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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第116号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/e592d5ea-2627-4a1b-a7ec-a70acd9aefd2)

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無機材研ニュース第116号七〇一．ゼEoo．一0E蜆E0－oo］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］o〕f←、16’＝ 平’IMAを用いた無機材質の分析　近年、材料科学の進歩にともない、セラミックスを代表とする無機材質の分野においても高度な機能を持っ物質が次々と開発されてきている。最近の高温超電導体はその好例であるといえる。無機材質の特性はそれらを構成している元素の組成あるいは分布に依存することが非常に大きく、従ってそれらを分析・解析することが研究の第一歩となることが多い。このような状況下で、材料研究の分析技術に対する要求は益々高度化してきている。とりわけ、ごく微量分析・局所領域分析・軽元素分析の必要性は、いくら書いても尽くせないものがある。以上のような観点からここでは、当研究所の三次元局所領域解析装置（以下IMA）を用いた無機材質のいくっかの分析例を紹介したい。　IMAは、二次イオン質量分析計（SIMS）を基本とし、電子銃を備えることで、従来困難とされてきた絶縁物の分析も可能とした装置である。分析手段として、感度の良い質量分析計を用いるため、ppbオーダーの極微量分析、及び水素をはじめとした軽元素の分析も可能である。さらに、試料表面の元素分布を光学顕微鏡のように像として観察することができ、一次イオンで試料表面の構成元素をスパッタしながら、生成した試料からの二次イオンを同時に分析することで、元素の深さ方向の分布も知ることができる。以下、これらの特徴をいくつかの分析結果を用いて述べる。　11）ダィヤモンド薄膜中の軽元素の分析　以前紹介されているように（無機材研ニュース104号、昭和62年6月）当研究所において気相法により半導体ダイヤモンド薄膜を合成することに成功している。この半導性は、薄膜中の微量添加物元素の濃度に強く依存している’・2〕ことから、薄膜中の微量元年6月　　　第1研究グループ主任研究官　羽田　　肇素の分布を知ることは極めて大切である。半導体活性化のため添加元素として軽元素であるホウ素がよく用いられかっ気相合成に際し水素ガスが用いられることからこの分析には、IMAが有効である。水素は、軽元素であると同時に真空容器中に多く存在するため、試料室中の真空度が重要となる。本分析では、分析時に試料室の真空度をlO■m台以下に抑えることで雰囲気水素の影響を極力小さくした。　図1に天然ダイヤモンド上にエピタキシャル成長させたダイヤモンド薄膜の分析結果を示す。この例では、一次イオンには酸素を用いている。1．3μm以上の深さは基板の天然ダイヤモンドである。それより浅い部分は成長させた膜であるが、明瞭にホウ素が添加されている様子が観察される。また、O．6μm付近で添加条件を変化させているが、これもホウ素のイオン強度差として現れている。また、水素の濃度は、基板ダイヤモンドとほとんど変わりがなく、基板によってはかえって成長膜の’ほうが少なくなる場合も観察される。この事は、CVDダイヤモンドでは成長時に多量の水素ガスを用いているにもかかわらず、水素の取り込みが問題にはならないことを示している。　（2〕PTCRチタン酸バリウム中の酸素イオン粒界拡散：三次元分析　半導性チタン酸バリウムセラミックスには150℃付近で正抵抗温度係数（PTCR）を持つ物があり、正特性サーミスタ、無接点温度スイッチ等として利用されている。PTCR特性はセラミックスの粒界近傍を優先的に酸化させることが必要不可欠であるため、酸素イオンの粒界拡散挙動を知ることは、材料開発をする上で極めて重要なこととなる。拡散実験は通常、放射性同位体を用いることが多いが∵酸素には（1）一日口　す　　ユ10⊆；　一C肥亨日d　OE4　　i醐去＝mE2　｝　　≡mE1　一一回E回　　　　H二’㌧｝｝一・．工↓　　B．紳紗怖榊峠・～“伜㌔　　　　　　　　　手　　　　　　　　　・』／吉．