# Fileset

[NIRIMNews0034.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/ae3a5ede-3221-4e61-a97b-e7f3796e2060/download)

## Creator

無機材質研究所

## Rights

In Copyright[In Copyright](http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/)

## Other metadata

[無機材研ニュース第34号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/2ae341d5-6493-4b96-ba4d-8653ab7b5bff)

## Fulltext

無機材研ニュース第34号七〇一．ゼEoo．一0E蜆E0一垣o］1oo，o0＝あ○蜆oo、］o．Eo一垣oo］10’0E0上oo○眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←複合ビスマス酸化物の研究　本研究で取上げるビスマス複合酸化物とは，ペロブスカイト構造あるいはRe03構造・の中に周期的にBi203の単層が介在する層状構造の酸化物群を指し，その化学式は（M203〕（M。．1R而Oヨ。〕で表わされる。Mは三価金属で主としてBi，MはK，Na，Ca，Sr，Ba，PbあるいはBiなど一～三価の金属，RはTi，Nb，Ta，W等の四～六価金属である。この化学式の（M203）の部分が層状のBi酸化物，（M。＿I　R．03。）の部分がペロブスカイト又はRe03構造の部分に相当する。ぺロブスカイトと同様，各金属の原子価補償によって数多くの化合物を得ることが想像されるが，事実B．A・ri・illius（1950）によって初めてBi2Ca　Nb20g，Bi4Ti3012及びBi4Ba　Ti40I5が発見されて以釆，既に同種の化合物が教十種報告されている。　これらの層状ビスマス酸化物はいずれも強誘電体で，比較的高いキューリー温度を持つものが多く，したがって高温誘電材料としての利用がまず期待できる。また最近ではこれら物質の結晶をレーザー光線などのモジュレーターとして利用する電子光学面での応用への期待も高まりつつある。光挙的犬容量メモリーへの利用などもその例で，これは従来の集稜回路方式に対し，多くの情報を一度に平面上で並列処理できる点で大きな利点がある。このような利用面を考えると．良質の結晶を得ることがまず第一に要求されることが明らかである。この良質という意味の中には，光の吸収が少ない，電気光学的効果が高い，あるいはスイッチングの繰返しによる疲労が少ないなどの基本的物性の良さと，結晶がへき開や割目を持たず，加工に適する（あるいは耐える）晶癖，強度，硬度を有するなどの結昂学的特性の良さが含まれる。また上記の諾条件が満たされても，そのような結晶を育成することの技術的難度が問題になる。ビスマス層状酸化物の一つであるBi4Ti3012はスイッチングの繰返しによ　　　　　　　　　　第10研究グループる疲労や歪の蕃積等の点に問題がなく有望視されているが，結晶学的特性と育成披術上に種々の難点がある。この難点はすぺてのビスマス層状酸化物に多かれ少なかれ共通のもので，それは層状構造に由来するへき開ができやすいこと，及びキューリー温度以上で晶出した結晶は冷却過程でキューリー点を通過する時点で歪を受け，これがポリシンセティックな双晶群の発生や時として結晶破壊をうながすことなどである。またビスマス酸化物が比較的蒸発しやすい性質を持つため，育成過程で融体のストイキオメトリーが徐々に変化すること，及びビスマスを含む融体が一般に化学的に活性で容器を侵しやすいことなども育成技術上の大きな問題といえよう。　本研究では，以．上の理由から，主目標を良質でかつ育成被術上の難点の少ない複合ビスマス酸化物の開発に置き，その意昧、三・ら研究対象を単一物質に限定せず、Bi－Ti－O，B1－Nb－O，Bi－W－0等比較的広く選定した。これら基本系に，ペロブスカイトのAサイトを占める諦金属に相当するモディファイァー，例えばNa，K，Pb，S・，Ba，Ca等を加え原子価補償的に系統的合成を実施して良質の物質を見出するのが第一の目標である。