 Infrared Studies of Se―Based Polynary Chalcogenide Glasses (Ⅲ) : YxZxSxSe100-3x (Y=Ge, As ; Z=As, Te) 大坂俊明 22 2 359 1976 561 Infrared Absorption of Glassy Se Containing Small Amounts of Ge, As and Te 大坂俊明・渡辺昭輝 27 1 157 1978 701 The Leaching of Phase-Separated Sodium Borosilicate Glasses 牧島亮男・ J. D. Mackenzie J. J. Hammel 31 377 1979 729 Study of the Structure of Silica Glass by High -Resolution Electron Microscopy 板東義雄・石塚和夫 33 3 375 1979 808 A New Phase of Aluminium Silicon Carbide, Al4Si2C5 井上善三郎・猪股 吉三 田中英彦・川端治雄 15 255 1980 831 Alkaline Durability of High Elastic Modulus Alumino -silicate Glasses Containing Y2O3, La2O3 and TiO2 牧島亮男・下平高次郎 38-39 661 1980 903 Alkaline Durabilities and Structures of Amorphous Aluminosilicates Containing ZrO2 Prepared by the Chemical Polymerization of Metal Alkoxides 牧島亮男・大橋晴夫 若桑睦夫・小谷和夫 下平高次郎 42 545 1980 1048 Application of STEM to Elemental Analysis in Glass 坂東義雄・飯島澄男 河本洋三・友沢 稔 42 151- 156 1980 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1049 Elemental Analysis in a Phase Separated Glass by Stem X-Ray Microanalysis 板東義雄・飯島澄男 43 379- 385 1981 1101 The Small Anomaly in the Temperature Dependence of the Electricel Conductivity of Iron Containing Phosphate Glasses 太田正恒・羽田 肇 上野精一 46 379〜 387 1981 1223 Detection of Microheterogeneity in Monolithic Oxide Glasses 境野照雄・牧島亮男 52 573 1982 684 Journal of Nuclear Materials Growth of Li2O Single Crystals by the Floating Zone Method 進藤 勇・木村茂行 野田健治・倉沢利昌 那須昭一 79 2 418 1979 1456 Surface Composition Change of TiC under 0.15-3 KeV Hydrogen Ion Bombardment 田中 治彦・斉木幸一朗 大谷茂樹・小間 篤 田中昭二 116 2-3 317 1983 1492 Deuterium Retention in TiC Crystals Prepared by Chemical Vapor Deposition and Floating Zone Methods 佐藤健太郎・山口貞衛 藤野 豊・平林 真 楢本 洋・小沢国夫 大谷茂樹 128-129 698 1984 1510 Irradiation of Atomic Hydrogen on TiC Surfaces 大石健司・熊代幸伸 藤森 淳・宇佐美誠二 128-129 934 1984 803 Journal of Physical Chemistry. Dynamic Interchange among Three States of Phosphorus 4 + inα-Quartz 内田吉茂・磯谷順一 J. A. Weil 83 26 3462 1980 1488 Dynamic Interchange among Three States of Phosphorus (4 + ) in α-Quartz 2 内田吉茂・磯谷順一 J. A. Weil 88 5255 1984 411 Journal of Physics C: Solid State Physics Role of Polar Optical Phonon Scattering in Electrical Resistivies of LaB6 and ReO3 田中高穂・赤羽隆史 坂内英典・河合七雄 津田惟雄・石沢芳夫 9 1235 1976 769 Contributions to the Magnetisation in Paramagnetic V5S8 J. B. Forsyth. ・ P. J. Brown 川田 功・野崎浩司 佐伯昌宣 12 4261 1979 844 Magnetic Behaviour and Structure Change of GdB6 Single Crystals at Low Temperatures 野崎浩司・田中高穂 石沢芳夫 13 2751 1980 939 The de Haas-van Alphen Effect in TiB2 田中高穂・石沢芳夫 13 6671 1980 957 Electron-Phonon Interaction and Composition -Dependent Phonon Anomaly in CeHx 藤森 淳・津田惟雄 14 169 1981 982 Electronic States in Non-Stoichiometric Rare-earth 藤森 淳・津田惟雄 14 1427 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1385 Electronic Structure of Yttrium Hydride Studied by X-ray Photoemission Spectroscopy 藤森 淳・ Louis Schlaphach 17 341 1984 1426 X-ray Photoemission Study of the Electronic Structure of Praseodymium hydride 藤森 淳・ Jurg Osterwalder 17 2869 1984 766 Journal of Physics D: Applied Physics. Evaluation of Impurities in Reactive Sputtered Tin Film 畑野 東一・上村揚一郎 内田健治 12 1141 1979 823 Spread of Total Energy Distribution of Thermal Field -Emitted Electrons from LaB6 Single Crystal Needles 財満鎮明・M. Sase 安達 洋・柴田幸男 大島忠平・田中高穂 河合七雄 13 47 1980 628 The Journal of Physics and Chemistry of Solids Magnetic Properties of V5S8 Single Crystals 野崎浩司・梅原雅捷 石沢芳夫・佐伯昌宣 溝口 正・中平光興 39 851 1978 744 11B Nuclear Quadrupole Interaction in Metal Hexaborides (MB6) 青野正和・河合七雄 40 11 797 1979 1069 Magnetic Structure of V5S8 船橋 達・野崎浩司 川田 功 42 11 1009 1981 1296 Magnetic Structure and Magnetic Properties of Non -stoichiometric Fe1-xO 秋光正子・溝口 正 秋光 純・木村茂行 44 6 497 1983 449 Journal of the Physical Society of Japan Raman Scattering in Metallic LaB6 石井紀彦・田中高穂 坂内英典・河合七雄 41 3 1075 1976 450 Infrared Transmission Spectra of Metallic ReO3 石井紀彦・田中高穂 赤羽隆史・津田惟雄 41 3 908 1976 458 Elastic Constants of ReO3 津田惟雄・角野由夫 大野一郎・赤羽隆史 41 4 1153 1976 479 De Haas―Van Alphen Effect and Fermi Surmi Surface of LaB6 石沢芳夫・田中高穂 坂内英典・河合七雄 42 1 112 1977 508 Critical Divergence of the HF Magnetic Susceptibility of SmFeO3 in the Spin Reorientation Temperature Region 浜崎達一・橋本巍州 阿部正紀・森 泰道 42 4 1190 1977 519 ESR Studies of Phosphoric Ion in α-Quartz 内田吉茂 42 6 1937 1977 577 Lifetime Spectre of Positrons in (Ba1-1.5x Gdx□0.5x) TiO3 津田惟雄・白㟢信一 赤羽 隆・ Troio Troev ・千葉 利信 44 3 914 1978 627 Magnetic Circular Dichroism at E1 Edges in Semiconductors 藤森 淳・福谷博仁 桑原五郎 45 3 910 1978 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 632 Parastiic Ferrimagnetism of YFe2O4 杉原 忠・白鳥紀一 進藤 勇・桂 敬 45 4 1191 1978 638 Thermal Expansion of ReO3 松野 直・��見正俊 大竹周一・赤羽 隆 津田惟雄 45 5 1542 1978 652 Stress-Induced Phase Change of Single-Crystalline InSb 岡井 敏・吉本次一郎 45 6 1880 1978 653 Stress-Induced Phase Change of Single-Crystalline GaSb, InAs, and Ge 岡井 敏・吉本次一郎 45 6 1887 1978 654 A Canting Spin Ordering Mechanism in Degenerate Antiferromagnetic Semiconductors. Ⅱ. Reservoir Effect 梅原雅捷 45 6 1842 1978 678 Positron Annihilation in ReO3 赤羽隆史・千葉利信 津田惟雄 46 3 815 1978 705 Electrical Conduction Mechanism in Semiconducting KTaO3 月岡正至・田中順三 宮沢靖人 46 6 1785 1979 745 On a Self-Trapped Acoustic Polaron with the Site Diagonal and Site Off-Diagonal Electron-Phonon Interaction 梅原雅捷 47 3 852 1979 801 Preferred Orientation of CsCl Type RbI in the Change NaCl→CsCl Type 岡井 敏 48 2 514 1980 829 Temperature Dependence of the Raman Spectrum in Anatase TiO2 大坂俊明 48 5 1661 1980 837 Low-Field de Haas-van Alphen Effect in LaB6 石沢芳夫・野崎浩司 田中高穂・中島哲夫 48 5 1439 1980 857 Electron Spin Resonance of Cu2+ and Ni3+ in Mg2TiO4 田中順三・進藤 勇 月岡正至 49 1 120 1980 864 Transverse Magnetoresistance of LaB6 石沢芳夫・田中高穂 坂内英典 49 2 557 1980 886 Theory of the Electronic Structure of ReO3(001) Surface and the Surface Oxygen Vacancy 塚田 捷・津田惟雄 南不二雄 49 1115 1980 901 Valence Band Spectra of ReO3 藤森 淳・南不二雄 赤羽隆史・津田惟雄 49 5 1820 1980 911 High n-value Phases in the Complex Bismuth Oxides with Layered Structure. Bi2CaNan-2 NbnO3+3 島津正司・村松国孝 堀内繁雄・田中順三 月岡正至 49Suppl・ B 56 1980 936 Magnetizations and Mossbauer Spectra of YFe2O4-x 稲積光広・中川康昭 田中みどり・君塚 昇 白鳥紀一 50 2 438 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 967 Effect of the Electron-Phonon Interaction on the Self -Trapped Magnetic Polaron 梅原雅捷 50 4 1082 1981 1007 NMR Study of a Valence Fluctuating Compound SmB6 滝川 仁・安岡弘志 北岡良雄・田中高穂 野崎浩司・石沢芳夫 50 8 2525 1981 1039 Preferred Orientation of B2-Type Rb and K Halides in the Change B1→B2-Type 岡井 敏 50 10 3189 1981 1123 Study on Electric Resistivity and Thermoelectric Power in (La08lCa02) MnO3-y 田中順三・梅原雅捷 田村脩蔵・月岡正至 51 4 1236~ 1242 1982 1184 Magnetization of YbFe2O4+x 岸 文夫・三浦成人 中川康昭・君塚 昇 進藤 勇・白鳥紀一 51 9 2801~ 2805 1982 1255 NMR Study on the Spin Structure of CeB6 滝川 仁・安岡弘志 田中高穂・石沢芳夫 52 3 728 1983 1300 Mode Instability in NaCl Structure under Pressure 岡井 敏 52 7 2289 1983 1397 Magnetic Heat Capacity of Monoclinic (La0.8 Ca0.2) MnO3 田中順三・三橋武文 53 1 24 1984 1407 Mossbauer Study of RFe2O4 田中みどり・白鳥紀一 君塚 昇 53 2 760 1984 1458 Two-Dimensional Spin Correlation in YFe2O4 船橋 達・秋光 純 白鳥紀一・君塚 昇 田中みどり・藤下豪司 53 8 2688 1984 1479 X-Ray Scattering Study of a One-Dimensional Ionic Conductor, Hollandite 寺内 暉・二村高房 石井忠男・藤木良規 53 7 2311 1984 1497 Mossbaner Study of Magnetic Ordering in a Triangular Spin System: RFeMO4 田中みどり・白鳥紀一 君塚 昇 53 12 4113 1984 1523 Magnetic Properties of Lu2Fe3O7 杉原 忠・白鳥紀一 君塚 昇・飯田潤治 広吉秀俊・中川康昭 54 3 1139 1985 1248 Journal de Physique Letters Etude Expérimentale du Comportement Maguétique du (La0.8Ca0.2) MnO3 Préparé par la Méthode de co -Precipitation 田中順三・野崎浩司 堀内繁雄・月岡正至 44 L-129 1983 672 Journal of Raman Spectroscopy. Raman Spectrum of Anatase, TiO2 大坂俊明・泉富士夫 藤木良規 7 6 321 1978 409 Journal of Solid State Chemistry Oxygen Vacancies in Nb22O54-x, Nb25O62-x and Nb28O7O-x 菊地 武・後藤 優 16 3-4 363 1976 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 460 Magnetic Properties of Lanthanum Orthoferrites Containing Lattice Defects 山村 博・白㟢信一 大島 弘歳・掛川一幸 18 4 329 1976 583 Thermodynamic Properties of Fe-Lanthanoid-O Compounds at High Temperatures 桂 敬・関根利守 北山憲三・杉原 忠 君塚 昇 23 43 1978 722 A New Member of Sodium Titanates, Na2Ti9O19 渡辺 遵・坂東義雄 堤 正幸 28 397 1979 788 Phase Relations Thermodynamics of N onstoichiometric Vanadium Sulfide in the Range VS through V3S4 小野田みつ子・中平光興 30 283 1979 800 The Crystal Structure of Li2WO4Ⅱ: A Structure Related to Spinel 堀内弘之・森本信男 山岡信夫 30 129 1979 812 Twin Formation by a Compressive Stress on the Transition of CsCl 渡辺 遵・床次正安 森本信男 31 265 1980 853 New Titanium Dioxide Bronze with Partially Ordered Arrangement of Sodium Ions 渡辺 遵・渡辺栄一 32 233 1980 856 High-Resolution Electron Microscope Observations of β""-Alumina Prepared in a Na2O-MgO-Al2O3 System 松井 良夫・堀内繁雄 太田多禾夫 32 181 1980 892 The structure of Orthorhombic Na2Ti9O19 A Unit-Cell Twinning of Monoclinig Na2Ti9O19, Determined by 1-MV High-Resolution Electron Microscopy 板東義雄・渡辺 遵 関川喜三 33 3 413 1980 906 (2H)2-2C Type Superstructure of TiS1.62, Determind by High-Resolution Electron Microscopy 板東義雄・佐伯昌宣 小野田みつ子・川田功 中平光興 34 3 381 1980 926 The Crystal Structure and Stability of Ba5Fe4S11 S . Cohen ・君塚 昇 H. Steinfink 35 181 1980 933 Polymorphic Transformations of Bi2MoO6 渡辺昭輝・小玉博志 35 2 240 1980 972 The Luminescence of the High-Pressure Modification of Gallium Niobate (GaNbO4) G . Blasse ・ A. H. Buth 田村脩蔵 37 264 1981 973 Phase Transition in the Family LaxBi4-xTi3O12 9 In Relation to Lattice Symmetry and Distribution 島津正司・田中順三 村松国孝・月岡正至 35 3 402 1980 976 The Investigation of Sodium Titanates by the Hydrothermal Reactions of TiO2 with NaOH 渡辺 遵 36 91 1981 980 Magnetic and Electrical Properties in the Defect