1・怖リ．O．5 　　．1．0　　　　　　1．5DePth｛而icron〕図1　CVDダイヤモンドの深さ方向分析　　　HやB等の軽元素の分析が可能である。適当な放射性同位体が存在しないため安定同位体を用いることとなる。天然酸素の大部分は質量数16を持つ酸素で構成されているが、この酸素と、通常、拡散実験で用いられる質量数18の酸素安定同位体とを区別して分析するためには質量分析計が有効である。さらに、粒界への優先的な酸素拡散を観察するためには、IMAによる分析を必要とする。　酸素がチタン酸バリウム粒界に優先的に拡散している状態を観察した例を図2に示したが、ここでの二次元方向分解能は1μm前後である。この写真は、1μm程度の深さの酸素18の分布状態を示しているが、このデータをデジタル化し三次元での分布として記憶することもできる。このようにして記憶したデータをある深さの分布として取り出した例が図3である。図3には二次元分布の図中に示した部分で線分析をした結果も示したが、最大濃度の値は、各粒界で異なっており、結晶方位の違いあるいは粒界構造の差を反映しているものと思われる。　デジタル化したデータより粒界付近と粒界拡散の影響のない部分での酸索18安定同位体の深さ方向依存性を図4に示した。この図より明らかなように粒界付近の方がより深部まで拡散していることがわかる。このような分布を解析することで、粒界の酸素拡散係数はバルクのそれと比較すると2～4桁大きいことが判明した。　（3）絶縁体の適用例　絶縁体試料に荷電粒子を照射すると、照射によってたまった電荷を試料外に逃がすことができず、試料が帯電する現象がある。このような帯電をきたした場合、二次イオンを質量分析計に導入することができないため分析が不可能となる。例えば、正の電荷をもつ一次イオンを照射すると一般的には、試料図2　粒界にそって拡散する酸素18安定同位体。　　　光っている部分に1呂Oが存在する。（粒径は約　　　10μm）（2）（a）（b）1。一L’12、旺1，5■≡＝41．o［45．㊥1≡3働、・＾ 日＾6己舶○帥廿■一”　　　　　　　　　　　　　　o帥｛‘一〕（・）　　　　　　　　　（b）働　　　　　；⑥　　　　1④囲　　　15⑥　　　2舳図3　PTCRチタン酸バリウム中の粒界拡散　　　（a）図2のデータを擬似カラー標示できる　　　（b〕A－B間のユ百Oの強度変化。　　　　粒界ごとに強度の差があるかがわかる。図4　チタン酸バリウム中のi宮O濃度の深さ方向依　　　存性。黒丸測定値、実線は体積拡散係数を用　　　いた計算値。　　　（・）は、粒界の影響のない部分　　　（b）は粒界付近　　　（b）では粒界拡散の影響で尾を引いている。表面は正に帯電する。この事を避けるため、電子線を用いたEPMA分析では、表面にカーボンを蒸着することが行われる。IMA分析の場合、表面構成元素をスパッタするため、この方法をとることができない。そこで、試料表面に電子照射し中和することでこの問題を解決している。　この方法を代表的な絶縁体である、酸化アルミニウム単結晶に適用してみた。一次イオンにはCs＋を用いた。ここでは、スパッタ速度の安定性を見るため、一次イオンの照射時問とスパッタされた深さとの関係を図5に示した。スパッタ深さは時間とよい直線関係となっており、長時問にわたっての安定な分析が可能である。　以上のように、絶縁体であることが多い無機材質中の微量元素の三次元分析が．できるIMAは、他の局小領域解析装置とともに、今後の無機材質研究の発展の上で重要な位置を持っものと期待できる。文献（1）Y．Sato，M．Kamo　and　N．Setaka，in　High　　Tech　Ceramics，Edited　by　P．Vin　cenzini，p．1醐o1㏄OO50005000　　　　　　　　　　　　　　　　10000比・一｛　’j！‘’図5　酸化アルミニウムにおける一次イオン照射時　　　間とスパッタリング深さの関係　　17ユ9（1987）Elsevier　Science　Pub．（Amster－　　dam）．（2）M．Kamo，H．Yurimoto　and　Y．Sato，App1．　　Surface　Sci．，33／34553　（1988）（3）超急冷法による酸化物超伝導厚膜の合成第5研究グループ研究員　　　下村　周一第5研究グループ主任研究官　高橋紘一郎　ベドノルツ’〕らが酸化物の高温超伝導材料を発見してから多くの研究が行なわれ、これまでに臨界温度が液体窒素温度以上であるY－Ba－Cu－O系2〕，Bi－Sr－Ca－Cu－O系3），Tl－Ba－Ca・Cu－O系などの超伝導材料が発見されてきた。