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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第49号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/0c3c4f57-9d75-4387-9c32-bf95118df5a5)

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無機材研ニュース第49号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo一垣oO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○血眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］○工←≡ンベ　．一戸　　。㌧．．∵へ　㌻　　ン　　　　　　　　　　　　　～　　　　　　　　　　　　　　　　　　　一1｛1ノ㌧　・＼ノ　／l　　〆二　　　　　　　。、一㌔し、＿＿、　　　　一．、＿．．．＿＿＿、．．1．　．．」二∠＿＿＿．．．＿、、ン〆　　　　　　　ペ　　　レ　　チ’」’g一　　　■　，ぺ一スト状磁性誘電体の製造法　オーステナイト系ステンレス鋼（Cr18，Ni8）の表面層は機械的研磨によって歪誘起変態（Strain－InducedTra■sformati㎝）を受けてマルテンサイト相に変質する。その結果，非磁個1オーステナイトの表面層は強磁性体となる。この特性をぺ一スト状磁性誘電体の製造法に応用した。　2枚のステンレス鋼圧廷板（SUS304TK鋼〕をその間にアルミナ懸濁液の研磨材を置いて図1に示されるような方法で共磨りを行うことによって，これらの鋼板の表面を鏡面にまで仕上げた。図2はこの鏡面からの電子回　　　　　オーステナイト手■向　　　　　　　　　　　　　　　アルミナ仙刊舞液　　　　　　一一ステナイi王11刮　図1　アルミナ懸濁水を研磨材として2枚のオーステナイト系鋼板の表面を共磨りすることによってマルテンサイト微粒子を含む研ぎ汁を製造する方法。　図2　図1の研磨法によって得られた鋼板の鏡面から観測される電子線反射回折模様。反射は主としてスピネル型アルミナ（空間群1Fd3m，格子定数17．90A〕に対応する。したがって，試方鏡面には研磨粉体アルミナが埋め込まれている。電子線の波長10．0306A。試片一乾板間隔150㎝。陽画2．3倍拡大。11〕折反射模様である。図3は研磨材として用いられたアルミナ粉体の電子回折模様である。図2と凶3とを比較することによって図2における反射はぽとんど主としてアルミナ粉体の存在を証明し，また高いバックグラウンドはビールビー（Beilby）層の生成を示している。したがって図2から，試片鏡面にはアルミナ粒子（サイズ：50－lOOA〕が埋め込まれていることが推論される〔図4（・）参照〕。　図2の鏡面におけるアルミナからの反射と図3の粉末状態のアルミナからのそれとを比較すると，前者は後者よりも半価幅が小さい。図2の観測の場合には入射電子線の衝突によるアルミナ粒子の反跳（Recoil〕は凍結されてい多が，それに対して図3の場合にはアルミナ粒子の反跳が起り，その結果，電子線反射はぼけてくる〔図4（b）参照〕。これらの観測事実もまた，ステンレス鋼の鏡面ビールビー層中にはアルミナ粒・子が埋没していることを支持する。　図4（a）に示されているようなビールビー層が形成さ　図3　研磨材として用いられた無傷のアルミナ粉体からの電子回折模様。この場合の反射の半価幅は図2におけるそれよりもアルミナ粒子の入射線電子線による反跳のために大きいことが注目される。r線　　　　　而　　　　　　　　　　　　　｝ヒー」レヒー」1、善1　　　　　　　　　　　　　＋へ120ヨ村」1聰j㌧　　　］。」呈。ヨ榊　　　　　　　　　　　　（b　j　図4　（a）1図2を与える場合の試片の状態。