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[NRIMNews1993-06.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/a0b15a28-ad83-43e7-9de6-baf4062606cf/download)

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松岡 浩

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[金材技研ニュース 1993 No.6](https://mdr.nims.go.jp/datasets/cae7e09c-db21-4c2b-b2bf-8c591962d3f6)

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金属技研ニュース　1993　No.6七〇一．＝ピEΦo一｝o⊂蜆E0一箏O］一〇〇〇一〇〕o＝あ○蜆oo一］o一⊂o－ooo］10－0E呵f0呵o〕蜆o〇一一〇〇一〇一蜆○蜆ωEo〕．ゼ≧里三…oo…Z－oo〕ωコ0f←サブミクロン微細加工／合金設計法の高度化／S　T　M中で四気化学の新現象ミクロ組織を観察しながらサプミクロンの微細加工電子顕微鏡中で試料にイオンビーム照射　物質の表面や結晶粒界，および超微粒子のような原子・分子の集団がもつ物理・化学的性質は10」9㎜から10■6㎜のオーダーの領域から発現し，云わぱサブミクロン領域が物質の機能の発現単位である。近年，加工技術の進展は著しく，サブミクロン領域が加工の対象になってきている。この領域では電子や正孔の粒子波動性が微細加工素子の物性に現れることから，これを利用してこれまでにない新機能をもつとともに，情報伝達機能の密度を極限まで高めた素子の開発が試みられている。　しかし，0．ユμmオーダーの精密加工した素子では，微細領域の組成がその物性に大きく影響する。そのため、加工精度のみならず加工領域の組成や物性の解析技術の開発が必要となる。本研究では，微細加工にGa＋一FIB（ガリウム集束イオンビーム）を用いる．こととし，200kVのTEM（（透過型電子顕微鏡）中で試料を観察しながらGa＋一FIBによって微綱加工できる装置の開発・製作を行った。この装置では同時にX線分析，エネルギー損失分光，カソードルミネッセンス（CL）分光装置が使用できる。写真1は改造後のTEM試料室を示す。この中の試料に加速電圧25kV，イオンビーム径150nm，強度75pA（ピコァンペア）のGa＋一FIBを照射できた。またTEM用の対物レンズによる磁場変動の効果は極めて小さく，実際上の支障はなかった。Si（ケイ素）およびGaAs（ガリウムヒ素）ウエハーの薄膜について約1万倍で観察中にGa＋一FIB加工を行った。写真2はSiの3x4μmの領域に行った面研磨および線研磨を示す。研磨後の領域はマクロ的に平滑であり照射欠陥も生成せず，微細加工が均一に行われていることがわかる。しかし，GaAsを用いた同様の実験では，液体状の析出物が研磨面に生成した。このGaAs試料を大気中に取り出すことなく，X線分析，エネルギー損失分光，カソードルミネッセンス分光によって組成・発光に関する分析を行った。その結果から判断すると，FIBによる加工でGaイオンが注入され，それによって試料中のAsが蒸発し，Ga液滴が生成したものと思われる。　今後はさらに微細加工条件の適性化を進めるとともに，二相薄膜の微細加工と発光特性に関する研究を行い，サブミクロン・ヘテロ構造物質のミクロ組成変動と材料素機能の関係を評価・制御する。／．’一一じ写真1　25keV　Ga＋一FIB線源とCLモノ　　　　クロメータを取りイ寸けた200kV　　　電子顕微鏡の試料室写真2　Ga’一■一FIBで微細・加「したSi　　　薄膜（1OO）面のTEM写真　　　a）面研磨、b）線桐1＝磨含金設計法の高度化に向けてTiA1金属間化合物中の第3元素占有位置の予測と評価　当研究所では，合金の化学組成から組織，構造を予測し，さらに種々の特性までを予測できる含金設計法の確立を匡1指して…連の研究を進めている。