ヒれらの材料について超伝導のしくみを調べる研究が行なわれるのと同時に応用のための線材化や薄膜化などの合成方法についての研究が行なわれている。厚膜を合成する方法の中に超急冷法があり、この方法についての研究も行なわれている・ト・〕。急冷速度が十分に速ければ厚膜はアモルファス状になる。これを熱処理することにより超伝導性を得る。アモルファスから結晶化させることにより、粉末を焼結させる場合に比べてより綴密な超伝導体が得られるので、特性を向上できる可能性があると考えられる。ここではY－Ba－Cu－O系とBi－Sr－Ca－Cu－O系及びこれにPbを加えた系において超急冷法により厚膜を合成したことについて報告する。　用いた装置は図1に示す様な双ロール式の超急冷装置である。試料は直径5mmφの白金チューブの下端につめられて試料の融点以上に加熱した電気炉の中に入れられる。溶融した試料は、白金チューブをローラーのすぐ上まで下げて窒素ガスの圧力で押し出され、ローラーにより急冷されて厚膜に成形され、　rO　　　O　　←rol1害r図1　超急冷装置N宝go；図2　YBa．Cu宮Ox超急冷厚膜る。　まずY－Ba－Cu－O系超伝導材料について述べる宮〕。Y。（COヨ）呂，BaCO。，CuOの粉末試薬をYBa．CuヨOxの比になるように混合して950℃で14時問反応させた。これを粉砕し白金チューブに入れ、130ぴCで1分問加熱して溶融させ、融液を双ローラーの上に落下させて厚膜を合成した。厚膜の厚さは約50μm、大きさは、大きいもので幅10㎜長さ30㎜程度である。（図2）この急冷直後の膜にはほとんど導電性がなく超伝導性は示さない。粉末X線回折で観察すると、Y呈O。と未知相のピークがみられ、アモルファスにはなっていない。この厚膜を950℃で8時間空気中で熱処理することにより超伝導性を示すようになる。このときの粉末文線回折パターンは固相反応で合成した物と同様になり、特に配向している様子はみられない。（図3）電気抵抗の温度依存性は銀ぺ一ストで電極をつけて4探針法により測定した。図4に示す様にTc（onset）＝98K，Tc（zero）：87Kであり、臨界電流密度は液体窒素温度においてJc＝1．3A／c皿ヨと低い値であった。熱処理後の厚膜をSEMで観察すると粒界に超伝導相とは異なるとみられる相がみられ、これが臨界電流密度を低くしているのではないかと考えられる。　次にBi－Sr－Ca－Cu－O系超伝導材料について述べる帥。この系にはBi．Sr．CaCu．Oxで表わされるTc～85Kの低温相と、Bi．Sr呈Ca．Cu．Oxで表わされるTc～110Kの高温相があるが、ここではまず、最初に金材研で発見されたときの組成であるBiSrCaCu．Oxの組成で超急冷を行なった。Bi．O君，SrCO。，CaCO。，CuOの粉末試薬をBiSrCaCu．Oxの組成となるように混合し850℃～880℃で6時間～16時間焼成（4）＾｛ ＾岨o ［｛ ＾＾ o o 一〔o o ｛ …＾一o” 』 一 ］［u］コ｛^＾＾、 o 」“」 一］ o ＾o 一u o ｛〕 oL 咄一■’ ～o ｛ ］〔Lo＾｝ ［一一　…｛一二畠「㌔｝oo^ ］蜆 o亡 一＾＾…〕山一一 o o〔 o o］一■ ］10　　　　　　，n　　　　　　「n　　　　　　止而　　　　　　百o　　　　　　on　　　　　　r∫ヨO　　　　　　　1O　　　　　　コ0　　　　　　40　　　　　　50　　　　　　后O　　　　　　フO29ω　10　　　　　　～0　　　　　　30　　　　　　40　　　　　　50　　　　　　直O　　　　　　フO　　　　　　　1e　　　　　　　　＝b〕図3　YBa．Cu．Oxの粉末X線回析図　　　（a）趨急冷厚膜を熱処理したもの　　　（b）圃椙反応で合成したものRoPid　Quench｛o〔　』仁〔曽10　　　20　　　30　　　40　　　50　　　60　　　70　　　2θ　（degr僅es〕　　　　　㈹　　　Anneoling　　｛850oC）8＝ τタ　蔓；巴蔓；蔓≡委薫　　＝蔓リNg二　　10　　　　20　　　30　　　40　　　50　　　60　　　　70　　　　　2e　ldegrees〕　　　　　　　‘b〕図5　BiSチCaCり。Oxの粉末X線圓析図　　　（・）熱処理前　　　（b）熱処理後…d宣珀10　60　　　　氾O　　　　　150　　　　宣OO　　　　宝ヨO　　　　　　砧mp鉗o山r直｛甘〕図4　Y8a．