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[NIRIMNews0110.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/943b462a-e4c6-4869-a59c-2a1a15a1e094/download)

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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第110号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/e85e7f24-df45-4f70-a603-ea599ae3469a)

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無機材研ニュース第110号七〇一．ゼEoo．一0E蜆E0－oo］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10〕’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←．、10万 昭口 3年立方晶窒化ほう素P　n接合による紫外発光ダイオード　立方晶窒化ほう素（cBN）のpn接合が紫外光を出す発光ダイオード（LightEmittingDiode：LED）として働くことを確認した〔文献1〕。確認の内容、背景、意味、展望と我々の対応を記すことにする。このニュース102号に「立方晶窒化ほう素結晶の育成」〔2〕が、108号に「立方晶窒化ほう素pn接合ダイオードの超高圧下での作製と高温特性」〔3〕が、共に三島によって報告されている。特に後者で報告されている様にpn接合が出来たとなればLEDほか様々な素子が期待出来る。それで早速、手元にあったpn接合ダイオードを高感度の光検知器である光電子増倍管（フォトマル）と共に暗箱に入れ、通電した。回路につないだ電流計と共に光検知器につないだメーターが振れた。スペクトルを測ったところ215nmまで光が出ている。驚きの連続であった。半導体の光特性を簡単な教科書で学んだ人は当り前と思うだろう。逆にcBNは間接ギャップ型だから光りにくいと思っている人もかなりおられた。いずれも事柄を単純に理解されているのであり、発光材料に通じた方にはそうした予測からではなく、幾重もの驚きを理解していただけるのではなかろうか。第一に固体発光素子の歴史での飛躍に立ち会ったそれである。あたかも超伝導旋風の後一年、その興奮さめやらぬ環境の中で連想したのはTcの飛躍であった。第二に手元のダイオードが発光するほどにきれいな物とは思っていなかったためである。純度、完全度にとっては凄い悪条件で作られている。一般にそうしたものは光り難い。手元にあった物が直ちに光り、スペクトルが測れ、紫外の短波まで光ってくれるとは全く予想しなかった。　LEDは電気エネルギーを光に変える半導体素子第6研究グループ　　　総合研究官　江良　　皓超高圧カステーション　主任研究官　三島　　修　　である。小型、高輝度、小駆動電力、制御容易、高　　速応答、長寿命といった特徴を合わせ持つ光源であ　　る。その発展型である半導体レーザーと共にオプト　　エレクトロニクスの能動索子の主役である。実用の　　LEDは全部pn接合ダイオードで出来ている。電子　　が伝導にあずかっているn型（多数キャリヤーが電　　子）に正孔を流し込む（小数キャリヤーの注入）か　　その逆でp型に電子を注入すると、電子と正孔の結　　合（再結合）が起こり両者のエネルギーの差が放出　　される。こうした小数キャリヤーの注入はpに十、　　nに一の順バイアスの電圧印加で起こる。再結合で　　放出されるのは光か熱である。再結合は結晶中のド　　ナーやアクプターあるいはほかの不完全中心（固有　　欠陥か不純物）で起こり易いが熱に比べての光の出　　し易さ（発光効率の良さ）、出す光の波長は不完全中　　心の種類で様々である。LEDとしては現在、GaAs　　やGaPあるいはその類縁材質で赤外、赤、緑のもの　　が実用になっており、電気器具の様々な表示への利　　用が普及しているが最近では束ねて大型表示にま　　で使われている。また光ファイバーによる信号電送　　にも使われている。しかし表示を三原色でカラー化　　するにはどうしても青色のLEDが必要であり、そ　　れを求めてかなりの規模の研究開発が行なわれて　　来ている。ちなみにこれらの生産、研究の質と量で　　日本は世界の最高水準である。半導体の出し得る光　　には短波長側に物質のバンドギャップ（Eg）で決ま　　る限界がある。赤外から青、さらに紫外へとEgは　　大きくなければならない。