これまで，合金の構造を予測し相の安定性を評側するのに瞭予のランダムな混含を前提としたモデルを閉い，多元系チタン含金等の設討手法の確立に努めてきた。しかし，固溶体内部においても原子間に相互作用が働くため短範囲の規則配列が存在し，これが欄の安定性に関与している。前述のモデルではこのような規則配列を取扱えないことから，緒晶格子中の数原子の集含体（クラスター）を考えて熱プ〕学的計算を行うクラスター変分法（CVM）が開発された。CVMは面心立方晶や体心立方晶など対称性の良い構遺について規則不規貝1j変態や棉平衡の計算に適用され成果を挙げているが，Tiなど多くの有踊な金属がもっ六方晶構遺やその他の複雑な構造に遮用された例はほとんどない。　そこで，当研究所ではCVMを六方熟やTiA1金属閲化含物の安定性の討算に適用する研究を進めてきた。ここでは，軽最耐熱材料として近年注目されているTiA1金属間化含物への第3元素の添加効果についてCVMで解析した例を紹介する。TiA1は図1に示すように，Tiからなる層とAlからなる層がc軸方向に交互に並んだ構造を有する。図1に示すような4蘭体のクラスターを構造の基木的饗素として原子閲の結含エネルギーや配置エントロピーを計算することとし，TiA1系3元含金の安定性を熱力学自勺に調べた。図2は，TiAlに1aセ％添カ日した元素の一；有サイトに関する計算結果を示す。温度は1573Kである。この脚からわかるように，母棚におけるTiとAlの濃度比（A1／Ti比）は各含金元素が入る位濫の決定に大きく影響し、Tiに寓む場含には，Co，Cr，M，Mo等の元素は大都分がAけイトに，またM・，M，V等の元素は両サイトにほぼ等しく入る。一方，A1に富む場合には，Cr，Ni，Mo等は禰サイトに等しく入る傾向にあり，Mn，Nb，V等はTiサイトに優先的に入る。これらの結果は，Ni，Nb，V，Mn，Cr等の占有サイトに闘してALC繍EMI法やX線固折法などの測定方法で得られている縞果と良く一致している。　TiAlの縞品を変形させると山11繭に逆位柵境界（APB〕や穫層欠陥などが生じるが，これらは瞭予配列の2次元向勺な不整であるから余分なエネルギーを伴う。図3はAPBエネルギーに及ぼす添加元素の祭多響を計算した結果を示している。APBエネルギーはT1とAlが等鐙の所で最大とな十），組成がずれると急激に減少する。V，Nb，Mn等のTiサイト占有型の元素の添加はピーク位置をA1側に移行させるとともにその値を減少させる。一方，Mo，Ni等のAlサイト占有型の元素の添加は，ピーク位置をTi側に移行させる。このように，TiA1化含物のAPBエネルギーに及ぼす添加元素の影響は，添加元素のサイト占有型と密機に関係することが分かった。　以上のように，CVMによ｝）原子の配置にまで立ち入って組織や構造の予測ができ，APBエネルギーや積煽欠陥エネルギーまで考慮して材料の変形挙動を解析することが可能である。現在，含金設計手法の高度化を陰1指して，六方脇構造にCVMを適用するための定式化を進めている。また，格子の熱振動は棚の安定性と温度との闘係を決定する一因子であるが，現在ではこれが討算に取入れられていないなどの閉題点がある。熱振動を考慮に入れたモデルを設定することによりその解決を目指している。●AlOTi　　　　　　　　k図1　TiA1金属閉化含物の構　　　造とCVMで用いた遂繭　　　体クラスター2．O浅1．5挫S1－0ヤ←O．5O．OO　Cr△N1口Moo　Co・M皿▲Nb・V　　　　、O．8図2　0．9　　　　i．0　　　　1．亘　　　　王．2　　　　工．3　　　　　A1／Ti比Alサイトにおける策3添加元素　0．34目冷▲0．32～畠簑S0・30雇　0．28工573K　　　　　　　　　　　　－TiAl　　　　　　　　　　　　O　Cr　　　　　　　　　　　　ム　Ni　　　　　　　　　　　　口　Mo　　　　パ　　　㍉　　　　　　・　Coノー詳熟1弊　■麦　！’　　　