次に育成技術の問題であるが，その主眼は当然キューリー温度以下での結晶育成に置かれねばならぬ。このためには熱水溶液法，種々のフラックス法がまず考えられるが，溶融電解法を応用した育成法が有望と思われる。以上のような若干開発指向的研究は，常により基本的研究によって支えられなければ系統的発展につながらないことは明らかである。合成の基礎としての相平衡研究は対象とするすべての基本系について実施され，再吟味される。また結晶育成の基礎としての融体の構造及び物性のX線研究，融体÷固体転移の研究は本グループ研究の重点研究の一つである。l1j溶融塩 電析について　フラックス法，化挙輸送法，気相法等の結晶育成法においては，温度，濃度，圧力等を制御要素として結晶成長を行っているが，溶融塩電角畢結晶析出法では一・一一定温度に保った溶融塩中の電気化学的反応条件を制御することにより結晶成長を行っている。　融体からの結晶成長は，気相，水溶液相からの育成法にくらべて，いくつかの違いがある。水溶液の電気化学において知られていることは，溶融塩の場合にも適用されるけれども，細部についてみると種々の柵違点があり，これらの相違は溶融塩の特質によって生じるものである。　溶融塩は水，あるいはその他の分子性溶媒を含まず，一般に高温度で存在し，その範囲はl00℃近辺から1，O00℃以上に達する。溶融塩は完全あるいは少なくとも部分的にイオンに解離している高温の液体であることは各種の方法によって実験的に明らかにきれており，その構造に関しては種々のモデルが提案されているが，広く適用できる理論はいまだに確立されていない。　溶融塩のうちでは，ハロゲンのアルカリ塩などのようにその組成や構造が比較的簡単なイオン性液体もあるがオキシアニオンを含む割合に複雑なイオン性液体となる炭酸塩，硫酸塩等，また複雑なイオン会合液体が含まれる棚酸塩，燐酸塩，珪酸塩等がある。いずれの液体においても，固体結晶のイオン特性が溶融状態においても維持されている。　一般にこれらの塩が単独に用いられることはほとんどなく，電解浴の諸特性を賦与するために他のハロゲン化物などを混合して多成分溶液として用いられる。ここで添加されたハロゲン化物は一種の溶媒と兄なすことができるが，これらもまた完全にイオンに解離している点が水溶液と著しく異なる点である。これらの多成分溶融塩では安定な錯体イオンが形成されることが多く，フルオロアルミニウムアルカリ浴中のAlF63■，AlOF2■　などはこの典型的な例である。　溶融塩電解の電極反応プロセスは，溶融塩に接している電極表面上の電気化学的二重層の構造に関係がある。溶融塩中の二重層は，水溶液中のような単純なヘルムホルツ面と拡散層とから成っているのではなく，正，負それぞれ過剰に帯電した層が交互に重なった多重層の構造をしておつ，通常，電極表面の荷電は正符号であるといわれる。この観点から，正に帯電しているイオンの電極反応は，既に吸着している負のイオンを介して取りつがれることになる。　溶融塩中の電極反応プロセスは，錯体形成により大きな影響を受ける。すなわち，陽イオンの正の電荷は，負の配位子によりスクリーンされたり，負に帯電した錯イオンとなり，電極表面による反発は滅少するか，あるいは吸引に変り，陰極に析出する。溶融塩中の錯イオンの性質はまだはっきりしていないた・めに，錯イ才ン生成の役審1」は十分に理解されていない。多成分溶融塩系の場合には，最も高濃度の成分のものを溶媒，低成分のものを溶質と見なすことができるか，いずれもイオン状態にあり，溶媒のイオンもまた不活性ではなく，ある電位では電気化学的酸化還元プロセスに含まれるために電極反応は複雑となる。したがって溶解イオンによる電極反応は溶媒イオンが電子移動に関与しない電位だけが対象となる。　溶融塩系における電極反応については，実験条件の困難さに起因する授術的な問題のために，不明な点が多く，また，各種溶融塩系を通じて，一つの基準を与え，相互に変換することができる参照電極が得られていないことも，これらの問題の解明を困難にしている。　陰極析出の場合，結晶核の生成ならびに結晶成長を開始させるためには適当な過電圧が必要である。