それにつれ物質は半導体　　的から絶縁体的になる。このことは母結晶自身の抵　　抗が高くなるのと、p，n両型の半導体化が困難にな　　ることの両方の意味でそうである。青に光ってpn（1）接合を確実に作り得るものにSiCがあるが結晶の　　　図2晶質を上げられず、実用品として満足のゆく効率の物が得られていない。古来優れた発光性で有名なZnSと、類縁のZnSeは充分なEgを持つがpが容易に出来ない。AlN，GaNでも同じである。これらでは金属あるいは極薄の絶縁体を挟んでの金属とのいわゆるMS，MIS接合でキャリヤー注入をさせるダイオードが試みられている。しかし効率と素子の安全性の悪さから実用になっていない。赤、緑の品質向上と用途の拡大にっれ青への要請は非常に強いものがある。現在の赤と緑だけでテレビ用の大型表示装置が作られ商品価値を持っていることを考えればそれがよく理解出来る。我々の発表を過大な期待で受けとめる背景になっている様に思う。　図1．に実験に用いたダイオードの立体像を示す。電極は銀ぺ一ストである。黒っぽい方がP型である。図2．は発光を観測した面の写真である。こ　　　図3の写真の辺はほぼ1mmである。図3，4も同じ面を同じ大きさで示している。図3．はEBIC（ElectronBeamInducedCurrent）像であり、白の部分はpn接合の接合面に生じているはずの空間電荷層の存在を示している。これは図2．の接合面と完全に一致している。図3．が順方向にバイアスして2mA程の電流を流している時の発光である。接合面を挟む狭い範囲で光っているのが分かる。これに明るい室内でも陰を作って目を凝らせば青白く見える。この発光は電流の増大とともに強くなる。発光はEBIC像とほぼ同じ領域でしか生じていないはずであり、写真の様に見えるのはそこから広がって結晶の外へ出ているからである。逆バイアスすると殆ど光らない。図5にcBNの発光スペクトルを代表的な材料のLEDのスペクトルと共に示　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　図4す。勿論、順バイアス下の発光のものである。cBNの波長ごとの強さは生のデータである。分光装置の感度は波長ごとに異なるので標準の光源によって図1（2）補正をすれぱ、長波側、短波働の両側でスペクトルがもち上がる。予備的ながら補正をすると、ほぽ250nm，340nm，490nmにスペクトルの山があるのが分かる。電流の増加につれ、いずれの山も強くなる。逆バイアスではこうしたスペクトルの光は出ない。ここに記した諸事実はpn接合での注入再結舎発光が童に紫外域で起こっているこ1とを確実に示している。光出力は駆動電力の百万分の一程度と発光効率は極めて低く、SiCの2，3桁下である。ちなみに、外部量子効率（ルーメン／W）という表わし方で、S1Cの青色：～10…4，GaPの赤：～王〇一2，GaPの緑：～10■3が最近の文献で拾える値である。スペクトルが広くて山が幾つもあるのは意図的に導入したのではない不完全申心が発光にかかわっていることを示している。再結合で専ら熱を出している不完全中心（無幅射再結合中心）も沢山含まれていて低効率の原因となっている。　以上の様に、cBN・pn接合がLED動作をすることが確かめられたが、このことの意味と今後の展開を考えてみたい。これでcBNでpn接合が出来ることは全く疑う余地はなくなったであろう。筆者の一人（E）はWentorfの実験〔4〕を疑っていた程であり、これは驚くべきことであった。材質がその性質としてp，n両型を持ち得るかどうかの問題はZnS等を含め物性理論家にまともに解決していただきたい問題である。そうした理論にとっての重要な座標点が得られたと考える。物性研究所前所長豊沢教授の言われる「半導体におけるn，pの対象性」の物質依存の問題である。小バンドギャップで出ていた性質がSiCの辺りで失われ、ダイヤモンドでも現われていないのに、CBNで出て来るのである。その他にも基礎科学面では、このLEDの確認がそもそもcBNの物性の解明を促進するきっかけになるだろう。cBNは化合物あるいは固体結晶として見た場合、ダイヤモンドを原点として化合物が始まる位勧こある。それなのにEgも確定されていない。発光スペクトルの測定も今閲題にしている領域では、我々のものが初めてであり発光機構など議論すべくもない。S1Cの半世紀前の状態である。最近の諸発表の際我々は注意したつもりがまだ足りなかったようで、今のcBN・LEDがすぐにも実用になり、膏色のLEDまでが出来るが如く受け取っておられる向きにはこの点認識を改めていただきたい。SiCではpn接合で光ると予想されてから観測までにも至1年かかっている。また我々の当面の昌標は青色LEDではなく、cBNの個性を出来るだけ引き出すことである。