Cu．Ox超急冷厚膜の電気抵抗の温度依　　　存性　　　　　　　　　　　　　　　　　図6した。これを用いてY－Ba－Cu・O系のときと同様にして厚膜を合成した。このとき電気炉の温度は王00ぴCとした。ここで得られた厚膜は図5（・）の粉末X線回折パターンに示されるように、いくつかのピークはみられるがアモルファス的であり、このままでは趨伝導性を示さない。この厚膜を850℃で21時聞熱処理をすることにより図5（b）に示すようなBi．Sr．CaC口。Oxのピークが現われた。熱処理により結晶化して超伝導性を示すようになり、その電気低抗の温度依存性を測定すると図6に示すようにTc（onsetト90K，Tc（zeroト60Kという値を得た。交流磁化率の温度依存性では図7に示すように90Kから反磁性が現われはじめてTC（onSet）に対応している。臨界電流密度圧30　　貞0　50　60　フ0　　80　90　100　110　120　1ヨO　帖0　150　　　　丁艘mp篶ro｛ure　　＝氏〕8iSrCaCu，Ox超急冷厚膜の電気抵抗の温度依存性o　oo．ωTemp甘olure　lK）120図7　8iSrCaCu．Ox超急冷厚膜の磁化率の温度依　　　存性（5）は液体ヘリウム温度において220A／cm空であった。Bi－Sr－Ca－Cu－O系趨伝導材料において逓常はBi．Sr．Ca．Cu．Oxの高温欄を作ることが困難であるが、PbでBiの］都を置換することにより高温槻が出来やすくなるということが報告されている川。また超急冷法においては溶融させて合成する遇程で組成がずれるので、理想的な組成から合成しても良好な特性を得ることが難しい。これらのことを考慮して、組成を、Bi空Sr．Ca．Cu畠OxからBi，Caを増加させ、Srを減少させて、Biの20％をPbで置換した組成のBil．。畠Pb。．柵Sr1．。。Ca空．。ヨCu．Oxから趨急冷法により厚膜の合成を行なった川。Bi20宜，PbO，SrCOヨ，CaCOヨ，CuOの粉末試薬を上記の纏成となるように混合して800℃で5時問仮焼し、再び粉砕混合しペレットにして860℃で20時問本焼した。これを用いて、これまでと同様の方法で厚膜を合成した。この厚膜もアモルファス的であり導電性は示さないが、840℃で熱処理をすることにより超伝導性を示す様になった。熱処理時閥をm時閻から300時間まで変化させたときの粉末X線回折パターンを図8に示す。高混穐はBi．O。憎の闘にCuO。層が3層ありC軸の長さは約37A仁コ＞o｛　oεξξ、リ霊α　olo｝lO　h｛b）50hlc）lOO　h｛d〕300hle〕O　h3　　　10　　　　20　　　　30　　　　40　　　2θ　　｛degree）　図8　粉末X線團析図60　　100　　　　　　　　200　　　　　　　300　　Temperαture（K〕鰯9　電気抵抗の温度依存性　　　　0100200300　　　　　　　Anneol：ng　Time　（hours〕図10　臨界温度（Tc）に対する熱処理時簡の効果となるが、低温相では、CuO。層が2層でC軸は約31Aなので、それぞれの（O02）のピークの位置は2θ＝4．8t2θ＝5．7㍗現われる。粉末X線圓析においては、10時闘の熱処理では2θ＝4．8。にビークはみられずほとんどが低混相であるが、熱処理時闘を長くしていくと2θ＝4．8℃ピークの強度が強くなり、300時間の熱処理の後では高温相のピーク強度が低温楯よりも強く現われている。熱処理時聞を変えたときの電気抵抗の混度依存性を図9に示す。熱処理（6）時問がユO時聞のときは、Tc（zero）＝78Kであるが50時閻，100時問，300時間のときはそれぞれ93K，！00K，104Kとなり、熱処理時問が長くなり高温欄の割合が増えるにつれて臨界温度も高くなる傾向を示した。（剛O）300時間熱処理を行なった厚膜の臨界電流密度は液体窒素温度において200A／cm里であった。　以上のように超急冷法による酸化物超伝導厚膜の合成について述べたが、アモルファス状態から結晶化させ、綴密な試料を得る割にはまだ臨界電流密度も低く、さらに研究を進める必要があると考えられる。文献1）J．G．Bednorz　and　K．A．Muller：Z．Phys－B64　　（王986）189．2）M．K．Wu，J．R．Ashbum，C．J．Tor㎎，P．H－　　Hor，R．L．Meng，L．Gao，J．