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[NIRIMNews0107.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/93c9f203-9571-48d9-a26d-2923926ba846/download)

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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第107号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/1a681555-c343-49f1-893c-150931a69d97)

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無機材研ニュース第107号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0．oo］100．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］o〕f←第107号 昭和62年12月帯域溶融法を応用した不定比組成制御単結晶育成一化合物単結晶材料育成における不定比組成の問題一【はじめに】　光学用あるいは電気光学用に利用されるバルク単結晶材料には2成分系（酸素を考慮に入れれば3成分系）複合酸化物が多く，それらは組成幅の差こそあれ，ほとんどが不定比による固溶体領域を持っている。代表的な例が希土類ガーネット（RG），ニオブ酸リチウム（LN），タンタル酸リチウム（LT），ゲルマン酸ビスマス（BGO）等で，これらは酸化物単結晶材料の中でも，水晶，アルミナを除いてもっとも大きな市場規模をもっている素材である。これら単結晶の高品質化を目的として，原料の高純度化を進めると，結晶申の不純物よりも不定比組成が，結晶の特性を著しく低下させる原因として浮彫りにされてくる。例えぱ，不定比が欠陥を伴うような場合には，それによって結晶の光透過率低下や光損傷をもたらすし，不定比組成の変動は屈折率変動や結晶内格子歪の主原因となる。しかも通常の不純物制御に比べ，この不定比組成を制御するのは一般に大メルト（L〕↑↓件H租価温度丁　　　　β第13研究グループ主任研究官　北村健二挫幽匝十7里国で　簑　～屯　γ十βA　　　　X日→　　　B　　　　組成A　　　　　　　　　　　B図1　不定比中間化合物の概念的な相平衡状態図変難しい。そこで本研究所では，これらの複合酸化物の不定比組成の特徴から，どのような原理で育成すれば不定比組成を制御でき，しかも成長速度変動やファセットによる結晶中の不定比組成不均一を減少させる事ができるかという研究を進めている。【不定比中問化合物の特徴】　化合物結晶では様々な要因から不定比性を示すが，上に掲げた結晶種の不定比組成には共通した性格がある。一般的な熱力学の教科書には，2成分系不定比中間化合物の相平衡状態図を図1のように表している。実際にはそれぞれの固相における固溶範囲は非常に狭い。しかも図1のように，中間化合物相で，不定比による固溶領域が両成分側に伸びている例は酸化物では少ない。もともと中間化合物相が出現する事自体，両端成分の性質がかなり異なる事を意味している。例えば陽イオン半径の差が大きく，酸素イオンによる配位数が異なったり，イオン価数の異なるのが一般的である。したがって両端成分の性質の差異を反映して，中問化合物の不定比固溶領域も非対称的に一方の成分側にだけのびている事が多い。前述した結晶も，一方の成分側にだけ固溶領域がひろがっている。その原因は，結晶構造の中で，一方の陽イオン成分（A成分とする）が本来占めるべきサイトを，もう一方の陽イオン成分（B成分）が，わずかながら占めてしまうのに対し，B成分が占めるサイトは，A成分によって占められる事がほとんどないという，席選択性の偏りのためである。　ここで希土類ガーネットの例を具体的に取り上げてみると，以下のようになる。