、“。4　〆　　　　洩“ダ／　　　“へ’、ダ　　　　v　0，90　　　　0，95　　　　1，00　　　　1，05　　　　1．互0　　　　　　　　A1／Ti比図3　TiA1金属閉化倫物の（1川τ馴こ　　　おける逆位欄境界エネルギーに　　及ぽす添加元繋の影響2　一走査型トンネノレ顕微鏡で電気化学上の新現象を発兄微細加工の新技術として応用に期待　当研究所では水溶液中での金属材料の損傷機構を調べるため，走査型トンネル顕微鏡（STM）を用いて損傷反応が起きている場所のその場観察を行ってきた。その一環として，硫酸銅水溶液中における金製電極表面への銅の電解析出現象を調べている過程で，新しい現象が見つかった。STM探針の位置を一点に定め，また金電極の電位およぴ探針電位を一定に保ちながら，探針を金電極に近付けてトンネル電流を増加させて行くと，トンネル電流値がある限界値を越えた時，トンネル電流に比例した異常に速い電解析出がSTM探針直下で起こった。　そのことを少し詳しく説明すると，まず，探針を金電極のほぽ巾央に定め，探針の電位（Et）を55mV，金電極の電位（Ew）を25mVに保つ。この状態では電解は何も起こらない。次にEwを急に0mVまで下げ，トンネル電流（It）はその間一定になるように制御して放置し，電解析出を起こさせる。図1はこのような条件下でのトンネル電流，電解析出量，時間の関係を示している。局所的な電解析出はトンネル電流4・A以上で起こりはじめ，その析出速度はトンネル電流値に依存して大きくなって行く。また，電流と析出速度を表すファラデー則を用いて，トンネル電流値が18nAの時の電流密度を求めてみると3．85kA／m2にも達した。この値は金電極の分極曲線（電位と電流密度の関係を表す曲線）から予想される電流密度の約5000倍であり，非常に速く電解析出が起こったことがわかる。　次に，この現象をより深く理解するために，トンネル電流値を18nAに固定した場合の，鋼の電解析出速度に及ぽす金電極電位の影響を調べた。Ewが10mV以上では電解析出が起こらず，0～一30mVの範囲で電解析出速度は金電極の電位が負になるにつれて若干増加する傾向が見られるが，トンネル電流の影響に比べてあまり大きな影響はなかった。また，実験前および実験後の金電極の表面のSTM像を比較した結果，電解析出が探針直下にのみ起こっていることがわかった。　実験では探針と金電極との間の電位を固定しているので，通常の意昧での電気化学的な条件は一定である。また，トンネル電流を増加させることは探針を電極板に近づけることを意味する。探針が近づいたことによって，電解可能な電極電位の域値が小さくなるので析出が起こりやすくなることは予想されるが，電流密度の著しい増大やトンネル電流に比例して反応速度が増大することなどの現象の定量的な解釈は単純にできそうにない。この現象には，探針の先端がヘルムホルツの二重層内，つまり，電極板から溶液分子の大きさの範囲内のどの位置にあるかが重要な因子として働いていると考えられるが，それに関する詳しい研究は今後の課題である。　図2はこの現象を利用して金電極上に描いたNRIMの4文字である。文字の描画のための探針の送りは本研究で試みに開発したプログラムにより制御して行った。所要時間は1文字当り約10秒である。この現象は学問的に興味深いばかリでなく，新しい微細加工技術としても期待できる。昌5蝸珀蛙蓬鯉1400O．1MCuSO’Ew＝OmV1200 Et＝55mV△工t＝ユ8ηA △■ ×1t＝工2nA1O00 ○1。一7．A口It＝4・A △800×△ ×600 ×X×400XX O200 ×O　口O会冒ロロθ0　2　4　6　8　1O　12　6時間（秒〕12図1　トンネル電流It，電解析出量、，時間の関係　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2μm図2　0．1mo1％CuS04＋O．