Huang，Y．Q．　　Wa㎎and　C．W．Chu：Phys．Rev．Lett．58　　（王987）　908．3）H．Maeda，Y．Tanaka，M．Fukutomi　and　T．　　Asano＝Jpn．J．Appl．Phys．27（1988）L209．4）T，Komatsu，K．Imai，K．Matushita，M．Tana－　　ka，Y、互wa1，A．Kawakami，Y．Kaneko　and　T．　　Yamashita：Jpn．J．Appl．Phys－26（王987）　　口王48．5）T．Komatsu，K，Imai，R．Sato，K，Matushita　　and　T．Yamashita：Jpn．J．App1．Phys．27　　（王988）L533．6）T．Minami，Y．Akamatsu，M，Tatsumisago，　　N．Tohge　and　Y．Kowada：Jpn．J．Appl．Phys．　　27（1988）L777．7）M．Yoshimura，T．Sung，Z．Nakagawa　andT．　　Nakamura：Jpn．J．App王．Phys．27（王988）　　L1877．8）K，Takahashi，S．Shimomura，A．Nagasawa，　　M．Ohta　and　K．Kakegawa：Jpn．J．App1．　　Phys．26　（ユ987）L1991．9）S．Shimomura，K．Takahashi，M．Ohta，A．　　Watanabe，M．Seido　and　F．Hosono：Jpn，J，　　AppL　Phys．27（1988）L1890．10）M．Takano，J．Takada，K，Oda，H．Kitaguchi，　　Y．Miura，Y．玉keda，Y．Tomii　and　H．Mazaki：　　Jpn．J．Appl．Phys．27（互988）L104ヱ．ωS－Shimomura，K．Takahas阜i，H－Seki，K，　　Sakata　and　T．Takenaka：JPn．J．ApP王．Phys－　　28（1989）L612．外　部　発　表投登録番号　211821192ユ202121212221232！242125　　　題　　　　　　　　　　蟹酸索欠損三璽ぺロブスカイト型化合物の結晶化学Identification　of　the　Superconducting跳ase　in曲e　Bi－Ca－Sr－Cu－O　System酸化物超伝導体の結晶構造Preparation　and　Properties　of　Ba2YCu宣07ブSingle　Crysta1s　Grown　Using　anIndmm　Oxide　F互ux高温趨電導体の結晶・欠陥構造Identification　of　a　High－TcSuperconducting　Phase　in　theB三一Ca－Sr－Cu－O　SystemOxygen　Self－Di麦fusion三むSin到e－Crystaland　Polycrystalline　Zinc　Ferr亘tesPossible　Model　of　the　MoωatedStructure曼n　High－Tc　Sびperconductor　ina　Bi－Sr－Ca－Cu－O　System　Revealed　byHigh－ResoluをioなEle　tron　Microscopy　発　　　表　　　者泉　當士夫・浅野　　肇室町　英治・松丼　良夫内田　吉茂・小須E日幸助小野　　晃・竹川　俊二泉　當士夫・カ日藤　克夫小野田みつ子泉　當士夫小野　　晃・野崎　浩司石沢　芳夫泉　富士爽木島　　岡聰・困中　順三板東　義雄・小野田みつ子泉　富土夫羽田　　肇・坂内　英典山村　　榑・渡辺　明男自嵜信一松井　良夫・前日ヨ　弘E日申　吉秋・堀内　繁雄　掲　載　誌　．等化学と工業40，　王2，　72，　ユ987JPn．J．ApP1．Phys．27，3，L365．1988駿化物超伝導体の化学21．1988Jpn．J．AppL　Phys．27，　3，L340．1988エレクトロニク・セラミクス！月号，！8，ユ988Jpη、J，App至、Phys，27，3，L369．1988Advance　in　Ceramics15，221Jpn，J，App王、Phys．27，3，L372．1988（7）登録番号　21262ユ272128212921302！