希土類ガーネットあ（1）結晶構造は，3種類の陽イオンサイト，すなわち酸索イオン8個で配位されているc一サイト，6個で配位されているa一サイト，4鰯で配位されているd一サイトから成りたっている。化学量論比組成の希土類ガリウムガーネットでは，希土類元索イオンとGaイオンの半径が大きく異なるため，前者はc一サイトを，後者はa及びd一サイトを占めている。その構造化学式は｛R宮十｝パGa島十」。（Ga呂ヰ）。01。（Rは希土類元素イオン，｛｝はC一サイト，〔コはa一サイト，（）はd一サイトを表す。）と書くことができる。ところが，融液から結晶を育成するような条件では，微量のR宮十イオンがa一サイトのGaヨ十イオンを置換する。これがガーネットの不定比で，不定比組成変動は，このa一サイトを占める希土類成分濃度の変動に由来している。これに対しGaイオンは小さ過ぎて，希土類イオンの占めているC一サイトを占めることはほとんどない。したがって，ガリウムガーネットの不定比固溶領域は，化学量論比組成から希土類成分側にだけ伸び，Ga成分側にはほとんど伸びていない。そこでガリウムガーネットの不定比組成は，同じ価数の陽イオンによる置換という形で，｛R｝茗［R、，Gal一、コ。（Ga）宮Ol。という式で表わせる。同様に，LN（LiNbO宮），LT（LiTaOヨ）では，それぞれNb成分，Ta成分鰍こだけ圃溶領域は広がっており，それらの様子を表ユにまとめてある。またBGO（Bi12Ge020），BSO（Bi12Si020）でも，まだ精確に固溶領域は調べられていないが，不定比　表1　代表的な2成分系駿化物の不定比組成不定比化合物 最大固溶領域X コングルエント組成Gd茗。。Ga。一。O1≡ 。←0．30～一〇．0C2 令〇一05Lil一㍊Nb1。。O茗 令O．03ユ～　O 手0．0092Li］一。∬註！。。Oヨ ÷C．025～　O 十0．O066濫度　　　コングルエント繊成G，宝O茗巾　　　　　　　1　　　　　－　R丑O，　紬液　　　　　　1　薬徽点1；仁島圭点｛こi亘正L■葦且’黄不定比領撒原ガーネット化学鋭輸比組成＾　　　　　　　　　　　　　　富組成共織、削＝近い組成化学簸輸比組成図2　希土類ガーネット近傍の相関係（A）と不定比　　　組成制御F　Z法の原理（8）はBiがGeサイト，Siサイトを占めるためと考えられている。後者のLN，LT，BGO，BSOの不定比では，ガーネットと異なり，置換する陽イオンのイオン価数が異なるために，駿索欠損等の欠陥を伴っているのが特徴である。（現在のところ，それが特定波長光の吸収原因になっていると考えられている。）　これらの不定比化合物が，融液とどのような相平衡状態にあるかを，ガーネットの例をあげ図2に示してある。ここでコングルエント組成とは，融液と結晶が同一組成で平衡共存する点の組成を表す。今まで述べてきたような，一方の成分側にだけ固溶領域が広がっている不定比化合物では，コングルエント組成は化学量論比組成よりも不定比成分側にずれているのが櫓平衡での特徴である。このような不定比化合物を融液から育成すると，いくつかの原因から育成結晶中に不定比による組成変動が現れる。上述したような不定比成分は，不純物成分と同様に結晶の特性に好ましくない影響を及ぼすが，単結晶育成の際に結晶刺こ取りこまれる様子も，不純物と非常に似ている。通常の不純物（偏析係数が1より小さい不純物）は，結晶の成長速度が大きくなると・より多く結晶中に取りこまれるが，不定比成分濃度も成長速度が大きくなると高くなる。したがって，成長速度が時聞的に変動すると，結晶中の不定比成分も不均一に分布する事になる。成長縞と呼ばれる組織に伴って不定比綬成変動が現れるのはそのためである。またファセットの出現に伴っても不定比組成不均一は現われる。酸化物などを融液から育成すると，結晶構造を反映して固液界面にファセットと呼ばれる平垣な特定低指数面が現れる。ファセット領域とそれ以外の領域では結晶の成長機構が異なり，取り込む不純物濃度に差があるために，両領域間で組成不均一が生じる。通常，ファセット領域の方が不純物濃度は高くなり，不定比成分濃度も同様に高くなっている。　前述のバルク単結晶を育成するには，一般にチョクラルスキー法（回転引上げ法とも呼ぱれる）が応周されている。