高純度化、高完全化が進めば発光効率が上がり200nm以下の光が出て、スペクト図5200nm　　　～400nm　　　　　　　700～800nm鯉鮒　　紫外　　　誉　　緑　　赤　　赤外o一酬　　Sjo緑Gaρ赤Gaρ　　　　215　　　　200　　　　　　　　400　　　　　　　600　　　　　　　　800　nm　　　　　　　　　波長｛づ■ノメーター〕ルの煽が狭くなるはずである。Egが極めて大きいため、間接ギャップの不利がききにくいことも考えられLED以外に展開する楽しい夢も描ける。材料はそれぞれ燭性的でありその可能憧を否定的に考えることはない。このようなことの検討を含む光物性研究が我々の課題である。その研究過程から新しい機能も発掘されるだろう。　LEDの高性能化の鍵は超高圧カ合成が握っている。そこでは、半導体で当り前になっている高度の材料制御がどの程度出来るであろうか。低抵抗化を可能にする浅いドナーやアクセプターをドープ出来るだろうか。超高圧力合成で初めて半導体索子あるいはオプトエレクトロニクス素子が出来た事で、その高精度化の慕が開かれたとも言えるだろう。この課題も未踏なだけに夢のある課題であり我々も光物性研究と関連させながら進めることにしている。こうした連係はこの種材料研究では極めて大切である。　電子の出入の容易ないわゆるオーミックな電極形成法の開発がもう一っの大きな課題である。これは電気的な索子にとっては基本的なことである。現状では実験を進める上でも大きな障害になっている。もしこの間題が解決すれば、発光波長の特殊憧からして、効率の低い今の結晶でも実周が考えられよう。　このLEDの用途は今後自然に開けて行くだろう。その出現が予期されてなかった光源なのでその展開が楽しみである。表示周の期待についてはすでにふれたが、この分野での展開も予溺しがたい。cBN自体に適簑な発光申心（発光に有効な不完全中心）を導入して青色を得るか、効率の上がった紫外素子と適当な蛍光体とハイブリッドにするかといった展開のどちらになるだろうか。我々の目標の真空紫外を冒指す線では、LEDとしては新しい分野が開けるだろう。半導体を始めとする分野での光化学的な技術への応用である。そうなることはオプトエレクトロニクスの領域が広がり、制御性の高い（3）光化学技術が展開することを意味する。以上様々な応用のためにも、また基礎科学としても非常に興味深いのが低圧の薄膜合成であるが、その発展はどうなるであろうか。　この研究は趨高圧カステーションに第六研究グループが協力する形で始めたものでありここに紹介したのはその最初の成果である。第六グループにとってBNは深いつながりがある材質である。cBNはLEl〕として電流制御型EL（エレクトロルミネッセンス）の先端材料となったわけであるが、グループの主対象たるCaSとその類縁の化合物は電圧制御型ELの先端材料である。これについても夢に事欠かない。cBNと共に夢を現実のものとするべく研究を進めている。文　　　　献〔1〕O．Mishima，K．Era，J．Tanaka　and　S．Yamaok孕，submitted　to　AppL　Phys－Leetters一〔2〕O．Mishima，S．Yamaoka，O，Fukunaga，J．App1．Phys．61．2822（1987）．〔3〕O．Mishima，J．Tanaka，S．Yamaoka　andO．Fukunaga．Science238，18互（王987）．／4〕R．H．W㎝torf，Jr．，J．Chem．Phys．36．1990（1962）．外　部　発　表※　投　　　　稿登録番号 題　　　　　　　　　冒 発　　表　　者 掲　載　誌　等ユ948 Effects　of　carbon　on　phase 酒井　利和・渡辺日出夫 J．Mat，Sci，Lett．transformation　ofβ一SiC　w三th　A1203 相川　俊彦 6，865，至9871949 Relationship　between　Oxygen　Se王f一 羽田　　嚢・山村　．博 J．So11d　State．Chem．Diffusion　and　Debye　Temperature　in 渡辺　明男・白巻　信一 68，273．1987the　Polycrysta王至1ne　Magnes三umA1uminum　Ferrite　Series，MgA1呈一工Fe工O。王950 Prepor匿tion　o麦TiC　Single　Crysta1from 大谷　茂樹・蘭申　商穂 J．Cryst．GrowthSe1f－Combust呈on　rod　by　Floating　Zone 石沢　芳夫 83，481．1987Method1951 高Tc超伝導体13a．YCu．O。吋のRietve1d 泉　富士爽・浅野　　肇 応用物理解析 56，8．1053．