しかしながら，結晶を大きく成長させることは，新たな結晶核を生成させることよりも，エネルギー的には，さほど有利でない。つまり，結晶成長過電圧は，結晶核生成過電圧にくらぺて，さほど低くない。したがって溶融塩からの電析結晶は，水溶液からの電析結晶と同様に，微細なものとなる。醒・ポフルオロアルミニウム塩浴からの陰極析出物（LaB6）12j　比較的大きな結晶を電析させてためには，電極表面二重層内部に入り込むイオンあるいは原子が存在しないような単純溶融塩を使用した浴の，低電流密度による電解が必要である。　以上のように，電気化学的に大きな結晶を析出させるには種々の面で問題点が多いが，現在までのところ，次の三つの電析方法が考えられている。　　l1〕目的の化合物が得られるような組成の溶融塩か　　　らの直接電析　　12〕目的の化合物の組成とは無関係な溶媒に化合物　　　を溶融した浴からの電析　　13）電気化学輸送現象を利用する方法　これらのうち，方洩1〕は最も広く用いられており，この方法では目的の化合物析出量が増加するに伴って，電解浴の組成も変化する。その結果，溶融塩の化挙ポテンシャルも絶えず変化するために，析出物の組成も一様ではなくなるという欠点がある。この欠点を補うためには，析出すぺき化合物の量にくらべ非常に大量の溶融塩を使用することが必要となる。　12〕は11〕の欠点を少なくしようとするものであり，この方法は，ある限られた過電圧の範囲内で，溶媒と溶質の化学ポテンシャルが，目的の化合物のみを析出するのに適しているような溶媒系を使用することである。　13〕は金属の電解精製法と非常に似通ったもので，金属の結晶育成にはしばしば用いられている。この方法では，成長すぺき結晶と同じ組成の多結晶体を陽極として用い，陰極には種結晶あるいは溶融塩に不活1性な材質を使用する。電解浴に直流電流を通じることにより，多結晶体物質は溶解され，溶融塩を通して対極に輸送される結果，陰極上に結晶が成長することになる。このように電気化挙的輸送法は電解浴の組成に変化がないために，化学ポテンシャルにも変化がない。そのために，電解による酸化還元生成物間の相互反応は起らない。原則として，電解温度において絶縁性を示さないような化合物の結晶は，熱力学的に適切な溶融塩を使用し，電気化学輸送法を応用することによって，育成することができることになる。付着電解質を浸出分離した後のL．B6雫金属酸化物における原子価制御機構の問題点　B．Ti03に三価希土類元素を添加した場合どのような原子価制御機構が働くであろうか。例えば希土類の添加様式が“Ba　I一亜La，Ti03＋δ”であるとすると，B目…士、La蔓十Ti葦十Ti壬二0彗⊥のように、ペロブスカイトA2＋B4＋03のB位置が混合原子価になることにより，A位置に置換した希土類による過剰の正電符を制御するであろうとの考え方は従来一般的なものとされていた。このような考え方により，希土類添加型BaTi03の半導性を，ホッピッグ模型もしくはスモールポラロン模型によるものとして一応説明されている。このような複酸化物でなくとも，例えばMg0のような単純酸化物にFe3＋を添加した場合，もしFe3＋のホストヘの溶解が可能であるとすれば，陽イオン空孔の増加，もしくは陰イオン空孔（酸素空孔）の減少によって電気的中性条件を満足することができると考えられている。以上のような考え方はVerway流の一般的考え方として受け入れられている。　このような欠陥平衡は実際に起り得るであろうか。酸素の自已拡散係数，ESRスペクトル，真比重，X線理論回折強度及び実測強度などの各測定の総合結果から，このような欠陥平衡は実際にはなかなか起りにくいというのがわれわれの結論である。　BaTi03への希土類の添加を“Bao．gLa，Ti03＋δ㌃の様式に従って実行した場合を考えてみよう。0．1≦x≦O．14の組成範囲で得られるペロブスカイト化合物は少なくともX線的に単一相である事実は注目される。例えば単一相“Ba　o．g　La　o．125TiO㈹2の欠陥構造を考える場合，電気的中性条件の他にA位置とB位置の位置の数（空孔を含めて）が等しい条件を満足しなければならないことは容易に理解され乱こ．の二つの条件を仮定し，更にLa3＋，Ti4＋を仮定して計算すると，上記組成は（Ba　o．胴Lao．122□o，o037）（Tio．072□o．