これは，ルツボ中で原料を溶融し，種結晶を使用して，その融液から単結晶を引き上げる方法である。原理的には一方向凝固システムであるから，融液と緒晶の組成が異なると，固化が進むに従いますます両組成の差は大きくなる。もし偏析係数が1より小さい不純物（すなわち結晶よりも融液働に不純物が濃集するような場合）が融液中にあらかじめ含まれていると，圃化率が木きくなるに従い結晶中の不純物濃度も高くなる。そこでチョクラルスキー法で不定比化合物単結晶を育成する場合には，コングルエント組成を利用して育成する事が必（2）要である。それは，融液がコングルエント組成からずれていると，良質単結晶の育成自体が困難になると同時に，固化率によって緒晶中の不定比組成が変動するためである。また，コングルエント組成から育成すれば成長縞等に伴う不定比組成変動も制御できるとも言われてきたが，その点については再考する必要があるし，コングルエント組成からの育成によって，ファセットーオフ・ファセット間の組成不均一が減少したという報告はない。いずれにせよ，コングルエント組成の結晶自体，不定比成分を相当含んだものであるから（例えば，コングルエント組成のガドリニウムガリウムガーネットでは，a一サイトを占めるGdイオンは，なんと8000重量p卿以上にも及ぶ。），それによる結晶特性に対する悪影響は避け難く，また多量に含んだ不定比成分の変動を制御する事も非常に難しいと予想される。【不定比組成制御育成法の原理】　そこで，コングルエント組成を利用した育成に替る単結晶育成法の原理が必要となる。ガド’リウムガリウムガーネット（通称：GGG）におけるGd．O宣一Ga．O茗系の相図や，すでに報告されている融液纏成と析出したガーネットの不定比組成の関係から次のような事がわかる。ガーネットの不定比固溶領域はGa過剰側には広がっていないので，Ga側の共融点に近い組成のメルトは化学量論比に近い組成のガーネットと平衡共存する（図2参照）。また融液申の希土類成分濃度を大きくするとa一サイトのGaを置換する希土類成分濃度（不定比成分濃度）も大きくなる。この事実から，共融点に近い組成の融液から緒晶を育成すれぼ，化学量論比に近い組成の結晶が得られるし，a一サイト申の希土類成分濃度が低いから，成長条件の変動による濃度変動も小さく出来ると予想される。これはコングルエント組成から育成すれぱ組成変動を制御できるという従来の考えとは全く異なる。　共融点に近い組成の融液からの単結晶育成は，チョクラルスキー法では不可能であるが，フローティング・ゾーン法（略称：FZ法）を応用すれば可能である。FZ法をもとにした不定比組成を制御する単結晶育成方法の原理を図2の右側に示してある。原料棒を化学量論比組成にし，融液は共融点に近い組成にする。このFZシステムを下方に移動させると，上方の固液界面では化学量論比組成の原料が融液に溶け，下方の固液界面では融液から化学量論比に近い組成の結晶が析出する事になる。このように，原料棒や析出する結晶と異なる組成の融液（solventと呼ぶ事もある）を利用するFZ法（TSFZ法：TravellingSo王ventFloatingZone）は，すでに分解溶融化合物であるイットリウム鉄ガーネットの育成技術として，本研究所で開発され，工業レベルで応用されている。しかし，このTSFZ法が不定比組成を制御する目的のために応周されるのは，これが初めてである。【実験・緒栗】　現在，上記の原理をもとに集光加熱式FZ法を利用して前記の単結晶種を育成し，結晶の特性を調べつつある。Nd－Ga一ガーネット（NdGG）を例に掲げると，まず粉末酸化物原料のNd．O呂（純度99．99＋％）とGa．O。（純度99．9999％）を3：5の割合で混合し，焼結して原料棒を作る。融液組成を共融点組成に近づけるため，Ga．O宮を70モル％含む焼結ペレット0．89を種結晶上におき，融解し原料棒と接合させた後，FZ育成を行う。NdGGではコング　　　　　　　　　　　　　　　○ルエント組成の格子定数は12，509Aで，化学量論比　　　　　　　○組成では12，504Aである。この方法で育成した単結晶の格子定数を単結晶X線圓折法で測定したところ　　　　　012．