アルミナ粒子は地のビールビー眉中に埋め込まれているので，入射電子線による反跳が凍結されている　（b）1粉体状態にあるアルミナ粒子は入射電子線の衝突によって反跳し，電子線の中でブラウン運動に相当するゆらぎを示す　　　　　　　　　　　　　　べ一スト状磁性誘電f奉」一㌧／　一、、、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　丁　　　　　　　　　　　金　属　台　　　　　　　　　←5mm一　図5　製造されたぺ一スト状磁性誘電体の磁束密度及び誘電性を電子線回折法によって測定するためのデバイスれ，それが磨砕物理的に破壌されることによって灰色ないし，黒色の磨ぎ汁を製造することができた。この磨ぎ汁はアルミナ懸濁液中に合金微粒子が分散しているエマルジョンであった。事実，このぺ一スト状物質は手磁石に応答する磁性体として挙動した。磁性ぺ一スト中の合金の含有量を図1における研磨の継続時間をコントロールすることによって処方することができた。また，磁性ぺ一ストを多量に製造するにはステンレス鋼の丸棒状インゴットを旋盤に取付けて研磨することが行われた。オーステナイト系ステンレス鋼はダクタイルであるので，その表面磨砕研磨は容易であった。　マルテン化抑止剤としてTi，Mo，W等を含有する諸種のステンレス鋼が知られているから，これらを適宣に選択することによって所要の残留磁気を示す磁性ぺ一ストを製造することができた。　製造されたエマルジョンの磁性誘電性解析は以下に説明される電子回折法によって行われた。図5に示されるように，金属支持台の平滑面上に試料のぺ一ストを塗り付けた。ぺ一ストの層の厚さは約1ミクロン。電子線が約50％の合金を含有する試料を擦過するときに観測きれた回折模様が図6に示されている。図6において注目されることはアルミナからの（220〕及び（311〕反射が図3におけるそれらよりも弱く現れていることである。このことは図3における合金の濃度はゼロであるが，図611＾・心｛州／　　　　　　　　　　　　　　　　200（M）一440＾〕　図6　マルテンサイト及びアルミナ粒子から成るエマルジョンから観測された電子回折模様．M：マルテンサイト。　（A）1アルミナ。電子線の波長＝O．0347A　図7　図5の方法で観測された回折模様図6の上に金箔からの標準模様が重畳されている。△Rによって示される両者の回折環の偏心は，試料エマルジョンの電子線に与える磁性及び誘電性効果に基づくにおけるそれは高いことを意味している。異なった合金濃度の書式料からの回折模様を比較することによって図6の試料の合金濃度を約50％と補剛1勺に推定した。　図6の電子回折模様は既に磁場並びに電場の影響を受けている。この影響を定量的にデモンストレートするためには，図6の⊥に磁場にも電場にも擾乱されていない標準試料金箔からの電子回折模様を重畳した。この方法で撮影された二重写し（Doble　Expo昌ure）が図7に示されている。図7では試料からの回折環と金箔からのそれとが偏心している。この偏心の大きさは2個のベクトルの和△Rとして表現され得る。すなわち　　　　　　△R＝△Z＋△X　　　　　　　　　（1〕ここで，△Z及び△Xはそれぞれ反射の磁気的及び誘電的変位を意昧する。以下の2方程式が図5の試片一乾板問の相対的配置に対して成り立つ。　　　　　1△z　　≡eLlλ　・　B1／h　　　（2）　　　　　　　　△Z⊥B及び　　　　　△X－Ll・E／2V　　　　　　　　（3）j2〕　　　　　　　　△X〃E方程式12〕及び3〕において，Bは試料ぺ一スト中のマルテンサイト粒子の残留磁気，Eは電子回折実験の際の試料誘電体に対する電子荷電に基づく静電場の強度，eは電磁単位の電子電荷（1．6×10■29，Lは試料」乾板間の距離（50㎝），1は反射を与える電子線の通過する有効磁場及び電場路程（約O．1㎜），λは用いられた電子線の波長（0．0347A），hはプランク定数（6．6×1O’』27erg．s巳c），Vは電子を加速するための電位差（140w）を表す。　図7において，△R－0．7mmが実測きれるので方程式1〕，；2吸び3jに従ってB＝100ガウスを算出することができる。ただし，ここで△Zと△Xとはお亙いに平行で，またEは約20w／㎝であることが仮定されている。計算されたBの値約100ガウスは間題のマルテンサイトの残留磁気として妥当である。このような比較的弱い磁場を検出できるのは，方程式12〕における1がRHEED法では充分に長いからである（図5参卿。　オーステナイト系ステンレス鋼とアルミナとで製造された磁性誘電性ぺ一ストの特性を強調するために，軟鋼板を図1に示される方法で合成ヘマタイト粉体の懸濁液を研磨材として研磨することによって得られた研ぎ汁の性質を比較検討した。