312ユ322133213421352ユ362137213821392140214王21422143214421452146　　　題　　　　　　　　　　薫High－Resolution　Electron　Microscopy　ofP1anar　Defects　and　Dislocation　in　Ba2YCu豊OyHigh－Resolution　Electron　Microscopy　ofModuiated　Stmcture　in　the　NewHigh－Tc　Superconductors　of　theBi－Sr－Ca・Cu－O　SystemDetermination　of　Diffusion　Coefficientsof　Dopants　in　Wet　Gels　Duri㎎LeachingStructure　and　Composition　Analysis　ofHigh－Tc　Superconducting3i－Ca－Sr－Cu－O　Oxide　bγH車h－Reso王ution　Ana王ytエcal　E王ectronMlcroscoPyEffect　of　Pressure　on　SuperconductingTransition　Temperatures　in　theBi－Sr－Ca－Cu－O　System新しい酸化物超伝導体Preparation　of　Ce02－Ti02Coatings　bythe　Sol－Gel　ProcessDetermination　of　Diffusion　Coefficientof　Titanium　Ion　in　Ti02－Sq　Wet　GelPrepared　from　Metal　Alkox1des　DuringLeachingApP王ication　of　the　Sol－Gei　Process　toLower　the　Melting　Temperature　ofGiazeTSSG法によるKTiOPOヰ単結晶の育成とその応用Microstructure　of　SnO空ConductiveFilm　Prepared　by　PyrohydrolyticDecomposidon　onto　a　Glass　SubstrateCombined　Use　of　Lattice　Imaging　andMicroana切s　in　StructureDe士erminat王on　of　AlN－Related　Polytypeby　a400kV　High－Reso1ution　Analyt1ca1E王ectron　MicroscopeCrystal　Growth　by　Pressure　Contro王Using　a　Diamond　Anvil　Ce互王醐ectron　correlation　and　magnetism　inNiS：ImpHcation　of　photoemissionsPectra拡散炉と質量分析計との直接結合による固体申の酸素の自已拡散係数の測定超伝導体（Ba．YCu畠O。一。）Superconductor　wi圭h　a　LayeredStructure呈n　Bi－Sr－Ca－Cu　Oxidesバンドか，局在か～磁性化合物の電子状態Raman　Spectroscopic　Study　ofαinopyroxenes　in　the　SystemCaScA1SiOポCaA互空S｛06Diffusion　of　Ox呈de　Ion　Vacancies　inPerovskite－Type　OxidesOn　the！10K　Superconductor　in　theBi－Ca－Sr－Cu－O　System　発松井カヨ藤松丼蘭中　　表良夫・室町克夫良夫・前蘭吉秋・堀内新行内和夫・牧島小西　四郎板東　義雄・木島北見　喜三・E日申泉　當士夫・横山岡丼　敏・小菅高橋　　恒・太田石沢　芳夫牧島　亮男・浅見和囲　健二新行内和爽・牧島堤　　正幸・竹之内小西　四郎牧島　亮男・永囲者英治　弘繁雄亮男　剛煩三政人遭和正恒光昭亮男　智達也岸本　俊樹・町囲　克己村松　国孝・嶋津　正司藤井　義正藤本　正之・西　　雄二伊藤　厚夫・三宿　年夫飯E臼　秀世・自寄信一板東　義雄・北屍酒井　利和・泉　當士夫沢田　　勉・竹村　謙一北村　健二・木村　茂行藤森　　淳・寺倉　清之谷口　雅樹・小川　　晋菅滋正・的場正憲安西修一郎羽田　　肇・松田　伸一臼誇　信一小野　　晃太日ヨ正恒・蔦橋　　恒小嘗　道和藤森　　淳関田　正實・大橋　晴夫寺囲　省一石垣　隆正・山内　　繁岸尾　光二・水崎純一郎笛木　和雄室町　英治・内田　吉茂松井　良夫・小野日ヨみつ子カ邊藤　克爽　掲　　載　　誌　　等Jpn．J．App王．Phys．27，　3，L350，　互988Jpn．