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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第90号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/465d1a22-3751-4ead-a6ed-9a4dd3799a55)

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無機材研ニュース第90号七〇一．ゼEoo一一〇E餉Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo一垣oO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○血眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］○工←第90号 昭和60年2’月炭化チタンの良質単結晶育成　炭化チタン（TiCx）は，融点が高く（最高3，067℃）、高い硬度（2，900kg／1皿・’）をもち，金属的な伝導を示す物質である。最近，タングステンなどの耐熱金属に比べて仕事関数が低く（一3．7eV〕，真空中における残留ガスに対し不活性であることなどから，この単結晶がタングステンに代わる新しい電界放射型陰極材として，注目されている。ここでは、新しく見い出したゾーン・レベリング・フローティング・ゾーン法による、組成均」1生の高い，良質単結晶の育成について述ぺる。　TiCxは，NaC1型の結晶構造をもち，炭素欠陥のみよりなる広い不定比組成領域（o．55＜c／Ti＜o．97〕が存在する。さらに，この欠陥に酸素や窒素が相当量含まれることがある。これらのことが，TiCxの物理的化学的な性質に大きく影響するため，TiCx単結晶の育成には，組成，純度の制御が重要となる。　我々は，高周波誘導加熱によるフローティング・ゾーン法により，TiCx単結晶を育成している。この方法はルツボを使用しないため，高融点物質の単結晶育成に適している。また，高周波加熱であるため試料白身が発熱体となり，3，（〕OO℃以上の高温にも容易に加熱できる。さらに，3，OOO℃近い融液から単結晶を育成するため，ほとんどの不純物は蒸発により精製さオし高純度な単結晶が得られる等の利点をもっている。ここでは，定比組成に近いTiCo．g6単結晶の育成を例にして述べる。　単結品を育成する具体的な手順を簡単に述べる。TiC粉末は比較的高純度で，粒径が数μ閉の市販品を使用した。希望組成の焼結棒を得るために，原料粉末第ユ2研究グループ研究員　大谷　茂樹に所定量の炭素またはTi金属を添加混合し，出発物質とした。冷間型押し及び1t／cm1の静水圧加圧（ラバープレス）を行なうことにより得られる角棒（1×1×20・mりを円柱形に成形後，真空中，1，700℃，約約30分間の燃結を行なった。得られる焼結棒の密度は理論密度の60－80％であった。単結晶育成には，ADL社製高圧型単結晶育成炉（高周波誘導加熱，200KHz，40kW，1OO気圧）を用いた。焼結棒をB　Nホルダーに固定し，5気圧のヘリウム雰囲気下，内径18㎜φ，3巻2段のコイルを使用し、育成速度をO．5㎝／hと・して，融帯移動を行なった。　定比組成に最も近いTiCo．g6の組成均一単結晶を育成する方法を図1に示す。相図よ■〕わかるように，育成中の融帯組成を，TiCo．g6と共存する液相組成（C／Ti＝1．3〕に保たなけオしばならない。このゾーン・レベリング・フローティング・ゾーン法では，融帯形　　　　　At．mic％仁。「b．n　　　〃。、H05え。阯孤㎜　　　。。πも〃一　　　　　　　　　　　　　　　　　　　C’Tiヨ1．32800　TiCTiC＋CO，8　　　　　　　　1，0　　　　　　　　1．2　　　　　　　　1．ム　　Atomio　rot1o　C’TiCry5idC’Ti＝0．96図1　均一組成をもつTiCo．g6単結晶の育成原理図　　　（ゾーン・レベリング法）（1〕成時から液相組成とするために上下の焼締林の問に必要量の黒鉛円盤をはさみ，その部分を溶解することによ■〕，初期融帯を形成した。さらに，TiCのような高融点物質では蒸発による融帯の紺成変化がおこるため，その変化を打ち消すように供給焼結棒の紺成を制御する必要がある。この場含，焼結棒の組成は，予備実験よりc／Ti＝o．99と決めた。育成中の注意すべき．1∴（は，育成原埋からもわかるように，安定に融帯移動を行なうことである。さもなくば，融帯の糾成が変化し，組成の一定な単結晶が得られない。　このようにして育成したTiCo．g6単結品を分析したところ，結晶中に遊離炭素は存企せず、しかも、始端部から終端部にかけての組成が，C／Ti＝o．