図8は約50％の鉄を含むぺ一スト状ヘマタイトからの電子回折模様である。図9は研磨材として用いられた無傷のヘマタイト粉体からの回折模様である。図8と図9とを比較することによって問題の研ぎ汁ぺ一スト中には鉄の微粒子が分■牧していることが了解される。図8におけるヘマタイトからの（110）及び（214〕反射の近傍の高いバックグラウンドは，面問隔2二53及び1．48Aに相当する（311）及び（440）反射を与えるスピネル型Fe304の磨砕化学向勺生成によるものと解釈される。　図10は鉄一ヘマタイトペーストの磁気誘電性解析のために図8に金箔の1司折模様が重畳された二重写しである。図ヱOにおける回折環の偏心の程度は図7におけるそれと比較して著しく小さい。この事実はFe－Fe203エマルジ　　　　　　　　　　　　　　　l10（Fe）　　　　　　　　　　　　　　　　　200（Fe）　図8　軟鋼及びヘマタイトの微粒子からなるエマルジョンの電子回折模様。α一Feに相当する反射に指数がつけられている。磨砕反射によって僅量のFe30｛が生成しているヨンの残留磁気が小さく，また電導性をもっていることを意味する。このエマルジョンは数週間大気にさらしておくとき赤色を呈し始め劣化を示した。これに対して，ステンレス鋼一アルミナ泥状ぺ一ストは満足な耐候性を示した。　一般的にいって残留磁気ないし保磁力の大きい材料は高碩度を示し，脆性である。この種の磁性体から磁性ぺ一ストを製造するためには，高傾度の研磨材，例えばルビー粉体，チタニア粉体等が応用された。Co－SトB－F。系非晶質磁性体，MK鋼から磁性ぺ一ス■・を得る場合にはこのことが考慮された。　本研究で製造されたぺ一スト状磁惟誘電体の誘電性は用いられる研磨材の誘電特性及びぺ一スト中の濃度に依存する。強誘電体ペロブスカイト，電気石の粉体を研磨材として磁性強誘電体ぺ一ストを製造することができた。　可鍛性オーステイト鋼を出発物質として製造されたぺ一スト状磁性誘電体中の変態マルテンサイト粒子は小さく（約50Aサイズ），かっ各粒子は誘電体によって囲まれているので，ぺ一ストは変動磁場内でフーコー電流に基づ＜発熱が小さい。したがって，本磁性ぺ一ストは記億装置テーブとして用いられるとき有利である。本研究における磨砕物理的方法によって製造された非晶性に近いぺ一スト状物質は磁性誘電体として広く応用される可能性をもっている。　　　214　110　　　　102113　図9　研磨材として用いられた無傷のヘマタイト粉体の電子回折模様。図8と比較せよ　図10　図8の上に金箔からの模様が重畳されて二重写し。両者の回折環の偏心は小さい。この場合の残留磁気及び誘電性は無視できる程度に小さい／3〕MgOにおける車云位　ペンチを使わずに針金を切ろうとするとき，左右あるいは上下に手で曲げを繰り返して切断するのを，われわれは日頃よく経験する。このプロセスの中には，針金の塑性変形，疲労，破壊という過程が含まれる。結晶質材料のこのような機械的性質を理解するうえに転位の動力学的研究は不可避である。　金属材料では，透過電子顕微鏡一ビデオ・レコーダー系による連統観察から転位の速度，増殖機構など種々の事実が明らかになっている。特に最近の超高圧電子顕微鏡がこの分野の研究に応用され，転位の動力学的研究は急速な発展をとげている。　これに対して結晶質セラミックス材料では，薄膜が割れやすく，応カ下で転位の動きを連続的に観察することは不可能とされていた。そのため，これまでの動力学的研究は間接的な方法でなされてきた。すなわち加応力前後での電子顕微鏡写真像やエッチピットの位置変化から転位の動きを推定するにすぎなかった。現在でも，これら間接的方法は転位の動力学的研究に広く用いられている。しかしながら，閻接法であるがゆえに，種々不明な点が多く，セラミック材料の機械帥性質の研究の発展を遅らせている。　セラミックス材料の中でMgOは耐火物として工業的に重要な地位を占めているばかりでなく，単純な構造，優れた物理化学的，光学的性質などのため，工業的兄地からの研究は勿論のこと挙問的立場からの研究も極めて多く，利用できるデータが豊富である。特に，機械的性質の観点からするなら，　11001のヘキ開面をもち，すべり面がl1川と明確であるため，研究のモデル物質として最適である。　ここでは，MgOの転位の動的挙動，すなわち，透過電子顕微鏡一ピデオ・レコーダー系により得られたMgOの転位の動的挙動の連続観察の結果を中心に述べる。