1mol％H2S04水溶液中で銅の電解析出によって描いた文字海外での研究発表（1993年4　6月）第5回工業材料と構造のクリープと破壊に関する国際会議（3月28日～4月21ヨ，イギりス・スウォンジー）1）Towards　an　Intelligent　Computer　Program　for　the　Design　of　N曼一Base　Superalloys一　　滅川忠晴，大野勝葵，山縣敏博，原閑広史，申沢静夫；舳奇遭夫（新技術事薬圃）光電子圓折法に関するワークショップ（3月3蝸～4月2巨1，スイス・ヴァット）1）XPD　Stud三es　on　Bi2Sr2CaCu208＋且（O01）．　　下田正彦米国材料学会（4別2日～4月工6日，アメリカ・サンフランシスコ）エ）Change　of　As－Coverage　on　GaAs（001）．　　ノ」、ζ1一イ言イ了，　f也1孝；12）A　Structure　Observati㎝of　GaAs　Microcrysta1／Se－Terminated　GaA1As　Interface　for　the　Quantum　Well　Box　　　Structure．　　知京豊袴，小じ1信行3）Materia1s　Issues　of　Superconductiれg　Bi2Sr2CaCu208／Ag　Tapes：Comparative　Studie§　with　Single　　　Crysta1s．　　1’Hコ周務不蘭場ヨ，　｝災鉄モ薦≡ニヒ，　棄量倉…告1＝リヨ，　アヨロ十一・一・i三，　f也3名国際応用磁気学会（4月13E卜4月正蝸，スウェーデン・ストックホルム）玉）Fabricat1on　of　Micro　Arrays　of　Permai1oy　Stripes　by醐ectron－Beam　Lithography　and　Their　Ferromagnetic　　　Resonances．　　・1’1谷功フレッティング疲労国際会議（4月19日一4脱21ヨ，イギりス・シェフィールド）1）Fretting　Fatigue　Behavior　of　S1C－Whisker－reinforced7075A1umimm　Metal　Matrix　Composite一　　チ笥E圧1プテ窄弩，　メ〕．．Llム延づ定，　rl］言錐蓼辿三三2）破fects　of　Contact　Pressure　and　Relative　Slip　Amp1itude　on　Fretting　Fatigue．　　巾澤興三，角1ヨ三1方衡，丸1．．1」典夫第4回セラミックスーガラスー金属接合国際会議（5月17日一5削91ヨ，ドイツ・ケーニッヒスヴィンター）1）E施ct　of　Rare　Earth　E1ement　and　Y203on　Adherence　o童Oxide　Coating　Film　to　Auoys．　　池閥雄止二，往諸英志第13圓国際プランゼーセミナー（5月241ヨー5J珂281ヨ，オーストリア・ロイテ）1）Microstructures　and　Mechanical　Behavior　of　Mo－Re　We1ds．　　森藤文雄第3圓先端材料とプロセスに関ずるヨーロッパ会議（6月8Eト6別0旺1，フランス・パリ）1）Preparation　aDd　Characterizat三〇n　of　SiDtered　Mo－Re　AHoys。　　森藤文雄第21回米国炭素会議（6別3日～6Jヨ18［1，アメリカ・ニューヨーク）玉）In－situ　Observation　of　High－Temperature　Oxidation　of　C／C－Composites一　　衡11馴習光，冨塚　功，岡本三永・了・輪送システムのための軽金属に関する国際シンポジウム（6Jヨ2011ト6j≡ヨ23111，鮒董1・慶州）1）Mechan1cal　Properties　ofCeramic　Particu玉ates－Reinforced　Titanium－Based　Composites　Producedby　B玉ended　　　Elemental　Powder　Metallurgy．　　