5049（3）Aで，かなり化学量論比組成に近い。図3ではコングルエント組成で育成した結晶と，上記の方法で育成した結晶の成長縞に伴う応力複屈折像を，偏兇顕微鏡下で比較している（両者とも育成速度2m固／h，原料棒・種結晶圓転速度45rp㎜と同じ条件で育成）。コングルエント組成から育成したものは，オープンニコルで観察した限りは良質単結晶に見えるが，クロスニコルの下では成長縞に伴う複層折が顕著に現れている。これは成長条件の変動を反映して，不定比成分（a一サイトのNd＋ヨ成分）が結晶中で不均一に分布している事を示している。これに対し，共融点に近い組成の融液から育成した結晶では，オープンニコルで観察すると，気泡あるいは異楯と恩われる微粒子状包有物が観察される。しかもそれらは縞状に分布して，成長速度変動を反映して結晶中に取りこまれている（但し，育成遼度を王．2㎜／h以下にすると，これらの包有物は結晶中に観察されない）。それにもかかわらず，クロスニコルにすると成長縞に伴う応カ複鰯折が非常に小さい事がわかる。またファセットに伴う応カ複魑折も，この方法で育成した結晶では極めて小さい。それらに伴う複屈折（△n）を測定した結栗が表2にまとめてある。得られた結果は，或る種の不定比化合物単結晶育成に，TSFZ法を応用して共融点に近い組成の融液から結晶を育成すると，化学量論比に近い組成を持ち，しかも不定比組成変動の抑えられた単結晶が得られる事を示している。このような特性の向上はBGO等でも確認され，現在は他の結晶種への応用が試みられている。（3）図3蔓　守　　」　　■　　　　　　　　　　’’肯　’　　　　　　　　　　山」　　　　　　　　　　　I冷婦二　　　’＝’世’　　ズ吃加瑚帖脇一＝蒔一鯛o｝．．血榔棚細蒜醐竈寓細帆、≒二．1ぶ押岬告岬山｝簑二鰯慶姦騒誕’榊コングルエント組成から育成した結晶と（A）共融点近傍の組成から育成Lた結晶（B）の編光観察法による比較・（上段ほオープンニコル，下段はクロスニコルによる観察）表2　異なる融液組成から育成されたNdGG結晶　　　中の応力複屈折比較コングルエント組成 共融点近傍O格子定数　（A） 12．509 12．505成長縞に伴う最大△n ユ．O～1．2x1O■ヨ 2x1O■旧ファセットに伴う最大△n 0．8～1．4×10■ヨ ＜10■拮☆応力複屈折（△n）＝C×格子不整（△a／a。）　C：光弾一性係数　　通常のガーネットでは　C＝O．2～O．3【むすび】　従来，酸化物バルク単結晶を融液から育成する場合，ほとんどチョクラルスキー法を活用してきた。というよりも大口径化，経済効率の面からも，チョクラルスキー法で育成できるかどうかが，その結晶が工業レベルで応用されるかどうかを決めてきたといっても過言ではない。しかしこの方法には結晶の高純度・高品質化の面で二つの本質的な限界がある。それはルツボを使用するために，ルツボからの不純物汚染が避けられない事と，一方向凝固システムのために，化合物単結晶を得るにはコングルエント組成で育成しなければならない事である。前述したように，コングルエント組成は，かなりの濃度で格子欠陥を含んでおり，しかもその濃度変動を抑える事も非常に困難である。（GaAsなどの化合物半導体のバルク単結晶育成でも全く同じ問題を抱えている。）ここで紹介した集光加熱式FZ法を応用した不定比組成制御単結晶育成法では，チョクラルスキー法よりも高純度で，不定比成分をコングルエント組成の10分の1以下に制御された単結晶が得られそうである。この方法を工業レベルで応用するのには，大口径化という経済効率の課題を解決しなくてはならないが，当面，化合物単結晶のより理想的な特性の実現，不定比組成の物性に関する研究等に活用されると期待される。（4〕カリフォルニア大学バークレー校に滞在して第7研究グループ研究員　佐々木高義1986年10月より1年問科学技術庁長期在外研究員としてカリフォルニア大学バークレー校に出張した。カリフォルニア大学は州内に9つのキャンパスを持ちバークレー校はその本校である。バークレーはサンフランシスコ市を中心とするメトロポリタン部の一翼を担う人口10万人の大学町であり，サンフランシスコ市より束に約20㎞，車ではBay　Bridgeを渡って30分弱で到達することができる。