962，o．959，O．959と，成長方向に一定であった。又，結一冒■棒の径方1f1」の組成均一1生を見るため，中心部と周辺音1；を分析したところ，それぞれ，c／Ti＝o．957，o．964ク）値を得た。これらの結果より得られた結品棒は、1％以内の紺成均」1外をもっていることがわかる。　以ヒ述べてきたように，この方法は，均一紺成をもつ単結晶が育成できるほかに，育成中，融帯紺成が一定なため，育成温度が一定で，j」■1熱電力の制御がほとんど必要なく，安定に結一晶育成が行なえる利一点も持っている。　このようにして育成した結晶枠の外槻を図2にポす。図2As＿grown　TiCo．g6単結晶　　（a）　　　　　　　　　　　　　　（b〕図3　TiCo．g6結晶棒終端部の縦断面a〕と温度分布（b〕　　　固液界面は3，100叩。等温線は100度問隔に記している。（2〕直径約91ηmで，　長さ6（一m租度の結品で凄）る。融帯は左から右へ移動している。結品の表而が滑らかで，高虫帯移動が安定に行なわれたことを示している。　図31a〕に，この結品棒の終端部の縦断而を示す。黒い部分が融帯で，その下が結品の部分である。結晶の中心部は方位のそろった良質単結品であるが，周辺部は方位の異なるグレインより成っている。これは，融帯移動に伴い，各グレインが1酬夜界面の法線方向に成長することと，界面汗多状が周辺部で融帯に対L」凹」糾となっているためである。界而形状は，融帯に文寸して緩やかな凸巧、■！であることが埋想的で，大型の、亘＃結晶を育成するには犬切な困子である。　界■前形状は，径方1凸」の絹．成と温度分布により決まる。止比に述べた紺戒分析の結果は，この」1＝多状が漏」吏分布により決っていることを刀’ミ唆しているが，このことを温度分布の計．算．により確認した。その緒果を図3（b）に示す。両者は非常によい一致を示している。高周波加熱では表面が最も加熱されるが，3，OOO度の表面から州企烈な幅射のため，表而が冷去oされ，界面形状が周辺部で凹仰となっている。そのため，図3（。吻多結品休の皮は，l1嘔射によ■〕表面が冷されるため形成されたことがわかる。他の高融．点化合物の単結晶育成の場含にも，多結品体の皮を形成するものがあるが，こオLは，その物質の融一1∴llにおいて比較的熱伝導の悪い（厳密には，ビオ数（Biot数）の大きい）物質であることをポしている。　界而において’育成された結1早1は，1融帯移動に伴い界面より離オし，急、1敷に淵、度カ｛下カ｛る。この温度の■Fが1〕方が結晶にクラックを生じさせたり，結晶性に影響を与えている。そのため，育成速度を低く，ヘリウム雰囲気圧を’ドげることが，サブグレィンの少ない良質単結1県■を育成するのに効果的であった。育成速度が高ければ，2～3・・のグレインよりなる多結1冒1体となる。又，ヘリウム雰囲気の効果については，図4に5気圧と3（〕気圧の’下で育成された結一慕1の断而とへき1凋而を示す．明らかに，低圧で育成された結晶の質が上がっている。このように，育成速度やへi」ウム雰囲気圧を下げることは，育成時の放電や激しい蒸発などのため育成を困難にするが，トラブルの生じない範囲において，最も低い’育成速度（O．5㎝／h〕と，へりウム券1珊気圧下（5気圧）で、TiC単結晶の育成を行なっている。　このように目的紺成をもつ大型の良質単結晶が育成されるようになり，炭化物の表而や電子■放射特性に関する研究、がはじめて可能となり，現朴，活発に研究が行なわれている。1’’∴：1’1丁’’II’■†　　rl一・†…凸一・叶　　　　　　’「一’■一　　　　　」一一÷…令・一’’才」二　　（aj　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　lb〕図4　ヘリウム雰囲気5気圧／a〕と30気田b）で育成された結晶の断面とへき開面。（3〕特　　許非酸化物粉末の合成装置発［リヨ者公　止登オ（，1島　　二）命昭側58年第O0829！一琴・特許細ユ84070号　　概要　本発，一州ま，1窒化珪’索，シリコンイミド，炭化珪索，窒化棚素、窒化アルミニウム等の非酸化物粉末の含成法に適する気棚合成装置にi裟1するものである。　従来，この徽の含成装滋は，大男1」して外熱式気棚含成妻毫置と内葬央式とがあるが，外熱式は炉心衡に，　800～玉，900℃に耐える鮒熱物質て、　しかも含成原料ガスと1災応しないものが必婆なため，炉心鷲が総価で消徴が激しいという欠一1、迂のみならず，炉心雛に反応生成物が被覆され，収鍛が減ずる等間魑一1匁が多く，また内熱式においても，災応生成物を内部に設けられた力1］熱体の．．」．1二二郡で生成するが，炉内でのガスの馴胤郁が広くとれず，剤胤ガスの接触繭積が小さいため，J災応妓成物の収率が悪く，また，ガスが高溜、度と接触する1絆脈ガス流鐙て’しか制御できな・い欠．