MgO単結晶をO．3皿m程度の厚さにヘキ開する。Bicryst纈1や多結晶ではストリングソーで1mm程度の厚さに切断し，Sandpaperで注意深く0．4㎜程度にまで薄くする。これらを熱リン酸に数分間つけて化学的に研摩し，ヘキ開の際や切断の際に導入された表面の転位やマイクロクラック3rnm二、、一＿＿→甘。、l　o〕l　b〕図1　MgOの薄膜試料と試料ホルダーミ　　1二嚢．O，5図2　MgOの薄膜に導入された転位141　　　庵　カ　　　　＼　　　　　　　　！。二．Eノー・’圓…轟邊以・＼㈹n　　　　　　　　　　　　　　＼lOlO〕　　　　　　’’　　　　切舳せん鮒　　宅’｝；・・一’一　　応カ図3　交さすべりによる転位の瑠殖。らせん転位がA，　　　8，C，D，区と動き転位を増殖するを取り除き最終的にO．hm程度の平らなシートとする。これに加熱したりン酸のジェットを数十分閥あてて図1ωに示すような試料を識製し，［ヌl1ωの誠料ホルダーに固定して張プゴドで帳位の動きをその場観察した。電子顕微鐘にはPh　i　l1ps社製EM300を弄珂い王OCWで鶴察した竈車云位の遼度，増殖及び破壊の機繊解析のためにはビデオテープの像を24コマノs㏄の16mmフィルムに撮影して行った。　薄膜を奪式料ホルダーに1黄1定するとき応力が加って新しい転位（FreSll　diS1OCati㎝）が灘入きれる。このうちの典型的なもので11101衡．．1二に就んだらせん転位の列を図2にポした。緒1界1［1l・に既に存花している煎云位には不純物が偏析していることが多く，張力■ドでもそれらはほとんど鋤かない。　閥接法の欠一1烹は加応力禽屯後でのj車云位の位綴しか決定できないことである。応力のもとで拡位がどのように鋤くかは全く来知であり，薙云位の遊鋤に扱抗として｛動く不純物，林拡位，ジョグ簿との捌亙作用を需．罰接約に推論するにすぎない。連統観察の緒築によると，鞍位の速度は閥接法で得られたそれよつも遼く，刃秋転位とらせん転位の遼度はぽぼ1禰じであり，抵抗物に対する作刷瞭闘だけが異なることがわかった。そして，ピエルス応力に達するとはじめて帳位が動くことが確かめられた。　緒爆。の変形が進むためには，結＝祭］［＝1・の転位が動くだけでは不皿’1’’’分であり，変形によってその1数が土帥1しなければならない。この転位の増殖機構としてFr呂nk－Read源や交さすべりなどがあり，金属材料ではそれらの増殖機構が確認されている。セラミックス材料では従来転位の増殖に関する実験向勺な確記≡は縛られていなかったが，本連統襯察によって，交さすぺりによる増殖がl1月らかとなった亡これは1図3にカ’ミすように，すべり繭」＝二を鋤いているらせん紘位が一1郡すべり面を変えて動き，新たな転位を生旗する。この他の転位源にクラックの先端があげられる。蘭2に添したような転位の列が必ずクラックの先端に存在するからである。　材料の破壌を予～員11したり防．［．ヒしたりすることは実胴．．．．1二極めて重嬰なことである。GriffithやOrow日nの破壌理論　　　　1　　　　　　　　σx　　：　　　→　　　一→＼　　　　　δ　　　　｛O01〕　　　　　＼　　　㊤：不純物が偏折した不動転位　　　△　：マイク賞クラック　　ユ＿LLL：集弄護した牽……位図4　マイクロクラックの生成機構によれば，マイクロクラックに応カ簾［1］が起り，クラックからき裂が伝搬して破壊にいたるとされる。　〈至00〉プヲ筒に弓帳った連続繊察の繍梁から，MgOのマイクロクラックは次のように生成することが1凋らかになった。先づらせん率云位が応カプフ向と直角のlnolすべり面、．ヒを動く。これらのらせん転位は必ず刃状転位の耀を残して応力方向に腹狗に並んだ洲犬転位ができる。更にこれらのヌ〕状転倣が障審物でとめられて薬積し図4に示すようなマイクロクラックが生成する。障害物としては不純物や不純物をそのまわりに備苦斥している転位が重要である。セラミックス材料はどんなに純度の蕊いものでも1eOppm番塁度の不純物を含んでいる。もっと純度の商い試料が縛られるなら，容易に塑性変形させることができるであろう。嚇談，衡純度のMgO雌結1芋去をO．3m㎜程度にまで薄くして表魎のマイクロクラックを化学研燦で取り除いたものは，手で幽げることができる。　多鰭釧本やbicryst註1の粒界は，転位の鋤きをとめる陣審として鍾カき，その結榮，粒界にマイクロクラ．