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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第120号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/f4aa3c3a-ddfb-4280-a0b0-e4dc2897cd3f)

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無機材研ニュース第120号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo一垣oO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○血眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］○工←、20 平新年のごあいさつ年　新しい年を迎えるに当たり、一言ご挨拶を申し上げます。　無機材質研究所は発足して24年を迎え、その間、グループ研究体制という組織の下で材質合成を中軸として研究を進め、材料科学の発展に寄与し、またニューセラミックスの分野で多くの成果を挙げ、国内のみならず、諸外国においても注目される研究機関となるまで発展しております。これも偏に関係各位のご支援によるものと感謝しているところです。　最近、我が国の著しい経済発展に伴い、諸外国との間に貿易摩擦を生じ、それと関連し、先端技術においても摩擦が起っております。このような国際情勢の中で、学際的、国際的観点から、独創的、先駆的な科学技術の研究を推進することが要請されております。　他方、最近の技術予測によると1990年代から2010年にかけて、産業を支え．るキーテクノロジーとして、新材料（ニューセラ・ミックス等）、次世代エレクトロニクス（マイクロオプトエレクトロニクス）、バイオテクノロジーなどが挙げられております。また現代は、“材料の時代”とも言われ、材料の進歩はあらゆる科学技術を支えている重要な要素の一っとなっております。　当研究所を取り巻く環境の著しい変化に伴い、その役割も徐々に変化しております。従いまして、発足以来当研究所が展開してきた路線上での発展と共に、時代的要請と期待に答えるため、新たな側面の展開も必要となってきておる次第です。　今後は、1990年代の材料科学の分野で新たな展開を計るにふ、さわしい、超高分解能・超高圧電子顕微所　長　瀬高　信雄鏡（分解能11A）が稼動する運び’となっております。この電子顕微鏡は酸素欠陥を含む局所構造の解析に大きな威力を発揮し、材料科学の分野に大きく貢献するものと期待しております。さらにここ数年間の懸案事項となっておりました、材質設計に関連する研究を行う組織（未知物質探索センター）が認められたことであります。この新組織が21世紀に向けて、我が国の新物質開発の発信拠点となるように育成する所存です。それと同時に今後の展開に重責を感じておる次第です。　1990年代の初頭を迎えるに当たり、職員が一丸となって学際的、国際的観点から先導的材料科学の研究を進める所存でありま．すので本年も丁層のご指導、ご鞭捷を賜わりますようお願い申し上げます6．（1〕チ蔓クラルスキー法によるGd．Lu．Ga．O、。単結晶の育成第10研究グループ主任研究官　宮沢　靖人1．ほじめに　最近の高度惰報化社会においては、情報の処理、貯蔵、伝達の高性能化、高信頼イヒのため光通信技術の重要性が増大してきている。この光通信システムを支えるものは、半導体レーザー、光ファイバー、光検出器および信号増幅器等無数にある。それらのなかには磁気光学効果を利用した光アイソレーター等の磁気光学素子や光熱磁気記録の媒体に用いられるもの等がある！〕。磁気光学素子においては、高性能化とともに、光集積回路に組み込むための集穣イヒ技術に重要な役割を果たす薄膜化が今後の技術の主流になって発展していくであろう。　現在実周化されている磁気光学素子材料としては、ほとんど希土類鉄ガーネット（R．Fe．O1空，Rは希土類金属元索およびイットリウムを表す）系だけである。素子の高性能化のためより大きな磁気光学効累を示す物質の探索研究が勧められてきた結果として、R．Fe．01。のRをビスマス，（Bi）で置換することにより、代表的な磁気光学効果であるファラディー回転（θF，単位はdeg／c胴）が著しく増加することが見出されており、その増加率は、化学式当たり1原子のBi置換により、一2．