この町は1960年代初頭学生運動やヒッピーが世界で最初に出現したことでも知られている。そのためか大学町にしては騒々しすぎる程活動的な雰囲気を持ち，私も到着直後は少なからず戸惑ったものであった。キャンパスは金門橋，サンフランシスコ市街を望む丘の中腹の風光明媚な場所に位置し，気候は年問を通じて温暖で過ごしやすく研究考にとって理想的な環境といえよう。　バークレー校は1868年に創設され、現在は理学部，工学部，法学部，文学部，芸術学部等からなる総合大学に成長している。また裏手の丘には核物理のメッカであるLawrenceBerke1eyLaboratoryが隣接し，キャンパスの自然科学系学部と密接に連携している。キャンパスの広さは無機材研の300倍以上もあるが，大学職員1．5万，学部学生2．2万，大学院生0．9万と多くの人が出入りするために学期中は非常に混雑する。そのため車社会であるにもかかわらず駐車事情は大変厳しく大学関係者すべての頭痛の種であった。そんな中でNLとマークされたノーベル賞受賞者専用の駐車場が一番便利な場所にいくつも確保されているのは印象的であった。　バークレー校の化学科は55の研究室からなり全米最大規模である。私がVisiting　Scholarとして籍を置いたBart1ett研究室は2人のポスドク，4人の大学院生で構成されている比較的小さなグループであった。指導教官のN．Bartlett教授は世界で初めて希ガス元素でも化合物を作ることを示したことで有名であるが，その後も強力な酸化剤（主に金属フッ化物）に興味を持ち続け，数年前からはその一環としてグラファイト及びその類似化合物の酸化的インターカレーションについても多彩な研究を展開している。　私の滞在中のテーマはホウ素と炭素と窒素からなるグラファイト類似化合物を創製し，キャラクタリゼイションを行うとともに，そのインターカレーション化学を明らかにすることであった。合成に関しては試行錯誤を重ねた末アセトニトリルと三塩化ホウ素をCVD法で反応させることにより，BC呈Nという組成のグラファイト類似化合物を得ることができた。この材料はグラファイトと六方晶窒化ホウ素のハイブリッド材料として捉えることができるため両考の中間的な物性を示すことが期待されるが，予想通り電気的には半導体であり，またインターカレーション能力もグラファイトと六方晶窒化ホウ素の中間的なものであることが明らかとなった。　今回アメリカでの研究活動に触れて感じたのは，大学での研究でさえ予想以上に応用指向が高まっていることであった。国策に左右される面も大きいらしく社会的な二一ズにあわないと見なされた研究は予算面で非常に厳しい状況にさらされ，その意味で地道で継続的な基礎研究を行いにくくなっているという印象を受けた。例えば1960年代に数多くあったフッ素化学のグループは1970年代後半にかけて続々解散させられ現在は皆無になっているとのことであった。　私生活の面では自由で快適な1年を送ることができた。米国杜会を体験することにより，アメリカ人の風俗，習慣，ものの考え方の一端を知ることができ，それを通じて客観的な日本観を少しでも養えたことは大きな収穫であった。　最後に留学に際してお世話になったBartlett教授並びに科学技術庁及び無機材質研究所の皆様に深く感謝します。図　カリフォルニア夫学バークレー校のキャンパス（5）外部発表※　投登録番号 題　　　　　　　　　名 発　　表　　者 掲　載　誌　讐1799 1MV　HRTEM　Observation　on　the 堀内　繁雄・内蘭　健治 Proc．Int，Symp．oパーBehav一夏rrad呈ation・InduCed　Transition　from 小玉　榑志 ior　of　Lattice　Imperfec一Cryta1line　to　Amorphous　State　in tio鵬in　Mat”．Ceramic　Materia王s 11月，18．19851800 電子放出セラミクス 大島　忠平 電子材料セラミクスSer．3，151．1986180互 焼緒現象と焼結プロセッシング 木島　弍倫 耐火物9，52．