Perovskite System La1-x Nax FeO3-δ 山村 博・羽田 肇 白㟢信一・高田 功 36 1 1 1981 984 New Members of a Family of Layered Bismuth Compounds 小玉博志・泉富士夫 渡辺昭輝 36 3 349 1981 986 High n-Value Phases in the Complex Bismuth Oxides with Layered Structure Bi2CaNan-2 NbnO3n+3 村松国孝・島津正司 田中順三・堀内繁雄 36 2 1981 1029 Pattern-Fitting Structure Refinement of Tin (Ⅱ) Oxide 泉富士夫 38 381 1981 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1034 The System GeO2-FeO-Fe2O3 at 1000℃ 高山英治・君塚 昇 加藤克夫・山村 博 羽田 肇 38 82 1981 1035 The System GeO2-MnO-Mn2O3 at 900℃ 高山英治 39 133 1981 1038 Powder X-Ray Study on Ion Germanium Pyroxenes 高山英治・君塚 昇 39 262 1981 1040 Phase Relations of Ternary Compounds in the Ba-Fe-S System T.P.Perng ・君塚 昇 H. Steinfink 40 92 1981 1056 Ln (Fe3+M2)O4 Compounds with Layer Stucture [Ln: Y, Er, Tm, Yb and Lu] [M: Mg, Mn, Co, Cu and Zn] 君塚 昇・高山英治 40 109- 116 1981 1104 The Crystal Structure of “Ba2Fe4S5”: A Two -Dimensional Array of FeS4 Tetrahedra 君塚 昇 41 104~ 108 1982 1117 Ln(GaM2+)O4 and Ln(AlMn2+)O4 Comp;s Having a Layer Structure [Ln=Ln, Yb, Tm, Er, Ho and Y ; M=Mg, Mn, Co, Cu and Zn] 君塚 昇・高山英治 41 166~ 173 1982 1119 An Outline of the Structure of New Layered Bismuth Lanthanum Tungstate, Bi2-xLax WO6(X = 0.4-1.1) 渡辺昭輝・関川喜三 泉富士夫 41 2 138 1982 1120 Polymorphism in Bi2WO6 渡辺昭輝 41 2 160 1982 1145 The Phase Relations in the Yb2O3-Fe2O3-MO Systems in Air at High Temperatures (M: Co, Ni, Cu, and Zn) 君塚 昇・高山英治 42 22 ~27 1982 1149 Ln2Cu2O5 Compounds [Ln: Lu, Yb, Tm, Ho, Er, Dy, Tb and Y] 君塚 昇・高山英治 堀内繁雄・山本昭二 藤田武敏 42 322~ 324 1982 1187 Survey of the Phase Formation in the Yb2O3-Ga2O3-MO and Yb2O3-Cr2O3-MO Systems in Air at High Temperatures (M: Co, Ni, Cu, and Zn) 君塚 昇・高山英治 43 278~ 284 1982 1194 Synthesis of New Layed-Type and New Mixed -Layered-Type Bismuth Compounds 小玉博志・渡辺昭輝 44 2 1982 1207 Diffusion Process of Sodium Ions in the Transition of the Bronze-Type Sodium Titanium Dioxide 渡辺 遵・関川喜三 44 337~ 342 1982 1210 The System GeO2-ZnO-Fe2O3 at 1000℃ 高山英治 44 426~ 428 1982 1245 The Site Distribution of Ti and V and the Metal-Metal Interaction in the Ternary System (V, Ti)5S8 野崎浩司・佐伯昌宣 小野田みつ子・小野田義人 46 1 132 1983 1269 Electron Microscspic Study of Barium Hexaaluminates 井伊伸夫・竹川俊二 板東義雄・木村茂行 47 1 34 ~40 1983 1270 Magnetic Properties of FexV3-xS4 (o≦x≦2) 野崎浩司・和田弘昭 47 1 69 ~80 1983 1332 The Stability of the Phases in the Ln2O3-FeO-Fe2O3 Systems Which are stable at elevated Temperatures (Ln = Lanthanide Elements and Y) 君塚 昇・山本昭二 大橋晴夫・杉原 忠 関根利守 49 65 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1365 Differential Scanning Coulometric Titrometry : Application to the System Co-Ni-O at l,000℃ 高山英治 50 70 1983 1434 The Phase Relations in the In2O3-A2O3-BO Systems at Elevated Temperature 君塚 昇・高山英治 53 217 1984 1445 The Crysted Structure of Barium Hexaaluminate Phase 1(Barium β Alumina) 井伊 伸夫・井上善三郎 竹川俊二・木村茂行 52 66 1984 1465 The Crystal Structure of Lanthanum Hexaaluminate 井伊 伸夫・井上善三郎 竹川俊二・木村茂行 54 1 70 1984 1466 The Crystal Structure of Neodymium Hexaaluminate 井伊 伸夫・井上善三郎 木村茂行 54 1 123 1984 1532 The Relative Stabilities of Bi2MoO6 Polymorphs 小玉博志・渡辺昭輝 56 225 1985 631 Journal of Vacuum Science & Technology. Highly Stable Single-crystal LaB6 Cathode for Conventional Electron Microprobe Instruments 志水隆一・新池 巧 市村慎吾・河合七雄 田中高穂 15 3 922 1978 1386 A Study of Schottky barrier Formation for Ga/Si(111) -(2×1) and Sb/Si(111)-(2×1) Interfaces J. L. Freeouf・青野正和 F. J. Himpset D. E. Eastman 19 3 1981 1454 Summary Abstract: A Specialization of Low-Energy Ion Scattering Spectroscopy and its Application to Surface Studies of TiC 青野正和 A2 2 635 1984 440 Materials Research Bulletin Growth of YFe2O4 Single Crystals by Floating Zone Method 進藤 勇・君塚 昇 木村茂行 11 6 637 1976 444 A New Compound K2Cr8O16 with Hollandite Type Structure 遠藤 忠 11 6 609 1976 500 A Family of Mixed―Layer Type Bismuth Compounds 菊地 武・渡辺昭輝 内田健治 12 3 299 1977 539 Chemical Transport Rate of Titanium Disulfide 佐伯昌宣 12 8 773 1977 625 Interface Shape Transitions in Czochralski Grown YAG Crystals 宮沢靖人・森 泰道 本間 茂・北村健二 13 675 1978 675 High Temperature Form of Pb2WO5 and Transformation Phenomena to Its Low Form 藤田武敏・村松国孝 14 5 1979 785 Stability of Layered Bismuth Compounds in Relation to the Structural Mismatch 菊地 武 14 1561 1979 811 Synthesis and Crystallography of New Layered Bismuth Lanthanum Tungstate, Bi2-xLaxWO6 (x = 0.4-1.0) 渡辺 昭輝・井上善三郎 大坂俊明 15 3 397 1980 923 Synthsis and Lattice Parameters of Rare Earth Bismuth Tungstates, BiLnWO6 and Their Solid Solutions 渡辺昭輝 15 1473 1980 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1028 Formation of Local Magnetic Moments in (V, Ti) 3S4 野崎浩司 16 861 1981 1118 Phase Relations Relevant to Hexagonal Barium Aluminates 木村茂行・坂内英典 進藤 勇 17 209~ 215 1982 1455 Stereschemical Influence of the Bi3+ Lone Pair of Electrans on Polymorphism in Bi2WO6 渡辺昭輝 19 877 1984 1452 Materials Research Society Symposium Proceedings. B1~B2 Transition of RB and K Halides 岡井 敏 22 153 1984 1459 Impurity Effect on Morpholoy of Synthetic Diamond 神田久生・瀬高信雄 大沢俊一・福長 脩 22 209 1984 1462 Multi-Anvil type X-ray Apparatus for Synchrotron Radiation 下村 理・山岡信夫 八木健彦・若槻雅男 辻 和彦・福長 脩 河村春樹・青木勝敏 秋本俊一 22 17 1984 1212 Materials Sciece Monographs Hot-pressed Oxynitrides in the System AIN-Al2O3 酒井利和 14 591~ 596 1982 412 Mikrochimica Acta Spektralphotometrische Bestimmung Eisen (Ⅱ) mit α -Benzildioxim und 4-Methylpyridin 永長久彦 1 67 1976 537 Mineralogical Journal Synthesis of Mackinaurite by Vacuum Deposition Method 野崎浩司・中沢弘基 坂口幸助 8 7 399 1977 604 The Growth and Habit Modification of Rutile Crystals Using Li2WO4-WO3Flux 藤木良規・泉富士夫 大塚芳郎 9 2 64 1978 661 Brookite Formation from Precipitates Containing Calcium Ions 三橋武文・渡辺 遵 9 4 236 1978 694 Growth of ZrS2 and NbS2 Single Crystals by Chemical Transport Reactions 藤木良規・石沢芳夫 井上善三郎 9 6 339 1979 866 Flux Growth of Bulky Hexagonal BaTiO3 Single Crystal 島津正司・月岡正至 貫井昭彦 10 3 143 1980 1023 Note on an X-Ray Study of Zirconium Disulfide Single Crystals Richard S. Michell 藤木良規・石沢芳夫 10 7 344 1981 765 Nature Absorption of Hydrogen in ‛ReO3” 堀内繁雄・君塚 昇 山本昭二 279 5710 226 1979 1448 A Complex of Copper (Ⅱ) -Montmorillonite with a Modified Cyclodextrin 木島 剛 ・田中順三 後藤 優・松井佳久 310 5972 45 1984 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 494 Nature Physcal Science A New Cubic Iron Sulphide Prepared by Vacuum Deposition 中沢弘基・大坂敏明 坂口幸助 242 13 1973 502 Naturwissenschaften On the Stability of Tridymite 広田和士・小野 晃 64 39 1977 814 Kristallstruktur von Fe3Ge2O8 Ein neues Eisen (Ⅱ, Ⅲ) -germanat mit Kubisch-dichtester Sauerstoff-Packung 加藤克夫・高山英治 君塚 昇 66 616 1979 1143 Neues Jahrbuch Für Minera logie Abhandlungen The Crystal Structure of Synthetic Gugiaite, Ca2BeSi2 O7 大橋晴夫 143 2 210~ 222 1982 1215 The Structural Property of Synthetic Gehlenite, Ca2Al2 SiO7 木俣三善・井伊伸夫 144 3 254~ 267 1982 783 Neues Jahrbuch für Mineralogie Monatshefte Illustration of Crystals by Means of an XY-plotter 加藤克夫・ K. H. Klaska H11 489 1979 1020 The Crystal Structure of Synthetic Å Kermanite, Ca2 MgSi2O7 木股三善・井伊伸夫 H1 10 1981 1406 Plotter-drowing of Print-Ready Twin Figures 加藤克夫 H2 92 1984 1399 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Low-Energy Ion Scattering from the Si(111) Surface: Andysis of the Clean 7×7 and Te-Stabilized“l×1” Structures 青野正和・㔫右田龍太郎 大島忠平・石沢芳夫 218 241 1983 1420 Quantitative Surface Structure Andysis by Low-Energy Ion Scattering 青野正和 B2 374 1984 922 Optics Communications Near-Infrared Subpicosecond Pulse Generation in a Synchronously Mode-Locked CW Dye Laser 南不二雄・江良 皓 35 3 393 1980 1496 Philosophical Magazine Spinodal Decomposition in TiO2 ・ SnO2 Studied by 1 MV HRTEM 堀内繁雄・泉富士夫 菊地 武・内田健治 50 6 L29 1984 994 Physica B Stacking Faults in Nonstoichiometric Titanium Sulfide 小野田みつ子・佐伯昌宣 川田 功 105 200 1981 997 Electron-Phonon Interactions in Layered Hexagonal Boron Nitride 葛葉 隆・江良 皓 石井敏彦・佐藤忠夫 岩田 稔 105 339 1981 999 Neutron TOF Diffraction Studies of FeV2S4 and Fe2VS4 川田 功・和田弘昭 105 223 1981 793 Phys. Chern. Minerals Phase Transformations in ABO4 Type Compounds Under High Pressure 福長 脩・山岡信夫 5 167 1979 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1068 Origin of Iridescence in Garnet: An Optical Interference Study 中沢弘基 8 25 ~28 1982 1160 Structure and Lattice Vibrations of Mg-Al Spinel Solid Solution 石井紀彦 8 64 ~68 1982 1533 57Fe Mossbauer Study of Synthetic Fe3+ -Meltlites 赤坂正秀・大橋晴夫 12 13 1985 553 Physics Letters An Evidence of Spin Flopping in V5S8 by Magnetoresistance Experiments 野崎浩司・石沢芳夫 63A 2 131 1977 606 Anomalous Magnetoresistance in 1T―TaS2 田沼静一・稲田ルミ子 大貫惇睦・石沢芳夫 66A 5 416 1978 693 Magnetic Specific Heat and Debye Temperature of (La0.8Ca0.2) MnO3+y 田村脩蔵・栗山正明 70A 5-6 469 1979 879 Magnetic Measurements of (La0.8Ca0.2) MnO3+y by the Faraday Method 田村脩蔵 78A 4 401 1980 908 Electronic States of Hydrogen in HxReO3: Energy Bands and Proton Knight Shift 藤森 淳・野崎浩司 君塚 昇・津田惟雄 田原謙介・長沢 博 80A 23 188 1980 557 Phys. Rev. B Surface States of LaB6 (001)as Revealed by Angular —Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy 青野正和・田中高穂 坂内英典・大島忠平 河合七雄 16 8 3489 1977 668 Raman-scattering Study of High-pressure Effects on the Anisotropy of Force Constants of Hexagonal Boron Nitride 葛葉 隆・佐藤洋一郎 山岡・信夫江良 皓 18 8 4440 1978 874 Modulated Structure of Thiourea [SC(NH2)2] 山本昭二 22 1 373 921 Electronic Structure of Cerium Hydrides; Augmented -plane-wave Linear-combination-of-atomic-orbitals Energy Bands 藤森 淳・南不二雄 津田惟雄 22 8 3573 1980 1127 Direct Recombination and Anger Deexcitation Channels of La 4d→4f Resonant Excitations in LaB6 青野正和・田中高穂 21 7 2661 1980 1132 Angle-resolved Photoemission, Valence-band Dispersions E (k), and Electron and Hole Lifetimes for GaAs 青野正和 21 8 1980 1276 4f-and core-level Photoemission Satellites