ツクができると袴えられている。　しかしながら，連統襯察によると，それぼど単純なものではなく，粒界でのマイクロクラックの生成は不純物の偏析状態つまり熱処理などに’大きく影辮されることがわかった。MgOのb1cry富t盈1を引張ってゆくと破壊は粒界では起らず粒界近傍の不純物がbu1艮よりも多くなっているところで趨る。これは，先に述ぺたように，不純物が転位の動きをとめる陳審として働くからである。　透過瞥H頚微鍍は，材料の機械自勺性質の研究にお’いて主婆な武播としてf菱われてきた。今後もその傾筒は変らないで“あろう。特に鍛近は超潮壬電’子獺微鏡の出現により，高分解能で厚い試料の観察が可能になり，格子像や転位の鋤約挙鋤の研究は勿論のこと，クり一プ、焼緒，微構造の解印ヨ，拡鰍の1醤憾に衡接闘係する転位の」二界．不純物のll1云位111］へのパイブ拡敬，蘭綱反応，欄転移など多くの応綱が考えられる。15〕一特許一蛍光体用沃素入二硫化錫単結晶の作成方法発騨1者　え1二良　鵬，蔦錐　隆，不王沢芳夫，藤木良規公沓番弩・5三一37914　5王．10．玉9特言午■番号第858402潜52，5．16　概　要　この発明は，赤包滋光体月ヨ沃索入二硫化錫単緒縞の作成方法に闘する。　従来，他の物狡での蛍光f本として赤系統の色調を持つものは多数知られている。これらの物質は，粉末状態より単糸吉総のほうが閉るきの均・・一性，熱伝導姓等の点で優れているが，蛍光f寮と月毫いるには表磁横のわりに体穣を小さくする（薄くする）必要があり，この点で単結［黒コに困難があるo　この発明は，錫及び硫黄に沃素又は沃素化含物を硫黄当りの沃案の原子上乞として10』」10’15の割含で配合し，10一雀トール以’’下の値の莫空…’’ドにおいて500～1，OOO℃の混度に加熱して全体を溶隔し，この溶隅物の普11分を」葡所自勺に他の部分より50～200℃の高椴に保持して低混域にお’いて単緒縞をf響るものである。　この方法により得られる単緒1界コは，畷状であるため極めて薄くはく離することができ温度指示計用蛍光体讐として…卜分佼用可能なものである。　　　　　　　　　　繊維状チタン酸アルカリ金属の製造法　　　　　　　　　　　（Process　for　P閑parIng　F■brous　AlkalI　Metal　T■tanate）発棚者　藤木良規．泉　竃土炎　　　　　　　　　　　　害成分の蒸発により公害源となるなどの撒堕点がある。登録国　アメりカ含衆国　　　　　　　　　　　　　　　　この発明は，アルカり金属のタングステン駿塩叉はモ特許播号　鶏4，O幻，1杢3得　52．8．9　　　　　　　　　りブデン酸塩のフラックス中で，チタン酸アルカリ金属　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　又はこの組成を影成する原料を5～50モル％の割含で配　概要　　　　　　　　　　　　　　　　　　含し，700～1，350℃の温度頚鰯でカl1熱溶融し，特にフラ　この発明は，i耐・断熱材として’狩望な繊維祇チタン酸　　　ツクスの溶融液中で反応育成するものである。アルカリ金属の製造法に関する。　　　　　　　　　　　　　この方法によれば，最1も簡単なフラックス法で上ヒ較自勺　繊維状チタン駿アルカリ金属は，耐熱・断熱推，特に　　　大型の繊維状チタン酸アルカリ金属を得ることができ，紙熱性能が他の鉱物繊維に比較して極めて優れている。　　　しかも，フラックスにアルカリ金属のダングステン酸塩しかし，従来の製造法においては，実舳こ供し徽る大き　　　又はモリブデン駿塩を用いるため，フラックスの固収がさの繊維を得ることはかなり困難であり，また，フラッ　　　可能と剛時に蒸発鑑が極めて少なく，無公審で取扱いが容クスを用いる方法にお・いては，フラックスに含まれる省　　　　易であるo二酸化ジルコニウム単結晶の作成方法発明考　藤木良規，小野　塊公告番一号　52－9200　　52．3．14孝率葦午番号　　義事876280づ蕎’　52．　8．呈O　概　要　この発聯は，上ヒ較灼火型の二1二酸化ジルコニウム単緒縞の作成プフ法に関する。　従来，二二酸化ジルコニウム単緒晶の製造は，フラックス法と水熱法で行われており，緒晶の大きさでフラックス法が優れている。しかし，これらのフラックス法は，フラックスとして蒸気厘の高い弗化鉛を閑いるため，結晶作成I辛に有毒な粥化鉛ガスを発笠し，処理プテ法によっては公審源となるので工薬自勺な大型の緒1毘作成装蟹は望めない。　