19871952 Neutmn　Diffraction　Study　on　the　Low一 浅野　　肇・海野　雅幸 J．Phys．Soci．Japantemperature　Monoclinic　Form　of　PrCu6 大慣　惇睦・小松原武葵 56，7．2245．1987泉　富土夫・渡辺　　昇1953 Die　Struktur　des 加藤　克夫・室町　英治 Acta　Cryst．Trinatriun｝vanadattribydrats C43．1030．1987玉954 Die　Struktar　des　Monok1…nen 加藤　克夫・室町　英治 Ac室a　cryst、Tetranatriumdivanadathydrats C43，王025．19871955 Die　Struktur　des 加藤　克夫・室町　英治 Acta　Crys芝．TetrakaliurΩdiVanadatdihydratS C珪3．1027．1987王956 The　Superconducti▽e　Compound　of　the 小野　　晃・堤　　正幸 Bull．Chem．Soc，JapanBa・Y－Cu　Oxide 60．3035．！9871957 脳gh　Reso王讐tion　Neutron　Powder 渡辺　　昇・富吉　昇］ JPn．J．ApP1．Phys．Diffractometer　with　a　So…iδMeξhane 浅野　　肇・泉　富士夫 26，7，1至64．1987Mederator　at　Pu至sed　Spal1ation 若佐　浩克・丼上　和彦Neu室ron　Source 佐藤　節夫・村田　秀明唐橋　一浩1958 Loca互ized　Electrons　Arouむd　Cu　Atoms 井上善三郎・佐々木　聡 JPn．J．ApPl．Phys，of　Superconductor，Tetragonal 井伊　伸夫 26，8，L／365．1987YBa．Cu。一工O。一ツ 竹川　俊二1959 SPectroscop呈c　evidence　for　strong1y 藤森　　濠・室町　英治 Phys，Rev．Bcorre1ated　e1ec故onic　states｛n　La－Sr一 内田吉茂・岡井敏 35，16．8814．1987Cu　and　Y－Ba－Cu　oxides1960 新しい評価方法にるセラミック粒界の観察 E日中　煩三 FC　Reporを5，7，244．1987（4）登録番号 題 目 発　　表 者 掲 載 誌 等王961 Raman　Scattering　in　Single　Crysta王 山中　明夫・南 不二雄 JPn．J．ApPl，Phys．Ba．YCu．O。 渡辺 賢司・井上 久遠 26，8，L1404．1987伽11 俊二1二・井伊 伸夫互962 Existence　o｛Mobility　Edge　in 中原純一郎・箕村 茂 J．Phys．Soc．JPη．Amalgamation　Bands　of　Mixed 柊元 宏・南 不二雄 56，7．2252．1987Crysta1s 江良 階1963 X－Ray　Section　Topographs　of　a 申沢 弘基・金沢 康夫 Th三n　Solid　FilmsVapour－Grown　Diamond　Fiim　on　a 加茂 睦和・大隈 一政 151，199．1987Diamond　Substrate1964 高性能α一サイアロンセラミックス 三友 護・鮎沢 信夫 セラミックデータブック’87p．278（工業製晶技術協会）1965 Si．N。の物理化学、相関係、焼結助剤 三友　　護 窒化珪索セラミックスについて P．ユ．1987（内囚老鶴圃）王966 Crystai　Stmcture　of　Ba皇HoCuoO。吋 浅野 繁・泉 富土夫 Jpn．J．Appl，PhysDeter㎜ined　by　Neutron　Powder 滝田 宏樹・渡辺 昇 26，8，L1341．1987Di嵌action 石垣 徹・秋永 広幸加藤 英生・升日日 公三1967 Photoemission　study　of　valence 藤森 淳・清水 禎 Physica1Rev1ew　B跳ct口ation　in　YbCu。 安E日 弘志 35，17．8945．19871968 炭酸アパタイトの合成と加熱変化 門聞 英毅・高橋 卓二 Gypsum＆Lime210，29．1987亙969 アパタイトの材料化学 金澤 孝文・梅垣 高士 Gypsum＆Lime門間 英毅・山下 仁大 210，3．1987ユ970 Trica1c呈u㎜Phosphate　Ceramics 門闘 英毅 窯業協会誌Complexed　with　Hydroxyapatite 95，8．60，至9871971 OPtica1Propert三es　o｛Ce02Crysta1in 庭野 遭夫・福谷 樽仁 J．