in Cerium Compounds 藤森 淳 27 7 3992 1983 1278 Successive Stracture Phase Transitions in NaxWO3 佐藤正俊 B. H. Grier G. Shirane ・赤羽 隆史 25 11 6876 1982 1284 Importance of the site-off-diagonal electron-phonon interaction on the selftrapped small magnetic polaron 梅原雅捷 27 9 5669 1983 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1301 Hexagonal Domainlike Structure in IT-TaS2 山本昭二 27 12 7823 1983 1320 Mixed-valent ground state of CeO2 藤森 淳 28 4 2281 1983 1360 Correlation Effects in the Electronic Structure and photoemission Spectra of Mixed-Valence Cerium Compounds 藤森 淳 28 8 4489 1983 1428 Multielectron Satellites and Spin Polarization in Photoemission from Ni Compounds 藤森 淳・南不二雄 菅野 暁 29 9 5225 1460 Valence―band Photoemission and Optical Absorption in Nickel Compounds 藤森 淳・南不二雄 30 2 957 1984 1131 Phys. Rev. Lett. Observation of the Transition from Uncollapsed to Collapsed Excited f-Wave Functions in I-, Xe and Cs+ via the Giant Post-Collision-Interaction Auger Effect 青野正和 45 23 1980 1197 Low-Energy Ion Scattering from the Si(001) Surface 青野正和・侯 印春 大島忠平・石沢芳夫 49 8 567~ 570 1982 1508 Comment on “Specrroscopic Evidence for Localized and Extended F-Symmetry States in CeO2” 藤森 淳 53 26 2518 1984 530 Phys. Stat. Sol. Enhancement Effect on Positron Annihilation with Tightly Bound Electrons 千葉利信・G.B.Dürr W. Brandt 81 609 1977 860 Infrared and Raman Spectra of Non-Stoichiometric Cerium Hydrides 藤森 淳・石井紀彦 津田惟雄 (b) 99 673 1980 904 Optical Spectra of EuP5O14 between 77 and 583K 関田正實・南不二雄 岡本栄知・増井博光 (b) 101 353 1980 907 Raman Study of the 250K Phase Transition in Cerium Hydride 藤森 淳・石井紀彦 津田惟雄 (b) 101 K17 1980 1055 Mössbauer Studies of a Series of New Compounds RFe2O4 (R=Y,Ho,Er,Tm,Yb) A. Narayanasamy T. Nagarajan P. Muthukumarasamy 君塚 昇 (a) 66 377 1982 1154 Raman Scattering in Bi2Ge3O9 関田正實・石井紀彦 宮沢靖人 (b)110 K1 41 1982 1201 Oscillator Strength of Transitions between Stark Levels of NdxGd1-xP5O14 関田正實・小林 正 (a) 73 61 1982 1244 XPS and UPS Spectra of Non-Stoichiometric CeHx 藤森 淳・津田惟雄 (b) 114 K139 1982 1396 Electrical Conduction of (La0.8Ca0.2) MnO3 with Homogeneous Ionic Distribution 田中順三・高橋紘一郎 雪野 健・堀内繁雄 (a) 80 621 1983 1482 Raman Study of Non-Stoichiometric Titanium Sulfides 石井紀彦・佐伯昌宣 川田 功 (b) 124 K109 1984 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 480 Platinum Met. Rev. Preparation of Alumina Supported Palladium —Platinum Catalyst 山口成人 21 1 25 1977 575 Proc. Ferroelectric Mater. Their Appl, The Formation of Defect Lead Titanate Prepared by the Reaction between Pb4SiO6 Glass and TiO2 高橋紘一郎・白㟢信一 山村 博・掛川一幸 281 1977 1517 Proc. 1st Korea-Japan Seminar on New Ceramics Bioceramics ―生体材料Apatite― 門間英毅 1539 Bioceramics ―生体材料Apatite― 門間英毅 472 1984 1355 Proc. Int'l Ion Engineering Cong. Diamond Synthesis by Plasma-CVD 木島弌倫・松本精一郎 瀬高信雄 1417 1983 1073 Proc. Int'l Conf. Mössbauer Effects and Magnetic Properries in the Defect Provskite Systeum La1-xNax FeO3-g 山村 博・羽田 肇 守吉佑介・白㟢信一 397 1980 1074 Crystal Chemistry of the Spinial-Type Fenite Series Li2M4+Fe6O12 (M4+ = Ti4+, Sn4+, Ge4+, Si4+) 渡辺明男・山村博 守吉佑介・白㟢信一 170 1980 1076 Mössbauer Recoilless Fraction in the Magnesium Spinel Series MgAl2-x FexO4 羽田 肇・山村 博 進藤 勇・白㟢信一 159 1980 1081 High-Coercivity Hysteresis Loop below 200K of YFe2O4 and LuFeO4 中川康昭・岸 学 広吉秀俊・君塚 昇 白鳥純一 115 1980 1082 Electron Exchange between Fe2+ and Fe3+ in LuFe2O4 田中みどり・秋光 純 進藤 勇・君塚 昇 白鳥純一 1980 Proc. Inter. Symp. Factors in Densification and Sintering of oxide and Non ―Oxide Ceramics. 733 The Formation of Single Phase β-sialon 三友 護・倉元信行 鈴木弘茂 1978 734 The Sintering of Si3N4 under High Nitrogen Pressures 三友 護 1978 735 Y3AlSi2O7N2 in a System of Si2ON2―Y2O3―Al2O3 田中英彦・長谷川安利 猪股吉三 1978 739 Defct Structure and Oxygen Deffusion of Undoped and Al-doped Polycrystalline NiO 白㟢信一・守吉佑介 羽田 肇 1978 762 Grain Growth in Zinc Oxide 守吉佑介・池上隆康 丸山 修・白㟢信一 1978 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 407 Proceeding of the ISSCG2 Spring-school, Japan Characterization of Crystal Surfaces by Optical Microscopy (Ⅰ) 小松 啓 333 1974 820 Proc. Japan Academy Simultaneous Measurements of Temperature and Pressure by the Ruby Fluorescence Line 山岡信夫・下村 理 福長 脩 56 3 103 1980 532 Proc. Lunar Sci. Conf. X-Ray Diffraction Profiles and Exsolution History of Pigeonite 中沢弘基・ S. S. Hafner 7 1865 1976 1103 Proc. Nucl. Phys. Sol. Sta. Phys. Magnetic Susceptibilities of RFe2O4 Systems 君塚 昇 21C 592 1230 Proc. 7th ICVM Chemical Vapor Deposition of Diamond from Methone -Hydrogen Gas 松本精一郎・佐藤洋一郎 加茂睦和・田中順三 瀬高信雄 386 1982 772 Proc. 2nd Meeting Ferr. Mat. Their Appl. Pyroeffect in Pb5Ge3O11 and Pb5Ge2O11 Monocrystals Prepared by Glass-recrystallization 高橋紘一郎・ L. H. Hardy R. E. Newham L. E. Cross 1979 Proc. 6th Inter. Symp. “High-Purity Mat. in Sci. Tech.” 1540 Phase Diagram of Ti-S System 佐伯昌宣・小野田みつ子 204 1985 695 Rep. Res. Lab. Eng. Application of the Least-Squares Procedure to Studies on Glass Structures 江上浩二・田中清明 丸茂文幸・長谷川泰 4 49 1979 756 The Review of Scientific Instruments Versatile Tipe Miniature Diamond Anvil High -Pressure Cell 山岡信夫・福長 脩 下村 理・中沢弘基 50 9 1163 1979 1001 Modified Mixed-Gas Flow Method for Controlling the Oxygen Partial Pressure in a Furnace, Using a CO2-CO System 君塚 昇・高山英治 52 4 625 1981 1314 Numerical calculations of electron Trajectories in the 127° analyzer using a position-sensitive detector under conditions of fringing faults 大島 忠平・ R . Franchy H. Ibach 54 8 1042 1983 1323 Numerical calculations of electron Trajertories 127° analyzer using a position-sensitive detector under conditions of fringing fields 大島忠平・R. Franchy H. Ibach 54 8 1042 1983 1531 Optimun Angle of Deflection Electrodes of a Cylindrical Electrostatic Analyzer 大島忠平・左右田龍太郎 青野正和・石沢芳夫 56 2 227 1985 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1279 Separation Sci & Techrol. Sorption Properties and Some Separations of Divalent Transition Metal Ions on Crystalline Hydrous Titanium Dioxide Fibers 佐々木高義・小松 優 藤木良規 18 1 49 ~58 1983 1115 The Soc. Mat. Sci. Japan Crystallization of Amorphons Lead Titanate Prepared from an Aqueous Solution 高橋紘一郎・村松国孝 山村 博・白㟢信一 1982 738 Scan. Electron Microsc. Symp. SEM Inc. Brightness of Single Crystal LaB6 Cathod of 〈100〉 and 〈110〉 Orientations 志水 隆一・新池 巧 田中高穂・大島忠平 河合七雄・平岡秀雄 萩原宏俊 1979 1394 Solvent Extraction and Ion Exchange Ion-Exchange Properties of Hydrous Titanium Dioxide with a Fibrous Form Obtained from Potassium Dititanate 佐々木高義・小松 優 藤木良規 1 4 775 1983 437 Solid State Communications Origin of Semiconducting Behaworin Rare-Earth -Doped Barium Titanate 白㟢信一・月岡正至 山村 博・大島弘歳 掛川一幸 19 8 721 1976 462 Raman Spectra of Metallic and Semiconducting Metal Hexaborides (MB6) 石井紀彦・青野正和 村中重利・河合七雄 20 4 437 1976 517 Elastic Constants of LaB6 at Room Temperature 田中高穂・吉本次一郎 石井紀彦・坂内英典 河合七雄 22 3 203 1977 518 On the Correlation between the Magnetic Structure and the Electrical Properties 石川義和 M. M. Bajaj 笠谷光男・田中高穂 坂内英典 22 9 573 1977 565 Helical Magnetic Structure in CrB2 船橋 達・浜口由和 田中高穂・坂内英典 23 11 859 1977 566 A Compositional Fluctuation and Properties of Pb (Zr, Ti)O3 掛川一幸・毛利純一 高橋紘一郎・山村 博 白㟢信一 24 11 769 1977 590 Nuclear Magnetic Resonance of 11B in CrB2 北岡良雄・安岡弘志 田中高穂・石沢芳夫 26 2 87 1978 623 A Low Frepuency Raman-active Vibration of Hexagonal Boron Nitride 葛葉 隆・江良 皓 石井敏彦・佐藤忠夫 25 11 863 1978 629 Fermi Surface Measurements of ZrB2 by the de Hass -van Alphen Effect 田中高穂・石沢芳夫 坂内英典・河合七雄 26 12 879 1978 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 633 Magnetic Circular Dichroism of Phonon-assisted Exciton Transitions in Gap 藤森 淳・福谷博仁 桑原五郎 27 4 367 1978 671 Azimuthal Anisotropy in Low-energy Ion Scattering from SmB6 (001) 青野正和・西谷龍介 田中高穂・坂内英典 河合七雄 28 5 409 1978 683 Angle-Resolved Photoemission Spectra of 2H-NbSe2 南不二夫・関田正實 青野正和・津田惟雄 29 5 459 1979 691 Effect of Hydrostatic Pressure on the Raman Spectrum of Anatase (TiO2) 大坂俊明・山岡信夫 下村 理 30 6 345 1979 709 Intensity Variations of Angle-Resolved Photoemission Spectra of 2H-NbSe2 南不二雄・関田正實 青野正和・津田惟雄 30 11 731 1979 763 Experimental Studies of Electrical Conduction Mechanism of H2-Reduced BaTiO3 月岡正至・田中順三 宮沢靖人・森 泰道 児島弘直・江原 㐮 32 3 223 1979 782 Two-Dimensional Spin Ordering in YFe2O4 秋光 純・稲田洋一 白 鳥 紀一・進藤 勇 君塚 昇 32 1065 1979 809 Pressure-Induced Phase Transformation in BaS 山岡信夫・下村 理 中沢弘基・福長 脩 33 1 87 1980 834 The Electrical Conduction Mechanism in the Semiconducting Sodium Niobate 田中順三・月岡正至 宮沢靖人・森 泰道 島津正司 34 4 221 1980 1098 Phase Transition in V1+x Te2 (0.04 <% <0.11) 大谷槻男・林 宏哉 中平光興・野崎浩司 40 629~ 631 1100 Electronic Structure of TiH2 藤森 淳・津田惟雄 41 6 491~ 494 1982 1128 Delayed Onset of 4d Photoemission Relative to the Giant 4d Photoabsorption of La 青野正和 37 471~ 474 1981 1129 Angle-Rosesolved Photoemission and Valence Band Dispersions E (k) for GaAs: Direct vs. Indirect Models 青野正和 31 917~ 920 1979 1130 Anomalous Two-Electron Auger Resonance in Thorium near the 5d (O5) Photothershold 青野正和 39 1057~ 1060 1133 Experimental Band Dispersions E (k) along Three Main Symmetry Lines of LaB6 Using Angle-Resolved Photoemission from One Crystal Surface 青野正和・田中高穂 32 271~ 274 1979 1134 Experimental Band Structure E (k) of V3Si by Angle —Resolved Photoemission 青野正和 39 225~ 228 1981 1158 Raman Studies of (Fe, V)3S4 Solid Solution 石井紀彦・和田弘昭 野崎浩司・川田 功 42 8 605~ 608 1982 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 1206 Site Distribution of Fe and V in the System, FexV3-xS4 野崎浩司・和田弘昭 山村 博 44 1 63 ~65 1982 1216 Raman Spectra in Hollandite Type Compounds K16Mg08Ti92O16 and K16Al16Ti64O16 大坂俊明・藤木良規 44 8 1325 1982 1217 Conductivity and Specific Heat Anomalies at the Low Temperature Transition in the Stoichiometric YFe2O4 田中みどり・秋光 純 稲田陽一・君塚 昇 進藤 勇・白鳥紀一 44 5 687 1982 1377 The Hydrogen Chemisorption on TiC (111) Surface Studied by