萩澱益夫，江村　聡，河部義邦，他2名7月の研究発表（国内分）学　・ 協会名 開催期胃・11 発 表 魑 准表者（所属〕粉末；台金国際会議 7． ｝2－7． ｝5 I． ぎabrication　of　Porous　Materia1s　by　Con一1三1 鑓雄 （灰応） ほカ・（京都・ 鰯立凍都11葦11櫟金蛾） solidating　Oltrafine　Metal　Powders．2． The　Relation8etween　the　Water　Jet　Pro一 紫川 零1旧 （搬傷） ほカ・perties　and　the　Produced　Powder　in　RighPressure　Water　Atomization．3． Mechanical ProPerties of　Ti皇A1Nb 至nter一 江村 聡 （カ学） ほカ・meta一一ics　Produced　by　BIended　l…11ementaIand　Prealloyed　P／M　Methods．第7圓JlM国際シンポジウ 7． 28㌔7． 31 王． Fundamental Aspects of Inherent Creep 木村 ・泄、 （環境） ほカ・ム （彩1－I1i漏・ 彩〒止i1尉ヨ…11際会 Strength　Ferritic　Steels．議場） 2． Characterizatiol一 of Creep Deformation 九虜も 秀11謁 （環境） ほカ・Behaviour　for　Cr－Mo Stee1．3． Bimodal　Creep　Cavitation　in　N1ckel　Base 平蜘i牟二二郎 （力学） ほカ・Oxide Dispersion Strengthened InCOne1Alloy MA754．注目発明の選定， 当研究所から3件当研究所の下記3件の発明が，科学技術庁第52酬平成4年度）の注園発明に選定された。水素分離膜発明者公開番号公開日天野宗幸，西村　睦，酋牧政雄，柴田葵智努特開平01－262924号平繊元年10月19日　近年，趨高純度水索の需要は半導体や光ファイバー等の増産に従って増大している。これらに必嬰な純度99．99999％以上の超高純度水素の製造には，パラジウムー銀合金膜を使用する拡散法が実用化されている。しかし，その含金膜は非常に高価であり，また200℃のような低溢では水素透過度が小さい欠点があった。　本発明のパラジウムを被覆したバナジウムーニッケルあるいはバナジウムーコバルト含金膜は，バナジウムの大きな水素透過度を大きく滅じることなくその水素脆性を改善したところに大きな特徴があり，200℃においても既存のパラジウムー銀含金膜よりも数借以上の水素透過度を示し，しかも安価である。従って，本発明の含金膜を使湖すれぱ，高効率でしかも経済自勺に趨高純度水素を製造することができ，半導体や光ファイバー等の製造単伽を下げるぱかりでなく，高性能な水素一酸素燃料電池等の開発も可能になる。微粒子コロイドと磁性流体発閉者公開番号公開日中谷　功，小樺　清，吉林孝夫，花岡博明特開平03－187204号『互万淀3勾三8月15日　磁性流体は液体状の磁性材料であるが，現在用いられている磁性流体が酸化鉄微粒子またはフェライト微粒子を分散させているものであるのに対して，本発酬の磁性流体は窒化鉄微粒子を分敬させて構成したものである。磁性流体の性能は磁界に反応する強さを表わす磁化の大きさで決まるが，従来の酸化鉄磁佳流体の磁化の大きさが最大でも400ガウス程度であるのに対して，本発明の窒化鉄磁性流体は最大で2，300ガウスであり，従来のものに対して5倍以上も大きい。従来の磁性流体を仮に濃縮して2，000ガウス以上に高めたとすると，それはプラスチックのような固体になってしまうが，本発閉の窒化鉄磁性流体は液体としてのなめらかな流動性を持っている。また，この製造方法は安価な製造装撞を用い，かつ大量に生産できるという豊かな経済性をもっている。　