Phys，Socil　JPn．the　Photon　Eηergy　Range　o｛2．5－40eV 佐藤 繁・辛 壇 57，4，王489．！988小出 常晴・石亀設楽 哲夫・藤森希男　■山浮1972 Preparation　of　Superconductive 牧島 亮男・浅見 光昭 窯業協会誌Ceramics　Co斌a呈ning　Rare　Earth　Oxides 石沢 芳夫・福長 脩 95，7，756．1987by　Using　Yttr三a　Concentrate1973 銅を含む複合酸化物の結晶化学 小野日ヨ　みつ子 固体物理22，10，！！，1987工974 Quasiresona斌Charge－Exchange　and 左右田龍太郎 Surf．Sci，LettReionization　in　Low　Energy　Heヰ 相沢 俊・大島 忠平 187，592．！987Scatteri㎎From　Sn 常行 真司・奮野 正和塚田 捷王975 Preparat…on　of3s－type　Moo．。Tao．5S。 佐伯 昌宣 J，Less・Com．Metals小野囲みつ子 135，L亙，19871976 CO。によるS｛Cれんがの酸化 原田 力・長谷川安利 耐火物39，368，52．19871977 High　Riso至鶯tion　Tra｛sm…ssoηE1ectro口 松井 良夫・北屍 喜三 J．Electron　Mccrosc．，M1croscoPy　o麦Domain　Structure　in 横山 政人・丼伊 伸夫 36，4，246．1987High－Tc　SUperconductor　Ba．LaCuヨO■ 室町 英治1竹川 俊二1978 The　Properties　of　a　zirconia　press泌e 神臼ヨ 久生・福長 脩 high　Temperatures－highmed…なm　prepared　by　powder pressures，至9，2王5，王987compaction　with　a　sodium　silicateSOiutiOnヱ979 Preparat呈on　of　Si宮N－and　AlN　Powders 三友　　護 Advanced　Ceram．Mat、fam　Alkoxide－Der…ved　Oxides　by Yuhji　Yosh1okaC細botherma1Reduction　andNitridation（5）登録番号 題　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等1980 α一リン駿三カルシウムーリン酸四カルシ 申篤　裕・門問英毅 Gypsum＆Limeウムー　ポリカルボン駿系硬化体の性質 橋本　弘一 2！0，43．1987互981 Auger　e三ectron　spectroscopy・electron 字佐美誠二・申丼 J．Vac．Sci，Techne1Aenergy－loss　spectroscopy－1owenergy 矢口　　　・熊代　幸伸 5，4，985．1987e1ectron　d雌raction　st砥dy　of　a　V6C5（100） 藤森　　淳surface1982 Non王｛near　E王ectricai　Properties　of 困中　順三 J．Am，Ceram．Soc．Grain　Boundaries　in　an　Oxygen－Ion J．Baumard 70，9，637．1987Cond砥ctor（CeO。・Y．03） P．Abe王ard1983 高温趨伝導体の結晶学 泉　富土夫・浅野　　肇 現代化学11層号16．1987！984 Reexa1＝aination　of　the　pressure一 大橋　騎夫 J．Japan　Assa．Min．petr．composition　diagram　for　the　system Econ．Geo王．82，8，31王，1987NaCrSi空OポNaA互Si呈061985 Quasi－Dyna㎜ic　S1MSを用いた酸イヒ物 石垣隆正・山内繁 電気化学および工業物理化表繭の分析 笛木　和雄 学55，9，714．1987！986 原子の配列は今どこまで識別できるかP 松丼　良夫 実務表繭技術34，9，326．1987王987 パルス申性予で見る高温超伝導酸化物 浅野　　肇・泉　富土夫 Eヨ本物理学会誌YBa．Cu茗O。一。 渡辺　　昇 42，10，90ユ，1987王988 Superconductivity　of　Lal＋エBa里吋Cu30■ 室町　英治・内田　吉茂 JPn．3．ApPL　PhysSystem：Wh1ch　Layers　are　DoPed　with 藤森　　淳・力簑藤　克夫 26，9，L1546．