1x104deg／㎝にも達し、いかにBiを多量に置換するかに努力が払われてきた。しかしながら、大きなイオン半径を持っBiで置換すると格子定数が急激に大きくなるため、化学式当たり2原子以上のBiで置換した物質はガーネット構造では無くなるという問題が発生する。このBi置換量の限界をこえる試みとして、工業技術院電子技術総含研究所の奥田主任研究嘗等は、非熱平衡的合成方法の反応性イオンビームスパッタ堆積（Reacive　IonBeam　Sputter－deposition）法を応用した2〕。この方法により、R呂Fe・O！・への従来の熱平衡的合成法の限界をこえたBi多量置換が可能となり、Rを完全に置換したBi茗Fe．01。（ビスマス鉄ガーネット、B互G）の合成を可能にした3〕。BIGは、室温で波長633nmにおいて、θ。が一6．4x104deg／㎝という巨大なファラディー圓転を示すことが認められている。　薄膜形成法で、良質な単結晶膜を合成するには、その基板単結晶の存在が重要になってくる。BIGは、もともと熱平衡状態で存在しない物質なので、バルクの結晶を基板として使う、ホモエピタキシャル法は、不可能である。同じ物質が基板として便用できない場合に、代替の基板に要求される条件は以下のようなものである。　（1）成長させる薄膜峯結晶と結晶構造が全く同じ　　か、少なくとも極めて近似している。　12〕格子定数が等しいか、極めて近いこと。　（3）熱膨張係数が等しいか、極めて近いこと。　（4〕基板と膜とがなじみやすいこと。以上のような条件を全て満足するような基板が入手できる場合は極めて希であるので、なるべく近いものを探すことになる。B互GをRIBS法で育成するさいに、我々はGSGG州（Gd宣Sc．Ga．Ol。）の研究中であったので、電総研から基板を求められ、GSGGの基板を提供したが格子定数が1，256nmで、3IGの格子定数1，262nmとはかなり異なり、理想的なものではなかった。そこで、なるべく理想的な基板結晶の育成を目的に本研究をはじめた。2．GLGG単結晶の育成引　ガーネット構造で格子定数が1－262nm近傍の既存の物質を探索しても見付けることができず、最も近いもので、GSGGの1，256nmがあり、BIGよりも格子定数の大きいものでは、LLGG（LaヨLu．Ga．Ol。）の約1，299nmが存在する。従って、この閻の適当な格子定数のガーネットを得るには、適当な原子を置換するか、4成分系にするかしかない。4成分系では、パラメータが多すぎて、最適縄成を決めるのが難しいので、3成分系を試みることにした。先ず、GSGGとLLGGの中間の格子定数のものという制約から、GLGG（Gd島L砥・GaヨO1・）を考え試みた。この3成分系において、ガーネット相が存在するかどうか調べたところ、単一相のガーネットとして存在することが、集光式FZ法により溶融固化した結果確かめられた。そこでこのFZ法で、種々の纏成でGLGG単結晶の育成を試みた結果、かなり広い組成範囲でガーネット単相の結晶が得られた。格子定数は1．26nm近傍で目的とするものに極めて近かった。しかしながら、得られた結晶は、クラックが混入したり、無数の大小の気泡が入ったりで満足すべきものではなかった。得られた結晶のトップとテール部を化学分析したが、仕込み纏成と大きな隔たり（トップとテールの間でも）があり、コングルエント溶融縄成とはかけ離れていた。FZ法で組成を変化させて結晶を育成して、最も良い結晶の育成のできる条件を探索す（2〕る実験を繰り返した。いずれの条件でも、融液と結晶の組成はかなり異なり、コングルエント溶融組成を見出すことはできなかった。また、気泡やクラックのない結晶を得ることもできなかった。FZ法により得られた結晶において、比較的気泡の少ない結晶が得られた組成は、Gd。、。Lul．。Gaヨ．。Ol。であった。　チョクラルスキー（Cz）法により，FZ法により得られた比較的良い結晶の組成で単結晶の弓1き上げを試みた。培塙としては、イリジウム製の物を用い、サイズとしては、酸化ルテチウム（Lu．Oヨ）が非常に高価であることより、40φx40h×1．5t皿mヨとした。弓1き上げられた結晶は、ガーネット相の無色透明であったが、結晶中には、無数の気泡が残存していた。．結晶の格子定数は、1．26nmであった。また、融点は、約2000Kであった。さらに、仕込み組成および育成条件を変えて育成を行なっ牟が、気泡やクッラクを取り除くことはできなかった。　