［叙がある。　本発閉は，内熱式気梱含成・装｛匿モを，反応生成判勿の到…酸化袈I三粉末を高川又率に得、　また原料ガスの含成反応1時閲も容易に制御し得るようにするため，力11熱’プサ法を金維j状ヒーターから線；1犬ヒーターにして反応ガスの艦触櫛積を敬めて大とし，かつ反応ガスの遜過も容易とし、焚にこれらのヒーターを1数段に設けることにより反庵帯域を広くし，かつ反応収率を非常に大きくすることができる。また反応徽鐵の鵬の調整と反応ガスの供給流遠とを調整することによって、撤適反旛条件に余致させることが容易にできる等優れた効一果を奏する合成装澱を提供するものである。！：ガス導入藷1三3：ベルジヤー51’7：奥空装概接統管9：・粉末採取滞u：冷却水人1二1！3：排舳二1！5：’5…㌔　2：シャワー　4：熱しゃへい板　6：ヒーター　8：　1O1　12：冷却水舳二1　14：シール郷・　161狐板／14一14／161215／8一！4lOll＼　　＼13／7窒化けい素焼結体の製造法発明者公　告登褒谷川　安利，木．脇　弐倫昭和58年第O09788号特許第1！84076号　　慨要　本発明は，窒化けい素焼結体の製造法に関するものである。　従来、窒化けい素焼緒体は，窒化けい素養1身では焼結しないため，焼緕助剤を適嵐漉合し，これを焼緕することによって製造しているが，この方法によると，焼結肋剤のため，j・1乏桐としてではなく，素粒界預」百にガラス桐’又は締緑棚が享現れ，焼繍体の性状が二欝しく劣化されるという欠一1虹カ｛あった。　本発日月によると，窒化けい素粉末と，ポリシンとしては，Si原二r・20以、1二の水素化含物またはSi原予を含むイミド考ヒ含与勿，　もしくは両考ヒ｛料勿との漉含牛勿（漉合翻含は窒化けい索粉末99．9－50璽簸％に対し，ポりシレン……三たはSi原索を含むイミド化合キ勿0、ユ～50璽鐙％）を加圧成形し、窒素，アンモニアまたはそれらの漉含物ガス，もしくはN2＋H2の雰囲気で焼総す（4）るものである。　本発舳こよると，ガラス村はたは締縞梱は全く存夜せず，金てが均一一な級織をもった窒化けい繁焼結体となる。また，高密度窒化けい素焼結体を得る一般自勺な方法である加圧焼緒体も梢洲では必要とせず，高密度成形体が容易に得られ，従来のものより剤壺度であリ、しかも高榊寺における独度低下が極めて少い優れた特性を有する窒化けい葉焼緕体の製造法を携供する。炭化ジルコニウムの結晶体の製造法発嘩ヨ煮公　此登大谷　茂1封、醐中1榊口58年雛012239号特喬午剃ユ84玉07号　　概婆　本搬喋1は，雌総［完iの始端菩1三および終端郁においても均一な組成を有する炭化ジルコニウム単緒■嚢1の製造法に幽するものである。　従来，炭化ジルコニウムZrCxの結晶は，フラックス法，気榊法，ベルヌーイ法なと牝よって製造されているが，ZrCxには非常に広い不定比領’域（O．6＜κ＜！）が存孜するため，従来のFZ法によって育成された締≡界1は，FZ法の瞭理から，緒織棒の長さ方節1の綱成に■変化を起こし，・賛さ’カ胸の紺成が均一な絡黒1を得ることができなかった。そのため，フィールドエミッター材として活馬するのに，一番良好な組成を→’眺1することができなく，フィールドエミッター：オとして実11月するに至っていない。　本発■’鳴は，FZ法で’媛さツテ1チ1」の紺成の均一・な炭化ジルコニウム単緒1饗！を製造する方法であり，フィールドエミッター材として利用しうる炭化ジルコニウム蝉、繍総を製造する方法である。　本発i羽によオしば，供給舌本ロッドの納成を，イ等ようとする炭化ジルコニウム結1繋1の硬11梱成分に溶融1時に鰍体から然発するZl・またはCの成分を加えたものとし，かつ融体普11に，得ようとする炭化ジルコニウム絡岳毒1の1董1棚成分と共存する液榊成分からなる融体を形成させて竹うようにすることによって，従来の欠一蚊を解決するものであ■），これによi）奥質な結縞を持つ炭化ジルコニウムの製造方法を提供するものである。oooooo5　　5ooo！ooo4（。c）300020001000ヒユ：シャフト3二壬共糸合燭邑綿言イ本二ロツド5：掃虫j芋袴　　　　　　　　　第1図2　：ホルダー4　：ZrC結I鵜ヰ奉6：RFコイル　　　o，5　　　　　一．0　　　　　1．5　　　　　　　（c／zr）A：液欄毒泉　　　B：蘭棚線C：共簿虫一牧第2図ホーランダイト型構造のチタン酸アルカリ金属単結晶の製造法多きl1リヨ老’公　告登　録藤木　良規，渡辺　連，小里畑　義人I！召不口58勾三舞舌012236努牢吉…喬午努；1］一84ユ05■学　　概要　本発■喝は，陽イオンの移動機構が，一次元自勺である特異なトンネル繊遺を有するホーランダイト型のチタン酸金属の大理単繍1祭1をフラックス法で製造す（5）る方法に関するものである。　