1987Carr｛ers？1989 S叩ercond㏄t1vity　in 小野　　晃・田中　高穂 JPn．3．ApPi．Phys．Ba2o＿且）Sr以YCu30。づ 野崎　浩司・石沢　芳夫 26，10，口687．19871990 Die　Strukturender　Lithium一 加藤　克夫・室町　英治 Acta　Cryst．Vanadiu㎜bronzen C43．1451．1987β一Li皇．。V．O。。ωu篶dβ㌧Li1．。V．O呈。㈹1991 Die　Strukturen　der　L搬iびm－V舳adi口m 加藤　克夫・室町　英治 Acta　Cryst．brongenβ一Li1，5V1里O加ω C43，1螂，1987undβ1－Li。．ヨV亘。O。。（li）1992 Relations　betweeηthe　heats　of 大橋　晴夫 Thermochimica　Actaform磁ion　of　MX3ha胴es　and　the 120，1！5，玉987electronegativities　of　the　Ha王ogen　Io恥s1993 Chemical　bonding　in　ordered　Ce 藤森　　淳・M．Grioni Physical　Review　Bover1ayers　on　Si（111〕 J，J．Joyce 35，2，互C75．1987J，H．Weaver至994 祷土類元素・ガリウムガーネット型結晶の 矢島　祥行・小林葵智子 窯業協会誌化学分析法 永長　久彦 95，10．1012．1987互995 Diffusi㎝Profile　Measurement　Using 石垣隆正・山内繁 窯業協会誌S玉MS　in　Lao．纈Sro、、Fe03and 笛木　和雄 95，互C，王03互，1987La。．。Sr。．lCoO畠1996 Comment　on　“Metallization　and 竹村　謙一・下村　　理 Phys．Rev．Lett．Struct倣a三Transformation　of互odine 藤奔　保彦 59，8，94遂，1987under　Pressure：A　M｛croscopic　V三ew”互997 Effect　of　Pressure　on　S砥perconductiむg 岡井　敏・高橋　優 JPn．J，ApPl．Phys．TranSi室…On　Temperature　Of 太日ヨ正恒 26，5，L820．1987．Y。．。Ba。．。C口O。1998 Near－Normai　Ref王ectance　Spectra　of 宮原　桓墨・藤森　　淳 J，Phys．Soc1．JPn．Ce02and　Ce五a1吋A12System 小出　常晴・佐藤　　繁 56，10．3689，王987辛　　　壇・石亀　希男大貫　惇睦・小松原武葵1999 新しい超イオン伝導材料 渡辺　　遵 日本緒晶学会誌KエGa16州Ti16一エO竃岳（x≦2）について 29，5，326．1987（6）登録番号 題　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等2000 Crystal　Structure　of　Ba．ErCu筥O。＿エ 石垣　　徹・浅野　　肇 JPn．J．ApPl．Phys．Determined　by　Neutron　Powder 滝田　宏樹・加藤　英生 26，10，L1681．1987Diffraction 秋永　広幸・泉　富士夫渡辺　　昇2001 Crystal　Structure　of　Ba．HoCu呂O。＿兀 浅野　　肇・滝田　宏樹 JPn．J．ApPl，Phys．Determined　by　Neutron　Powder 石垣　　徹・秋永　広幸 26，8，L1341．1987Diffraction 加藤　英生・升田　公三泉　富士夫・渡辺　　昇2002 CrystaI　Structure　of　the　superconductor 泉　富士夫・竹川　俊二 Jpn．J．Appl．phys．Bal．且Ndl、望Cu呂O。一ツ 松井　良夫・井伊　伸夫 26，10，L1616．1987浅野　　肇・石垣　　徹渡辺　　昇2003 酸化物高温超電導体の結晶構造 浅野　　肇・泉　富土夫 日本金属学会会報26，10，950，ユ9872004 酸化物超電導体の結晶構造 泉　富士夫 新超電導材料研究会第2回シンポジウム・プロシーディング酸化物超電導体の基礎p．53．1987★　M　E　M　O　★研究会　3月2日，第38回結合状態研究会が「希土類化合物の異常な物性」の議題で開催された。　3月8日，第3回相転移研究会が「新超電導酸化物の固溶体」の議題で開催された。　3月14日，第46回結晶成長研究会が「高分解能電子顕微法による，媒体表面及び半導体界面の構造解析」の議題で開催された。　