最終的に出発点に戻り、育成条件の検討を行なった。先ず組成は、ストイキオメトリ（Gdヨ．。Lu。、。Ga。．。Ol。）とした。引き上げ速度は、セル成長が極めて起こりやすいことより、O．5㎜／hrと低目に設定した。結晶回転数は40rpm、培塙サイズは50φ×50h×1．5t㎜茗とした。また、結晶が非常に割れやすいことより、温度勾配を小さくする為に、イリジウム製のアフターヒーターを培塙の上においた。上記の育成条件で高周波加熱（周波数100kHz）で溶融して、引き上げ方位＜111〉で、約60㎜結晶を引き上げた。図ユに弓．1き上げられた結晶の写真を示す。得られた結晶は無色透明でクラックも気泡の発生も認められなかった。3．BlG薄膜用基板とLての評価7〕　得られた結晶を引き上げ軸に垂直な面（111）で、厚み1㎜以下に切断研磨し、BIG薄膜用基板を作製した。この基板をクロスニコルス法で観察したところ、消光が極めて不完全で、セ’ル成長も観察された。この結果は、BIG薄膜の光アイソレーター用基板としては不完全であることを示唆している。図2に基板の光透過特性を測定した結果を示す。波長500～1500nm範囲において、完全に吸収のないことが認められた。この結果は、近赤外から可視領域での光通信に使用できる可能性を示している。X線回析の結果、ガーネット単一相で格子定数は、1．26～1．27nmであった。基板に、RIBS法によりBIG膜を成長させて、ファラディー回転と波長の関係を測定した結果を図3に示す。比較の為に、現在用いられているGCGMZ1－2基板を用いた結果を破線で示す。明らかに、全ての波長範囲でGLGGのファラディー回転能がかなり上回っていることが認められる。図4に、GLGG基板上に成長したBIG膜の磁気パターンを示図1　Gd・．oLu・．oGa・．oOl・から引き上げたGLGG単　　　結晶100　80書860…≡姜4d畠一　20GLGG00　7㎝　　900　1100　1300　　　　　Wa”elength　l　nm〕図2　GLGG単結晶の光透過特性　　0言く認89L晒・1Zo…≡…1ゼ言…ま図3！1　　　　　　　　　　　　一一’GCGMZ1－2i　l11　　　　　－GLGGI’、1．v1500　5㎝　　　　7㎝　　　　900　　　　　WAVE1上NGTH｛nm〕BIG薄膜のファラディー回転スペクトル実線1GLGG基板；破線：GCGMZ基板（3〕図4　BIG薄膜の磁気パターン細；棚鮒讐1す。また、基板と膜の密着性に関しては、GLGG，GSGGおよびGCGMZと比較すると、GLGGが最も良くぺ簡単に剥がれ’ないことお土び育成薄膜にクラック．を生じさせないことが認められている。これらの結果は、高品質のGLGG基板が得られれば、BIGの特性が向上することおよびBIG薄膜の実用化を示唆している。4．まとめ　以上の結果より、GLGG単結晶はBIG薄膜用基板として有望であることが認められる。しかし、まだ結晶の歪みが大きく実用にならない。GLGGは育成が極めて困難な結晶であるので、結晶晶質を向上させるには、かなりの困難が予想される。　文献1）坪井泰住、日比谷猛俊1磁気光学の最前線（講　　談社、東京、1989）．2）T．Okuda　et　a1．J．Mag．Soc．11，suppl．No．S1　　（1987）179．3）T．Okuda　eta1．ExtendedAbstract　ofICCG－9，　　Sendai，August，1989．4）宮沢靖人、Nα417応用電子物性分科会・第88回結　　晶工学分科会研究報告（1987）73．5）V．J．Fratello　et　a1：J．Crystal　Growth．80（1987）　　26．6）Y．Miyazawa　et　al．Extended　Abstract　of　　ICCG－9，Sendai，August，1989．7）高橋　勉他：第13回日本応用磁気学会講演概要　　集、22PG－7（1989）．新規タンタル系硫化物の合成第2研究グループ主任研究官　和田　弘昭1．はじめに　タンタル系硫化物は、電荷密度波、イオン伝導など興味ある物1生を示すこと、また特に層状二硫化物の場合に、層問に他の金属イオンが挿入されインターカレーション化合物を作る性質を有すること等から注目を集め、これまでに多くの研究が為されて来た。しかしながら残念なことに、相平衡に立脚した研究は乏しく、M－Ta－S三元系の相関係については、ほとんど知られていないのが現状である。