J．Appl．Phys．27，　3，L361．　1988J．Am．Ceram．Soc．71，　2，C82．1988Jpn．J．App工．Phys．27，3，L358，王988Jpn．J，Appl．Phys．27，　4，L674．　1988Gypsum＆LimeNσ214，　43．　1988J．Non－Cryst．So1，100，　321．　1988J．Non－Cryst．So1，10C，　383．　1988J．Non－Cryst．So1．互00，　519．　19886th　Workshop　on○脇澱纂S1拶アイバセンサ研究会）Jpn．J．App1．Phys．27，　4，　534，　互988Analy，E王ect．Micro．109，　ユ987J．Cryst．Growth88，　535．　1988Physcai　Review　B37，6，3王09．1988日本セラミックス協会学術論文誌96，　3，　330．　！988セラミックス23Nα5，　471．　1988Jp11．J．App1．Phys．27，　4，L567．1988パリテイ3，6，王6，王988Phys．Chem．Minera1s玉5，　3！9．　1988J．So1．State．Chem．73，1，179．1988JP王〕．J．ApPl，Phys．27，　4，L556．1988（8）登録番号 題 目 発 表 者 掲 載…士回心等2147 六チタン酸カリウム繊維と自動車部材 藤木 良規・西内紀八郎 白動車研究10， 6，193．19882148 Measurement　of　Oxygen　Se1f－diffusion 羽田 肇・松田 伸一白嵜J，CeramI　Soc．JPn．by　a　Direct　Combination　of 信一 Intemational　EditionDiffusion－annealing　Furnace　and 96，326．1988Mass－spectrometer2149 窒化ケイ素の粒界 守吉 佑介 セラミックス23， 3，197．19882150 ASurveyontheFloatingZoneCrysta1 田中 高穂・大谷 茂樹 Prog．Cryst．GrowthGrowth　of　the　Monocarbides　of　IVa．Va and　Charact．and　V1a　Transition　Meta1s 16， 1．19882151 Pressure　dependence　of　the　resistivity 田村 脩蔵 High　Temp．一Highofβ一MnO．measured　to2GPa P「ess．19，519．19872152 海水からのウラン回収 藤木 良規 電気評論5月号，19882153 Floati㎎一Zone　Crystal　Growth　of　WC 田中 高穂・大谷 茂樹 J．Mat．Sci．石沢 芳夫 23，665．19882154 ニューガラスの研究・開発動向 牧島 亮男 照明学会誌72， 4，198．19882155 粉末X線回析パターンのシミュレーション 泉　富士夫 セラミックス23， 6，557．19882156 Field　Emission　Properties　of 石沢 芳夫・小泉 充大島 忠平・大谷 茂樹J．de　Physique＜110〉一〇riented　Carbide　Tips 48，C6－11， 9．19872157 Preparation　of　a　New　Type　BaCu．S。 佐伯 昌宣・小野田みつ子 Mat．Res．BuH．野崎 浩司 23，603．19882158 超高温プラズマ反応装置とセラミックスヘ 石垣 隆正の応用FC　Report6， 6，184．19882159 Assignment　of　the　Powder　X－Ray 小野田みつ子・山本 昭二室町　英治・竹川Jpn．J．App1．Phys．Diffraction　Pattern　of　Superconductor 俊二 27， 5，L833．1988Bi。（Sr，Ca）ヨー。Cu．O｝★　M　E　M　0　☆研究会　2月23日、第2回銅ペロブスカイト研究会が「ブラジルの水晶について」の議題で開催された。　3月6日、第24回チタン酸塩研究会が「触媒反応」の議題で開催された。　3月20日、第18回高融点化合物研究会が「固体内フォノン散乱によって誘起される表面再酉己列」の議題で開催された。　3月22日、第2回結晶構造解析研究会が「超電導・最近の研究」の議題で開催された。　