従来，陽イオン導電体としても代表的な化合物はべ一タアルミナがあり，一部試験的に実用化されているが，イ才ンの移動が臓内を移動する二次元的なものである、1叙で間魑一1匁があった。　これに対し，ホーランダイト搬チタン酸アルカり金属は，Ti06の八廊体がつくるトンネル構造の1・Fをイオンが移動する一次元的な移動特悩1を有するものであり，この特／彗三からみて，単結…黒ヨの製造が期待されながらも，いまだその’製法が開発されていなかった。　本発［凋は，高性能の固体電解質材料，またアルカり金属イオンのイオンセンサーとして優れた特性を有す・る大聾I！のホーランダイト誓呈チタン駿アルカリ金属の単結晶を製造する’方法を提供するにある。たとえば，一般式AxByTi20王6，で水されるチタン駿アルカリ金鳳フラックスとして，一般式A2Mo04・nMo03で水されるタングステン酸アルカリ金属とをモル％で，10：90～50：50の籍1」含で漉含し，該漉含物を800℃～1，500℃で溶融した溶融体から繍晶祷成するときに，ホーランダイト獺構造を有するチタン酸アルカ1」金属の大！票蝉結≡黒Iを得るなどである。　本獅㎎のツテ法によると，イオン半径の異なる2櫛類以上の多成分のアルカー」金属が贋1溶したホーランダイト獺チタン酸アルカリ金属の大！葦蝉系舗1Iも得られる。外部発表※　q　　　　霜題　　　　　　　　昌 発　　表　　者 学　・脇会等 発表蓬1低遼イオン散乱分光 祷鮒　正和 正乱メ、一子一皿 9月4日セラミックス単緒晶の育成 木村　茂行 新技術1事詞発懇言炎会 9月5日Va1ence－band　Photoemiss三〇n　Sate11三芝es　in 藤森　　淳 DEST軌適放射光施 9月6日Ce醐d　Ni　Compo臼nds 設ファインセラミーソクスの現況と概米駿望 一長谷川安利 三菱’．璽工㈱広．■勢研究 9月7日（その1） 所MgOの■粉末特性と焼結性 松日11仰一 E1本学術振。興会 9月7臼機能性セラミックスの材料・設計 自1誇　儒一 工薬経済研究所セミ 9削2日ナー電予放射材料について 大島　、悠平 先端披術開発と産」薬 9削3臼政策多孔質ガラスを申心とした機能性ガラス材料 牧脇　亮男 SPG応月目技術研究会 9肋8日特別熾滅会TaC（玉00〕の表廊フ才ノン 大脇　　忠平・左有串龍太郎 ヨ本学術振．興会 9月28臼大谷　茂樹・脅野　正和石沢　芳夫Al－A1203－Ag素二rのフォーミング・過程におけ 閉申　耕二・粟城　真也 電了・適僧学会 9月29日る酸素分圧の影饗 松本　伍良銀薄膜の感、湿惟スイッチング現象における伝 田吋＝I耕二・粟城　輿也 電子遭信学会 9月29臼螂各の再生機構 松本　伍良BaFeシンチレーターを用いた陽’電子消滅実験 赤羽　隆史・…下葉　利信 日本物理学会 1O月2臼CoO畔1の陽電子消滅：〔4：1〕一1匁欠脇クラス 『二妻萎　季1」イ言・説…ヨ司　1塗史 a本物理学会 1O月2ヨターまわりの陽電予シリカ・エアロジェル印の陽電子消滅 張　　　’犬イ果・予一劣薯　利イ奮 日■本物理学金 玉0月2臼赤羽　隆史・兵頭　俊夫柿元　　満低エネルギーHe斗イオンと表繭の電荷交換 左有囲龍太郎・脅野　ユ］三和 日本物理学会 1O月2日大脇　　忠平・大谷　　フ災猫寸石沢　芳夫低エネルキ’一希ガスイオンの表櫛における弓・ 左有蘭龍太郎・青聖予　正和 ξ1本物理学会 10月2日性化機構 大島　一忠平・大谷　茂樹石沢　芳夫ホランダイト型幟造をもつ一次允起イ方ン導 小野蘭義人・渡辺　　連 臼本物理学会 ユ0月2日電体のNMR（W） 藤木　奥槻・背門　進三ヲ（鋤一　　一惣、・谷ロ　　ー劇三（6）題　　　　　　　　目 発　　表　　老 学　・協会等 発表日Li．V．O。の磁気共鳴 内田　吉茂・小野田義人 B本物理学会 1O月2ヨ山本　日習二・長沢　　博X線およびTOF申性子固折図形のRietveld 泉　富士夫 日本鉱物学会 ｝0月2臼解析 日本鉱山地質学会日本岩石鉱物鉱床学会NaN02のSA棚の変位変調波 山本　昭二 巳本物理学会 工O月2臼LuFe204とLu2Fe307の磁化の緩和 飯蘭　潤三・広書　秀書 日本物理学会 ／0月2日刺■1康昭・君塚　　昇自烏　紀一馴犬六方晶BNの層間結含とラマン散就 葛葉　　隆・新井　敏弘 臼本物理学会 10月2ヨ佐藤　忠夫・江良　　暗石井敏彦マグネタイト低温梱の構造（I〕 木村　茂行・自，爵　紀一 日本物理学会 lO月2B佐藤昭一・東堂栄マグネタイトの光電子分光 木村　茂行・南鳥　紀一 臼本物理学会 1O月2日管　　滋正・谷口　雅樹曽蘭一雄・棚瀬輩プリデライト単結晶の含成 藤木　良規・竹之内　智 三鉱学会 lO月3日工藤　幸嗣・渡辺　　連小野肥義人・吉門　進三大鉢　　忠アルカリイオンを用いるIC玉SS 脅野　正和・左右固龍太郎 B本物理学会 1O月3日大島　忠平・石沢　芳夫放射光を用いた高圧下の自色X線回折 下村　　理 日本物理学会 10月3ヨ微視的光学表繭フォノン 