028〕03のような構造式を与える。実際このような構造式が妥当なものかどうかは，上記組成と構造を仮定してX線回折強度を計算し，実測強度と比較するか，上記組成と格子定数値とから計算13〕＼o．1　X1n　B田〇一蓼L曲土TiOヨ、ポ図1　組成Bao．gLa里Ti03＋ポかA位綴汲び塞位綴空孔　　　を含むとして計箆された比璽と繁澱比璽される圭ヒ璽と実溺比璽とを比較してみる0）が・・・・・・…労淡である。この構遼に対する討算比璽は5－997であり，ビクノメーターによる実測比重は6－02三でぼぼ鶏1しい倣となっている　（図1）したがって，A位緩とB位擬の原・了一数が籍しい級成“Bao，gLao、！T103斗δ伸”についても、・瞭納な原子伽制御機構で篭気自伸性条伜を満足するプ拭の他に，A位震とB位蟹に籍鐙の空孔を導入して概気嚢勺刺咋条件を満足するプヲ式があ｝）得ることが予懲されるであろう。実際このf列でも爾位畿に空孔の存≠11を傲宏した構造の護十算比璽と実測比璽とは一一・・致している順11）。いづれにしても欠陥平衡武を理解していなくては、1養1棚σ）削系する化挙や物理の完全な理解が難しい分翌予は大変多い。現夜A位置空孔のみ，あるいはB位綴空孔のみを禽む」多結晶体の含成は可能となっており，老ゴの圭ゴのについて’大変興味ある物性が得られている。このことについてば次の機会に述ぺることにしたい。　MgOにFe3＋を添加した場合について袴えてみる。このものの酸棄の自已拡敵係数の値を図2に示した。1蕎鵬に比較のために“純粋”のMg0の拡’敵係数も表添してある。これらの随は．単縞畿もしくは，多締1爺ヨ刺二禽まれる．幸熱繍晶粒子に対する鮫と考えて戴きたい（この解析方法1こついては省絡する）。Fe3＋を添加’1したM墓Oの拡敵係数は，ある温度以皿丘二で“純粋’’のMgOのそれをりょうがしていて，高い活性化エネルギーを与えている。この薙実は禽竜記Verway流の考え方では説明がつかない。かりにFe3＋として剛容したとしても酸繋の欠離董濃度，したがって拡’敵係数は滅少するはずだからである。このような実験結築を説棚するために，Fe3＋としてのMgOへの1苛燃の総榮‘Fe3→口Mg2＋）0型の欠陥体を碍，このものはMgOに比鮫して酸索を解離しやすいものと・考えられた。このような考え方はBa－La一「ri－O系ペロブスカイトfヒ介守勿σ）爾気自｛沖惟条件が，基刺勺にはA位綴及びB位蟹空孔の存夜によってのみ逮成し得，A位灘に空孔を禽んだ欠陥体が酸素を容易に解離し得るとの実、験繍・築と同列にある。な1二ゆえに陽イオン空孔を翁んだ場含に，金属酸化物の酸素が鰯…難しやすいかは，呈；該系の化学緒含性のr1珂魑で、f列えぱメスバウワースペクトルにおける反跳分拳と欠陥構遼との闘係についての実験などは，その角累決に祢効と考えられる。　このような金属酸化物にお’ける不純物添加燐での欠陥平衡の閥魑は，’猪え方が確二沈している反繭，実一験的証1明が，欠脇平衡の酸繋分圧依存一腔を鯛ぺる瀞蔓で，これは必ずしも完金なものとはいえない。このことは不純物艦添加鵬での欠陥平衡についても爾1じことがいえる。例えば遼沈型半灘体として矢1’1られているZnOが、どのようにして伝導縄・・了・を似給できるかについては一・応次のニニの端含が去晃定される。　　Z・2＋02…≠去O。斗Z；12斗斗／02一の空孔’r糾2・〕　　Z・2ヰ02阜古O。斗1格洲Z・2＋＋2・〕塊杵，後’禽が妥灼なモデルとして教科・1弊などにも採川きれているが，　われ老）れの縦定ではこのモデルも疑わしいものになってきているo1rg王o■io10［LH1c…’’’12？饒王O■■工3讐、δQ10－14王o■15三〇』’’一6b＼　　　　　1％Fe添カロ＼“　＼　一＼　　　　’＼64KcAL州δ1瓜．ミ純粋”　　　　　　　　　＼．＼．⑧　粒子に対して　　　　＼○　クーレーンに対して＼6．0　　　　　　6．5　　　　　　7．0　　（旧｛■（刈図2　Fe添加MgO多結晟の酸繁の自已拡数係数14j第4回無機材質研究所研究発表会の開催について　日雛11149年度に孝ゴいて，所異同の研究1司標を逮成した第9研究グルー一プ　｛駿化ニォブ：NbO）及び鶴玉O研究グルーブ（カルコゲンガラス1As－X　Glass）の研究成梁の発表一会を’’’」ド言己によつf渦f擢いたします。