High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy 大島 忠平・青野正和 大谷茂樹・石沢芳夫 48 10 911 1983 1472 Infrared Reflectivity and Raman Scattering of Lithium Oxide Single Crystals 大坂俊明・進藤 勇 51 6 421 1984 1475 Sol. Sta. Commun. Observation of the De Haas-Van Alphen Effect in WC 石沢芳夫・田中高穂 51 9 743 1984 1521 Lifetimes of Bound Excitons in CdSe 南不二雄・江良 皓 53 2 187 1985 1036 Sol. Sta. Ionics Irradiation-Induced Defects inβ"-andβ""-Alumina Examined by 1MV High-Resolution Electron Microscopy 松井良夫 3/4 135 1981 1058 NMR Study of One-Dimensional Ionic Conductors with Hollandite-Type Structure 小野田義人・渡辺 遵 藤木良規・吉門進三 大鉢 忠・谷口 一郎 3/4 331- 334 1981 1065 Ionic Conductivity of Hollandite Type Cowpound at 9.54 and 328 GH2 吉門進三・藤木良規 大鉢 忠・谷口 一郎 5 509- 512 1981 1257 ac Ionic Conductivity of Hollandite Type Cowpounds from 100Hz to 37.0 GH2 吉門進三・大鉢 忠 谷口 一郎・小野田義人 渡辺 遵・藤木良規 7 335~ 344 1982 1380 NMR Study of One-dimensional Ionic Conductors with Hollandite-type Structure 小野田義人・藤木 良規 吉門進三・大鉢 忠 谷口 一郎 9 & 10 1311 1983 1383 Frequency-Independent Ionic Conductivity of Hollandite Type Compounds 吉門進三・大鉢 忠 谷口 一郎・小野田義人 渡辺 遵・藤木良規 9810 1305 1983 1529 Superlattices and Microstructures Well Definel Superlattice Structures Made by Phase -Locked Epitaxy using RHEED Intensity Oscillations 坂本続徳・太田公広 板東義雄 1 4 347 1985 742 Surf. Sci. LaB6 and SmB6 (001)Surfaces Studied by Angle -Resolved XPS, LEED, and ISS 青野正和・西谷龍介 大島忠平・田中高穂 坂内英典・河合七雄 86 631 1979 番号 題 名 発 表 者 巻号 頁 年 794 Oxygen Adsorption on the LaB6 (100) Surface Studied by UPS and LEED 西谷龍介・河合七雄 岩崎 宏・中村勝吾 青野正和・田中高穂 92 191 1980 816 Surface Structures and Work Functions of the LaB6 (100),(110) and (111) Clean Surfaces 西谷龍介・青野正和 田中高穂・大島忠平 河合七雄・岩崎 宏 中村勝吾 93 535 1980 925 Clean TiC(001) Surface and Oxygen Chemisorption Studied by Work Function Measurement, Angle -Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy and Ion Scattering Spectroscopy 大島忠平・青野正和 田中高穂・河合七雄 財満鎮明・柴田幸男 102 312 1981 1122 Surface States on the LaB6(100),(110) and (111) Clean Surfaces Studied by Angle-Resolved Ups 青野正和・田中高穂 大島忠平 95 341~ 358 1980 1135 Oxygen Adsorption on the LaB6(100),(110) and (111) Surfaces 大島忠平・青野正和 田中高穂 1115 48 ~60 1982 1208 Electronic Properties of TiC(100) and Polar TiC(111) Surfaces 藤森 淳・南不二雄 津田惟雄 121 199~ 217 1982 1352 Thermel Vibration Amplitude of Surface Atoms Measured by Specialized Low-Energy Ion Scattering Spectroscory: TiC(Ⅲ) 左右田龍太郎・青野正和 大島忠平・大谷茂樹 石沢芳夫 128 L236 1983 894 Surf. Sci. Lett. Surface Enhanced Electron-Phonon Conpling and Irreversible Reconstruction of MgO (001) 藤森 淳・津田惟雄 100 L445 1980 1512 Mechanism of Electron Exchange between Low Energy He+ and Solid Surfaces 左右田龍太郎・青野正和 大島忠平・大谷茂樹 石沢芳夫 150 L59 1985 596 Surf. Technol. Electrodeposition of CaB6 内田健治 7 39 1978 608 Cathodic Behavior in the Electrodeposition of LaB6 内田健治 7 137 1978 643 Electrodeposited Mixed Hexaborides of Sodium and Lanthanum 内田健治・塩田 勝 7 299 1978 1213 Technical Report of ISSP Ser. NMR Study on the Spin Structure of CeB6 滝川 仁・安岡弘志 田中高穂・石沢芳夫 1290 1982 1379 Multielectron Satellites and Spin Polarization in Photoemission from Ni Compounds 藤森 淳・南不二雄 菅野 暁 1395 1984 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 402 Texture Microbands in 80% Drawn Copper Single Crystals with 〈111〉 and 〈100〉 Starting Orientations 堀内 繁雄・朝倉健太郎 G. Wassermann J. Grewen 2 17 1975 1198 Thermochimica Acta Formation and Thermal Decomposition of Pyridine Intercalates of α-and γ-Zirconium Phosphates 木島 剛 59 95~ 104 1982 607 Thin Solid Films Effect of Oxygen Pressure on the Voltage-Controlled Negative Resistance of Al-AlN-Au Devices 田中 耕二・上村揚一郎 岩田 稔 50 L25 1978 818 Current-voltage Characteristics of Al-Al2O3-Au Devices in a Chlorine Atmosphere 田中耕二・松本伍良 67 L41 1980 979 Structural and Electrial Properties of AlN-Au Composite Films 上村揚一郎・岩田 稔 78 L55 1981 998 Effect of Water Vapour on the Switching Phenomena in Silver Thin Films Produced by Electroforming 田中耕二・岩田 稔 81 L85 1981 1173 Potential Distribution and Switching Phenomena in Discontinuous Silver Films 田中耕二・岩田 稔 86 279~ 282 1981 38th Ann. Proc. Electron Microsc. Soc. Ame. San Francisco 1047 An Incommensurate Superstructure of Hexagonal Tungsten Bronze 板東義雄・飯島澄男 1980 730 Trans. Am. Cryst. Assoc. Structural Variety of Iron Sulfides 中沢弘基 15 107 1979 1286 Trans. Japan Institute of Metals Substitutional Disorder in a Trirutile-Type MgSb2O6 Crystal Studied by 1MV High-Resolution Transmission Electron Microscopy 堀内繁雄・内田健治 菊地 武 24 6 443~ 449 1983 1112 Ultramicroscopy Detection of Point Deffects Accommodating Nonstoichiometry in Inorganic Compounds 堀内繁雄 8 27 ~38 1982 1265 Effect of the Phase Shift due to Dynamical Scattering on the Contrast of Crystal Structure Images 堀内繁雄 10 229~ 236 1982 475 U. S. -Japan Seminar of Basic Science of Ceramics Crystal Growth and Chemical Bonds in Lanthanum Hexaborides and Related Compounds 河合七雄・田中高穂 村中重利・青野正和 大島忠平 135 1976 U. S. -JAPAN SEMINAR phys. Proc. Rare Earth Magn. Semiconductors 573 Electronic Structure and Some Physical Properties of LaB6 and Other Metal Hexaborides 石沢芳夫 192 1977 番号 題 名 発 表 者 巻 号 頁 年 895 VIMMESS研究報告 Positoron Annihilations in Oxides 津田惟雄・白㟢信一 赤羽隆史・千葉利信 T. Troev 21 11 163 1979 851 Zeitschrift für Analytische Chemie Analyse von Synthetischem Bornitrid durch Electronenbeugung 山口成人・長谷川安利 294 43 1979 417 Zeitschrift für anorganische und allgeeine Chemie Thermal Decomposition of NbCl2(OCH3)3 小玉 博・後藤 優 421 71 1976 616 Crystallization and Relative Stabilities of Polymorphs of Niobium (Ⅴ) Oxide undr Hydrothermal Conditions 泉富士夫・小玉博志 440 155 1978 622 Hydrothermal Synthesis and Characterization of Nb3O7(OH) 泉富士夫・小玉博志 441 196 1978 778 Superstructures of Ti2S3(4H) 小野田みつ子・佐伯昌宣 川田 功 457 62 1979 474 Zeitschrift für Kristallographie Die Kristallstruktur von Yb2Fe3O7 加藤克夫・川田 功 君塚 昇・進藤 勇 桂 敬 143 278 1976 503 Z. Metallkde. Zur Oberflachenbehandlung von austenitischem Chrom ―Nickel―Stahl 山口成人 67 2 135 1976 495 Zeitschrift für Physikalische Chemie Zum Vergleich des Planckschen Schwarzen Körpers mit Absorbern für Sonnenstrahlung 山口成人 257 6 1057 1976 839 Formation of Subgrain Boundaries in Magnesium Oxide Single Crystals 守吉佑介・池上隆康 松田伸一・板東義雄 関川喜三・白㟢信一 118 187 1979 1980 861 Stress Induced Dislocation Structures during Tensile Creep in Magnesium Oxide Single Crystal 守吉佑介・池上隆康 松田伸一・板東義雄 関川喜三・白㟢信一 119 239 1980 905 The Retardation of Sintering Shrinkage of Zinc Oxide in Nitrogen Atmosphere 守吉 佑介・伊熊泰雄 丸山 修・小松和蔵 261 5 825 1980 1010 Microstructure of Hot-Pressed Zinc Oxide Doped with Potassium 守吉佑介・丸山 修 池上隆康・山村 博 渡辺明男 125 S107 1981 535 Ⅺth Inter. Cong. Glass Study on the Microindentation Hardness of Chalcogenide 長谷川泰・田賀井秀夫 579 1977 2.無機材質研究所研究報告書 番 号 誌 名 発行年 第1号 炭化けい素(SiC)に関する研究 昭和47年 第 2 号 酸化ベリリウム(BeO)に関する研究 昭和47年 第 3 号 酸化バナジウム(VO2)に関する研究 昭和47年 第4号 窒化アルミニウム(AIN)に関する研究 昭和48年 第5号 硫化鉄(FeS)に関する研究 昭和48年 第 6号 鉛ペロブスカイト(PbMO3)に関する研究 昭和48年 第7号 炭素(C)に関する研究 昭和49年 第8 号 酸化ジルコニウム(ZrO2)に関する研究 昭和49年 第 9号 酸化ニオブ(NbO)に関する研究 昭和50年 第10号 カルコゲンガラス(As-X Glass)に関する研究 昭和50年 第11号 酸化マグネシウム(MgO)に関する研究 昭和52年 第12号 複合バナジウム硫化物(MV2S4)に関する研究 昭和52年 第13号 窒化けい素(Si3N4)に関する研究 昭和52年 第14号 酸化けい素(SiO2)に関する研究 昭和52年 第15号 酸化アルミニウム(Al2O3)に関する研究 昭和53年 第16号 ペロブスカイト型化合物(Pb1-xTiO3-x)に関する研究 昭和53年 第17号 硼��化ランタン(LaB6)に関する研究 昭和53年 第18号 イットリウムガーネット(Y3X5O12)に関する研究 昭和53年 第19号 酸化チタン(TiO2)に関する研究 昭和54年 第20号 ダイヤモンド(C)に関する研究 昭和54年 第21号 酸化レニウム(ReO3)に関する研究 昭和54年 第22号 アルミノ珪酸塩ガラス(RO-Al2O3-SiO2 Glass)に関する研究 昭和55年 第23号 複合ビスマス酸化物(Bi2O3 ・ RmOn)に関する研究 昭和55年 第24号 硫酸・燐酸カルシウム(Ca-SO4-PO4-H2O)に関する研究 昭和55年 第25号 超高圧力技術に関する研究(第1報) 昭和55年 第26号 電子セラミックス材料に関する研究 昭和55年 第27号 窒化ほう素(BN)に関する研究 昭和56年 第28号 耐熱構造材料の燃焼加工法 昭和56年 第29号 超高温耐熱セラミックスの研究開発(第1報) 昭和56年 第30号 複合マグネシウム酸化物(MgO-MxOy)に関する研究 昭和57年 第31号 複合チタン硫化物(MxTiyS2)に関する研究 昭和57年 第32号 複合酸窒化けい素(MSiON)に関する研究 昭和57年 第33号 ゲルマン酸塩(MO・GeO2)に関する研究 昭和57年 第34号 チタン酸カリウム繊維の合成 昭和57年 第35号 酸化スズ(SnO2)に関する研究 昭和58年 第36号 ニオブタンタル酸カリウム(KTa1-xNbxO3)に関する研究 昭和58年 第37号 アルミン酸バリウム(BaAl12O19)に関する研究 昭和58年 第38号 チタン酸アルカリ金属(M2O(TiO2)n)に関する研究 昭和59年 第39号 ダイヤモンド(C)に関する研究 昭和59年 第40号 炭化ジルコニウム(ZrC)に関する研究 昭和59年 第41号 水素タングステンブロンズ(HxWO3)に関する研究 昭和59年 第42号 希土類けい酸塩ガラス(Ln2O3・SiO2 Glass)に関する研究 昭和60年 第43号 りん酸ジルコニウム(Zr (HPO4) 2・H2O)に関する研究 昭和60年 第44号 超高温耐熱セラミックスの研究開発(第2報) 昭和60年 第45号 超高圧力技術に関する研究(第2報) 昭和60年 3.特許・実用新案及び実用化の状況(41~59年度) 1)特許登録 特許登録日 特許番号 公告日 公告番号 発 明 の 名 称 発 明 者 47.12.26 670710 47. 7 .12 47-025598 ベリリウム化合物の精製法 鈴木弘茂・永長久彦 森 泰道 51.3 .23 808988 50. 8 .13 50-024154 スピネル型強磁性半導体の電気化学的製造法 山口成人・毛利尚彦 51.9 .14 828681 51.1.22 51-002080 ペロプスカイト型複合酸物誘電体の製造法 白崎 信一・高橋紘一郎 村松国孝 51.9 .14 828682 51.1.17 51-001446 珪素含有層を持つカルコゲンガラス素材の製 造法 長谷川泰・田賀井秀夫 51.11.18 834769 51.3 .16 510-008400 炭化けい素単結晶の合成方法 猪股吉三・田中廣吉 52. 5 .16 858401 51.8 .27 51-029723 高密度等方性黒鉛素材及び易黒鉛化性炭素の 製造法 神田久生・佐藤洋一郎 加茂睦和・瀬高信雄 52. 5 .16 858402 51.10.19 51-037914 蛍光体用沃素入二硫化錫単結晶の作成方法 江良 皓・葛葉 隆 石沢芳夫・藤木良規 52. 8 .10 876280 52. 3 .14 52-009200 二酸化ジルコニウム単結晶の作成方法 藤木良規・小野 晃 *52.10.28 886540 52. 4 .22 52-014602 磁気記憶装置 山口成人・田賀井秀夫 高橋俊郎 53. 2 .25 899437 52. 7 .15 52-026719 ガラス質物質の粘度測定法 渡辺昭輝・大坂俊明 長谷川 泰 *53. 7 .21 912774 52.10.11 52-040150 研究所等廃液の無害化処理方法 長谷川安利・松村 真 元上章清 53. 9 . 5 922546 52. 8 .23 52-032580 珪素含有層を持つカルコゲンガラス繊維素材 の製造法 長谷川泰・田賀井秀夫 53.11.7 930791 52.12.10 52-048607 ダイヤモンド焼結体の製造方法 山岡信夫・福長 脩 53.11.7 930935 52.12.14 52-049008 硼����化ランタンと黒鉛との熔接体の製法 坂内英典・内田健治 田中高穂 53.12.26 936555 53. 5 .17 53-014418 熱電子放射用硼����化ランタン電極の製造法 大島忠平・河合七雄 54. 3 .15 942685 53. 5 .26 53-015720 アーク法窒化アルミニウムの合成装置 佐藤忠夫 54. 6 .14 956560 53.10. 6 53-037072 結晶育成法 内田健治・松村国孝 54. 6 .14 956561 53.10. 6 53-037073 結晶育成法 内田健治・松村国孝 54.10.30 975484 54. 3 .17 54-005521 高圧ガス容器用導線導入端子 広田和士 55.1.29 984714 54. 6 .20 54-016191 熱電子放射用硼����化ランタン素材の製造法 大島忠平・河合七雄 田賀井秀夫 55.1.29 984778 54. 6 .30 54-017600 3イッテルビウム4鉄10酸素化合物(Yb3Fe4 O10)の合成法 君塚 昇・加藤克夫 川田 功・加藤 勇 杉原 忠・桂 敬 *55. 