大島　忠平・左宥蘭龍太郎 日本物理学会 工O月3B大谷　茂樹・青野　正和石沢　芳夫ダイアモンド薄膜およびその基盤のセクショ 中沢　弘基・挾茂　睦和 三鉱学会 工O月3日ントボグラフ 凹賀井篤平励起検出法によるCdSeのホット・キャリアー 南　不二雄・江良　　暗 日本物理学会 ユO月4Bの緩和遇程の研究400kV商分解能分析電子顕微鏡の応用II： 板東　義雄・松井　良夫 日本物理学会 1O月遵日EDSとEELS観察 上村揚一郎・及111哲夫本蘭　敏和・鈴木　清二原田　嘉嬰400kV分析電子鑛微鏡の応用I：高分解能観察 板東　義雄・猪股　吉三 日本物理学会 玉O月4日松井　良夫・北毘　喜三本蘭　敏和・井部　克彦原田　嘉倭高分角翠能電予顕微鏡によるキャラクタリゼー 堀内　繁雄 ファインセラミック 1O月填臼ション ス評価技術セミナーセラミックスの強度はどこまで上るか 三友　　譲 窯薬協会 ユO月雀日YB4のドハース・ファンアルフェン効果（II…） 田申　高穂・石沢　芳夫 臼本物理学会 ユO月5日単分散シりカ微粒子の合成とその性質 下平高次郎 日本化学会他 ユ0月6日高分解能電子顕微鏡によるセラミックスの粒 板東　義雄・守音　佑介 格子欠脇会議 10月7ヨ界構造の解析セラミックスの粒界 守吉　偽介 日本物理学会 1O月7Bチタン申の燦安定f，c，t．水素化物の析出 泉　篤士夫・浅野　　雛 日本金属学会 10月9日村臼ヨ秀明・佐藤　節男渡辺　　昇・高書　昇一箸佐　浩寛Pre…〕aration　of　Single　Crystals　of　YB66 蘭申　高穂・大谷　茂樹 ホウ素，ホウ化物， 10月9日石沢　芳夫 炭化物，窒化物と関連化含伽こ関する圃際シンポジウム（7）魑 團 発　　一表 者 学　　脇会等 発表日高エネルギー研パルス申性子源を利用した商 泉 浅野 日本金属学会 玉閉10ヨ分解能粉末中性子固折装置 村田 秀11凋・佐藤 節努渡一辺 昇・同醐 昇一岩俊 法’莞ファインセラ三ツクスにおける粒界間魑 1豊洛 情一 E1卒金属学会 1O削（〕日’轡塚 昇・高山 英治 人工鉱物工学会 ユO削1日毛利 尚彦ランタンアルミネートの雌緕晶育成 竹」ll 俊二・井伊 仰夫 人工鉱物工学会 ！0削1日木村 茂行綴＝換允索を含むGさ3Sc2Ga30至2単緒晶の育成 木村 茂行・’」… 鐙健 人工鉱物工学会 ！0削1日FZ法によるYB66単緒品育成（II） EB中 高穂・大谷 茂樹 人工、鉱物工学会 玉O月1王El石沢 芳夫FZ法による不定比組成をもつTiCx単緒1擢1の 大谷 〕災樹・凶中 人工鉱物二［二学会 10♪ヨu日育成 符沢 芳夫ゼ才ライト獺似無機化合物の展闘 遼藤 、悠 触媒学会 ユO削蝸炭化物の光学表繭フォノン 一忠平・左有蘭龍太螂 応用物理学会 1O舳3日大谷 正利石沢 芳夫パソコンを用いたCZ法によるGSGG単結晶 富沢 翰人・森 泰遭 応翔物理箏会 10月141ヨの白動育成 本間 茂・木村 茂行川．．．．．1二博気非目合成ダイヤモンド申の不純物 加茂 睦和・佐藤洋一郎 応用物理学会 玉O月14El七入本 尚義HZr2（P04）3のアドミッタンス特性と構造変化 太［日 岡村竃二1．二夫 日本応用物理学会 1閉1蝸広田 和士・小野 晃マイクロ波放電プラズマ法によるダイヤモン 力11茂 駿秘1・佐藤洋一郎 商分二戸学会 10月25日ドの含成 瀬商 儀徽LiエV205の磁気共嶋 沐咽 書茂・室江］’ 英治 1董1体イオニクス・ガ IO月25臼小野田義人・加藤 ’党夫 ルバニ電池研究会・長沢 博圃体電解質の高分解能電子顕微鏡観察 堀内 繁雄 酬本イオニクス・ガ 玉O舳5日ルバニ電池研究会HZr2（P04）3及ぴ関連化合物の複素誘電特恢 太1丑1 小野 ・鎚 ［黄1体イオニクス・ガ ！閉26日広凹 凧吐・間村竃士夫 ルバニ電池研究会一次允イオン導電体プリデライト単結一．留1の含 藤木 良槻・竹之内 ［董1体イオニクス・ガ 1O肋6ヨ成 工藤 幸嗣司・渡辺 趨 ルバニ電池研究会小堅畑義人・部『 遮三大鉢一■怒ホランダイト番裂構造をもつ一次允趨イオン導 小里佃義人 渡辺 連 遡体イオニクス・ガ 10声ヨ26日電体のNMR（1l1） 藤木 良槻 音門 進三 ルバニ電池研究会大鉢 一忠 谷口 一郷行列法による散漫散乱強度計算の言式み一β’」ア 小里個みつ子 蘭体イオニクス・ガ 10月26日ルミナ中のアルカりイオンの短範囲規幽配列 ルバニ電池研究会合成プリデライト印のアルカリイオンの分術 渡辺 連 藤木 良槻 馴本イ才ニクス・ガ I閉26日金沢 康夫 月村 勝宏 ルバニ篭池研究会Recent　Progress　in　Ana王yt…cal　Electron 板凍 義雄 1嵩蝿窯薬脇会 玉O月26臼M1croscope　and　its　Application　to　MaterialScienceApphcation　of　Atomic　Reso1ution　E1ectζon 堀内 繁雄 米国窯薬’協会 1岬29日Microscopy　to　Ceramlc　Materials一叢圧型イオン銃 畑野 東一 E1本真空脇会 ！