19861802 Effect　o｛repiacing　Si02by　ZnO　on　the 長谷川　泰 Glastechnische　Berichtephysical　proPerties　o｛aluminosi王icate 59，　7，189．1986glaSSeS1803 Advantages　of　a　HVEM　in醐ectron 及川　哲爽・板東　義雄 In　Situ　Experiments　withEnergy　Loss　Spectroscopy 細丼　　純・小久保　端 High　Vo1tage　E1ectronMicroscoPes409．！9851804 Formation　and　CrystaHizatiolユ　of 牧島　亮男・久保　　肇 J．Amer．Ceram．SocYttrium　Aluminosi王icate　G王asses 下平高次郎 69，6，C－130．1986Containing　Calc三u㎜Oxide．1805 Advantages　of　a　HVEM　in　Energy 鈴木　清二・本日ヨ敏和 In　Situ　Experiments　with1⊃ispers三ve　X－ray　Spectroscopy 板東　義雄 High　VoItage　E互ectionMicroscoPy405．19851806 セラミックス製ターボチャージャー 三友　護・服音挿善憲 セラミックス21，lO，904．！9861807 Superstructure　of　Barium　Lead　Hex一 丼伊　伸夫・板東　義雄 J．Sol．Sta．Chem．aaluminate　Phase　II（BaPb　B（I互）一 伽11俊二・北見　喜三 64，220．1986alumim）Revea互ed　by　H三gh－Resolution 木村　茂行Electron　Microscopy！808 日本の先端技術 守吉　佑介 Gypsum＆Lime一アメリカはわが国をどう見ているか一 205，353，互9861809 リン酸カルシウム系セラミックスの性質 門間英毅・中鴬裕 J．Denta1Engineeri㎎橋本　弘一 79，29．19861810 Synthesis　of　a　New　Compound 藤木　良規・渡辺　　遵 窯業協会誌K、〔GaB　Ga呂十、Ti16＿、O舶〕 佐々木高義・三橋　武文 94，　9．1021．1986小野蘭義人・吉門　進三大鉢　　忠18！1 Ho㎜o1oge　Strukturen　der　neuen 加藤　克爽・室町　英治 NaturwissenschaftenVanadiumbronzen　Li．V肺015。一m 73，S499，互986（服≦n）1812 Mu1tip1e　Scattering　of　Low－Energy 左右田龍太郎・青町正和 Surf．Sci．Rare・Gas　Ions　at　Solid　Surfaces 大島　忠平・大谷　茂樹 工76，657．！986石沢　芳夫亙813 The　Nature　of　the　Luminescence　of　Com一 G．B王asse・G．J．Dirksen Mat．Res．Bu11．pounds　with　YbFe204Structure 君塚　　昇・毛利　尚彦 21．1057．1986！814 Preparation　of12R－Type　Titanium　SU互一 佐僧昌宣・小野E日みつ子 J．Less－Lommon　Meta1spbide　in　the　Presence　of　Antimony 王23，10王，互98618亙5 合成に成功した新セラミックス 藤木　良規 E㎎ineeri㎎33，10．198618王6 IMA（SIMS） 菱田　俊一 耐火物王O，728．1986（6）登録番号 題　　　　　　　　　名 発　　表　　者 掲　載　誌　等！817 セラミックス焼結体のキャラクタリゼー 板東　義雄 インスペックション 冬号，10，24．19861818 Calorimetric　Study　of　High－Pressure 室町英治・A．Navrotsky J．Sol，Sta．Chem．Polymorphs　of　Li2WO．and　Li2MoO。 山岡　信夫 65，24ユ，ユ986！