この発1明は，無水ホウ酸塩と弗化アルカリとを配含したフラックスに，二酸化ジルコニウムをフラックスに対する飽和濃度以上の割含で配含し，850～1，100℃の温度に加熱して全体を溶融し，この溶融物の一部を罵所的に二酸化ジルコニウムのヰ斤1坐1濃度以’’’ドに冷去1］する局所冷却温度菱法によって単緒繊を得るものである。　この方法によれば，公審上の1筒魑、点を鱗消し，良質の単緒晶を得ることができるものであり，特に，用いるフラックスが二酸化ジルコニウムと反応慨がないため高純度化が可能で，また，結者11成長を肋けるため大型化が可能である。16〕一外部発表※　投　　　稿魑洲菖ト丁肥mpel’齪t・1・旺X－R1・yl〕1ffrllotionF・m・㏄・昌≡㎎aT11er111al一一mag僅丁但o11n1工iu0A＾・1垣tトodfo・M旺舶・・il・gtl・喧1〕1・e・tio・A・gl・of齪N1齪gnetiz砒1o■with齪V1bratin凛S齪m斗〕1哩M齪gn哩tom桃旺1・：A…〕Plioot1on　to　SmFe03　in　t11e　Spin　R僅ol－ientation　Rog1onニッケル角虫媒によるダイヤモンド念成とその成後f幾榊葦Th哩m柵i　R瞠action昌in　t11但S｝・昌t肥m宮Trio齪1oium正〕110sph曲t肥一Fluo，・ide昌りン鉱一一燃化水素系4）〃1；素榊H＝n一責モ舳災応正二ffeot　of　F肥曲nd　Ai　Ad〔lit1o11s　on　N1trid晶tion　of　SiliconA　N肥w　Cub1c　IromSulp11ide　Pr旺pared　by　Vacuum工〕喧po昌1tionZum　V僅1’91巴1c11do畠1〕1｛lnck菖c11en　So11w晶1・z肥n　Kbri〕巴r昌mitAb昌orl］喧1・n　fur　Son11en菖trahlu11g焼孝■I1機繊一蝋1森に州’｝るj一圭近の逃歩｛Pb1一亜N乱｝口＝一“　｛Zl・O．3T1O．7〕03一亜斗ユ・ノ2の含成と’誘1琶窄字刊…フラ・ソクス法によるチタン駿カ1」・ウム繊維の余成R齪昌1〕1t哩fromlヨ1・ok肥・1川1AFamilyofM1x邊d－La｝・el・Typ日Bi島muthCompound菖St曲1〕ilit｝of　Be與m　Current　of　Sing1喧Cr｝・昌tal　L曲136C甜士舌10d喧1n　H丘幽V齪oユ㎜mOn　th僅St三1b1ヨjty　of　Tr1dym1t喧ZエH’Oもer壬1罰ch僅nbeh齪nd；ung、・011呈1u彗ten1t1雪o；1旺m　C11r｛川1－Nioke1－Sto11］Zul’KoI］o1do］1凹1riso11F肥rtヨg9肥畠te］lt凹1S；］io9旺Hl…ich借d肥］・Z1雪㎝1肥giel・ul1gアルミニー’ラムσ）多伽笹解杵ω圭σ）1洲養〕’」レミニー’）！一三易去荊…爵菱イヒ，支蛆莫o）多包｛竃角孕老干自旦Stl・11ctur齪1Confol・m＾tio－1削1d　Solidific齪tion　of　MoltenAluIl1i11齪C］・itic砧11〕iwr9肥no巴of　t1肥HFM齪gn桃io　Su昌c哩1〕tibiいty　ofSmFe03　jn　t］】巴S；〕1n　R肥ol・i‘刊］t齪1io，］↑凹㎜p肥r洲…’巴三モegjo，1Mo喧昌雪i〕肌1el・ZHoot　in　t11e　D喧f瞠ot　l〕僅rou畠kit｛三S｝・雪temL呈1I＿、N齪世F喧03＿亜1一］｝・drothel・㎜齪司Cl・y畠t齪Hiz顯tion　of’I「士舳iu㎜OV）0xid巴齪ndOxoHuor1細s　of　N1ol〕iu血1（V）from　l一ヨydrofluol’ic　Ac1dT11e’rl・聰n昌ition迅・1但cト註ni畠㎜b肥twe肥n　u1e　C昌Cl－tyPe11ndN呈1Ci－typ僅Stl・uctur雌i11C菖ClMgOの機わ鰍洲1竹州汗争宅［二洲寸る透泌二琶j二蜘微銚の工洲1G1・owth　ofヨ’〕i齪mo■wl　witトPヨ10mbio　l〕od直αl1冊dm司F齪o直冨1！：toh1㎎oH〕1曲mo・dO伽1・od1・o・昔1・｝・1・・l1glll’㍉・哩昌畠・・喧“F齪t・1・オーステナイトステンレス垂岡σ）鏡m二ついてPr肥昌畠ure　Corr僅otion刮t　H1g11↑僅mp芭r眺ul・e　U昌i11g　t11cM肥1t111罠Curw　of1〕bI引齪昌tio　Co11豊t≡mt昌of　i．