0舳！日アパタイトの含成と化学佼 門閥 英毅 触媒学会 n月！臼単分散球状微粒子生成の条件に関する考察 下平高次郎 日本学術振輿会 1ユJヨ1日薄膜ダイヤモンドおよびその基盤ダイヤモン 申沢 弘基・加茂 睦刷 フォトンファクトリ 1閉王冒ドのセクショントポグラフ 1珊迂井篤平 一シンポジウム（8）魑　　　　　　　　目 発　　表　　者 学　・協会等 発表日放射光を利用した高圧下のX線回折 下村　　理 フォトンファクトり 玉1月玉日一シンポジウム非晶質アルミナ皮膜の微細繊造と制御 和田　艦二 ARS研究分科会 王閉1El○xygen　Self－diffusi0B　in　Single　aηd 羽旺ヨ　　蟻・山村　　博 Americ藪n　Ceram1c ユ閉2臼P〇三ycrys芝alline　Zinc　Feぎrites 坂内　英典・渡辺　昭男 Society自擦　信一Structu…1e－Property　Re茎a定io貝ships　for 自幾・　イ書一・荒づ辛　克彦 U．S、りapanセミナー 11月4日Dje1ectrics　and　Semiconducをor　ofPerovsl｛ite　Type商淵、X線臓折法による商猟材料の評個 井上善三郎 窯業’脇会 u月6ヨ趨曹波掻頁税雌蒐によるS主C頭菱化膜の塞現察 長谷j1峻利・広B三1和士 窯薬協会 11月6B山中　一冒コ・津谷　裕子α一サイアロンの熱的・機械的惟質 三友　　護・水野　賢一 窯薬脇会 ／ユ月6ヨRecent　Topics　in　Cera㎜三cs　Study　in　Japan 自諸　繕一 アメー」カセラミック 11月8日脇会Structure－Property　Relat曼onships　for 自鵠信一 ペンシルベニヤ州立 ユ！削2嚢1Perovskite　Funct1onal　Ceramics 大学M費Lセミナーゾルーゲル法による蒲飽コーティング膜 牧鳥　亮男・久保　　雛 窯薬脇会ガラス部会 玉1月／2日和田　健二・下平高次郎モンモりロナイト・ローダミン包摂体め構造 即～べ　　躯、2悲・i童宮装　　　一忠 臼本結晶学会 lI月13日南　不二雄ノ｛ノレ又印性一二r・源雌緒属働羽〒喬十による病吉晶ヰ鵜造 川［臼　　功・磯部　光正 臼本緒編学会 1ユ別3臼解析（I） 閥村竃土夫・大隅　」政渡辺　秀弘・堀内　弓！、之パソコンを用いたSiC積鰯構造の誘導方法 井上善三郎・倉地　育夫 臼本繍晶学会 lI月13日TiS】．6＿ユ2R申のT1の短範囲規劃1」配列一行列法による散漫散乱強度喬辛算の試み 小聖拙ヨみつ子・佐伯　畿竃 日本結晶学会 11月13BKENS一日RPによる粉末中性子回折データの 泉　寓士夫・浅野　　簸 日本結I票ヨ学会 n月13日収集とRietveld解析 村田　秀明・佐藤　節男言度辺　　　　・錦・・當＝春　　男・一岩佐　浩’党粉末デフラクトメータ法による反射強度の吸 一雪墾千　　　イ鐘・孝＝墾r　良享祷 日本結晶学会 1玉月ユ4日収効果高平行性X線束のための逆円錘体X線導管の 野1崎　浩司・中沢　弘基 日本結晶学会 11月玉4日利用SiC，9Rタイプの2，OOO℃における梱転移につ 井上鞍三郎 日本結熟学会 ユ玉月15ヨいて3つの巽った禦のトリジマイトの共存とその 貫井　昭彦・O．W．F16rke 日本緒最学会 1ユ月15日様式パルス申性子源単緒晶酬斤計による結晶構造 磯都　光正・」1旧　　功 ヨ本結晶学会 11削3日解析（工互） 1嗣村竃皿土夫・大隅　一政渡辺　’秀班、・堀内　弓！、之無滴衰結晶による構造解析（I至）多結晶 泉　竃土夫 文部省総合研究集会 11月ユ6B分析電子轟畷微鏡によるファインセラミックス 板東　義雄 名古屋工薬披術’1協会 1玉削6日のキャラクタリゼーションアルカリチタン酸塩の熱化学 三橘　武文・藤木　良槻 ヨ本熱溜1j定学会 11削6日キンザリン分二戸の光化学ホールバーニングと 牧脇亮男・谷　俊朗 電気学会 11削6日その媒質効果 伊’東　守一・安西　弘行守谷　哲郎構造材料用ファインセラミックス 三笈　　言襲 臼本能率学金 u月20日セラミックセンサ 山村　　’樽一 資源調査所 u月27日6－8アンビルの圧力発生 背本次一郎 高圧討論会 川弓28日ペントランダイト（Fe，Ni）gS君における結晶内 月村　到券宏・申沢　弓！、妊 商1圧討論金 n月29日陽イオン分布の温度圧力変化 橘長　　脩（9〕魑　　　　　　　　嚢1 発　　表　　・荷 学　・脇会等 発表El線掩式30，OOOトンプレスフレームの製作 山澗　　イ書ξツミ・音轟撲三　　｛1蕎 高圧討論会 1！