2 .21 986603 54. 7 .24 54-020648 アルミニウム電解コンデンサ用誘電体 山口成人・田賀井秀夫 高橋俊郎 *55. 2 .29 988988 54. 8 .13 54-023344 アルミニウム合金材の塗膜形成法 山口成人・田賀井秀夫 高橋俊郎 55. 5 .30 998035 54. 9 .29 54-030273 熱電子放射用硼����化ランタン素材の製造法 大島忠平・田賀井秀夫 河合七雄 55. 5 .30 998127 54. 9 .22 54-029437 混合層状構造複合ビスマス酸化物NA0.5Bi8.5 Ti7O27 菊地 武・内田健治 55. 5 .30 998128 54. 9 .22 54-029438 混合層状構造複合ビスマス酸化物BaBi8Ti7 O27 菊地 武・内田健治 55. 5 .30 998129 54. 9 .22 54-029439 混合層状構造複合ビスマス酸化物SrBi8Ti7 O27 菊地 武・内田健治 55. 5 .30 998130 54. 9 .22 54-029478 混合層状構造複合ビスマス酸化物PbBi8Ti7 O27 菊地 武・内田健治 55. 5 .30 998131 54. 9 .22 54-029479 混合層状構造複合ビスマス酸化物BaBi6Ti3 Nb2O21 菊地 武・内田健治 55. 5 .30 998132 54. 9 .22 54-029480 混合層状構造複合ビスマス酸化物SrBi6Ti3 Nb2O21 菊地 武・内田健治 55. 7 .24 1005467 54. 9 .22 54-029435 混合層状構造複合ビスマス酸化物Bi7Ti4 NbO21 菊地 武・内田健治 55. 7 .24 1005468 54. 9 .22 54-029436 混合層状構造複合ビスマス酸化物Bi7Ti4 TaO21 菊地 武・内田健治 55. 7 .24 1005469 54. 9 .22 54-029440 層状構造複合ビスマス酸化物Bi6Ti3WO18 菊地 武・内田健治 55. 9 .25 1013103 54.12.1 54-040086 珪素含浸層を持つ窒化珪素焼結体の製造方法 猪股吉三 55. 9 .25 1013111 53. 9 .19 53-034189 高温高圧装置 福長 脩・山岡信夫 遠藤 忠・赤石 實 平岡秀雄 55. 9 .25 1013112 53. 9 .19 53-034190 高温高圧装置 福長 脩・山岡信夫 遠藤 忠・赤石 實 平岡秀雄 55.11.25 1020522 55.1.11 55-001159 多重耐圧円筒体 福長 脩 56.1.22 1028516 55. 4 .28 55-016120 イットウリウム鉄ガーネット(Y3Fe5O12)単 結晶の製造法 木村茂行・進藤 勇 56.1.22 1028519 55. 5 .29 55-019900 レニウム水素ブロンズ化合物 君塚 昇・赤羽隆史 松本精一郎・雪野 健 56. 2 .20 1034519 55. 7 . 3 55-025157 繊維状チタン酸アルカリ金属の製造法 藤木良規・泉富士夫 56. 2 .20 1034542 55. 7 .1 55-024683 イットリウム2鉄4酸素化合物(YFe2O4)単 結晶磁性半導体及びその製造法 木村茂行・進藤 勇 君塚 昇・桂 敬 56. 4 .23 1040843 55. 8 .26 55-032647 六チタン酸アルカリ金属繊維の製造法 藤木良規・太田進啓 56. 4 .23 1040844 55. 8 .26 55-032648 チタニヤ水和物繊維の製造法 藤木良規・太田進啓 56. 4 .23 1040845 55. 8 .26 55-032649 結晶性チタニヤ水和物の製造法 藤木良規・太田進啓 56. 4 .23 1040848 55. 8 .26 55-032641 安定した酸素分圧をもつ雰囲気の供給制御方 法 君塚 昇・高山英治 56. 5 .28 1045118 55. 9 .12 55-035327 六硼����化カルシウムの製造法 内田健治 56. 5 .28 1045119 55. 9 .12 55-035328 六硼����化バリウムの製造法 内田健治 56. 5 .28 1045120 55. 9 .12 55-035329 六硼����化ストロンチウムの製造法 内田健治 56. 5 .28 1045121 55. 9 .12 55-035330 希土類元素六硼����化物の製造法 内田健治 56. 5 .28 1045125 55. 8 .15 55-031084 オパール状物質の製造方法 下平高次郎・戸室 昇 田賀井秀夫 56. 8 .25 1059254 55.12.24 55-051518 アルミニウム又はアルミニウム合金の多色電 解着色法 和田健二・田賀井秀夫 56. 8 .25 1059255 55.12.24 55-051517 アルミニウム又はアルミニウム合金の多色電 解着色法 和田健二・田賀井秀夫 56. 9 .22 1063264 56.1.30 56-04520 マグネシウムチタニウムスピネル(MgTiO4) 単結晶の製造法 進藤 勇・木村茂行 56.10.23 1067557 56. 3 .16 56-011673 高品質イットリウム鉄ガーネット(Y3Fe5 O12)単結晶の製造法 木村茂行・進藤 勇 森 泰道 56.11.30 1071757 56. 4 .14 56-016108 高純度マグネシア焼結体の製造法 松田伸一 56.11.30 1071758 56. 4 .14 56-016109 高純度マグネシア焼結体の製造法 松田伸一 56.11.30 1071759 56. 4 .21 56-017306 高純度マグネシア焼結体の製造法 松田伸一 56.11.30 1071760 56. 4 .21 56-017307 高純度マグネシア焼結体の製造法 松田伸一 56.11.30 1071794 56. 3 .30 56-013643 ダイヤモンド粉末製造法 瀬高信雄・沢岡 昭 56.12.25 1075885 56. 4 .30 56-018555 酸化マグネシウム焼結体の製造法 池上隆康 56.12.25 1075888 56. 4 .30 56-018556 酸化マグネシウム焼結体の製造法 池上隆康 56.12.25 1076016 56. 4 .30 56-018533 ダイヤモンド粉末の合成法 瀬高信雄・山口成人 57. 2 .25 1083524 56. 6 .25 56-027479 イットリウム鉄ガーネット固溶体単結晶の製 造法 木村茂行・進藤 勇 北村健二・井伊伸夫 57. 2 .25 1083525 56. 6 .25 56-027478 六方晶バリウムフェライト(BaFe12O19)単結 晶の製造法 木村茂行・進藤 勇 井伊伸夫 57. 3 .23 1087906 56. 7 .27 56-032277 チタン酸マグネシウム(MgTiO3)単結晶の製 造法 進藤 勇・木村茂行 57. 4 .16 1092202 56. 8 .18 56-035628 圧縮性ガスケット 福長 脩 57. 4 .16 1092298 56. 9 . 7 56-038557 六方晶アルミン酸バリウムマグネシウム (BaMg3Al14O22)単結晶の製造法 進藤 勇・渡辺明男 坂内英典・木村茂行 57. 4 .16 1092299 56. 9 . 7 56-038558 六方晶アルミン酸バリウムマグネシウム (BaMgAl10O17)単結晶の製造法 進藤 勇・渡辺明男 坂内英典・木村茂行 57. 4 .16 1092300 56. 9 . 7 56-038559 ムライト固溶体単結晶の製造法 進藤 勇 57. 4 .16 1092301 56. 9 . 7 56-038560 炭化硼��素固溶体単結晶の製造法 進藤 勇・鈴木弘茂 坂内英典 57. 6 .18 1099396 56. 8 . 6 56-033818 熱電子放射陰極用チップの製法 田中高穂・内田健治 坂内英典・志水隆一 57. 7 .16 1103653 56.11.25 56-049869 多孔質アパタイト成形体の製造方法 門間 英毅・上野精一 57. 8 .13 1107703 56.11.16 56-048479 六方晶アルミン酸バリウム(BaAl12O19)単結 晶の製造法 進藤 勇・渡辺明男 坂内英典・木村茂行 57. 8 .13 1107711 56.12. 3 56-051129 硼��化ランタン粉末の製造法 塩田 勝 57. 9 .16 1111936 57.1.12 57-001750 ジルコニア又はトリア管状電気炉 広田和士・関田正實 加藤克夫 57.10.15 1116509 57. 2 .15 57-008047 窒化珪素粉末の製造法 木島弌倫 57.12.14 1126085 57. 5 . 4 57-021086 欠陥を含むペロブスカイト型複合酸化物誘電 体の乾式合成法 白崎信一・山村 博 58. 4 .26 1144107 57. 9 . 4 57-41761 電気伝導材 三友 護・上村揚一郎 58. 7 .15 1154682 57.12.14 57-59208 易焼結性炭化珪素粉末の製造法 猪股吉三・田中英彦 川端治雄 58. 8 .10 1160933 57. 9 .16 57-43523 立方晶窒化ほう素の製造法 遠藤 正・福長 脩 岩田 稔 58. 8 .10 1160947 57.12.25 57-61705 酸化亜鉛の透光性焼結体の製造法 守吉佑介・白崎信一 58. 8 .10 1160955 57.12.18 57-60299 コエクリナイト型Bi2MoO6の合成法 渡辺昭輝 58.10.17 1171739 58.1.24 58-3982 接着加工用低融点低膨脹ガラス組成物 今野重久・佐藤 晃 58.11.14 1175990 58. 2 . 4 58-6533 ウラン捕捉材 藤木良規・前原誇一郎 平野 剛 58.12.27 1184060 58. 3 . 7 58-12208 塩化ナトリウム成形体の製造法 福長 脩・大沢俊一 58.12.27 1184064 58. 2 .22 58-9785 炭化珪素焼結体の製造法 猪股吉三・田中英彦 58.12.27 1184070 58. 2 .15 58-8291 非酸化物粉末の合成装置 木島弌倫 58.12.27 1184076 58. 2 .22 58-9788 窒化けい素焼結体の製造法 長谷川安利・木島弌倫 58.12.27 1184105 58. 3 . 7 58-12236 ホーランダイト型構造のチタン酸アルカリ金 属単結晶の製造法 藤木良規・渡辺 遵 小野田義人 58.12.27 1184107 58. 3 . 7 58-12239 炭化ジルコニムの結晶体の製造法 大谷茂樹・田中高穂 58.12.27 1184115 58. 3 . 7 58-12240 炭化ハフニウム結晶体の製造法 大谷茂樹・田中高穂 59.1.20 1186919 58. 4 .12 58-18326 シリカ質のトリジマイト状物質の製造法 広田 和士・下平高次郎 59.1.20 1186947 58. 4 .16 58-19121 磁性誘電体の製造法 山口成人・長谷川泰 59.1.20 1186975 58. 3 .18 58-14399 チタン・カーバイドの結晶体の製造法 田中高穂・矢島文和 河合七雄 59.1.20 1187016 58. 3 .25 58-15460 酸化亜鉛の透光性焼結体の製造法 守吉佑介・丸山 修 白崎信一 59.1.20 1187019 58. 4 .22 58-20300 水溶液中のセシウムの吸着兼イオン交換材 藤木良規・小松 優 太田進啓 59.1.20 1187043 58. 4 . 5 58-17160 単結晶育成装置 進藤 勇 59.1.20 1187046 58. 3 .25 58-15473 浮遊帯域溶融装置 進藤 勇 59.1.20 1187048 58. 3 .25 58-15471 結晶育成装置 進藤 勇 59.1.20 1187049 58. 3 .25 58-15472 結晶育成装置 進藤 勇 59. 3 .12 1196025 58. 5 .14 58-23344 炭化珪素焼結体の製造法 猪股吉三・田中英彦 59. 3 .12 1196031 58. 5 .14 58-23343 ダイヤモンド焼結体の製造法 福長 脩・大沢俊一 赤石 實 59. 3 .12 1196032 58. 5 .14 58-23346 α-サイアロン焼結体の製造法 三友 護 59. 3 .12 1193842 57.1.6 57-270 高圧相チッ化ホウ素焼結体の製造法 福長 脩・山岡信夫 真方 顕 59. 4 . 5 1200922 58. 5 .25 58-25042 衝撃圧縮によるダイヤモンド粉末の合成法 瀬高信雄 59. 5 .11 1206777 58. 6 .21 58-29257 三酸化レニウムの微粒子の製造法 津田惟雄 59. 6 .12 1212170 58. 8 . 5 58-35950 α-サイアロン焼結体の製造法 三友 護 59. 8 .31 1226580 58. 3 .18 58-14392 サイアロン焼結体の製造法 三友 護・倉元信行 59. 8 .31 1226758 58.11.26 58-52960 浮遊帯域溶融装置 進藤 勇・広田和士 坂内英典 59. 8 .31 1226686 58.11.26 58-52928 窒素含有ガラスの製造法 三友 護・牧島亮男 田中廣吉 59. 8 .31 1226784 58.10. 4 58-44631 透光性β-サイアロン焼結体の製造法 三友 護 59.10.17 1236510 59.1.24 59-3403 アパタイト型複合水酸化硫酸けい酸カルシウ ムナトリウム 岡村富士夫・上野精一 59.10.17 1236481 59. 2 . 6 59-3946 アルミノ珪酸塩ガラス 長谷川泰 59.10.17 1236574 59. 2 . 6 59-5547 立方晶系窒化ほう素の焼結体の製造法 遠藤 忠・福長 脩 佐藤忠夫 59.12.14 1243607 59. 4 .19 59-17071 珪素の窒化物を主成分とする焼結体成型物の 脱気処理法 広田和士・長谷川安利 鈴木弘茂 60.1.16 1247183 58.11.4 58-49509 窒化珪素焼結体の製造法 三友 護 60.1.16 1247208 59. 5 . 9 59-19904 易焼結性粉末による炭化珪素焼結体の製造法 田中英彦・猪股吉三 川端治雄 60. 2 .14 1251102 59. 6 .23 59-26104 静電型電子顕微鏡 山口成人・長谷川泰 60. 2 .14 1251153 59. 6 . 7 59-24088 窒化ほう素マグネシウムの製造法 佐藤忠夫・遠藤 忠 福長 脩 60. 2 .14 1251154 59. 6 .13 59-25039 アルミニウムまたはアルミニウム合金の耐久 性の改善された着色陽極酸化皮膜の形成方法 下平高次郎・和田 健二 松井良夫 60. 3 .12 1255871 59. 8 .20 59-34140 耐アルカリ性アルミノ珪酸塩ガラス 牧島亮男 60. 3 .12 1255880 59. 8 .23 59-34656 YbAlMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255881 59. 8 .26 59-33535 YbGaMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255884 59. 8 .16 59-33536 LuGaMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255885 59. 8 .16 59-33537 TmGaMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255887 59. 8 .16 59-33538 TmAlMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255888 59. 8 .16 59-33539 LuAlMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255889 59. 8 .16 59-33540 ErGaMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255890 59. 8 .16 59-33541 HoGaMnO4で示される六方晶系の層状構造 を有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .12 1255891 59. 8 .16 59-33542 YGaMnO4で示される六方晶系の層状構造を 有する化合物およびその製造法 君塚 昇・高山英治 60. 3 .29 1257986 59. 9 .14 59-38164 立方晶窒化ほう素の製造法 遠藤 忠 60. 3 .29 1257987 59. 9 .14 59-38165 立方晶窒化ほう素の製造法 遠藤 忠・岩田 稔 福長 脩 60. 3 .29 1257990 59. 9 .14 59-38194 光彩を放つクリソベリル単結晶の製造法 進藤 勇・坂内英典 竹川俊二 60. 3 .29 1257991 59. 9 .14 59-38195 光彩を放つクリソベリル単結晶の製造法 進藤 勇・坂内英典 竹川俊二 60. 3 .29 1257992 59. 9 .14 59-38192 星彩を放つコランダム単結晶の製造法 進藤 勇・坂内英典 竹川俊二 60. 3 .29 1257993 59. 9 .14 59-38193 星彩を放つコランダム単結晶の製造法 進藤 勇・坂内英典 竹川俊二 60. 3 .29 1257999 59. 9 .14 59-38198 半導体化したチタン酸ストロンチウム単結晶 の製造法 坂内 英典・藤本正之 2.実用新案(2件) 登録日 登録番号 公告日 公告番号 実用新案の名称 考 案 者 53. 9 .29 1247200 52.12.22 52-056854 光学的散乱測定用液体試料支持台 島津 昭二・渡辺 昭雄 小倉好次 54.12.27 1309807 54. 6 .19 54-014990 ガスバーナー用空気混合器 今野重久・一ノ瀬昭雄 3.外国特許登録 国 名 登録日 登録番号 発 明 の 名 称 発 明 者 米 国 52. 8 . 9 4041143 PROCESS FOR PREPARING FIBROUS ALKALI METAL TITANATE (繊維状チタン酸アルカリ金属の製造法) 藤木良規・泉富士夫 米 国 52.10.25 4055780 THERMIONIC EMISSION CATHODE (熱電子放射陰極) 河合七雄・田中高穂 坂内英典・内田健治 志水隆一 米 国 56. 5 . 5 4265872 PROCESS FOR PRODUCING CYSTALLINE FIBROUS POTASSIUM TITANATE (チタン酸アルカリ金属繊維の製造法) 藤木良規 米 国 56. 3 .17 4256531 PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF YTTRIUM-IRON GARNET OR SOLID SOLUTION SHEREOF (イットリウム鉄ガーネット固液体単結晶の製造 法) 木村茂行・進藤 勇 森 泰道・北村健二 井伊伸夫 米 国 56. 9 .1 4287164 PROCESS FOR PRODUCING CUBIC SYSTEM BORON NITRIDE (立方晶窒化ほう素の製造法) 遠藤 忠・福長 脩 岩田 稔 米 国 57.1.12 4310499 PROCESS FOR PRODUCING SIALON SINTERED PRODUCT (サイアロン焼結体の製造法) 三友 護・倉元信行 猪股吉三 EPC出願 (指定国 西 独 オランダ イギリス フランス) 57. 7 . 7 欧州特許 第720号 PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF YTTRIUM-IRON GARNET OR SOLID SOLUTION THEREOF (イットリウム鉄ガーネット固溶体単結晶の製造 法) 木村茂行・進藤 勇 坂内英典・内田健治 志水隆一 米 国 58. 3 .22 米国特許 第4377565号 PROCESS FOR PRODUCING DIAMOND POWDER BY SHOCK COMPRESSION (衝撃圧縮によるダイヤモンド粉末の製造法) 瀬高信雄 西 独 58. 4 .21 DE2351154C2 Verfahren zur Herstellung von Chalkogenidglas fasern (カルコゲングラス繊維の製造方法) 長谷川泰・田賀井秀夫 米 国 58. 6 .28 No.4390513 PROCESS FOR MANUFACTURING FIBROUS POTASSIUM TITANATE (繊維状チタン酸カリウムの製造法) 藤木良規 米 国 58.10.11 No.4409193 PROCESS FOR PREPARING CUBIC BORON NITRIDE (立方晶窒化ほう素の製造法) 佐藤忠夫・遠藤 忠 福長 脩・岩田 稔 米 国 58.12. 6 No.4419335 PROCESS FOR PRODUCING PHOMBOHEDRAL SYSTEM BORON NITRIDE (菱面体晶窒化ほう素の製造法) 石井敏彦・佐藤忠夫 米 国 59. 2 .28 No.4434188 METHOD FOR SYNTHESIZING DIAMOND (ダイヤモンドの合成法) 加茂睦和・松本精一郎 佐藤洋一郎・瀬高 信雄 米 国 59. 