a1書6三甘Room↑肥㎜p凹・刮tu1・旺011tトe　Corr但：曲tio11b芭tw直旺n　tト肥M顯g爬tic　Structure甜11d　tト肥王：】eoo・jc齪］Pro1〕ω’ti肥5’；＝SR　Stud1e昌of　P11齪畠1〕110r1o　Ion　inローQu齪rtzCarbon　L呈1y凹・on1、一肛nu1乱■1u1椚H舳｛lbor1d哩　｛100〕Surf齪c肥Growtトof　Hollow　P乱rticlo昌of　II・on　Sulf1deHydro，y畠i畠of　M壬1g11哩昌1um　く邊〕in王．Omol　dm■3Aqueou昌｛N齪，H）N03So司utヨon閉発　　　炎　　鴇1渡辺　　1」召指1ilji1工脇　．i1三紀聖rヰ†l1召　・良1｛飯塚　栄沖鮎1f；二言左値金沢　　。拳’文ヰ衰木　　茂’I■j咄j　事茎豪斐」」」三淡　　　1…嬰1卜言尺　り！、｛■』』旗［1　杉剋力■u≡1　　旧父ノ㌧ド『三1、、≡）欠蜘｛繊・川　　・・’一；…I篶ヰ喬紬；・・…蜘51’i1崎鱗木1燦1・l1舳燦菊地1大」胴ヨ1奮、水111姶泣；1．i」1」lll11lll　l慶蝪武敏災炎　武燧治七雄1荻人波人lo圭■り1…秀爽和111燧．」二正て洲＝　l1召’参・舳部　1F紀・1l〕寸　　　廿藪・■…’＝三手喬絃；一・・蜘玉・j嬢木　慶去兇渡辺　　遵・森＝’傘　　｛爵リ葦．1；，吉言泰κ1味森小松萎1芋媛11I」1閉布沢伽尺大j汲1三言1薬遺　1；穿　壬1脅二災毅’孝文I敏11月二E利　　系1包…川ヰ手　　樽勇…　！”．，l1日1　　」カ｛度辺　　11召拒茸妾折池　　工弓’・…ヨ…・罫；　三…言≡希蛮∫』・型r　　’兇耳111H　キ惣」’lH貨炸」秀ジξ森＝」ll1二H｛れ■㌃f轟木　　銚，手1森　　勇茎逝1’lll1奇掛111，焚）欠　」；三安’芋巾111久1」1三・キ巾1王1　久…廿三・　　　　｛爵蝋1・ヨi」■」　　，］史ノ㌧殊そ三　　穴・瀞1〒1篶篤1不・”1：　辛己」疹・紬I含　　L：刎1不・≡川享隻棚・三濠谷　　光リ3・圭披I人」　災典人、脇　　一■忠’1｛・J垣1人］ln1l」　　　　…ll∫含人」仮　　敏11月・特1…llヨ1亨尺　〃、」I蔓・畑≡望r・」・型rl11み’つr・永災　　久」参’災典し雄　稔束｛葛　　載　　‘山o，　r一j．Al〕pl　Cl’y呈t．9　専66　（1976）j齪岬n　j　APpl，P11y昌．　162279（1977〕；碧責男董協圭雀き孟ま　　85　　2　　73　　（王977〕薫無巣嵩丑多き．…ま85296（1977j日劣亡fヒ‘芦倉．…ま　　No．12　　1950（王976〕J．M旺ter．Sci．　12　　273（197ηN齪t．Ph｝・畠．Soi．　242　13（1973）Z．P11｝昌．Ch旺㎜ie，Leipzig25ア61057（1976）一ヒラミ・ソクス124286（1・977）l1省〔イヒ＝’芦麦セ、芋ま　No．3　　297｛1977）真素二業≡」協多ミ、≡ま854155（1977〕Act齪．Cr｝・畠t．833　162（1977）～Iat．Res．1≡＝uH．123299（工977）・j曲pan．j．ApPヨ　Phy昌．司6　4669　　（I977〕N肛turwi畠昌．　64　　39　　（1977〕Z．＾｛eto］ヨkd旺．672135（1976〕Z榊．T・ch．Phy菖．24　331／　　（1976）アル　トビア　　　6　　11　　21（1976）ア」レミニウム腋究念総　108782（1976），J．Am．C但ram．Soo．　5911－12　　534　　く1976）j一正〕hy島．Soc．J肛p齪n．42　4ユ190　　｛1977），〕．Am．C配r齪m．Soc．　5911－12　　533　　（1976）Inor9－Nucl．Ch直m．L僅亡ters13　　157　　（1977〕Act齪Cry目t．　A33　294（王977〕Cyl・昔・mL1・肥㈱　　互35（1977〕。］．Cr｝菖t．Growth　37　3杢9（1977）J．Cl・｝呂t．Growt11　’38　11　0977〕套共と舅固　　63　　5　　668　　（1977〕・1乱pll・．J．APl・1．1〕h｝・・．