月29曇1ヲ（～，く　｛麦一・神1臼11　ク㌧‘k劾…κ〒　　　’鍍・一三蔓揺当　　　1竣亨手」l1　漂1書莚・喬…1」産若　劣ミ穏；B1－B2才1，l　i痘三圷多の葬象プγ…挙＝とオ蕎二r1プコ｛亨＝ 剛11二　敏 1川29臼ダイヤモンドー一金属系の焼縞に及ぽす圧カ効 笏…不予　　　3菱モ・山渕　　｛姦ツそ 高圧1；寸I諭会 1閉30日果 ヲ（手八　　｛変一・干籔一賢　　　都誇ダィヤモンドー金構系の焼総挙動について 笏’…イ亨　　　3…モ・佃1i≡書］　　ク㌧三k 絡1圧討総会 ！1j三ヨ30El大沢俊一・稲帳　　f1蕎反応焼縞法によるcBN焼縞イ本の作…製 赤石　　焚・遼藤　　一惚、 玉1j1ヨ30Elイ左鵤妄　、，当、づミ・蕎嘉童董≡　　　f1蕎大巧皇装蹴によるダイヤモンド単締編の育成 紳蘭ヨ久企・赤石　策 薦旺蕎寸論会 ユ1」ヨ301ヨ（I玉〕 i童頂嬢　　　、I聖、・・王蔓縞　　　1淡ヲ（手尺　　f変］・1．」」1箭］　イ書づミ禰一蔓　　傭10■｝oPaの至，腱．奥空度をもつ強電弊電子放射 大．魁　一■悠平 趨奥箏披榊汗究’委長111 12／■11iヨ潰1淀裟i董ξの誠作 会無機材質の設計と結胤概造データ ㈱村玉≡諒・l1二炎 理化学研究所 玉2｝1ヨ5El非燃質アルミナ皮膜の交流電解析舳葺歩におけ 剰．1［正1健二・下平高i次螂 日本表櫛科学会 ｝2」ヨ68るバりヤー糧の挙動 長山　五∫≡ヨThe　Adsorpt1on　of　Alkal1ne　Ear汰Metal ノ」、杉ミ　　　i憂・〕燦オ（　　圭延，塊 アメり力化学金 12月2ユ1ヨIo昼s　on　Layered　Hyd茎’oリs　Tiをaniu玉つ］　O…oxide f左々木高1義at298to353KStructu11al　Interpretat1on　of　Po室assium　Ion 佐々木高義・渡辺　　連 アメリカ化学会 玉2芦121日Excha汽ge　Process　on　1二ayeτed　Hydrous 小松　　優・・藤木奥槻Tjtaηk】m　DioxldeThe　Vsefu1ness　of　Higher　Voltage 板東　義雄・松井　良夫 アリゾナ州立大学 1〕ヨ7BAnalyt1cal　Electron　Microscope 1ニヰ寸手易一圭幸1｛・フ隻川　　彰τラミ鉛木　満二・本圧1敏香1．1原111］礁嬰Applicatlons　of　a400kV　high　Reso〕ution 板東　義雄・松井　奥災 アリゾナ州立大箏 ！1■17董1An刮1ytical　E1ectron　MicroscoPe 鵜股　背三三・北見　籍三井郁兜彦・村正1敏和原臼1！燕擾レーザーラマンによるチタン酸鉛ヨ1≡■、吾…1体の緒 高僑紘一郎・石梓紀彦 窯1薬1協会 1芦128日一擢1化過稚 不1コ1王i　染芦王雅・一撃…．里予　　　催圭ピ＝］1努　　｛蓄一・推ト川　　一一茗捧充枚陛に及ぽす粒刊『多状のlj杉襟 松［日仲一・池」r．二1隆康 窯薬脇金 1」≡128麦1アルカリニ1二獺添加の希二i．二獺アルミノケイ駿塩 等丈脇　　孝善男・ク㌧伐ミ　　　ξ賑 窯薬協会 1」三」28ヨガラス予ヒと性質 下平商次郎S102またはA120：ヨを添加したMgO焼緒体の粒 松11臼仰一一・羽日ヨ　圭籏・ 窯’薬脇会 〕11281ヨ成優 池．．．ヒ　脇康ZnOのSHIP焼緒 守背依介・池、．．1二隆康 窯薬脇会 〕1ヨ28El’松11E1仰一・渡辺i洲弱1＝…1熔　信一チタン酸バー」ウムのホットプレス 1⊥1ヰ寸　　　’1堆・勇ヨ［王1　　　ξ挺 窯装脇会 ！｝1129日～慶主型　　1洲男・Eヨ1緒　　f書一ペロブスカイト（BaTi03，SrT103）の械造と特 1ξ熔　｛蕎」 窯薬協金 ！」司29El料1関係窒化1’ナい素系粉末の含成 三友　　護・剖1鞄　馴舎 窯薬1協会 1J≡129臼峯＝手松　災之窒化ケィ素の焼繍挙動 三孜　　■護・水鮒　賢一 窯薬脇会 1月29B（Ba，Pb）（Zr，Ti）031董1溶休の含成と紺、成変動 薦王布霜糸広一貝1…・1圭1暑辛　停葦一 窯薬脇会 〕弓291ヨ推ト」ll　一さ拝・二毛耳1」　幸屯一背木　宏義（10）題　　　　　　　　目TiCx単結晶の炭素欠陥による電気抵抗・発　　表　　者大谷石沢茂樹・田中芳夫’高穂学　　協会等窯’薬協会発表者1月29日研　　究　　会 来 訪　ユO月24日　第4回1駿化ビスマス研究会が「酸化ビスマス系酸素イオン導伝体」の議題で開催された。　1O月3日後藤田正晴総務庁長官，川il　lO日竹内黎一科学技術庁長官が，また，12月ユ7日には内藤健科学技術政務次官の訪問があった。　10月26日　第31回ガラス状態研究会か’「セラミックス合成法におけるゾルーゲル法の応用に’ついて」の議題で開催された。　10月27日　第14回チタン酸塩研究会が「プリデライトイオン導電体の研究の進捗状況」の議題で開催された。　