本磁性流体の発明によ1），現在磁佳流体が応用されてい引亘1転軸奥空シール軸受けは著しく小型になり，スピー力一ダンパーとしてはより大型で低音用のスピーカーにも利胴できるようになるほか，エレクトロニクス用のチョークコイルの充堰剤としてチョークコイルの小型化が可能になる。さらに，従来にない新しい応用として，自動車の車軸の掻動や衝撃の吸収装置，エンジン振動の吸収装置等が可能になる。　現在，本発明の技術は各企業との共同概究契約あるいは新技術事業醐を介した国有特許斡旋契約により実湘化研究並びに製品化討函が進められている。γ’析出強化型Ni基超合金設計支援装置発明者公闘番号公開日山1崎遭夫，原日］広史，大野勝葵，横川蜘庸特闘平03－19ユ032号工P二’戎3角三8月21一ヨ山縣敏博，楠　克之　ジェットエンジンの出力や効率を向上させることを簑的として，動翼用Ni基趨含金の開発研究が世界各国で盛んに進められている。しかし，これらは実験を主体とした試行錯誤によるものであるため，結果的に多数の合金についてクリープ試繊など種々の評価試験を行うこととなり，多大の労力と経費を要するのみならず，帥勺とする含金に到逮する可能佳も低くならざるを得ないという閲題点を有している。　本発閉の含金設計支援装置は，（王）含金組成を入カすることによりその含金のミクロ組織と種々の高温特性が，また，逆に（2）要求佳能を入力することにより最適含金組成が，それぞれ高い精度で計算され出力されるという，従来例のない計算システムである。この討算結果を閉いることによリ，試行鍍誤をほとんど経ずに，より優れた合金が開発できることがすでに実証されている。本発明は欧米に立ち遅れている我が圃の航空機エンジン開発披術の向上に大きく寄与するものと考えられる。　現在，一英園のジェットエンジンメーカーとの共同研究契約及び新技術寮業団を介した国有特許斡旋契約により実用化研究並びに含金開発が進められている。一　5◆特許速報◆●出　願多産　　　1Ijj　　の　　　〆　　　励； 1■lI1触11 洲鰯番号 発　I”　’煮　彩1α一・γマッシブ’変態を利｝・”して糸目．搬㈱御したTi－A1系 5．2．12 05－O垂6040 例1i．1．1欄症ツξ，　負婁谷三韮づミ、　イ亨薦1；萄支＝拷，制渕糊化含物およぴその剰’i．繊肪I1御プロセスによる材料 1’1’1村森彦改質法超電導磁気シールド容淋及びその製造方法 5．2．王2 05－047377子葦亨1・日蓼専二’二，　洲＝」1・二　厨匡、　1狗11．1　秘、，イ也6名1　（ニニニ三づI：金燧竜錫広蓼峯棚…ま、金辛．二・株武金村1’1木計撚製作ア所’との共1青1舳纐〕P梨熱発花材料 5．2．23 05－033玉92 硬則二1・1頭真ツミ，f也3劣1（；朱ヱt金手・llイムラ才オ料・ll，詞多着視的をj’Oτとのづヒ1〒…］■一」■lI1繊）金憾イヒ伶『勿糊㌔f本製巡装搬 5．2．25 05－0593ヱ0 1111谷　　刃』，　f也1劣、　（1・・1垂火銚；多這キ朱｝、金祉との共剛III願）1ほ一」r・糸製111H珊弛…j変迅逃彬デ蔚肴1．測1変峯｛；｛1三5．2．25 05－059388 木本高錐，斎燃鉄微察化物粉体の製造方法 5．2．26 05…06I465lll・1谷　　コ吻、　f直1名1　（1・1垂火銚；勢割米ユ、全ネ・11との共同舳纐）透遭三製電・γ・撒微鍍’’1」臓膜試料のその場作製および襯察 5．3．4 05－0673差1 11幌一一・…一炎，斎藤鍬搬方法並ぴにその装搬・㍉｛…、尊体ヘテロ淋燃のその場作製およぴ、1j1互側方法 5．3－4 05－067368 I…f蟻・・・・…大，不1≡川儒棚1，斎勝鉄哉アルミニニウム嫉粒二r・分微！鷲複制オ’料およぴその製逝方 5．3．10 05－077569宗某騰三盆益ツく，　一鳶≡才矧雌垂～火，　涌∫孫圭身獲李15、法 f也2奈…I（償三友イヒ労＝二r圭慈寺朱箕、金老1二との共剛1II願〕●登　録芽遣　　　1リ］　　o）　　　〆I　　税； 登録11 蔵録番号 発　11月　噺　彩，イットリヤ粒・二r・分微測γヰl1析11II猶1化ニッケル雌i鮒熱 4．