我々は従来より、M－Ti－S，M－Mo－S等の遷移金属硫化物三元系を対象とし、相平衡実験に基いて相関係を解明し、結品化学的観点からの検討を行うという一連の過程を通して、硫化物の体系的理解のための基礎データの集積に努めてきた。複合タンタル硫化物のグループ発足後も同様な視点から研究を遂行中であるが、ここではこれまでに得られた成果の一端を紹介する。2．Ta・S系の相関係と新相Ta．S。　タンタル（Ta）は硫化鉱物中では三方プリズム配位と六配位の両方が可能で、このために構造の多様性が生じ、Ta－S系には多くのポリタイプが存在する。一構造の異なるものとしてTaS・、4種のTaS・、3種のTaユ。エS。、Ta．S，Ta眉S等の化合物が知られる。しかし、合成実験では熱力学的平衡が達成されず各相が共存するため、明確なTa－S系状態図は未だに確立されていない1〕。我々はこの相関係を確認するための実験を最初に行ったが、その過程で新規化合物であるTaヨS。を見い出した。　試料の合成は石英封管によったが、高温での石英器壁と試料の反応を防ぐ目的でアルミナルツボ（外径1ユ㎜、高さ20㎜）を内挿して用いた。新相TaヨS．2・3〕は！30ぴCで2時問熱処理し急冷することにより得られる室温で金属伝導を示す物質である。その粉末X線パターンを図1に示す。指数付けの結果、斜方晶系格子と判明し、最小2乗法により、格子定数は、a＝7，472A，b＝17，218A，c＝5，598五と決定された。また同時に行った電子線回折による解析から、出現則はhkl；k＋1＝2n，Ok1；k＝2n，hO1；ト2（4〕b，．5＾山1。，≡O10　　　　　　　　　　　　1椚　　　　　　　　　　　　㎜　　　　　　　　困　　　　1硯　　　　　　　　　　　珊　　　　　　　　　　　2畠o　　　　　　　　　　旭1100　　　　　　　　　　　　　　　　　　砒王　　　　　　　oo一　　　理0　　　　　　　　　1蘂図！　　眺耐　　　搬　洲1　　湖拠蜴　別　　　　　　罰　　　　　　柵　　　　　　冨o　　　ou胞珀TaヨS。の粉宋X線パターンOO　　　OL、。C88：くLC図2　TaヨS・の緒晶構造C及びa軸に沿った投影図）、、20001・　　　　、・1　　　’、11　　　　’、■　1　　　　　　　　一　　　　　　　’。’．　　　　　　　、、　　　、’　　　　τa＋zS2、’養　。　　o、，，■　　o 瀞 o・1…；羊1500 丁毒S　　ll　　　　　　l1婁．．．二．．．．二、止 1・・…≡ボH。擁 Io　I，I1＝蟹 Ta1000 毒1・：1　。 口　o　　　口＝10　　20　　30　　40　　50　　60　　70　　　at・％of　S図3　Ta－S系の状態図70n，hkC；k＝2n，OkO；k＝2n，O｛〕1；1肥2nとなり遭切な空間群Abm2（Nσ39）が選択された。実測密度11．2g・㎝■茗から、単位胞中の分子数、Z＝8を導き、これらの知屍と既に報告のあるTa．Sの構造利を参考にモデルを組み立て、Rietveld法5）により構造解析を試みた。最終的に得られたTaヨS。構造の投影図を図2に示す。構造は函共有したTaの五角アンチプリズムの直鎖とそれを鞠状に取り囲むSにより形成され、硫化物としては極めて特異な様相を呈する。Ta原子は直接の金属一金属獺互作用により、体心型20面体のクラスターを形成、これがC軸方向に達って金属柱の概観を示す。申心原子より外の原子への平均的Ta－Ta距離2．90久に比べて、中心原子簡のそれは2．8CAと短く、C軸方向への強い相互作周を嚢付けている。一方、S原子の結合はSのp軌道とTaのdバンドの楯互作用による。2種類のSが存在するが、その配位数は3ないし杢で金属豊竃化合物の中では異常に低い値を示す。　新規化合物Ta．S。の欄関係はこれまでに報告が無いため不明である。そこで我々はTa－S系状態図を作成する目的で、高周波炉（日本電子∬R王O）を用いて蝸00℃以上の温度での加熱実験を実施した。所定温度に数分間保持、急冷して得た試料のX線による相分析結果に基くTa－S系の状態図を図3に示す。Ta苫S。相の単相組成領域は、Ta．S。。。一Ta彗S。宮。の範麗にあり、理想組成よりわずかにS不足側にずれている。1000℃では、S豊富側で六方晶2H・TaI。エS。とTa豊富側で三斜晶系のTa．Sと共存する。1300℃以上で斜方晶Ta．S相が出現、1530℃でTa宮S。楯は、2H－Tal。エS湘とTa．S相へと分解する。王62ぴC付近でTa．