1二1　　　　H竃和50年9戸劃18［’1｛木）　午後豆［I寺より！r後　　　　　　4瞬50分まで場戸斥　■東東都淵え親亨橘2一玉9一玉O　　　　　　薦揃］二薬会餓　5階ホールあいさつ駿化ニオブ（NbO）に関する研究（玉3100～王3110）　　　閉賀井　秀炎（1311ト14：50）総合研究嘗後藤優　Nb－O系の餅究のうち，特にNb02－Nb205頒域のホモロガス化含物群の緒［界ヨ化挙自勺閥魑に璽一点を綴いて毅密する。ホモロガス化余物の分類，利坪綴，構遣的特徴，及び各種の欠陥に燭する蕨究がこれに翁まれる。特に，欠陥の研究は平纐研究から導かれた上ヒ策及び璽搬濁産自勺データと，新しいプフ法である欠陥構遼の檎子像襯察による二，二三の新知災を含んでいる。またNb205の多形にi娑1する鰍究では，従来ほとんどイ｛1凋であった八つの多形の桐平衡膚勺位護づけが行われている。Nb205にはP・R・弐｛・N，B，T，γr及びHの八多形が存柳するが，本研究ではM及びNを除く六多形を熱プ〕学自勺安定ヰ嗜としてヰ1≡1図．．」．二に位綴づけている。　また侵く不棚のまま残きれていた丁布寝の角翠雀斤｛二葺洩項〕している。　NbO，M02及びM205の蝋緒縞の剤演法，試料の精製法、及びNb205の角虫媒約率1閉に関係すると．瞥われる二，、1＝三の表i菅1化学向勺矢口兇についても幸農沓が行われる。カル＝1ゲンガラス（As・X　G1a畠昌〕に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　　　　／1510ト16140）　　　　　　　　　　総分憂汗究鴬　　　長谷」l1　　泰　念成に閥する研究ではガラスの分析方法に関する研究と関逮をもちつつ、薬本自勺な成分系であるAs・S系ガラスの含成時における溶融容籍のシリカガラスとカルコゲン化物融液との湘亙灰応や，均質なガラス形成ブロセスについて，基本自勺段緒の一部を酬らかにした。　ガラス状態に閥する研究では，微鐙成分を含むセレン系ガラスにおける赤外分光研究において，緒合状態に関する新たな惰撤を得るとともに，緒晶化し難いA昌2S3ガラスから水熱条件下でAs2S3の結晶化に成功し，きらに緒1墨化過穰についても新葛’享実を得た。また，カルコゲン鰯共綴体と鉄との燦砕反応生波膜についても新たな特性カ｛兇と呂きれたo念成したガラスの物性研究では，熱伝導特性，糖度，熱膨膿特憎…，機械物憎…などが組成依存惟や混度依存姓を中心に研究を行い，それぞれ華斤たな知11兇を得た。一外部発表一※投　　稿魑1嚢発　　炎 考 摺　　　繊 誌 籍Sヨngヨe　Cry畠t証一s　of　T・Nb2050bta｛ned　by　S－ow 細村 総殿・加藤 寛葵 Z．anorg．aug．Chem． 410 3－3 ／19側Coolヨng　Method　under　Hig11Pre畠畠ur岳s 後藤 優Effeot　o壬Ha1ヨde　Dopants011Fabrioation　of↑ran昌p一 池．」二 隆康一松；ヨヨ 僻一 J．Am．C芭m㎜． Soo．57 11 507 （ユ974〕齪rent　Pol｝一cryst証！lin巴MgO 鈴木 弘淡D直fect　FerroeI　ectri　c冨of　T｝’Pe　Pl〕トエTi03＿工 篶1崎 儒一・譲1橘紘一・郎 J．Solid　State　Chem． 12 ユー2 841l1村 †籔・掛jll 一牽 （1975）毛利 終・一0rder一｝〕i畠orde11Pbenomena　of　Cationic　Vacancies 中沢 弘熟・佐flil 昌寅 J．Les昌・Common　M巴tals40 57 ／ユ975〕i・・V…di・mS・ヨphid・。V5S8 光興赤外透過憎…カルコゲンガラスの椴度場の燃析 粟［．1」 1ii三1砂い片’lll 功蕨 1ヨ本機鰍掌会論文一獲 41 342 607日ヨ熊 慶イ予・王這谷jll 泰 l1975）火城 俊唖1Infrared　and　Ma畠s　Sp曲ctraヨStudies　of　Cam　plexes 泉 斑・了・ C11em．I－ett．3？9 ／19矧of　Bi畠（H弧afヨuoroacety！aceto11田to）Met且1．。