3 .20 No.4438051 PROCESS FOR PRODUCING A TRANSLUCENT β-SLALON SINTERED PRODUCT (透光性β-サイアロン焼結体の製造法) 三友 護・守吉佑介 酒井 利和・大坂 俊明 米 国 59. 4 .17 No.4443420 PROCESS FOR PRODUCING CUBIC SYSTEM BORON NITRIDE (立方晶窒化ほう素の製造法)) 佐藤忠夫・石井敏彦 瀬高信雄 米 国 59. 9 . 4 No.4469802 PROCESS FOR PRODUCING SINTERED BODY OF BORON NITRIDE (立方晶系窒化ほう素の焼結体の製造法) 遠藤 忠・福長 脩 佐藤忠夫 4.実用化 実 施 名 発明の名称 (特許登録又は出願番号) 実施先 用 途 繊維状チタン酸アルカリ金属 の製造法(フラックス法) 繊維状チタン酸アルカリ金属の製造 法 (特許第1034519号)他6件 大塚化学(株) 断熱材 ブレーキライニング材等 硼��化ランタンを用いた熱電子 放射陰極の製造技術 熱電子放射用陰極 (特願昭50―43717号)他6件 電気化学工業(株) 電子ビーム加工装置 ガーネット型単結晶を用いた 磁気共鳴素子の製造技術 イットリウム鉄ガーネット(Y3Fe5 O12)単結晶の製造法 (特許第1028516号)他2件 富士電気化学工業(株) (株)アドバンテスト マイクロ波通信用磁気共 鳴素子 チタン酸マグネシウム単結晶 の製造法 チタン酸マグネシウム(MgTiO3)単 結晶の製造法 (特許第1087906号) (株)信光社 人工宝石 オパール状物質の製造法 オパール状物質の製造方法 (特許第1045125号) (株)信光社 人工宝石 アルミニウム陽極酸化皮膜の 多色処理技術 繊維状構造を有する多色のアルミニ ウム又はアルミニウム合金陽極酸化 皮膜体及びその生成法 (特願昭51-140523号)他4件 (株)赤土製作所 カラーアルミサッシ太陽 熱選択吸収膜 繊維状チタン酸アルカリ金属 の製造法Ⅱ (メルト法) チタン酸アルカリ金属繊維の製造法 (特願昭53―12120号)他1件 大塚化学薬品(株) 断熱材 ブレーキライニング材等 立方晶窒化ほう素の製造法 立方晶窒化硼��素の製造法 (特願昭53―130292号) 昭和電工(株) 研磨材 研削材 炭化けい素焼結体の製造方法 易焼結性炭化珪素粉末の製造法 (特願昭53―93327号)他1件 日本ピラー工業(株) ポンプ等のメカニカル シール部材 低融点低膨張ガラス組成物の 製造 低融点低膨張ガラス組成物の製造 (特願昭54―155815号)他1件 柴田ハリオ硝子(株) ガラス質接着剤 ガスバーナー用空気混合器 ガスバーナー用空気混合器 (実用新案登録第1309807号) 柴田化学器機工業(株) 高カロリーガスバーナー 用空気混合器 アルミノ珪酸塩ガラス アルミノ珪酸塩ガラス (特願昭54―129129号)他1件 (株) HOYA ICフォトマスク用基板 ガラス 溶媒移動式単結晶引き上げ装 置 結晶装置 (特願昭55―180022号) (株)雅慶電機制作所 結晶育成装置 高圧浮遊帯域溶融装置 浮遊帯域溶融装置 (特願昭55―165620号)他1件 (株)雅慶電機製作所 高圧浮遊帯域溶融装置 多孔質アパタイト成形体の製 造法 多孔質アパタイト成形体の製造法 (特願昭53―124025号)他1件 三金工業(株) 歯科材料 高品位立方晶窒化ほう素の製 造法 立方晶窒化ほう素の製造法 (特願昭56―32139号)他2件 昭和電工(株) 研磨材 研削材 サイアロン焼結体の製造技術 サイアロン焼結体の製造法 (特願昭53―119001号)他3件 品川白煉瓦(株) サイアロン焼結体 音波浮上式浮遊帯域溶融装置 浮遊帯域溶融装置 (特願昭55―165619号) (株)雅慶電機製作所 結晶育成装置 無機複合酸化物の単結晶育成 法 無機複合酸化物の固溶体組成物の単 結晶育成法 (特願昭57―213624号)他1件 多木化学(株) 表面波フィルター 高純度ダイヤモンド焼結体の 製造技術 ダイヤモンド焼結体の製造方法 (特願昭56―171247号)他4件 東芝タンガロイ(株) ダイヤモンド焼結体 切削工具 超高圧装置 ガス圧焼結体法による窒化珪 素焼結体の製造技術 窒化珪素焼結体の製造法 (特願昭50―123118号) 日本特殊陶業(株) 窒化珪素焼結体 高純度立方窒化ほう素焼結体 の製造法 透光性立方晶系窒化ほう素緻密体の 製造法 (特願昭57―168083号)他3件 住友電気工業(株) 切削工具用焼結体 耐熱アルミノ珪酸塩ガラス 耐熱アルミノ珪酸塩ガラス (特願昭55-70658号) (株) HOYA 耐熱アルミノ珪酸塩ガラ ス 釉組成物 釉組成物 (特願昭56―101717号) INAX 釉組成物 金属表面の多色着色法 金属表面の多色着色法 (特願昭56-149088号) (株)トービ 酸化ジルコニウムコー ディング 繊維状チタン酸アルカリ金属 の製造法(徐冷焼成法) 繊維状チタン酸カリウムの製造法他 1件 (特願昭56―165358号) 大塚化学薬品(株) 断熱材 ブレーキライニング材等 ダイヤモンド膜の低圧気相合 成技術(切削工具など) ダイヤモンドの合成法 (特願昭56―189423号)他2件 三菱金属(株) 切削工具,耐磨耗治具, 研削工具 ダイヤモンド膜の低圧気相合 成技術(放熱性基板など) ダイヤモンドの合成法 (特願昭56―204321号)他4件 セイコー電子工業(株) 放熱性基板 チタン酸繊維の製造法(溶融 法) ルチル―プリデライト―六チタン酸 カリウムの製造法 (特願昭58―142785号)他3件 久保田鉄工(株) セメント補強材 アパタイト質セメント硬化物 の生成法 アパタイト質セメント硬化物の生成 法 (特願昭57―197355号)他1件 三金工業(株) 歯科材料 着色透明アルミナの製造法 着色透明アルミナセラミックスの製 造法 (特願昭57―206793号)他1件 北陸窯業(株) 精密工業部品 炭化けい素焼結体の製造法 炭化けい素焼結体の製造法 (特許第1154682号)他1件 太平洋ランダム(株) ノズルメカニカルシール 炭化けい素焼結体の製造法 易焼結性炭化珪酸粉末の製造法 (特許第1184064号)他1件 (株)イビデン 軸受,シーリング 溶媒移動式単結晶育成装置 結晶育成装置 (特願昭55-180022号) (株)アスカル 半導体結晶育成 チタン酸マグネシウム単結晶 の製造法 チタン酸マグネシウム単結晶の製造 法 (特許第1087906号) (株)アスカル 人工宝石 β型炭化けい素の製造法 β型炭化けい素の製造法 (特願昭59―081454号) (株)ブリジストン 焼結体用粉体焼結体 ジルコニア又は管状電気炉 ジルコニア又は管状電気炉 (特許第1111036号) ティーイービー(株) セラミックス合成用電気 炉 4.試料提供 昭和41~50年度までの提供件数 年度 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 計 国 内 0 0 2 1 6 7 10 3 9 13 51 外 国 0 0 0 0 0 2 2 4 4 1 13 昭和51年度以降 国 内 提供年月 提 供 先 試 料 名 51.5 東京大学理学部 含アルミニウム斜方輝石(単結晶) 6 東京工業大学工学部 鉄酸ツリウム単結晶 9 タケダ理研工業(株) イットリウム鉄ガーネット単結晶 9 (株)日立製作所 カルコゲンガラス粉末 10 青山学院大学理工学部 酸化鉄単結晶 10 鹿児島大学工学部 窒化アルミニウム単結晶,炭化けい素単結晶,α及 びβ型窒化けい素多孔質焼結体 11 (株)日立製作所中央研究所 窒化けい素粉末及び単結晶 52. 2 ソニー(株)中央研究所 チタン酸カリウム繊維 2 関西学院大学理学部 酸化レニウム単結晶 3 東京大学医科学研究所 ほう化ランタン,ほう化クロム及びほう化ジルコニ ウム単結晶 6 東北大学金属材料研究所 ほう化ランタン単結晶 6 東京大学物性研究所 ほう化クロム単結晶 6 東北大学理学部 ほう化クロム単結晶 6 日本原子力研究所 ほう化クロム単結晶 6 名古屋大学工学部 ほう化ランタン単結晶及び粉末,酸化ランタン粉末 6 大阪大学工学部 ほう化ランタン単結晶 6 大阪大学理学部 ほう化クロム単結晶 6 東京大学理学部 鉄酸イットリウム粉末 8 東北大学理学部 ほう化サマリウム単結晶 8 日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所 ほう化ランタン単結晶 8 大阪大学工学部 ほう化ランタン単結晶 9 東京理科大学理学部 酸化レニウム単結晶 10 大阪大学工学部 ほう化ランタン単結晶 11 科学技術庁金属材料技術研究所 α型炭化けい素及びβ型窒化けい素単結晶 12 東北大学理学部 ほう化ランタン単結晶 53.1 大阪大学工学部 ほう化セリウム単結晶 1 電化(株)中央研究所 ほう化ランタン単結晶 2 大阪大学工学部 ほう化ガドリニウム単結晶 7 東北大学金属材料研究所 鉄酸イットリウム焼結体 7 (株)エリオニクス ほう化ランタン単結晶 7 超LSI技術研究組合共同研究所 ほう化ランタン単結晶 9 東北大学金属材料研究所 鉄酸ルテニウム焼結体 10 大阪大学産業科学研究所 ほう化ランタン単結晶 10 電化(株)中央研究所 ほう化ランタン単結晶 54.1 出光興産(株)中央研究所 チタン酸カリウム繊維及び同処理繊維 1 東北大学金属材料研究所 ほう化セリウム単結晶 5 筑波大学物理工学系 酸化レニウム単結晶 5 日本原子力研究所 硫化バナジウム単結晶及び粉末 6 大阪大学工学部 β型炭化けい素粉末 8 松下技研(株) ゲルマン酸鉛厚膜単結晶 55. 3 大阪大学産業科学研究所 炭化チタン単結晶 4 大阪大学産業科学研究所 ほう化セリウム単結晶 4 東京大学物性研究所 ほう化セリウム単結晶 7 電子技術総合研究所 β型サイアロン焼結体 10 東北大学金属材料研究所 ゲルマン酸鉄粉末 56. 2 名古屋大学プラズマ研究所 炭化チタン単結晶 2 筑波大学物質工学系 炭化チタン単結晶 3 京都大学工学部 窒化アルミニウム単結晶 3 東北大学工学部 炭化けい素単結晶 4 筑波大学地球科学系 けい酸カルシウムベリリウム 5 お茶の水女子大学理学部 鉄酸ツリウムほか6点の鉄酸ランタノイド焼結体 5 東北大学金属材料研究所 鉄酸ランタノイド焼結体6点 6 名古屋大学プラズマ研究所 炭化チタン単結晶 8 東京大学物性研究所 ナトリウムタングステンブロンズ単結晶 10 信越化学(株) α型サイアロン焼結体 11 東京大学理学部 単斜及び斜方晶系ゲルマン酸鉄 12 日本ピラー工業(株) 炭化けい素焼結体 57. 3 北海道大学工学部 炭化チタン単結晶 6 北海道大学工学部 炭化ニオブ単結晶 6 東京工業大学工学部 酸化スズ単結晶 7 電子技術総合研究所 低温合成Nd2O3―SiO3系ガラス 7 東京工業大学資源化学研究所 β型炭化けい素単結晶 7 東京工業大学資源化学研究所 炭化けい素焼結体 9 九州大学工学部 炭化チタン単結晶 58. 5 京都大学原子エネルギー研究所 炭化チタン単結晶 5 名古屋大学工学部 炭化ニオブ単結晶 5 日本原子力研究所 炭化けい素単結晶 6 久保田鉄工(株) 六チタン酸カリウム繊維 10 工業技術院化学技術研究所 リン酸水素ジルコニウム粉末 11 東北大学金属材料研究所 窒化けい素及び炭化けい素単結晶 12 東北大学工学部 炭化チタン単結晶 12 東京工業大学理学部 炭化ニオブ単結晶 59. 5 岩城硝子(株) 低融点低膨張ガラス 5 松下電器産業(株) PLZT粉末 60. 2 長岡技術科学大学化学系 炭化けい素及び窒化けい素単結晶 8 東京理科大学理学部 鉄コバルト酸インジウム焼結体 10 神奈川歯科大学 水酸アパタイト粉末 外 国 提供年月 提 供 先 試 料 名 51.4 フランス国立科学研究センター 鉄酸イットリウム単結晶 11 西ドイツフランクフルト大学 トリジマイト型酸化けい素単結晶 11 インドマドラス大学 鉄酸イットリウムほか5点の鉄酸ランタノイド粉末 52. 7 ベルギー国立核エネルギー研究センター 混合層型複合ビスマス酸化物粉末 7 フランス国立中央科学研究所 鉄酸イットリウム粉末 12 インドオスマニア大学 酸化レニウム粉末 12 米国シカゴ大学 α型窒化けい素単結晶 53. 2 韓国ソウル大学 人工水晶 2 フランス クロード・ベルナルド・リオン工科大学 酸化レニウム単結晶 10 西ドイツフランクフルト大学 けい酸アルミニウム(2Al2O3 ・ SiO2)単結晶 54.1 米国ハウストン大学 鉄酸イットリウム及び鉄酸イッテルビウム焼結体 3 カナダアルバータ大学 窒化ほう素及び窒化アルミニウム薄膜 3 米国ハウストン大学 鉄酸ランタンほか3点のランタノイド焼結体 9 米国カリフォルニア大学 けい酸アルミニウム(2Al2O3 ・ SiO2) 単結晶 11 オランダアムステルダム大学 オケルマナイト,ゲーレナイト単結晶 55. 4 米国エール大学 ディスプロシウムアルミニウムガーネット単結晶 9 米国カルフォルニア大学 酸化リチウム単結晶 9 オランダ ライクス大学 ニオブ酸ガリウム粉末 10 オーストリアウィーン大学 γ型モリブデン酸ビスマス単結晶 56. 4 米国ハワイ大学 磁鉄鉱単結晶 4 エジプトアル・アザール大学 鉄酸イッテルビウム及び鉄酸ルテニウム粉末 5 米国テキサス大学 ゲルマン酸マンガン粉末 7 米国ヒューストン大学 ゲルマン酸鉄粉末 7 英国ニューキャッスル大学 6H型炭化けい素単結晶 7 西ドイツマックスプランク粉末冶金研究所 α型サイアロン及び透光性β型サイアロン焼結体 10 米国 ロックウェルインターナショナル社 窒化けい素焼結体 57. 3 米国ウイスコンシン大学 酸化レニウム単結晶 6 スウェーデンウプサラ大学 鉄コバルト酸ランタノイド焼結体 58. 8 英国ケンブリッジ大学 層構造型ビスマス酸化物粉末 60.1 西ドイツデュスブルグ大学 ほう化イットリウム(YB66)単結晶 7 米国マサチューセッツ工科大学 酸化マグネシウム焼結体 8 西ドイツテュービンゲン大学 酸化スズ単結晶 9 西ドイツカールスルーヘ大学 炭化けい素焼結体 9 オーストラリア メルボルン大学 ニオブ酸カリウム及び関連物質の超急冷厚膜 10 英国オックスフォード大学 燐をドープした石英 12 オーストラリア タスマニア大学 燐をドープした石英 資 料 資 料 1.おもな人事 (昭和60年11月30日現在) (1)職 員 所 長 41.4 .1~47. 6 .16 山内俊吉 採用,退職 47. 6 .16~52. 2 .1 田賀井秀夫 昇任,退職 52. 2 .1 ~54. 7 . 2 山口成人 昇任,退職 54. 7 . 2 ~58. 8 .1 田中廣吉 昇任,退職 58. 8 .1~ 後藤 優 昇任, 総合研究官 41.4 .1~41.11.10 山内俊吉 併任(炭化けい素) 41.11.10~42. 6 .10 田中廣吉 転任(大工試第1部長)(炭化けい素) 第1研究グループ 総合研究官 42. 6 .10~47. 4 .1 田中廣吉 配置換(炭化けい素) 47. 4 .1 ~47. 6 .16 田賀井秀夫 配置換(酸化マグネシウム) 47. 6 .16~49. 5 .1 田賀井秀夫 併任(酸化マグネシウム) 49. 5 .1 ~52. 4 .1 白㟢信一 昇任(酸化マグネシウム) 52. 4 .1 ~57. 4 .1 白㟢信一 (複合マグネシウム酸化物) 57. 4 .1~ 白㟢信一 (酸化亜鉛) 第2研究グループ 総合研究官 42. 6 .10~43. 3 .1 山 内 俊吉 併任(酸化ベリリウム) 43. 3 .1 ~47. 4 .1 鈴木弘茂 併任(東工大助教授)(酸化ベリリウム) 47. 4 .1 ~49. 4 .20 中平光興 配置換,退職(複合バナジウム硫化物) 49. 4 .20~49. 5 .1 田賀井秀夫 併任(複合バナジウム硫化物) 49. 5 .1 ~52. 4 .1 川田 功 昇任,死亡(複合バナジウム硫化物) 52. 4 .1 ~57. 4 .1 川田 功 (複合チタン硫化物) 57. 4 .1 ~60.10.12 川田 功 (複合モリブデン硫化物) 60.10.15~ 後藤 優 併任(複合モリブデン硫化物) 第3研究グループ 総合研究官 42. 6 .10~47. 4 .1 中平光興 昇任(酸化バナジウム) 47. 4 .1 ~52. 4 .1 田中廣吉 配置換(窒化けい素) 52. 4 .1~57. 4 .1 猪股吉三 昇任(複合酸窒化けい素) 57. 4 .1~ (炭化けい素) 第4研究グループ 総合研究官 42. 6 .10~48. 4 .1 岩田 稔 昇任(窒化アルミニウム) 48. 4 .1 ~52. 4 .1 山口成人 配置換(酸化アルミニウム) 52. 4 .1 ~53. 4 .1 内田健治 昇任(酸化アルミニウム) 53. 4 .1 ~58. 4 .1 内田健治 (酸化スズ) 58. 4 .1~ 内田健治 (酸化ビスマス) 第5研究グループ 総合研究官 43. 4 .17~43. 8 .1 山内俊吉 併任(硫化鉄) 43. 8 .1~48. 4 .1 山口成人 採用(硫化鉄) 48. 4 .1 ~53. 4 .1 岡井 敏 配置換(ペロブスカイト型化合物) 53. 4 .1 ~58. 4 .1 岡井 敏 (ニオブタンタル酸カリウム) 58. 4 .1~ 岡井 敏 (アモルファスペロブスカイト) 第6研究グループ 総合研究官 43. 4 .17~47. 5 .1 山内俊吉 併任(鉛ペロブスカイト) 47. 5 .1~48. 4 .1 岡井 敏 昇任(鉛ペロブスカイト) 48. 4 .1~56. 4 .1 岩田 稔 配置換,退職(窒化ほう素) 56. 4 .1~ 石井敏彦 昇任(窒化リチウム) 第7研究グループ 総合研究官 44. 5 .1~44. 7 .1 山内俊吉 併任(炭素) 44. 7 .1 ~49. 4 .1 瀬高信雄 昇任(炭素) 49. 4 .1~49. 5 .1 田賀井秀夫 併任(酸化チタン) 49. 5 .1~50. 4 .1 岩田 稔 併任(酸化チタン) 50. 4 .1~54. 4 .1 藤木良規 昇任(酸化チタン) 54. 4 .1~59. 4 .1 藤木良規 (チタン酸アルカリ金属) 59. 4 .1~ 藤木良規 (オクトチタン酸塩) 第8研究グループ 総合研究官 44. 5 .1~44. 7 .1 山内俊吉 併任(酸化ジルコニウム) 44. 5.1~49. 4 .1 鈴木淑夫 昇任,出向(文部省)(酸化ジルコニウム) 49. 4 .1~ 瀬高信雄 配置換(ダイヤモンド) 第9研究グループ 総合研究官 45. 5 .1~45. 7 .1 山内俊吉 併任(酸化ニオプ) 45. 7 .1~50. 4 .1 後藤 優 昇任(酸化ニオプ) 50. 4 .1~52. 4 .1 長谷川 泰 配置換(アルミノ珪酸塩ガラス) 52. 4 .1~55. 4 .1 下平高次郎 配置換(アルミノ珪酸塩ガラス) 55. 4 .1~60. 4 .1 下平高次郎 (希土類けい酸塩ガラス) 60. 4 .1~ 下平高次郎 (希土類アルミノけい酸塩ガラス) 第10研究グループ 総合研究官 45. 5 .1 ~45. 7 .1 山内俊吉 併任(カルコゲンガラス) 45. 7 .1 ~50. 4 .1 長谷川 泰 昇任(カルコゲンガラス 50. 4 .1 ~52. 4 .1 後藤 優 配置換(複合ビスマス酸化物) 52. 4 .1 ~55. 4 .1 嶋津正司 昇任(複合ビスマス酸化物) 55. 4 .1~ 嶋津正司 (タンタル酸リチウム) 第11研究グループ 総合研究官 46. 4 .1 ~46. 9 .1 山内俊吉 併任(酸化けい素) 46. 9 .1 ~47. 4 .1 田賀井秀夫 転任(東工大教授)(酸化けい素) 47. 4 .1 ~47. 5 .1 山内俊吉 併任(酸化けい素) 47. 5 .1 ~52. 4 .1 下平高次郎 昇任(酸化けい素) 52. 4 .1 ~55. 4 .1 田中廣吉 配置換,併任(ゲルマン酸塩) 55. 4 .1~57. 4 .1 加藤克夫 昇任(ゲルマン酸塩) 57. 4 .1~ 加藤克夫 (バナジン酸アルカリ金属) 第12研究グループ 総合研究官 47. 5 .1 ~47. 6 .17 山内俊吉 併任(硼��化ランタン) 47. 6 .17~48.1.1 田賀井秀夫 併任(硼��化ランタン) 48.1.1~53. 4 .1 河合七雄 昇任(硼��化ランタン) 53. 4 .1 ~54. 4 .1 河合七雄 出向(文部省)(炭化ジルコニウム) 54. 4 .1 ~55. 4 .1 後藤 優 配置換(炭化ジルコニウム) 55. 4 .1 ~59. 4 .1 石澤芳夫 昇任(炭化ジルコニウム) 59. 4 .1~ 石澤芳夫 (炭化タンタル) 第13研究グループ 総合研究官 48. 5 .1 ~49. 4 .1 田賀井秀夫 併任(イットリウムガーネット) 49. 4 .1~51.1.1 小松 啓 昇任,出向(文部省)(イットリウムガーネット) 51.1.1~52. 2 .1 田賀井秀夫 併任(イットリウムガーネット) 52. 2 .1 ~52. 4 .1 山口成人 併任(イットリウムガーネット) 52. 4 .1~53. 4 .1 木村茂行 昇任(イットリウムガーネット) 53. 4 .1~58. 4 .1 木村茂行 (アルミン酸バリウム) 58. 4 .1~ 木村茂行 (アルミン酸希土類) 第14研究グループ 総合研究官 49. 5 .1 ~54. 4 .1 津田惟雄 昇任(酸化レニウム) 54. 4 .1 ~56.12.31 津田惟雄 退職(水素タングステンブロンズ) 56.12.31~58. 8 .1 田中廣吉 併任(水素タングステンブロンズ) 58. 8 .1 ~59. 4 .1 君塚 昇 昇任(水素タングステンブロンズ) 59. 4 .1~ 君塚 昇 (酸化ニッケル) 第15研究グループ 総合研究官 50. 