3月17日第47回結晶成長研究会が「酸化物系の熱力学と相平衡」の議題で開催された。　3月22日，第20回チタン酸塩研究会が「べ一タガレイトイオン導電体について」の議題で開催された。　3月26日，第38回高圧力研究会が「焼結ダイヤモンドによる圧力発生について」の議題で開催された。　4月19日，第1回銅ぺロブスカイト研究会が「電子セラミクスの黄金時代」の議題で開催された。　4月20日，第21回チタン酸塩研究会が「超イオン導電体の最近の研究について」の議題で開催された。　4月26日，第4回非線形光学結晶研究会が「非線形光学結晶の夢を語る」の議題で開催された。　5月13日・14日，第39回結合状態研究会が「LuFe．O。化合物の中性子回折の実験結果についての検討」の議題で開催された。　海外出張　第7研究グループ主任研究官三橋武文は，「セラミックスの熱特性の評価技術に関する調査」のため，昭和63年3月18日から昭和63年3月31日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　第8研究グループ総合研究官佐藤洋一郎は，「米国材料学会春季年会出席及び講演並びに大学訪門」のため，昭和63年4月4日から昭和63年4月16日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　第11研究グループ主任研究官山本昭二は，「変調構造の構造解析法に関する共同研究」のため，昭和63年5月31日から昭和63年7月31日まで，西ドイツ国へ出張した。外国人の来所3月7日　Dr．Meewaka1a　M．Jinadasa　W．　　　　　Herath　スリランカ　セイロンセラ　　　　　ミックス公社3月16日　Dr．PauloRobertoKrahe　ブラジル　～18日　Institute　Nacional　de　Techologia　他　　　　　7名3月17日　Dr．Georgi　B！iznakofブルガリア科学　　　　　アカデミー3月23日　丁　亜平　中国上海核工程研究設計院　　　　　他1名（7〕3月23日3月23日3月25日4月6日4月6日～7日4月7日4月8日4月12日4月19日4月27日5月10日5月13日5月17日5月18日5月19日受B．バウルド　オーストラリア科学アカデミー　他32名　先進国研究交流実務者メンバーDr．D．Jerome他2名　フランス大便館Prof．V．Bo1dyrev他5名ソ連科学アカデミーDr．A．Jostson他1名オーストラリア　原子力研究所都　甫駿　他3名　中国却州磨料磨具磨削研究所何　薙慶　他4名　台湾工業技術研究院Mr、ギュンター・ライナー　他8名　西ドイツ連邦研究技術省ほかDr．HansCerva西ドイツシーメンス社Paul　J．Herer米国国立科学財団Prof．D．Brown　アイルランドダブリン大学Dr．H．Veenvlit他2名　オランダフィリツプス社Peak　Chang　Hyon　他27名　韓国視察団Dr．I．J．Toth他2名　米国TRW社Mona　L．Angeles他5名　国際協力事業団Dr．FrankHuband他1名米国国立科学財団賞5月26日　史　欽泰　他6名　台湾工業技術研究院　第5回科学技術いろいろ展　科学技術いろいろ展（科学技術庁及ぴ関係団体主催）は，昨年まで科学技術館（東京・北の丸）で行われていたが，今回，テクノロジィージャパン！88（晴海・束京国際見本市会場）会場内で，4月18日（月）から4月21日（木）までの4日間，開催された。4日問の入場数は，159，059名を数えた。　所内一般公開　当研究所は，4月22日（金）に科学技術週問の行事の一環として，超高圧力発生装置（3万トンプレス），高周波熱プラズマ発生装置等の研究施設・設備の一般公開を行った。当日は，500名を越える見学者が訪れた。表彰者名 表　彰　名 表　　彰　　の　　内　　容 表彰年月日竹之内　　智 創意工夫功労者 プリデライト系セラミックスの分析方法の考案 昭和63年4月18日田中高穂 注　目　発　明 イットリウム六十六棚化物’（YB冊）の結晶体の製 昭和63年4月18日大谷茂樹 造法石沢芳夫木島　　剛 注　目　発　明 モンモリロナイトーシクロデキストリン系化合物 昭和63年4月18日の結晶質複合体及びその製造法泉　　富士夫 科学技術庁長官賞 リートベルト法による無機材料の構造解析に関す 昭和63年4月18日る研究学位授与和　田 健二　　論　　　文　　　名アルミニウム陽極酸化皮膜の多色化と微細構造授与年月日昭和63年2月18日授与大学東京都立大学学　位　名工学博　士発行　日編集・発行昭和63年6月1日　第110号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木1丁目1番電話0298－51－3351（8）