（亘）with 川木　　†薄・称精 災夫1，王0－P11enanthrol1ne／51※　口　　　頭題　　　　　　　　　　　目 発　　表　　者 学・協会等 発表日固体中の陽電子の波動関数 千葉　利信 米国物理掌会 4月28日Si3N4の高温媒質の検討 木島　弍：倫 窯業協会年会 5月14日無定形シ■」カ球の合成と加熱性状 下平寓次郎・戸室　　昇 粉体粉末治金協会 5月15日Pb（ZrエTi1＿エ）03の組成変動 掛川　一幸 ．窯業協会年会 5月15□欠陥Laオルソフェライトの磁性及びそのメスバワースペクト 山村　博・萬橘紘一郎・白崎信一・・ 窯業協会年会 5月15日ルの研究 大島弘歳・掛」ll一幸ゲルマン酸鉛Pb5Ge30II及びゲルマン酸シリコン酸鉛 高橘紘一郎・ロバート．E，ニューナノ 窯業協会年会 5月ユ5口Pb5Ge3一工SiエOlI単結晶の強誘電性及び焦電性 リスリー，E，クロスMgOの焼結及び酸繁拡敵におよぼすC固Oの添加効一累 小松　優・池上　隆原・高宮陽」 窯業’協会年会 5月ユ6□白崎信一・田加井秀夫無機化合物の電顕格子像とコンピューターシミュレーション像 堀内淡雄・永田文男・松井良夫 日木電子顕微鏡学会 5月231］単結晶マグネシアの物理的性質にっいて 下平萬次郎・萬宮陽一・戸室　昇 窯　　業　　協　会 5目29日無機材質ウィスカーの現状と将来 瀬高　信雄 日木複合材料・掌会 6月6日ljnea9哩構造について 小松　　啓 日本鉱物学会 6月11日水熱条件下におけるanataseの結晶化 泉寓士夫・藤木　良規 日本鉱物享会 6〔12日B・ookiteの合成（I） 三橘」武文・渡辺　　遵 日本鉱物学’会 6月12日Ruti1e単結晶育成と形態変化 藤木　良規・泉　當士夫 日本鉱物学会 6月12□合成希土類ガーネットの累帯構造と光学異常 北村健二・進藤　勇・小松啓 口木鉱物学会 6月12日C固0を含むMgOの太陽炉による溶融 高宮　陽一・長谷川安利 口本学術振興会 6月19目冊賀井秀夫・嵐　　治夫 第124委員会ホウ化ランタンの結晶育成と結合 ㌔l1∫合L雄・冊中高穗・村中重利 日米セミ　ナー 6月25日11干野．」ii和・人」1島、忠平★M　E　M O★遺　営　会　説　6月10日，第56回運営会議がr昭和51年度の重要事項について，再編成研究グループについて」の議題で開催された。　研　　究　　会　結晶成長研究会（第4回），5月20日，21日，　r米英における結晶成長研究会の動向，メルト成長の最近の傾向」の議題で開催され，討論が行われた。　アルミナ研究会（第6回），6月18日，　rべ一タァルミナ及びMgO－A1203多結晶体のクリープについて」の議題で，アメリカ・ユタ大学Pro｛．R．S，Gord㎝　を招いて講演が行われた。　高圧力研究会（第11回），6月19日，　「ペンシルバニア州立大学における強誘電体の研究について」の議題で，アメリカ・ベンシルバニァ州立大学Proi．L．E．Crossを招いて講演が行われた。　棚化ランタン研究会（第7回），6月30日，「表面，薄膜研究の現状（特にLEEDを中心にして），薄膜の電子放射」の議題で開催された。　窒化けい素研究会（第6回），6月30日，　rSi3N4固溶体について，Sj3N4焼結休の■高温強度について」の議題で開催きれた。海　外　出　張　第2研究グループ総合研究官川田功は，日併口50年度中期在外研究員として，ヨーロッパ．請国における遷移金属カルコゲン化物の研究において，合成方法，結晶化状態と構造の関係及び物性の面に関する研究状況調査のため，昭和50年6月15日から9月9日まで西ドイツ，スイス，フランス及びオランダヘ出張した。　来　　　訪　5月8日，ソ連，熱流研究所Prof．P．V．Popovが来訪して所内を兄学された。　5月21日，日加科学技術協力　Mr．N．HaHey他5名が来訪して所内を見学された。最近の出版物無棚材質研究所研究論文集無似材質研究所　年　報第3集昭和49年度発　行　日編集・発行昭和50年魯月1日　第34号科学技術庁　無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCHES　IN　INORGANIC　MATERIALS〒300－31茨城県新治郡桜村大字倉掛電語　0298－57－3351／6：