S柏は融解するが、2H－Ta！。エS。やTa．S相は20CO℃近い温度でも安定である。しかしながら高温Cu1000．C伽2sS　　　　　　　竺ヨ苫一τ咀、、泓昌。　　　OV由畠　　　空由一丁乱1州昌空Cu刮丁里昌一　　1　　　認×図4　Cu－Ta－S系掘図丁芭ヨ豊≡丁里！雪T＾喧冨Ta（5〕では揮発性元素であるSの固槻からの蒸散が無視できない。正確な絹図作成のためには、この点にも留意したより注意深い実験的検証が今後は必要と思われる。3．6s・M∬awS。（M；Cu，Ag）の合成と構造　Taを含む三元系硫化物の研究には、TaS。へのインターカレーション化合物としての概念に基くものが多く、Cu，Agについては20年前より報告がある。我々は相平衡という視点から、上述したTa－S系状態図を寄りどころにC鐵一Ta－S系の楯関係についての検討を試みた。1000℃で得られた結果を図4に示す。この系では、既に立方晶Cu君TaS坤、六方晶Cu。、。。TaS。、斜方晶CuTaS茗の三元化合物が知られているが、本研究の結果、新たに層状物質CuエTa珪。。S。（0．4＜x＜O．75，y讐O，25）が発見されたことになる副。選択配向の影響を避けてとった粉末X線パターンを図5に示す。結晶系は菱繭体晶、空間群R3m（灼166）で、これは160ぴCで得られた微小結晶の単結晶X線による。組成Cu。．。Ta！．。。S。の格子定数は、a＝3．3006A，c＝38．7！85Aで、c牽菌の長さは近似的にはTaS。周期の6倍に相当する。構造解析は、粉末X線の回折強度を用いてPPRG法7〕により実施した。決定された構造を図6（d）に示す。Taは2つのサイト、三方プリズム配位と六酉己位位置に入り、TaS。の充墳形式はMoS。型（a）である。Cuは、四配位位置に入り統計分布しており、その部分的な構造は、Cuo．。。TaS。型（b）に類似している。Taの連なる積層の部分構造が、Jemnekの6層型Ta1。エS。（・）と同一であることから、この物質は6s－Ta1付S。へのCuのインターカレーション化合物と考えられる。Cu層がTaS。単位で2層おきに出現するので、セカンドステージ型とも呼べる。他金属ではAgがCu同様四配位を好む。この事に着目して類似組成での合成を試みた。結果は予想どうりで、生成相はCuの場合と同様、類似構造を持っことが分った。ちなみに、Ag。．“Ta1．。。S。の格予定数は、a＝3．3011A，c皿40，690Aで、c軸はCuに比べて長く、挿入される金属原子の大きさ（Ag：1，44A，Cu：1．28A）を反映しているのが注目される。4．おわりに　以上最近見い出したタンタル系新物質Ta．S。、6s－CuλawS。などの構造を中心に、X線粉末法を用いての解析結果について述べた。麦初は未知相と思われたものも、構造が明らかになってみると以前に報告がある物質と何らかの関達性があるのに気付く。金属元素には爽々独自の個性があり、それが如実に結晶構造にも反映されているのであろう。最近我々は、この実験手法を生かしAg－Ta－S系で2つ、斜方砒ω一＝＝コoo；よ：縢細一〇回　一〇1団一H－o　o　　l＝○　ヨlH28　　　　　　　柵　　　　　　　　的　　　　Cu　l〈血2θ図5　Cu。．。Ta、．。ヨS。の粉末X線パターンal C，d’　　　　　㈹篭莞　　　　・1覧墨　　　　　園　　　　　　　　　　　　　　　　　　S2　　　　　　　　　　　●　　　　　　　　　　　　　　　　●　　　　　　　　　　　　　　　　　　Sl　　　　　　　　　　　O　　　　　　　　　　　　　　　　O　M　　　　　　　　　　　○　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ta1　　　　　　　　　　　　　　　　○　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ta2　　　　　　2S－　　　　　6S・　　　　　6SI　　　　M苅aS2　↑aWS2M苅a1＋yS2図6　6s－MエTa岬S。の緒晶構造（d）（1120）断函図と　　　部分的類似構造を持つ物質のそれとの比較晶AgTaS。と立方晶Ag．TaS。帥の新相を発見、現在研究を続行中である。参考文献1）F．Jellinek，J．Less－Common　Meta1s，4，9　　（1962）2）H．Wada　and　M．Omda，Mat．Res．B汕．，24，　　！91　（］一989）3）和蟹弘昭他、特許出願中4）B．