819 AThin－sectionho1derforselectedarea 金沢　康夫・中沢　弘基 Minera1ogicaI　JoumalX－ray　diffraction 13，　4，187．19861820 Cubic－Hexagonal　Transformation　of 渡辺　昭輝・菊地　　武 Sol．Sta．IonicsYttria－Stabi1izedδ一Bismuth 21，287．1986Sesquioxide，Bi2＿2xY．xOヨ（x＝O．215－O．235）1821 極高真空電界放射型電子銃の試作 石沢　芳夫・青木　　進 真空大島　忠平・大谷　茂樹 29，1！，544．1986！822 The　Radial　Distribution　Function　of　a 福田　和夫・片山　新也 JPn．J．ApPl．Phys．Tb別Fe7g　Amorphous　FiIm 片山　俊和・貫井　昭彦 25，11．1640．1986牧島　亮男／823 Deve1opement　of　New－Ceramicsα一sialon 三友　　護 Proc．Inter’l　Symp，on（新しいセラミックスーα一サイアロン Fine　Ceram．Aritaの開発） 37．1986／824 Raman　Spectroscopy　and　Die1ectric 江原　　襲・服部　武志 Jpn－J．Appl．Phys．Anomaly　of　Bi．Ti宜Ol。 田中　順三・月岡　正至 25，11．1749．1986村松　国孝・嶋津　正司1825 中性ビームを用いたイオン散乱分光法によ 左右田龍太郎 表面科学る表面解析 7，　5，36．19861826 Visua1izing　low　symmetry　of　a　grandite 平井　寿子・中沢　弘基 Amer．Miner．garnet　on　precession　photographs 71．1210，ユ986！827 Microstructure　of　porous　anodic　oxide 和田　健二・下平高次郎 J．Mat．Scifi1ms　on　a1uminium 山田　　翠・馬場宣良 21．3810．19861828 表面処理TiC＜110〉フイールドェミツター 石沢　芳夫・青木　　進 真空の特性 大島　忠平・大谷　茂樹 29，ユ2，578．1986！829 ReIation　between　Heats　of　Formation　of 大橋　晴夫 Thermochimica　ActaA1kali　and　Pseudo－Alka1i　Halides　and ．108，189．1986Electronegativities　of　Ha1ogen　Ions！830 層状構造チタン酸繊維のイオン交換性 藤木　良規・小松　　優 表面佐々木高義 24，12，683．19861831 Some　Properties　ofα一Sialon　Ceramics 石沢健喜・鮎沢　信夫 Ceramic　Materials　and白仁田　昭・高井　政通 Components　for　Engines内田範政・三友護 511！832 Sintering　Behavior　of　Si宣N．in　lO　ATM 三友　護・水野賢一 Ceramic　Materia1s　andNitrogen Components　for　Engines2641833 Study　of　Titanium　Compounds　by　E1ec一 細井　　純・及川　哲夫 J．E1ectron　Microsc．tron　Energy　Loss　Spectroscopy（EELS） 板東　義雄 35，　2，129．1986　運當会議　9月28日　第108回運営会議が1）昭和63年度予算概算要求について，2）再編成研究グループの研究課題について3）その他　の議題で開催された。研究会　9月！！日　第5回無機／有機複合体研究会が「化学進化における粘土の役割」の議題で開催された。　10月8日　第44回結晶成長研究会が「融液の構造と結晶成長」の議題で開催された。（7）　海外出張　第3研究グループ主任研究官上村揚一郎は，「固体界面の理論的及び実験的取扱いに関する研究及び調査のため，昭和62年10月1日から昭和62年11月29日まで，フランスヘ出張した。　