ユ1月5日　第8回炭化けい素研究会が「分析電子顕微鏡によるAl－SiC系セラミックスの微構造解析」の議題で開催された。　11月12日　第9回炭化けい素研究会が「サィアロンと関連する窒化物セラミックス」の議題で開催された。　I1月13日　第33回高圧力研究会が「ダイヤモンド，cBN工具の高温特性について」の議題で開催された。　11月2ユ日　第38回結晶成長研究会が「融液からの結晶成長における成長のKineticsとmorphology」の議題で開催された。　12月ユ4日　第3回高融点化合物研究会が「Ti（C，N）固溶体の合成と物性」の議題で開催された。　ユ2月20日　第33回焼緒研究会が「韓国のセラミックス研究開発状況」の議題で開催された。　1月1ユ日　第34回高圧力研究会が「高圧未知構」造の解法」の議題で開催された。↑プラズマCVD法によるダイヤモンドを観察する後藤田総務庁長官外国人の来所↓無機材質研究の説明竹内科学技術庁長官（上列左）と所長（下列右）　下記の外国人の研究所の訪問があった。1O月5日　Ms．Wies1awa　Ratajskaポーランドワルシ　　　　　　ヤワ大学10月9日10月16日ユO月22日10月29日11月1日Dr．J．R．Wright他米固国立標準局（NBS）Dr．Rey　M㏄lure米国ローレンスリバモア研究所ナロン・パタナ他タイ国技術移転センターSun　Yu－Yan中国科学院上海佳1駿塩研究所石・春1⊥1他中国一長春応用化学研究所（11）ユユ月2日11月7日11月8日11月ユ4日11月14日11月19日11月28日11月29日12月3日12月4日ユ2月4日12月7日ユ2月7日ユ月16日Dr．K．J．D．MackenzieニュージーランドChemistry　Piv、，DSIR許順生他中国科学院上海冶金研究所Dr．Mapherson他オーストラリアモナハ大学A，R，C．Westwood米国オークリッジ国立研究所Yoo　Chong　Yo1他韓国中小企業振興公団馬世泉他中国外務省科学技術委員会Tze－jer　Chuang米国産業省標準局Lu．他台湾工業技術院工業材料研究所李榮録他韓国浦項総合製鉄㈱東京事務所長王得明　中国有色金属研究院李鍾敏他韓国国立工業試験院Mrs．J．C．Mcclosky他日加科学技術協議スタデイツアー楊　凌他中国国家科学技術委員会Dr．Rumbu1e，Jr．米国産業省標準局（NBS）セラミックス学会」に■出席のため，米国へ昭和59年10月26日から昭和59年n月5日まで出張した。　第ユ研究グループ総合研究官白＃信一は，　「第2回誘電体・圧電体に関する合衆国一日本セミナー」に出席のため，米国へ昭和59年I1月3日から昭和59年11月ユ8日まで出張した。　第ユ2研究グループ主任研究官青野正和は，　「第21回米国真空学会」に出席のため，米国へ昭和59年12月2日から昭和59年12月ユ3日まで出張した。　第！研究グループ総合研究官白嵜信一は，　「ニューセラミックスの研究と開発の問題点他」についての講演のため，大韓民国へ昭和59年王2月9日から昭和59年12月18日まで出張した。　第3研究グループ主任研究官板東義雄は，　「日米科学技術協力のための調査」のため，米国へ昭和60年ユ月6日から昭和60年1月16日まで出張した。　第12研究グループ主任研究官大島忠平は，　「炭化物の表面格子振動の研究」のため，ベルギー土国へ昭和60年1月10日から昭和60年4月9日までの予定で出張した。海外出張 研究所の一般公開について　第11研究グループ研究員室町英治は，　「遷移金属酸化物，遷移金属ケイ酸塩の熱化学に関する研究」のため，米国アリゾナ州立大学へ昭和59年10月1日から昭和60年9月30日までの予定で出張した。　第12研究グループ主任研究官田中高穂は，　「第8回ホウ素・ホウ化物，炭化物，窒化物と関連する化合物に関する国際シンポジウム」に出席のため，ソビエト連邦へ昭和59年10月6日から昭和59年10月ユ4日まで出張した。　第4研究グループ主任研究官堀内繁雄は，　「第7回米国セラミックス学会フルラス賞授賞並びに米国　本年の科学技術週問は，4月15日から4月2ユ日まで開催されます。　当研究所では，4月18日（木）に所内一般公開及び講演会を下記により予定しておリます。一般公開も講演会も参加無料です。是非ご参加下さい。日時行事　　　　　　　記昭和60年4月18日（木）14：OO－15：OO　講演「ダイヤモンドの話」15：OO～ユ5：30　映画ユO：OO－16：OO　一般公開受　　　賞表彰者名堀内繁雄表　彰　名米国窯業協会フルラス賞表　　彰　　の　　内　　容セラミック材料の原了直視電子顕微鏡法に関する研究表彰年月日昭和59年IO月29日’l　rll」f1’ ll　　　rlr－1；二11川1午1j」」」ll　　．、川…「　　　，’1lll．1l■1■1　　　一＝㌧。；■「r　l1l！川1－rl－1｛1lrl（12〕