4 .1 ~55. 4 .1 上野精一 昇任(硫酸・燐酸カルシウム) 55. 4 .1 ~60. 4 .1 後藤 優 配置換,併任(リン酸ジルコニウム) 60.4.1 ~ 中澤弘基 昇任(モンモリロナイト) 超高圧力ステーション 総合研究官 52. 5 . 2~ 福長 脩 昇任 超高温ステーション 総合研究官 60. 4 . 6 ~ 守吉佑介 昇任 管理部長 51.5 .10~54. 6 . 5 碓井 求 採用,退職 54. 6 . 5 ~59.11.15 木田耕造 昇任,退職 59.11.15~ 清水眞金 昇任 総務課長 41.4 .1~49. 9 .30 碓井 求 昇任,退職 49.10. 1 ~53. 2 .1 松原勝定 配置換,配置換(金材研) 53. 2 .1 ~55. 3 .31 越川隆光 配置換,退職 55. 4 .1 ~55. 4 . 5 後藤祥男 配置換 庶務課長 55. 4 . 5~57. 6 .30 後藤祥男 配置換,配置換(資源) 57. 7 .1 ~58. 4 .30 小林修事 昇任,退職 58. 5 .1~ 山田美子男 配置換 会計課長 55. 4 . 5 ~57. 4 .1 池田良二 昇任,退職 57. 4 . 2 ~59. 3 .31 永田孝行 昇任,退職 60. 4 .1~ 上遠野省三 採用 企画課長 41.4 .1~43. 5 .1 渡部有造 昇任,出向(通産省)(43. 4 .17まで企画室長) 43. 5 .1 ~47. 4 .25 寄水義雄 昇任,昇任(科技庁) 47. 4 .25~50. 8 .1 山口 運 昇任,昇任(科技庁) 50. 8 .1~51.12.1 平山量三郎 昇任,昇任(科技庁) 51.12. 2~54.1.16 清水茂行 昇任,退職 54.1.16~56. 4 .1 成松佑輔 配置換,昇任(科技庁) 56. 4 .1 ~58. 4 .1 木之田善一 配置換,出向(原子力工学試験センター) 58. 4 .1 ~58. 6 .1 木田耕造 併任 58. 6 .1 ~60. 6 .17 中野昭二郎 昇任,退職 60. 6 .18~ 松本 功 配置換 技術課長 48. 5 .1~ 一ノ瀬昭雄 昇任(52. 5 . 2まで技術室長) (2)運営委員 氏 名 役 職 備 考 岩村霽郎 科学技術庁金属材料技術研究所科学研究官 41.5 .24~45. 5 .31 貴田勝造 日本碍子(株)専務取締役 41.5 .24~47. 9 .15 末野悌六 末野研究所長 41.5 .24~55.10.12 田賀井秀夫 東京工業大学教授 41.5 .24~46. 9 .1 坪井誠太郎 日本学士院会員 41.5 .24~ 野口長次 通商産業省工業技術院名古屋工業試験所第5部長 41.5 .24~47. 9 .15 野田稲吉 三重大学長 41.5 .24~47. 9 .15 三宅静雄 東京大学教授 41.5 .24~47. 9 .15 森谷太郎 東京理科大学教授 41.5 .24~47. 9 .15 田代 仁 京都大学名誉教授 42. 7 ・1~ 山口悟郎 東京大学教授 42. 7 .1~51.4 .11 伊藤伍郎 科学技術庁金属材料技術研究所科学研究官 44. 3 .1 ~52. 5 .1 犬塚英夫 旭ダイヤモンド工業(株)取締役研究所長 45. 7 .1~ 松本秀夫 通商産業省工業技術院名古屋工業試験所第5部長 46. 2 .1 ~47. 9 .15 鈴木 平 東京理科大学教授 46. 7 .1~ 山内俊吉 東京工業大学名誉教授 47. 8 .1~ 桐山良一 大阪大学名誉教授 47. 9 .15~ 佐 藤正 雄 東京工業大学教授 47. 9 .15~49. 6 .1 内藤隆三 通商産業省工業技術院名古屋工業技術試験所長 47. 9 .15~55. 4 .30 山本英雄 旭硝子(株)顧問 47. 9 .15~51.5 .16 伊藤正三 日本碍子(株)専務取締役 48. 6 .29~49. 6 .1 斎藤進六 長岡技術科学大学長 49. 9 .1~ 井上弥治郎 通商産業省工業技術院電子技術総合研究所長 49. 9 .1 ~53. 5 .31 梅沢邦臣 海洋科学技術センター理事長 51.5 .16~ 尾野勇雄 旭硝子(株)顧問 51.5 .16~53. 5 .15 田賀井秀夫 東京工業大学名誉教授 52. 4 .1~ 吉田 進 科学技術庁金属材料技術研究所科学研究官 52. 5 .1 ~53. 4 .1 山口成人 理研計器(株)顧問 54. 7 .16~58.10.27 奥田 博 財団法人ファインセラミックスセンター常務理事 55. 5 .1~ 濱野健也 東京工業大学工業材料研究所長 57. 5 .1~ 田中廣吉 TDK(株)技術担当常務付顧問 58. 9 .12~ (3)客員研究官 氏 名 役 職 備 考 末野重穂 筑波大学助教授 42.1.1~46. 3 .31 51.1.1~58. 3 .31 福長 脩 東京工業大学助手 42. 4 .1~42. 7 .1 佐多敏之 東京工業大学教授 42. 7 .1 ~48. 3 .31 末野悌六 末野研究所長 42. 7 .1~49. 3 .31 山口成人 理化学研究所 42.11. 1 ~44. 3 .31 宇野良清 日本大学教授 42.11. 1 ~47. 3 .31 児島弘直 山梨大学助教授 42.11. 1 ~44. 3 .31 加藤範夫 名古屋大学教授 42.12.16~48. 3 .31 大石行理 九州大学教授 43. 2 .1 ~47. 3 .31 島内武彦 東京大学教授 43.11. 1 ~47.10.31 野村昭一郎 東京工業大学教授 43.12. 1 ~50. 3 .31 中山忠行 早稲田大学教授 44. 3 .1~51.3 .31 青山芳夫 日本国有鉄道 44. 5 .1 ~53. 3 .31 国谷保雄 中央大学教授 44. 5 .16~46. 5 .15 48. 4 .1 ~56. 3 .31 56. 5 .1~ 上田隆三 早稲田大学教授 44. 8 .1 ~46.11.30 水渡英二 京都大学教授 44. 8 .1 ~46.10.31 箕村 茂 東京大学教授 45. 5 .1 ~53. 3 .31 野口正安 日本原子力研究所研究員 45. 7 .1~51.3 .31 田賀井秀夫 東京工業大学教授 45.11. 1 ~46.10.31 渡辺伝次郎 東北大学教授 45.11. 1 ~50. 3 .31 橋本栄久 千葉大学教授 46. 4 .1~51.3 .31 森本信雄 大阪大学教授 46. 8 .1 ~50. 3 .31 51.4 .1~52. 3 .31 飯田修一 東京大学教授 46. 9 .1 ~49. 3 .31 片山功蔵 東京工業大学教授 47. 4 .1 ~50. 3 .31 桜井武磨 東北大学教授 47. 4 .1 ~50. 3 .31 桂 敬 東京工業名誉教授 47. 4 .1~ 溝口 正 学習院大学 47. 4 .1~51.3 .31 定永両一 東京大学名誉教授 47. 5 .1 ~52. 3 .31 56. 8 .10~ 鈴木弘茂 神戸大学教授 47. 7 .1~ 荒牧重雄 東京大学助教授 47. 7 .1 ~50. 3 .31 藤沢英幸 東京大学助教授 47. 7 .1 ~48. 6 .30 矢島聖史 東北大学教授 47.11. 1 ~50. 3 .31 山根典子 都立工業技術センター 48.1.16~51.3 .31 小松和蔵 東京工業大学教授 48.1.16~49. 3 .31 51.4 .1~52. 3 .31 宇田応之 理化学研究所研究員 48. 6 .15~53. 3 .31 志水隆一 大阪大学助教授 48. 7 .1 ~54. 3 .31 武 居 文彦 東北大学助教授 48. 8 .15~53. 3 .31 木村脩七 東京工業大学 49. 4 .1~ 斎藤進六 東京工業大学工業材料研究所長 49. 4 .1~50. 3 .31 岩井津一 東京工業大学教授 49. 4 .1~52. 3 .31 53. 4 .1 ~55. 3 .31 小林信之 富山大学助教授 49. 4 .1 ~55. 9 .30 57. 4 .1 ~58. 3 .31 60. 4 .1~ 中平光興 岡山理科大学教授 49. 5 .1~57. 3 .23 熊沢峰夫 名古屋大学助教授 49. 5 .1~53. 3 .31 松野 直 東京理科大学嘱託助手 49. 5 .1~51.3 .31 鈴木淑夫 筑波大学教授 49. 6 .1 ~53. 3 .31 高橋洋一 東京大学助教授 49. 8 .1 ~54. 3 .31 岡 明 東京新技術開発事務所長 50. 4 .1~51.3 .31 沢岡 昭 東京工業大学助教授 50. 4 .1 ~56. 3 .31 丸茂文幸 東京工業大学助教授 50. 4 .1 ~54. 3 .31 浜口由和 日本原子力研究所 50. 4 .1 ~53. 3 .31 福田敦夫 東京工業大学助教授 50. 8 .16~55. 3 .31 小松 啓 東北大学教授 51.1.1~ 岡本祥一 理化学研究所 51.4 .1~52. 3 .31 掛川一幸 千葉大学助手 51.4 .1~ 吉川晶範 東京工業大学助教授 51.4 .1~58. 3 .31 田部浩三 北海道大学教授 51.4 .1~54. 3 .31 白 鳥紀一 大阪大学講師 51.4 .1~ 金沢孝文 東京都立大教授 52. 4 .1~55. 3 .31 青木秀希 東京医科歯科大学助教授 52. 4 .1 ~55. 3 .31 永長久彦 筑波大学助教授 52. 6 .1~ 蓮 精 筑波大学教授 52.10. 1 ~56. 3 .31 大坂敏明 早稲田大学助教授 53. 4 .1 ~55. 3 .31 弘津俊輔 東京工業大学助手 53. 4 .1 ~55. 3 .31 境野照雄 工学院大学教授 53. 4 .1 ~57. 3 .31 中村哲朗 東京工業大学教授 53. 4 .1 ~57. 3 .31 58. 4 .1 ~60. 3 .31 上江洲由晃 早稲田大学教授 53. 4 .1~ 小泉光恵 大阪大学教授 53. 4 .1~ 加藤誠軌 東京工業大学教授 53. 5 .1~ 伊藤昭夫 工業技術院電子技術総合研究所材料部長 53. 5 .16~54. 3 .31 若槻雅男 筑波大学教授 53. 6 .1 ~56. 3 .31 岡田雅年 金属材料技術研究所原子炉材料研究部 第2研究室長 54. 4 .1 ~57. 3 .31 関根達也 東京理科大学教授 54. 4 .1 ~59. 3 .31 大鉢 忠 同志社大学教授 54. 4 .1~ 宗宮重行 東京工業大学教授 54. 4 . 1~ 河合七雄 大阪大学教授 54. 4 .1~ 原 昭夫 住友電気工業(株)主幹部員 54. 5 .1 ~57. 3 .31 塚田 捷 分子科学研究所助教授 54. 4 .1 ~57. 3 .31 高橋 浩 東京大学教授 55. 4 .1 ~58. 3 .31 佐伯雄造 東京工業大学教授 55. 4 .1 ~58. 3 .31 櫛田孝司 大阪大学教授 55. 4 .1 ~56. 3 .31 59. 4 .1~ 柴田幸男 東北大学教授 55. 4 .1 ~60. 8 .28 飯山敏道 東京大学教授 55. 4 .1 ~60. 3 .31 中林宣男 東京医科歯科大学助教授 55. 4 .1 ~60. 3 .31 岩田 稔 昭和電工(株)総合研究所顧問 56. 4 .10~ 砂川一郎 東北大学教授 56. 4 .1 ~59. 3 .31 楠 勲 東北大学教授 56. 4 .1~ 石田洋一 東京大学教授 57. 4 . 1 ~ 津田惟雄 東京理科大学教授 57.1.5 ~59. 3 .31 石垣 淳 日本大学助教授 57. 4 .1 ~60. 3 .31 深井 有 中央大学教授 57. 4 .1 ~59. 3 .31 長沢 博 筑波大学教授 57. 4 .1~ 土井良彦 住友電工(株)研究開発本部伊丹研究部部長 57. 4 . 1~ 飯島澄男 新技術開発事業団 57. 5 .27~ 北沢宏一 東京大学助教授 58. 4 .l ~ 水谷惟恭 東京工業大学助教授 58. 4 . 1~ 岩崎 博 東北大学教授 58. 4 .l~ 作花済夫 京都大学教授 58. 5 . 1~ 森永正彦 豊橋技術科学大学助教授 58. 6 .1~ 田中廣吉 TDK(株)技術担当常務付顧問 58. 8 . 5~59. 3 .31 柳田博明 東京大学教授 59.1.26~ 大野英雄 日本原子力研究所東海研究所副主任研究員 59. 4 .27~ 近藤建一 東京工業大学助教授 59. 4 .l~ 進藤 勇 (株)アスカル代表取締役社長 59. 9 . 1~ 作動恒太郎 筑波大学教授 59.10.1~ 金丸文一 大阪大学教授 60. 4 .l~ 竹村謙一 名古屋市立大学助手 60. 4 . 1~ 蛯原健治 熊本大学教授 60.4.1 ~ 原田 馨 筑波大学 60. 5 .1~ 遠藤 忠 東北大学助教授 60. 6 .1~ 2.国際交流 (1)在外研究員 種別 氏 名 所属 渡航 目 的 渡航先 期 間 パートギャ ランテイー 石井紀彦 第2研究 グループ 遷移金属を含む無機化合物の高 圧下での物性の研究 西ドイツ(マールブ ルク大学) 51.8 .25~53. 8 .24 長 期 在外研究員 三橋武文 第7研究 グループ 無機材質の熱力学的研究 アメリカ(シカゴ大 学) 51.10. 1~52. 9 .30 長 期 在外研究員 山村 博 第1研究 グループ セラミック酸化物触媒の格子欠 陥との関係の研究 アメリカ(ペンシル バニア州立大学) 52.10. 1 ~53. 9 .30 パート 内田吉茂 第11研究 グループ 石英中における点欠陥の常磁性 共鳴吸収測定による研究 カナダ(サスカチ ヴァン大学) 53. 8 .17~54. 5 .31 長 期 在外研究員 葛葉 隆 第6研究 グループ 非金属無機材質の光学的な性質 と過渡現象及びそれらの計測法 に関する研究 イギリス(ロンドン 大学) 53.10. 1 ~54. 9 .30 長 期 (宇宙) 青野正和 第12研究 グループ 強力電子ビーム放射材料の表面 状態に関する研究 アメリカ(ウィスコ ンシン大学) 53.10.31~54. 8 .30 パートギャ ランティー 遠藤 忠 第6研究 グループ 触媒作用をもつ金属化合物を層 間に含んだ層状無機材質の合成 と合成された物質の物性に関す る研究 アメリカ(ミシガン 州立大学) 53.12.30~54.12.29 パートギャ ランティー 木島弌倫 第3研究 グループ 炭化珪素の合成と特性付けに関 する研究 アメリカ(マサチュ セッツ工科大学) 54.1.25~55.1.24 下村 理 超高圧力 ステー ション X線異常分散の研究とその応用 研究 アメリカ 54.1.25~54. 2 .25 パートギャ ランテイー 君塚 昇 第14研究 グループ 固体電解質として有効に作用す る無機化合物の合成及び結晶化 学的性質に関する研究 アメリカ 54. 5 .1~55. 9 . 2 パートギャ ランテイー 板東義雄 第13研究 グループ 電子顕微鏡による無機化合物の 構造に関する研究 アメリカ 54.10~55. 9 青野正和 第12研究 グループ 放射光利用による無機化合物の 表面分光の研究 アメリカ 54.11~55.10 長 期 在外研究員 赤羽隆史 第14研究 グループ 主任研究官 陽電子消滅法を用いた物性に関 する研究 アメリカ合衆国ブラ ンダイス大学(マサ チューセッツ州) 56.1.5 ~57. 4 .26 オールギャ ランティー 貫井昭彦 第9研究 グループ 主任研究官 高温・高圧下における結晶及び 非晶質シリカ(SiO2)とその関 連物質の構造化学に関する研究 ドイツ連邦共和国 (西ドイツ)ボッフム 大学(デュッヒルド ルフ) 56. 6 . 7 ~58. 3 .31 パートギャ ランティー 和田弘昭 第2研究 グループ リチウムカルコゲンガラスに関 する研究 フランス共和国ボル ドー大学(ボルドー) 56. 6 .23~57. 6 .26 中 期 在外研究員 守吉佑介 第1研究 グループ セラミックスに関する研究開発 状況調査 アメリカ合衆国 ドイツ連邦共和国 (西ドイツ) 56. 8 . 5 ~56. 9 . 3 長 期 在外研究員 大島忠平 第12研究 グループ 主任研究官 電子エネルギー損失分光法に関 する研究のため ドイツ連邦共和国 (西ドイツ)ユーリッ ヒ原子力研究所 56.10. 6 ~57.10. 5 オールギャ ランティー 南 不二雄 第14研究 グループ 研究員 超イオン伝導体Ag26I18W4O16 (沃化銀タングステート)の超高 電スイッチング効果についての 研究 第16回半導体国際会議出席 アメリカ合衆国コロ ラド大学(コロラド 州) フランス共和国モン ペリエ 56.10.31~58. 3 .31 オールギャ ランティー 渡辺 遵 第7研究 グループ イオン伝導材料の合成・育成お よび化学的・構造的評価並びに 伝導特性の測定伝導機構の解析 の研究 アメリカ合衆国マサ チューセッツ工科大 学(マサチューセッ ツ州) 57. 4 . 5 ~58.11.4 オールギャ ランティー 赤石 實 第8研究 グループ 衝撃圧力下におけるセラミック 粉末の挙動及び衝撃誘起による 欠陥の焼結過程に及ぼす影響に ついての研究 アメリカ合衆国ノー スカロライナ州立大 学 57. 9 .30~58. 9 .29 オ ールギ ャ ランティー 三友 護 第3研究 グループ 主任研究官 α―サイアロンの熱力学計算に 関する研究 ドイツ連邦共和国 マックスフランク粉 末冶金研究所 57. 9 .15~57.12.18 オ ー ル ギャ ランティー 藤森 淳 第14研究 グループ 金属水素化物の電子構造表面状 態の光電子分光法による研究 スイス国チューリッ ヒ工科大学 57. 9 .29~58.1.2 オー ル ギャ ランティー 佐伯昌宣 第2研究 グループ 「半導体硫化物の合成と光電気 化学への応用に関する研究」の ため アメリカ合衆国 ヒューストン大学 58. 2 . 6 ~59. 2 . 5 オールギャ ランティー 守吉佑介 第1研究 グループ 主任研究官 MgO/Al2O3に関する国際会議 出席及びセラミックスの粒界構 造とその微細構造の研究 アメリカ合衆国マサ チューセッツ工科大 学 58. 6 .10~58. 9 .10 長 期 在外研究員 北村健二 第13研究 グループ 主任研究官 第7回結晶成長国際会議出席 液相エピタキシャル法による酸 化物単結晶膜の成長機構と評価 法に関する研究 西ドイツ,フランス 国国立結晶学研究所 58. 8 .29~59. 8 .28 中 期 在外研究員 山村 博 第1研究 グループ 主任研究官 オプトエレクトロニクス材料と しての透明セラミックスの現状 と将来性に関する調査 アメリカ合衆国アリ ゾナ州立大学サンデ ア研究所ほか3大学 58. 9 .10~58.10. 9 パートギャ ランティー 長谷川安利 第3研究 グループ シリコンセラミックスの焼結と その評価に関する研究 メキシコアウトノ マ・デ・グァダラハ ラ大学 58.10. 1 ~59. 3 .31 パートギャ ランティー 山本昭二 第11研究 グループ 変調構造解析の研究のため オランダ王国ナイム ヘン大学ナイメ ーヘ ン 57.11.15~59.1.30 オールギャ ランティー 藤森 淳 第14研究 グループ 研究員 半導体金属材料等の光電子分光 法による研究 原子価揺動に関する国際会議出 席 アメリカ合衆国ミネ ソタ大学 西ドイツケルン大学 59. 4 .24~60. 4 .23 パートギャ ランティー 田中英彦 第3研究 グループ 主任研究官 SiC-BeO, Sialonの緻密化と焼 結挙動に関する研究 西ドイツマックスプ ランク粉末冶金研究 所 59. 7 .1 ~60. 6 .30 長 期 在外研究員 松井良夫 第11研究 グループ 主任研究官 電界放射型,走査透過電子顕微 鏡によるセラミックス材料の極 微小領域の分析技術に関する研 究 イギリスケンブリッ ジ大学 59. 8 .23~60. 8 .22 原子力関係 在外研究員 田中順三 第10研究 グループ 主任研究官 トリチウムの分離精製電解セル 用に関する研究 フランスリモージュ 大学 59. 8 .31~60. 8 .30 パートギャ ランティ 室町英治 第11研究 グループ 研究員 遷移金属酸化物,遷移金属ケイ 酸塩の熱化学に関する研究 アメリカ合衆国アリ ゾナ大学 59.10. 1~60. 9 .30 原子力関係 在外研究員 大島忠平 第12研究 グループ 主任研究官 炭化物の表面格子振動の研究 ベルギー王国ナ ミュール大学 60.1.10~60. 4 . 9 (2)外国人留学者 国名・所属 氏 名 受入れG等 課 題 期 間 オーストラリア豪州連 邦科学産業研究省 (CSIRO)建築研究所 グラハム・スタンリー ・ ウォーカー (Graham Stanley Walker) 第10研究 グループ 複合ビスマス酸化物の表面化 学的研究 50.10~51.4 韓国ソウル大学校工科 大学窯業工学科長 林 応 極 (Dr. Eung Keuk Lim) 第1研究 グループ 高誘電物質に関する研究 52.1~52. 3 韓国漢陽大学校工科大 学窯業工学科副教授 季 應 相 (Dr. Eung San Lee) 第1研究 グループ 電子セラミックスに関する研 究 52. 2 ~52. 3 フランス国立中央科学 研究省(CNRS)電子光学 研究所 ドミニク・ドリニヤク (Dr. Dominique Dorignac) 第4研究 グループ 高電圧・高分解能電子顕微鏡 による分子と結晶の研究 54.11.19~54.12.17 ソビエト連邦ウクライ ナ科学アカデミー材料問 題研究所主任研究員 フォメンコ・ウラドレ ン・ステパノビッチ (Fomenko Yladlen Stepanvitch) 第12研究 グループ 難溶性合金の物理特性 55. 3 .21~55. 