12．王4 17168些3 朽毎　ソ‘之，ハ1－1奇＝婆j董，　1」1’1…尺繍りξ，含倫とその製造法 l1．鵬遺火磁性流体の製逃ツゴ法 5．2．I7 呈73ヱ8331・1」1谷　　二I吻，　1’．i才木孝＝ツξ，　イピ1前』’1嫁1リ・’超顯杉11耐熱N12志含企垂段造物とそo）製造方法 5．2．17 173工876 ■一1’1沢徽夫、鰍塚　功、馴＝1’1広史，ノ」、劣芝　　字谷，　榊i　ソこ之，　1．1．．11埼逝ツく他・■∫・ビーム脳射による化含物趨施導線材の製逃法 5．4．8 1748437 ア’fl1＋…・．jド、　負ξ粛…紛閉，土簸」木　　並皇，入江宏遼，太刀川恭治1竃・＝j’・ビーム燃射による超花導化含物の製造法 5．4．8 ｝748440 メ（フ〕川考冬ミ台，負妄禽榊…日月，｝芒il1＋・・・…llに，入江宏定、土荻本　逃非微触微小振動淑1腱鋤董き 5．4．8 17垂8459 ll1脇　嚇，斎藤鉄搬◆短信◆●受　費　ぱね技術研究会論文蟹’環境性能研究榔　金澤　健二，阿部　孝行　　「ぱね鋼の腫1転螂111げ疲労強度に及ぽす介在物の影襟」　により平成4年11月191＝ll，皿」’二記の賞を受けた。科学技術研究功綴者表彰　力学特性研究部　河部　義邦　　「商比強度金属材料の高独度化に閑する研究」により　平成5年4∫ヨ14口，．．ヒ記の賞を受1けた。　創慈工夫功労者表彰　管理部披術課　魚津　良雄　　「漉余粉体ボールミル装置の改良」　鴛：理部技術課営代寛　　「試料表面処理装籏の’考案」機能特性研究部　今井　義雄「短繊維強化金属基複倫材料の繊縦配1旬度評伽ツゴ法の考案」環境惟能研究部　長畠　伸失「水溶液rl’1の走査型トンネル顕微鋭襯察に閥する’考案」により平成5年4月161ヨ，．」」・二記の賞を受けた。第25圓市村学術費・貢献費基礎物性研究部　沼澤　建則，木村　秀夫「静」ヒ型磁気冷凍装厳の開発」によ1）平成5年4Jヨ281ヨ，、．』二記の賞を受けた。第14圓本多記念研究奨励費雛2研究グループ　梅澤　　修「商強度金属材料の極低漱疲労破壊の研究」により平成5年5月I9巨1，上記の賞を受けた。●外国人研究員の受入れ氏　名所　属テーマ期　間氏　名所属テーマ期　問Tahir　lrfan　Khanイギリス・ケンブリッジ大学金属の溶接に及ぽす表面組織の影響平成5年2月7日～平成6年2月6日Bohumir　Strnade1チェコ・オストラバエ業大学軽水炉材料の環境劣化に関する研究平成5年2月1日～平成6年1月31日氏　名所　属テーマ斯　間氏　名所属テーマ期　間Lee　Hae－Moo大韓民国・科学技術院極低温における材料の試験評価技術に関する研究平成5年4月26日～10月22日Kim　Kyong－Jooong大韓民国・科学技術院電子分光を用いた表面分析法の標準化に関する研究平成5年4月26日～6月25日中島科学技術庁長官筑波支所を視察　中島科学技術庁長官は，平成5年4月7日，当研究所筑波支所に来所され，当研究所が行っている最先端研究の成果を中心に，所内を熱心に視察された。【▲セ前田総合研究官（左端）より説明を受ける中島科学技術庁長官（右から3人目）　　　　　　　　　　　　　クリープ受託試験の現況　クリープ受託試験は，昭和42年に制定された「金属材料技術研究所クリープ試験受託規程」（科学技術庁訓令第69号）及ぴ「金属材料技術研究所クリープ試験受託約款」に基づいて，企業等からの委託を受け，中立的な立場で国際金属材料のクリープ試験を実施しています。　昭和42年に開始してから平成4年度まで26年問を経過しましたが，ここでは平成4年度の試験実施状況について幸1蔓告します。　受託試験受理状況は下表に示すとおリで，平成4年度については，件数が35件（前年度からの継統26件，新規9件）試験片数16ヱ本（前年度からの継続本数93本，新規68本），延べ試験時間が665，644時間で，試験片1本当たりの平均試験時間は，クリープ試験が3，871時間，クリープ破断試験が4，514時間です。