3月27日、第2回ビスマス基オキシ弗化物研究会が「SiC／A1系複合材料の作製並びにその機械的性質について」の議題で開催された。　3月28日、第3回銅ペロブスカイト研究会が「吉林大学における高圧合成並びにBi系元素置換超伝導体について」の議題で開催された。　3月28日、第3回光科学研究会が「化合物半導体・不完全中心の関与する励起子ダイナミックス」の議題で開催された。　4月5日、第19回高融点化合物研究会が「イオンビームを用いた表面における吸着と反応の研究一〇。／Ag（111），O．／Si（111〕，とスキッピング」の議題で開催された。　4月10日、第40回高圧力研究会が「焼結ダイヤモンドによる圧力発生」の議題で開催された。　4月26日、第1回ガリウム酸塩研究会が「FZ法KGGTO単結晶の育成及び評価」の議題で開催された。人事異動　総理府技官　坂元思無邪（研究開発局企画課防災科学技術推進室長補佐）管理部企画課長に昇任させる　総理府技官　今野重久（管理部技術課物理分析係長）管理部技術課長に昇任させる管理部技術課無塵係長の併任を解除する（9）　総理府技官　井上悟（束京工業大学工学部助教授）第9研究グループ主任研究官に転任させる　総理府技官　池上隆康（第1研究グループ主任研究官）研究開発局総合研究課材料開発推進室専門職の併任を解除する　総理府技官　青柳祥昭（管理部企画課専門職）研究開発局総合研究課材料開発推進室専門職に併任する　　　　　　　　　（以上平成元年4月1日付）海外出張　第3研究グループ主任研究官田中英彦は、「先端材料分野に関するワークショップに参加し討論及び情報交換」を行うため、平成元年2月12日から平成元年2月19日まで、カナダ国へ出張した。　第2研究グループ主任研究官和田弘昭は、「フランスにおける機能性カルコゲナイド物質の研究開発状況調査及び情報交換」のため、平成元年2月22日から平成元年3月9日まで、フランス国へ出張した。　第12研究グループ主任研究官田中高穂は、「米国物理学会出席及び研究所訪問」のため、平成元年3月19日から平成元年4月1日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　第7研究グループ主任研究官佐々木高義は、「第197回アメリカ化学会年会出席及び大学訪問」のため、平成元年4月8日から平成元年4月21日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　超高温ステーション主任研究官松本精一郎は、「第ユ回ダイヤモンド及びダイヤモンド状薄膜CVD国際シンポジウム出席及び講演並びに大学訪問」のため、平成元年5月6日から平成元年5月19日まで、アメリカ合衆国へ出張した。受　　賞　表彰者名　　表　　彰　　名　　　　　　　表外国人の来所3月14日　Dr．K1aus　Dr．Morgenthaler西ドイツ、　　　　　ベンツ社4月12日4月14日4月14日4月24日中国視察団　20名陳進明　他4名　台湾金属工業発展中心鄭伯昆　国立台湾大学Mr．Georges　Dureault他1名　フランスCETIM第6回科学技術いろいろ展　科学技術いろいろ展（科学技術庁及び関係団体主催）は、昨年に引続きテクノロジィージャパン’89（晴海・東京国際見本市会場）会場内で、4月ユ1日（火）から4月14日（金）までの4日問、開催された。4日間の入場者数は、192，985名を数えた。所内一般公開　当研究所は、4月20日（木）科学技術週間の行事の一環として、超高圧力発生装置（3万トンプレス）、高周波熱プラズマ発生装置等の研究施設・設備の一般公開を行った。当日は、650名を越える見学者が訪れた。r般公開風景（ガラスエ作の実演）小須田幸助藤木　良規渡辺　　遵佐々木高義塩田　　勝白嵜　信一創意工夫功労者注目発明注目発明科学技術庁長官賞　　　　　　　　彰　　の　　内　　容超電導体に関する組成分析方法の考案M．TiIト。Gal。。。O。。で示される正方晶系のトンネル構造を有する化合物およびその製造法高純度酸化チタンの空隙を有する繊維構造体の製造法機能性セラミックスの制御技術の開発表彰年月日平成元年4月18日平成元年4月18日平成元年4月18日平成元年4月17日発　行　日編集一発行平成元年6月1日第116号科学技術庁　無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくぼ市並木ユ丁目1番電話0298－51－3351（10）