3 .26 インド国立物理研究所 (N.P.L)主任研究官 クマール・ネイヤー (Ruj Kumar Nayar) 超高圧力 ステー ション 超硬材料の合成及び関連技術 研修 55.10.13~56.1.13 インド国立物理研究所 (N.P.L)上級助手 クマール・シンハル (Sunil Kumar Singhal) 超高圧力 ステー ション 超硬材料の合成及び関連技術 研修 55.10.13~56.1.13 フランスボルドー大学 固体化学研究所(CPMS) ピエール・ボネ (Jean-Pierre BONNET) 第2研究 グループ 超高圧電顕を用いた無機物質 の構造のキャラクタリゼー ション 56. 2 . 3 ~56. 8 . 2 米国 ノースキャロライ ナ州立大学材料工学部 門教授 ロバート・ F ・デイビス (Robert F. Davis) 第3研究 グループ 日本の材料研究の状況調査 56. 9 .14~56.10. 4 中国 中国科学院地球化 学研究所付教授研究 室主任 王 之 楨 (Wang Zhih Zhen) 第8研究 グループ ダイヤモンドに関する研究 56. 9 .16~56. 9 .26 ソビエト連邦ソ連アカ デミー結晶研究所主任 研究官 ニコライ・ザハロフ (Kikolai D Zakharov) 第4研究 グループ 高分解能電子顕微鏡を用いた 個々の原子の観察及び結晶構 造の直接観察 56.12.22~57. 2 .1 中国中国科学院上海光 学精密機械研究所助理 研究員 侯 印 春 (How Yin Chun) 第12研究 グループ 遷移金属炭化物の単結晶育成 と表面状態の研究 56.12.23~58.12.23 2ケ年間予定 大韓民国ソウル大学 窯業工学科副教授 朴 順 子 (Soon Ja Park) 第1研究 グループ 半導体ガスセンサー 58. 2 .14~59. 2 .15 1ケ年 米国ペンシルバニア大 学材料研究所教授 ロバートE.ニューナム (Robert E. Newnham) 第5研究 グループ 材料の結晶構造と物性の相関 関係から予見される材料設計 58. 3 .17~58. 3 .31 韓国韓国漢陽大学大学 院助教授 崔 錘 健 (Tong Koem Choi) 第13研究 グループ 浮遊帯法による酸化物単結晶 の育成 59. 6 .15~59. 9 .14 韓国韓国ソウル国立大 学助教授 金 道 然 (Doh-Yeon Kim) 第1研究 グループ ガスセンサーのための焼結体 の微構造と電気的性質 59. 6 .22~59. 8 .24 フランス国立応用科学 研究所研究員 オレンジ・ギラス (Orange Gilles) 第3研究 グループ 日仏科学技術協力 セラミックスの表面・界面 59. 7 .16~59. 9 .23 韓国韓国漢陽大学工学 部教授 朴 金 喆 (Keun Churl Park) 第3,第 15研究グ ループ 焼結セラミックスの微構造制 御 59.12.10~60. 3 . 9 韓国韓国ソウル国立大 学大学院生 宋 炳 武 (Byung Moo Song) 第1研究 グループ PLZT透明焼結体の合成及び その電気光学効果 59.12.15~60. 9 .21 韓国漢陽大学工学部教 授 呉 根 鎬 (Kenneth Kennho Orr) 第13研究 グループ FZ法による酸化物単結晶の 育成に関する研究 59.1.7~59. 2 .15 米国カリフォルニア大 学ローレンスバークレー 研究所主任研究官 ミッシュル・A・オキー フ (Michael A. Okeefe) 第4研究 グループ 無機化合物の微細構造の原子 レベル解析―画像処理・解析 の原理および方法の開発 59. 3 .15~59. 3 .30 3.表彰事項 (1)叙勲,褒章等 44.4.15 岩田稔総合研究官 科学技術功労賞(多層薄膜製造用膜厚監視装置の開発) 44.11.3 山内俊吉所長 勲二等旭日重光章(工業教育に対する貢献と科学技術の振興に寄与したことによる) 48. 4 .29 丹野善次事務補助員 勲七等瑞宝章(45年間にわたる永年勤続に対して) 48.11.3 山口成人総合研究官 紫綬褒章(多年にわたり物質構造解明の研究に努め可変電圧式電子回折装置を完 成した実績による) 49.11.3 岩田稔総合研究官 紫綬褒章(多層薄膜製造用膜厚監視装置開発の実績による) 50.11.3 田中広吉総合研究官 紫綬褒章(セラミックスコーチング技術開発の実績による) 52. 5 .19 君塚昇主任研究官 業績表彰(無機材料の研究に従事し困難な問題を克服して新しい構造を持つ希土類 元素―鉄―酸素系の新物質を発見し材料研究の進展に多大の貢献をした) 52. 5 .19 今野重久係長 業績表彰(ガスバーナー用空気混合器に関し秀れた考案を行い大型ガラス容器の製作を 可能とし,研究業務の進展に寄与した) 53. 5 .19 堀内重雄主任研究官 業績表彰(電子顕微鏡の超高圧加速による高分解能超高圧電子顕微鏡の完成に多 大の貢献をした) 53. 5 .19 河合七雄総合研究官,田中高穂研究員 業績表彰(ホウ化ランタン育成単結晶を用いた熱電子放射陰極 の研究に従事し,単結晶熱陰極の開発を行うことにより,高輝度電子銃材料の進展に多大の貢献をした) 54. 5 .19 藤木良規総合研究官 業績表彰(酸化チタンに関する研究に従事しチタン酸カリウムの長繊維製造法を 開発して高性能断熱材としての実用化に貢献した) 55. 4 .15 今野重久係長,佐藤晃係員 創意工夫功労者表彰(低融点低膨長ガラス接着剤の考案) 55. 5 .19 木村茂行総合研究官,進藤勇主任研究官 業績表彰(イットリウム鉄ガーネットに関する研究に従事し, 集光式浮遊帯域溶融法により高純度な単結晶を効率よく育成することに成功して,マイクロ波通信技術 の向上に貢献した) 56. 5 .19 遠藤忠主任研究官,岩田稔総合研究官,福長脩総合研究官 業績表彰(立方晶窒化ほう素の主成に関す る研究に従事し,新しい触媒を開発高純度高品質の粒径のそろった立方晶窒化ほう素の製造法を確立し てその実用化に貢献した) 57. 4 .16 遠藤忠主任研究官 研究功績者表彰(立方晶窒化ほう素の製造法に関する研究) 57. 5 .19 千葉利信主任研究官,赤羽隆史主任研究官 業績表彰(無機材質の構造に関する研究に従事し,陽電子 消滅法を用いた酸化レニウム中の電子結合状態を調べその微細構造を明らかにした ) 58. 4 .20 小倉好次係長,増田安次係員 創意工夫功労者表彰(正六面体型超高圧力発生装置のアンビル位置測定 装置の改良) 58. 4 .22 青野正和主任研究官 研究功績者表彰(直衝突イオン散乱分光法の研究) 58. 5 .19 松本精一郎主任研究官,瀬高信雄総合研究官 業績表彰(ダイヤモンドの合成に関する研究に従事し, 気相法による低圧合成技術を開発して膜状及び粒状ダイヤモンドを合成した ) 59. 4 .17 北見喜三係長 創意工夫功労者表彰(超高圧電子顕微鏡高電圧昇圧部離融板の改良) 59. 4 .19 堀内繁雄主任研究官 研究功績者表彰(超高電圧高分解能電子顕微鏡による結晶欠陥の研究) 59. 5 .19 田中英彦主任研究官,猪股吉三総合研究官 業績表彰(炭化ケイ素の焼結に関する研究に従事し,高強 度焼結体の新しい製造法を確立してその実用化に貢献した) 60.4.15 福長脩総合研究官 研究功績者表彰(大容量超高圧力発生装置の研究) 60.4.16 大澤俊一技術職員創意工夫功労者表彰(超高圧力発生圧力媒体の考案) 60. 4 .16 坂内英典技術職員 創意工夫功労者表彰(酸化スズ製造法の考案) 60.4 .29 藤木良規総合研究官 紫綬褒章(特殊機能性チタン酸カリウム繊維の開発) (2)学術団体賞 44. 4 .23 福長脩主任研究官 窯業協会進歩賞(半導体酸化物の焼結及び高圧下における酸化物系の固相反応の研 究) 45.4.22 猪股吉三主任研究官 窯業協会進歩賞(高純度炭化けい素単結晶の合成に関する研究) 46.10.22 小野晃研究員 日本地質学会研究奨励賞(長野県高遠―塩尻地方に分布する領家変成岩の変成分帯) 48. 5 .28 下平高次郎総合研究官 窯業協会学術賞(加圧焼結の緻密化機構及び多結晶体の組織に関する研究 ) 49. 5 .27 瀬高信雄総合研究官 窯業協会学術賞(気相析出法による炭化けい素合成に関する基礎的研究) 52. 5 . 9 長谷川泰主任研究官 窯業協会進歩賞(ガラスの表面並びに加工に関する研究) 53.11.18 中澤弘基主任研究官日本結晶学会賞(X線回折および電顕格子像によるF21―xsの相関係および超構 造相の研究) 56. 5 .19 田中英彦研究員 窯業協会進歩賞(非酸化セラミックスの強度に関する基礎的研究) 56. 6 .18 門間英毅主任研究官 石膏石灰学会論文賞(カルシウムのリン酸塩とくにアパタイトの材料化学的研究) 56.10.13 室町英治研究員 アメリカ電気化学会論文賞(酸素分圧制御下の熱天秤法による1000~1300℃における Feo1-x (ウスタイト)相の熱力学的性質と準相に関する研究) 57.4.4 藤木良規総合研究官 新技術開発財団市村賞功績賞(繊維状チタン酸カリウムの開発) 57. 5 .24 田中廣吉所長 日本溶射協会表彰(溶射工業界の指導的立場にたたれその優れた人格と識見により溶射 技術の発展向上に多大の貢献をした) 57. 5 .27 堀内繁雄主任研究官 日本電子顕微鏡学会瀬藤賞(超高電圧高分解能電子顕微鏡による無機化合物結晶 の微細構造の解析) 57.10.1 今野重久係長 日本ガラス技術研究会功労賞(多年にわたる推進役として発展に尽された) 58.4.5 三友護主任研究官,牧島亮男主任研究官 新技術開発財団市村賞貢献賞(窒素含有ガラスの製造法) 58.6.8 進藤勇主任研究官 日本鉱物学会鉱物工学奨励賞(水熱法・融剤法および浮遊帯域法による酸化物単結 晶の合成・育成および相平衡の研究) 58.10.31 青野正和主任研究官 日本真空協会熊谷記念真空科学論文賞(低速イオン散乱) 59.4.4 進藤勇主任研究官 新技術開発財団市村賞貢献賞(浮遊帯域法による酸化物単結晶の合成・育成および 相平衡の研究) 59.10.29 堀内繁雄主任研究官 米国窯業協会フルラス賞(セラミック材料の原子直視電子顕微鏡法に関する研究) 60. 4 . 4 遠藤忠主任研究官 新技術開発財団市村賞功績賞(立方晶窒化ほう素の製造に関する研究) 60.5.22 三友護主任研究官 窯業協会学術賞(窒化ケイ素系セラミックスの焼結に関する研究) 4.年 表 年 月 日 事 項 37. 7 .13 科学技術会議第3号諮問「国立試験研究機関を刷新,充実するための方策について」に対する答申中基 礎研究の重要性について強調。 38.10. 9 前記答申の趣旨に基づき,科学技術庁計画局において,その第一着手として非金属無機材質の研究をい かに推進するかを検討するために「第1パネル」を設置。 40. 4 .16 非金属無機材質基礎研究所(仮称)設立準備室設立(科学技術庁計画局内)。 7 .19 非金属無機材質基礎研究所(仮称)計画案が設立準備研究検討会において策定。 41.4 .1 研究所発足(人員21名),(庁舎は科学技術庁内)。第1(SiC:炭化けい素)研究グループ,企画室,総 務課。所長に元東京工業大学長山内俊吉就任。 5 .10 東京都杉並区井草4~18所在の機械振興協会技術研究所内に移転。 42. 4 .24 庁舎建設委員会設置(筑波研究学園都市に建設する庁舎について必要な事項を検討)。 5 .10 東京都文京区本駒込2~28~10所在の科研科学(株)所有の建物に移転。 42. 6 .10 第2 (BeO:酸化ベリリウム),第3 (VO2:酸化バナジウム)及び第4 (AlN :窒化アルミニウム) 研究グループを新設。 12.1 筑波研究学園都市に建設予定の「高圧力特殊実験棟」の設計図等完成。 43. 4 .1 第5 (FeS:硫化鉄)及び第6 (PbMO3 :鉛ペロブスカイト)研究グループを新設。企画室は企画課 となる。 43. 7 .1 「無機材研ニュース」発刊。 7 .31 筑波研究学園都市庁舎配置設計完成。 44. 3 .27 高圧力特殊実験棟(RC-2,延面積1,761m2)起工式。 5 .1 第7 (C:炭素)および第8 (ZrO2 :酸化ジルコニウム)研究グループを新設。 12.26 高圧力特殊実験棟完成。 45. 5 .1 第9 (NbO:酸化ニオブ)及び第10 (As-X Glass:カルコゲンガラス)研究グループを新設。 6 . 5 高圧力特殊実験棟に高圧力発生装置を駒込庁舎等から搬入,すえ付け及び調整完了,業務開始。 12. 5 研究本館(RC-3,延面積6,160m2)建設工事着工。 46. 4 .1 第11 (SiO2:酸化けい素)研究グループを新設。 10.12 研究本館完成。 47. 3 .1 筑波研究学園都市へ移転。 4 .1 第1(MgO :酸化マグネシウム),第2 (MV2S4 :複合バナジウム硫化物)及び第3 (Si3N4:窒化け い素)研究グループを再編成。 5 .1 第12 (LaB6 :硼��化ランタン)研究グループを新設。 5 .16 竣工,移転記念式典(開所式)。 6 .16 初代所長山内俊吉退官,二代目所長田賀井秀夫就任。 7 .19 皇太子殿下行啓。 8 .11 高温合成特殊実験棟(RC-2,延面積1,826m2)及び陽電子消滅特殊実験棟(RC-1,延面積168m2)建設 工事着工。 12. 6 第1回研究発表会(昭和46年度終了研究グループ:炭化けい素,酸化ベリリウム,酸化バナジウム)。 48. 3 . 3 高温合成特殊実験棟及び陽電子消滅特殊実験棟の完成。 4 .1 第4 (Al2O3 :酸化アルミニウム),第5 (Pb1-xTiO3-x :ペロブスカイト型化合物)及び第6 (BN窒 化ほう素)研究グループを再編成。 5 .1 第13 (Y3X5O12 :イットリウムガーネット)研究グループを新設。企画課に技術室を設置。 10.29 第2回研究発表会(昭和47年度終了研究グループ:窒化アルミニウム,硫化鉄,鉛ペロブスカイト)。 49. 4 .1 第7 (TiO2:酸化チタン)及び第8 (C :ダイヤモンド)研究グループを再編成。 5 .1 第14 (ReO3 :酸化レニウム)研究グループを新設。 10.23 天皇,皇后両陛下行幸啓。 11.1 第3回研究発表会(昭和48年度終了研究グループ:炭素,酸化ジルコニウム) 11.19 無塵特殊実験棟建設工事着工(RC-2,延面積1,658m2) 50. 4 .1 第15 (Ca-SO4-PO4-H2O:硫酸・燐酸カルシウム)研究グループを新設。 第9 (RO-Al2O3-SiO2 Glass :アルミノ珪酸塩ガラス)及び第10 (Bi2O3-RmOn :複合ビスマス酸化物) 研究グループを再編成。 8 .20 超高圧電子顕微鏡特殊実験棟建設工事着工(RC-2,延面積412m2)。 9 .18 第4回研究発表会(昭和49年度終了研究グループ:酸化ニオブ,カルコゲンガラス)。 12. 9 無塵特殊実験棟一部稼働(10,000クラス)。 51.3 .23 超高圧電子顕微鏡特殊実験棟完成。 5 .10 管理部を新設。 51.6 .10 創立十周年記念式典。無機材質研究所十年史刊行。 52. 4 .1 第1(MgO-MxOy :複合マグネシウム酸化物)研究グループ,第2 (MxTiyS2 :複合チタン硫化物) 研究グループ,第3 (MSiON :複合酸窒化けい素)及び第11(MO・GeO2 :ゲルマン酸塩)研究グルー プを再編成。 9 .28 第5回研究発表会(昭和51年度終了研究グループ:酸化マグネシウム,複合バナジウム硫化物,窒化け い素,酸化けい素)。 53. 4 .1 第4 (SnO2 :酸化スズ)研究グループ,第5 (KTa1-xNbxO3 :ニオブタンタル酸カリウム)第6 (cBN : 立方晶窒化ほう素)研究グループ,第12(ZrC:炭化ジルコニウム)研究グループ及び第13(BaAl12O19 : アルミン酸バリウム)研究グループを再編成。 11.28 第6回研究発表会(昭和52年度終了研究グループ:酸化アルミニウム,ペロブスカイト型化合物,硼��化 ランタン,イットリウムガーネット)。 12.13 管理棟建設工事着工。 54. 4 .1 第7 (M2O (TiO2)n :チタン酸アルカリ金属)研究グループ,第8 (C :ダイヤモンド)研究グルー プ及び第14 (HxWO3 :水素タングステンブロンズ)研究グループを再編成。 8 .30 管理棟完成。 11.27 第7回研究発表会(昭和53年度終了研究グループ:酸化チタン,ダイヤモンド,酸化レニウム) 55. 4 .1 第9 (Ln2O3-SiO2 Glass:希土類けい酸塩ガラス)研究グループ,第10 (LiTaO3 :タンタル酸リチウ ム)研究グループ及び第15 (Zr(HPO4)2 ・ H2O :りん酸ジルコニウム)研究グループを再編成。 11.27 第8回研究発表会(昭和54年度終了研究グループ及び特別研究課題等:アルミノ珪酸塩ガラス,複合ビ スマス酸化物,超高圧力技術,電子セラミックス材料 56. 4 .1 第6 (LisN :窒化リチウム)研究グループを再編成。 11.18 創立15周年記念講演会。第9回研究発表会(昭和55年度終了研究グループ及び特別研究課題:窒化ほう 素,耐熱構造材料の焼結加工法,超高温耐熱セラミックス) 57. 4 .1 第1(ZnO:酸化亜鉛)研究グループ,第2 (MxMoyS8:複合モリブデン硫化物)研究グループ,第 3 (SiC:炭化けい素)研究グループ,第11(MxVyO :バナジン酸アルカリ金属)研究グループを再編 成。 11.18 第10回研究発表会(昭和56年度終了研究グループ及び特別研究課題:複合マグネシウム酸化物,複合硫 化チタン,複合酸窒化けい素,ゲルマン酸塩,チタン酸カリウム繊維の合成) 58. 4 .1 第4 (Bi2O3 :酸化ビスマス)研究グループ,第5 (a―ABO3 :アモルファスペロブスカイト)研究グ ループ,第13 (Ln2O3 ・nAl2O3 :アルミン酸希土類)研究グループを再編成。 4.20 ~24 セラミックスつくば'83を開催。 6 . 7 浩宮殿下ご視察。 11.25 第11回研究発表会(昭和57年度終了研究グループ:酸化スズ,ニオブタンタル酸カリウム,アルミン酸 バリウム) 59. 4 .1 第7 (A(B,Ti)8O16 :オクトチタン酸塩)研究グループ,第8 (C :ダイヤモンド)研究グループ,第 12 (TaC:炭化タンタル)研究グループ,第14 (NiO :酸化ニッケル)研究グループを再編成。 7 .23 無機材質設計フォーラムを開催。 11.22 第12回研究発表会(昭和58年度終了研究グループ:チタン酸アルカリ金属,ダイヤモンド,炭化ジルコ ニウム,水素タングステンブロンズ 60. 4 .1 第9 (Ln2O3-Al2O3-SiO2 Glass :希土類アルミノけい酸塩ガラス)研究グループ,第15 (Al2Si4O10 (OH)2・nH2O:モンモリロナイト)研究グループを再編成。 4 .1 超高温ステーションの新設。 3.17~9.16 科学万博つくば'85 (茨城パビリオン)に出展。 4 .19 極限技術特殊実験棟完成。 5. 9 ~14, 科学万博つくば'85 (つくばエキスポセンター)に展示。 6. 6 ~11 〃 11.28 第13回研究発表会(昭和59年度終了研究グループ及び特別研究課題等:希土類けい酸塩ガラス,りん酸 ジルコニウム,超高圧力技術,超高温耐熱セラミックス) 編集後記 無機材質研究所の創立20周年記念事業の一環として,7月5日の所員会議において,記念出版物を 出版することが決定され,本書の編集委員会が設置されました。編集委員会は過去の記念出版物を参 考にし,それと整合を持たせながら本記念号の特色を作るべく検討しました。 無機材質研究所は発足以来,他の国立研究機関とは異なった研究組織である研究グループ体制で運 営され,この研究組織の下で,「合成―キャラクタリゼーション―物性」の3分野における基礎研究を 相互に連携しながら研究を推進し,最近では内外から注目される研究所に成長しております。 本20年史では無機材質研究所が発足以来,新しい研究組織下で,研究所がどのように成長し,また 研究がどのように進展してきたかの記録を留めると共に,研究の進展過程を見やすくするため,出来 る限り物質群に分類し,また各研究グループの研究内容を解り易く解説することを旨といたしました。 諸外国から来所される研究者が年々増加の傾向にある状況で,無機材質研究所の存在は海外でも注 目されるまでに成長しております。無機材質研究所を度々来訪され,無機材質分野で著名な海外の生 先方々に寄稿していただきました。この他無機材質研究所の発足以来の20年間の歴史を踏まえて,将 来の無機材質研究所に対する要望を当初の発足に当って御盡力下された方々,運営会議の方々に忌憚 のない御意見を寄稿していただきました。 本20年史が単に無機材質研究所の歩んだ20年間の変遷の記録に留まらず,将来の発展方向を探索す る一助となれば誠に幸いです。 最後に本史発刊にあたって,御協力を戴きました方々には紙面をかりて,心から感謝申し上げます。 さらに編集委員会の力が至らず,不備の点の多いことを深く御詫び申し上げる次第です。 (編集委員長瀬高信雄) 二十年史編集委員会 委員長瀬高信雄 委員福長脩,石沢芳夫,木村茂行,高橋紘一郎 三友護,木島弌倫,清水眞金,松本功 事務局青柳祥昭,坂本孝史 無機材質研究所二十年史 昭和61年4月1日 編集無機材質研究所二十年史 編集委員会 発行科学技術庁無機材質研究所 〒305茨城県新治郡桜村並木1丁目1番 筑波研究学園都市 印刷・製本勝美印刷(株) 無機材質研究所二十年史正誤表 頁 訂正箇所 誤 正 3 表 通営会議 運営会議 54 左4行目 ケルマン酸 ゲルマン酸 203 2 3行目 承認,死亡(複合バナジウム) 〔死亡を削除する〕 203 2 5行目 (複合モリブデン硫化物) 死亡(複合モリブデン硫化物) 〔死亡を挿入する〕 213 5行目 2ケ年間予定 〔削除する〕 213 8行目 1ケ年 〔削除する〕 213 11行目 崔錘健 崔鍾健 215 2行目 Feo 1-x FeO 1-x esiaaae Sesser