166王C77｛1977）Sol1d　Stat直Commun．　223203（1977〕Soli工i　S亡齪t僅Commun．　229　　　573　　｛1977〕J．且〕i1｝・畠．Soc．j齪p齪n　4261937（1977〕Jap旺n．J．APpl．Ph｝・昔．166965（1977）J．C一・｝一昌t　Growth　38　272（互977）．J．C11em．Soc．　912u977〕The　Surface　Diffu昌ion　Coefficient　of　A12030btained　by 小松 和蔵・守吉 f右介 窯業’1協会誌 85 4 185F・ee　Sinteri㎎ 文 泄　基・鎌出 秀口月 （ユ977〕倉島 茂幸Structure　of　the　Pt－A1203C齪t日1y昌t 山11 成人 Kri昌t． Tec11． 12 5 K34（1977）コスモクロル’輝不1一透輝石1iIi1溶f奉の合戊 人橘 ll■I千夫 岩行’鉱物鉱床1羊会．1志 72 6259 （1977〕窒化珪素焼結体の現況 猪股 吉三 セラ ミ ツクス12 8 654（1977〕金拒毫白勺筥匿’気f云．ミ掌き＝’」…■㌃芭菱fヒオ勿 津出 惟雄 セラミックス 12 8 646（1977〕Sintering　of　Si3N4　with　A1203且11d　Y20ヨ 三友 護 窯葉’協会一誌 85 8 408（1977〕融剤法によるYAG単結品の育成 進藤 勇・小松 啓 窯薬’協会．1一ま 85 8 380（1977）Enh且nc哩men亡E肝eot　on　Positron　Annihi1齪tion　with　Tightly 干葉 利信・G．B．DO・・ Phy宮． St齪t． SoI． 81 609Bound　Electl・on昌 w． Bmndt （1977）※　口 頭題　　　　　　　　　　　目 発　　　表　　者 学　・協会等 発表日Md昌sb日uer　Studie昌an　a　Serie昌of　Compound昌RFe204 A．N日r與ya・a昌齪my All　India　Semin齪r　on lO』’’l14HT．Nagaray且n “Hyp・・fi・・I・t・・齪・ti。・君塚　　昇 固11d　Mむ冨昌bauer　Effect”LaB6（OO1〕表面のL齪層について 青里丁　正和・’大鳥　、皆、平 応∫＝o物理学会 1O」■l14」」皿1－1・　高穂・』坂内　英典河合　・・ヒ雄LaB6表面から0）オージェ電’十の角度変化 大島　一忠、平・青里r　正和 応用物牌学会 lO」■l14Ll坂内　英典・出中　■高穂河今　一L雄FZ法による酸化物磁件体単結1冒。の育成 木村　茂行・進藤　　勇 応」一1三1物理学会 lO」「141．1北村　健1’二・森　　泰道井伊　伸夫★M　E　M0 ☆一・一運　営会　言簑　11月15日，第68回運営会議が「再編成研究グループの研究課題について，研究の進捗状況（Ti02〕について」の議題で開催された。研　　究　　会　溶液内成長研究会（第3回），11月4日，「リン酸塩研究の経緯と問題点，リン酸塩結合剤にっいて」の議題で開催され，討論が行われた。　不定比化合物研究会（第21回），11月16日，　r遷移金属硫化物の合成について」の議題で開催され，討論が行われた。　ガラス状態研究会（第14回〕，11月22日，　「非溶融ガラスについて」の議題で開催され，討論が行われた。　チタニア研究会（第9回），12月12日，「ブルーカイ卜安定化の構造的解析」の議題で開催され，討論が行われた。　焼結研究会（第19回），12月20日，「エレクトロニクセラミックスの現状と将来について，酸化物セラミックスの製造プロセスでの問題点について」の議題で開催され，討論が行われた。海外　出　張　超高圧カステーション研究員下村　理は，アメリカスタンフォード大学にお’いて「X線異常分散の研究とその応用」のため，昭和53年1月28日から2月20日まで出張することとなった。来　　　　訪　12月7日，韓国商工部振興庁機械技術研究所長　Mr．Chung　Rak　Eunが来訪して所内を見学した。発　行　日編集・発行昭和53年2月1日科学技術庁　無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCHES　IN　INORGANIC　MATERIALS〒300－31茨城県新治郡桜村大字倉掛電話　0298－51－335118j