第3研究グループ主任研究官井上善三郎は「ファインセラミックスにおける結晶化学の研究」のため，昭和62年10月1日～昭和63年ユ月16日まで，カナダ国へ出張した。　第ユ研究グループ総合研究官白嵜信一は「ファインセラミックスの研究と開発に関する講演及び研究討論」のため，昭和62年10月12日から昭和62年10月22日まで，大韓民国へ出張した。　第13研究グループ総合研究官木村茂行は，「波長可変固体レーザー討論会」に出席のため，昭和62年10月21日から昭和62年ユO月30日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　第8研究グループ主任研究官加茂睦和は「米国真空学会第34回真空シンポジウム及び第3回硬質材料科学国際会議出席のため」昭和62年11月1日から昭和62年11月16日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　第8研究グループ主任研究官赤石實は，「第3回高硬度物質の科学に関する国際会議」出席並びに研究討論のため，昭和62年11月7日から昭和62年11月22日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　第8研究グループ主任研究官神田久生は「ダイヤモンドの光学的性質に関する共同研究」のため，昭和62年11月10日から昭和62年12月9日まで，英国へ出張した。　外国人の来所8月28日　李　時雨　韓国PohangInstituteofSci－　　　　　ence＆Technology9月8日9月16日9月17日9月17日9月24日9月24日10月3日10月5日10月9日10月12日10月13日10月15日10月21日10月22日10月22日10月28日10月30日！1月5日11月11日11月11日11月11日Guo－Liang　Zheng中国化学院化工冶金研究所車博人中国東北工学院Dr．A．Jostsonsオーストラリア原子カ科学技術協会Ph．D．Lemart　Ma1mquistスウェーデン王立理工学アカデミー温　樹林　中国上海珪酸塩研究所Shin　Hyung　Jun韓国浦項製鉄㈱G．Schwiner西ドイツシュタルク社王忠烈中国山東大学Mr．Hans　Friedman　他2名　オランダデ・フォルクスラント新聞社ほかDr．DaItro　Garcia　Pinatti　ブラジルFundacao　de　Tecnoユogia　Industria1Prof．Dr．Markk　Mannerkoskiフインランドテクニカルリサーチセンター他3名J．Koskiフィンランドタンパー工科大学王　松茂　他7名　台湾行政院国家科学委員会Dr．R．Nowak　米国ダウ・ケミカル社Alan　Lauder他2名　米国デュポン社Prof．A．R．CoIclough他5名　英国ナノテクノロジー調査団Dr．Roger　K．Crouch　他1名　米国航空宇宙局Prof．I．A．Smimov　他11名　ソ連科学アカデミーK．Inoue米国ダウケミカル社C．Lorprayoon他2名　タイ国チュラロンコン大学Dr．ヴァルデマー　ヘルメル他1名東ドイツ科学アカデミー学位授与氏　　名 論　　　　　文　　　　　名 授与年月日 授与大学 学位名神田久生 Effect　of　Meta1Solvents　and　Water　on　Growth　and 昭和60年11月27日 東北大学 理学博士DissoIution　Morphologies　of　Diamond　Crystals（ダイヤモンドの成長及び溶解のモルフォロジーに対する金属溶媒及び水の効果）佐藤忠夫 Studies　on　Hexagonal　and　Rhombohedra1Layered 昭和62年9月30日 東京理科 理学博士Boron　Nitrides：Synthesis，Crysta1Growth，and 大学Transformation　Under　High　Pressure（六方晶及び菱面体晶層状窒化ホウ素の研究1合成・結晶成長，及び高圧下の転移）（8〕