F．Franzen　and3．G．Smeggi1，Acta　Cryst，　　B25．1736　（1969）5）泉當士夫：日本結晶学会誌、2フ、23（1985）6）和蘭弘昭飽、投稿中7）カ竈藤克夫：私信8）和蘭弘昭飽、特許出願中（6）※投稿登録番号 題　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等2217 Ndを添加したGdヨGa．O1。ガーネットの結 嶋津　正司・松田　　宏 鉱物学雑誌晶成長過程における歪にっいて 中村　浩三・宮沢　靖人 ！8，5，291．1988上江洲由晃・小林　誰三2218 最近の新しいガラスの動向 森田　一樹・牧島　兄男 ファインセラミックス9，210．19882219 Relations　Between　the　Heats　of 大橋　晴夫 Thermochimica　ActaFormation　of　Lanthanide　Triha1ides 132，187．1988and　the　E1ectronegativities　of　theHalogen　Ions2220 Fabrication　and　Properties　of　SiaIon 三友　　護 Recent　Progress　inCeramics Fine　CeramicsP．1972221 Effect　of　the　Contraction　of　Zn－O　Bonds 木村　　真・大橋　晴夫 Phys．Chem．MineraIson　X－ray　Emission　Spectra 大沢　俊一 15　545　19882222 Simulation　of　Diffraction　Intensity 小野田みつ子・竹川　俊二 Jpn．J．App1．Phys．Distribution　of　a　Superconductor 野崎　浩司・梅園　昭彦 27，9，L1665．1988Containing　Stacking　Fau1t　in　the 室町　英治Bi－Sr－Ca－Cu－O　System2223 Sing1e－Crysta工X－Ray　and 末野　重穂・吉崎　兄三 Jpn．J．AppL　Phys．Magnetization　Study　of　the106K 中井　　泉・大石　一政 27，8，L1463．1988Bi－Sr－Ca－Cu－O　Superconductor 小野　　晃2224 Summary　Abstract：Synthesis　of 加茂　睦和・杁本　尚義 J．Vac．Sci－Techno1．Asemiconductive　diamond　on　diamond 佐藤洋一郎・瀬高　信雄 6，3．1818．1988substrate　from　gas　phase2225 Disso1ution　of　Sparingly　Soluble 西野　　忠・門間　英毅 J．Ceram．Soci．JapanInorganic　Compomd　to　Aqueous 96，894．1988Suspension　with　Ion　Exchange　Resin（II）一Calcium　Phosphate　Compounds一2226 イオン父換樹脂を含む懸濁水への難溶性無 西野　　忠・門間　英毅 日本セラミックス協会学機化合物の溶解（第2報） 術論文誌一リン酸カルシウム化合物一 96，9，914．19882227 Powder　Diffractometry　at　the　Tsukuba 宇野　良精・大偶　一政小沢　春雄・貫井　昭彦Austra1ian　J．Phys．Photon　Factory 41，133．1988山中　高光・雪野　　健森1■1日出貴　川崎安藤　正海2228 Penrose　Patterns　and　Re1ated 石原　慶一・山本　昭二 Acta　Cryst．AStructures　I　Superstructure　and 44，508，ユ988Generalized　Penrose　Patterns2229 Influence　of　atomic　hydrogen　on　the 小松正二郎・守吉　佑介 J．App1．Phys．growth　reaction　of　amorphous．boron 64，4．1878．1988fi1ms　in　a　low－pressure　B1H6＋He＋H2plasma2230 SingIe　Crystal　X－Ray　Structure 今井　勝弘・中井　　泉 JPn．ApPl．Phys．