受託試験受理状況区 分 昭和42～平成3年度 平成4年度 計受理件数（件） 205 5 210クリープ試　験 温度別試験片数　（本）300～600℃601～800℃801～1，000℃ 1．406　204　192 211411 1．427　218　203小　計 1，802 46 1，848受理件数（件） 446 4 450クリープ破断試験 温度別試験片数　（本）300～600℃60卜800℃80卜1，000℃ 3．5701．263　853 　4　414 3．5741．267　867小　計 5，686 22 5，708受理件数（件） 651 9 660合 計試験片 数（本） 7，488 68 7，556組織表（平成・年・月1目現在）所長 新居和嘉科学研究官　　小　口　　　醇管　瑠　部　　　務　材料試繊業務課基礎物性研究部　第1研究室　茸；2乖珊多竈隻養　第3研究室　第4研究索機能特性研究部　第ヱ研究案　箪2研究室　第3研究室　第凄研究室　第5研究室材料設計研究部　第1研究室　第2研究室　第3研究室　茸；4莉派多宅隻ミ反庵制御研究部　第1研究室　箪2研究室　雛3研究蜜　第4研究室組織制御研究部　第王研究室　茸茎2弼r多言…養　第3研究窒　第4研究室　第5研究察　第6研究室計測解析研究部　策1研究室　第2研究室　災3研究室　第4研究室損傷機構研究部　第1研究室　茸享2研干究室　第3研究案　茸蔓4耶珊＝究案牟野昭二郎石於治夫細川一犬松1渕　　洛魚谷賢治小11」一錫吉川明静佐藤充典松本武彦大河内　　輿天野宗葦梶原節夫彼野久興　111・1谷　　功　　　　　功閉1＝l1勲夫田中千秋屡木燧一・1．1，1縣敏鱗腺1独広史　　　秀博古林英一禰沢　　輩藤介　’野敏辛　　　　　也佐藤武非1二1－1顕人江一」．、介挟一1ハ逮郎斎藤鉄哉古簾一一夫巌　　山’1樹’lll1村良雄炎谷川良怖西島　　敏1．1」　ll1秘、二新谷紀雄池閉雄二1二蛸円］千利支所長 岡田雅年力学特牲研究部　第1研究室　第2研究室　第3研究室　舞至4初干ぢ看誉妻表繭界面制御研究部　第玉研究室　辮2研究室　第3研究室　第4乖肝今竜室第1研究グループ　第ヱサブグループ　箪2サブグループ　第3サブグループ　第4サブグループ第2研究グループ　第1サブグループ　策2サブグループ　第3サブグループ　策4サブグループ筒木利行河部義邦　貝沼紀夫　萩原益夫　平　賀　襟二郎　角1ヨl1方衛（併）岡囲雅牟（併）岡阿］雅年　　中村恵吉　　小　　斎藤一・甥戸叶一正　熊粛滞閉　r『脇利錫（併）巾村恵誇自石春樹北脇正拠、永」l1城野1J＝1哲二強磁場ステーション　　　前田　弘　定常磁場ユニ・ソト　　　　　　　　　　廉　変動磁場ユニット　　（併）　前　1＝1・1　　弘　大型磁場ユニット　　　　利　旧1　榊締磁場ユニツト　　　　　木騎．二．　繊楓滞発‘1三冷去1］技術ユニ・ソト　　　　　　　　秋藁境性能研究部　雛工馴＝究窒　第2研究室　雛3禰1：究室　穿至4硯干究室　焚5概究窒第3研究グループ　第1サブグループ　箪2サブグループ　策3サブグループ　箪4サブグループ第4研究グループ　第1サブグループ　第2サブグループ　第3サブグループ第5研究グループ　雛1サブグループ　難2サブグループ　第3サブグループ別研究官　八木晃一　　松岡1三三郎　　金沢惚1’’二（併）八木兇一・　　小三1三俊11月　　太1二1二11喘彦　中村森彦（榊■†1村森彦　　　　　　稔　　1二1・1辺漉彦　吉原一紘（榊吉原一一紘　　大野勝爽　　村松祐治永閨徳雄1…’’コー要；義雄石原臭燃大河内春乃発1［祈科学技術庁金属材料技術研究所（功〔　　戸斤）　『＝153功迂ニオ（嶺1｛■三〕蓋幸IXI／Il’二I去黒2－3一呈2　　　　Tl…＝L（03）3719－227I，FAX（03）3792－3337（筑波支閉　〒305茨城熈つくば飾千現1－2一玉　　　　T1≡lL（0298）5工一63至ユ、FAX（0298）51－4556迦巻雛垂14努繍訂鎚兼発行人1≡l1　堀1j　所　　　　刊互1災5勾三6月多蕎毛τ　　　　松岡　　映株式会社三興印刷束メ（蕎I…奇折f膏■Xi互纈一1言し圷竈1＝H2－1一工8一8