Lett．Analysis　of　Bi。｛Sr，Ca〕。CuO．and　Bi2（Sr， 川島　卓二・未野　重穂 27，9，L1661．1988Ca）。Cu20x　Superconductors 小野　　晃2231 局分解能電子顕微鏡による超伝導酸化物の 松井　良夫’ 表面科学欠陥及び界面構造の研究 9，7，22．1988☆　M　E　M　O　☆研究会　12月20日、第21回高融点化合物研究会が「高温超電導体の化学と技術に関する国際ワークショップの報告」の議題で開催された。人事異動　総理府技官究官）辞職　総理府技官酒井利和（第3研究グループ主任研菱田俊一（第1研究グループ研究員）（7〕第1研究グループ主任研究官に昇任させる　総理府技官　森泰道（第10研究グループ研究員）第10研究グループ主任研究官に昇任させる　総理府技官　沢田勉（第13研究グループ研究員）第13研究グループ主任研究官に昇任させる海外出張　第12研究グループ総合研究官石澤芳夫は、「イットリウム六十六ホウ化物単結晶の良質化に関する研究」のため、平成元年12月5日から平成元年12月15日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　超高圧カステーション主任研究官下村理は、「放射光を使った高温高圧下の実験参加」のため、平成元年12月11日から平成元年12月24日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　第4研究グループ主任研究官小玉博志は、「1989環太平洋国際化学会議出席」．のため、平成元年12月18日から平成元年12月24日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　第7研究グループ主任研究官小松優は、「ユ989環太平洋国際化学会議出席」のため、平成元年12月18日から平成元年12月24日まで、アメリカ合衆国へ出張した。外国人の来所11月21日　G．K．Vinogradov　ソビエトA．V．Top－　　　　　chiev石油化学合成研究所11月21日R．B．ハイマン他1名カナダアルバー　　　　　タ・リサーチ・カウンシル11月22日　郭　義雄他13名　台湾交通大学他11月30日　丁．J．キム　米国Waterjet研究所12月4日　白　聖基　韓国産業科学技術研究所12月5日　R．O．Vina他6名　アルゼンチン石油公　　　　　社研究開発局結晶実験室他12月7日J．A．Indovino他7名　アルゼンチン国　　　　　立工業技術院材料・計量研究センター他12月18日　R．Chang　米国Materia1Research　　　　　Society1月10日　J．B，Holt他5名　米国ローレンス・リバ　　　　　モア国立研究所他平成2年度予算案にっいて　平成元年12月29日の閣議により、平成2年度の政府予算案が決定し、無機材質研究所関係の予算額は、①一般経費1，783百万円、②施設整備費215百万円（国庫債務負担行為566百万円）、③大型試験研究費（新超電導材料共同研究設備等）812百万円（国庫債務負担行為477百万円）の計2，810百万円となった。　また、機構の整備としては、未知物質の探索と新物質の創製を行う「未知物質探索センター」が新設されることとなった。研究所の一般公開について　平成2年度の科学技術週間は、4月16日（月）から4月22日（日）までの4日間で開催されます。　当研究所では、4月19日（木）に所内一般公開を行います。第17回　無機材質研究所研究発表会開催される　第17回無機材質研究所研究発表会は、11月28日（火）、筑波研究学園都市・研究交流センターで約135名の参加者を迎えて開催された。　まず、瀬高所長のあいさつの後、「オクトチタン酸塩に関する研究」及び「ダイヤモンドに関する研究」の発表が行われ、次いで午後には「炭化タンタルに関する研究」及び「酸化ニッケルに関する研究」の発表が行われた。最近の刊行物○無機材質研究所研究報告書　第57号　オクトチタン酸塩に関する研究　第58号　ダイヤモンドに関する研究　第59号　炭化タンタルに関する研究　第60号　酸化ニッケルに関する研究　ご希望の方は、管理部企画課に文書にてお申込み下さい。発　行　日編集・発行平成2年2月1日　第120号科学技術庁　無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木1丁目1番電話0298－51－3351（8）