# Fileset

[seimitsu.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/8e1689c6-f7ed-4bf9-a5e9-fcb868f85507/download)

## Creator

[重藤 暁津](https://orcid.org/0000-0001-7054-3674)

## Rights

[In Copyright](http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/)

## Other metadata

[界⾯ナノ構造の制御による接合と分離の両⽴にむけて](https://mdr.nims.go.jp/datasets/0af4b572-7e4c-430a-8dea-5307f53354f4)

## Fulltext

配布用 2508 shigetou公益社団法人 精密工学会 生産原論専門委員会 令和７年度第２回研究会 先端生産技術部会研究会 接合・印刷・転写技術の最前線 ～ ナノ界面制御から印刷・転写による社会実装まで ～          主 催：公益社団法人精密工学会 生産原論専門委員会  日 時：2025 年 8 月 22 日(金) 13:00～17:00 会 場 ： 産総研つくばセンター東地区 本館１階  第２会議室(場所：東-1B1106-2) ア ク セ ス ：つくばエキスプレス つくば駅からバス等 ※ 講 演 の み の オ ン ラ イ ン 参 加 も 可 能 で す 。   13:00～13:05  開会挨拶  企画担当 谷口 淳 氏（東京理科大学） 13:05～13:55  講演１ 界面ナノ構造の制御による接合と分離の両立にむけて  物質・材料研究機構 重藤 暁津 氏  14:00～14:50  講演2 特殊な印刷技術が生み出す"さりげなく"使える電子デバイスとその社会実装 産業技術総合研究所 野村 健一 氏  14:50～15:20  休憩  15:20～16:10  講演3 微細構造体が創る高機能部材とDX活用 産業技術総合研究所 栗原 一真 氏 16:10～16:20  閉会挨拶・事務連絡  委員長 池野 順一 氏（埼玉大学） 16:20～17:00  見学会  参加費  ・研究会：当専門委員会会員：無料 そのほか非会員：5,000 円  （注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではございませんのでご注意下さい。  申込締切日：2025 年 8 月 1６日(金)17:00  （注）非会員の皆様へ 当日のキャンセルはご遠慮下さい。既に費用が発生しておりますので参加費は 請求致させて頂きます。ご了承下さいますようお願いします。  問合せ/申込先： ・生産原論専門委員会委員は生産原論事務局 永野 善己 宛 FAX 0285-31-1788  e-mail nagano.yoshiki@oyama-pc.ac.jp  当専門委員会では、4 部会で年 1 回ずつ研究会を開催しています。第 2 回研究会は、先端生産技術部会の企画研究会です。当部会は第一線でご活躍の技術者、優れた実績をもつ高名な研究者の皆様をお招きし、最先端の生産技術/研究をご披露頂きます。その後は、新技術／研究の神髄に迫るべく、深く議論を交わして参りたく存じます。また、講演の後は見学会も予定しております。今回のテーマは接合・印刷・転写技術の最前線です。まず、接合技術について、物質・材料研究機構の重藤 暁津先生にご講演をお願いしました。次に、印刷技術による社会実装について、産業技術総合研究所の野村健一先生にご講演をお願いしました。最後に、転写技術と DX 化について産業技術総合研究所の栗原一真先生にご講演をお願いしました。活発なご討論をよろしくお願い申し上げます。 2026/1/141界⾯ナノ構造の制御による接合と分離の両⽴にむけて重藤 暁津主幹研究員，チームリーダースマートインターフェイスチームマテリアルナノアーキテクトニクス研究センター (MANA),国⽴研究開発法⼈物質・材料研究機構 (NIMS)精密⼯学会 先端精算技術部会研究会2025/08/220⽬次本講演のポイント:p 積極的な表/界⾯のナノ化学・物理構造の制御がシステム全体の機能を左右p 「接合」と「機能（分離を含む）」を両⽴するための表界⾯改設計p 実例紹介 - BEOLから構造材まで1. 背景︓p 次世代IoTモジュールに必要な表界⾯の性質p 表界⾯の何を制御するか2. エレクトロニクスにおける界⾯の種類︓2.1. Type A（直接接合）2.2. Type B-2 （中間層や架橋を活⽤した接合）3. 固相分離性へのチャレンジ︓Type B-2の発展p 簡易な固相分⾥に必要な物性p ⼿法と接合事例4. まとめ※配布資料は当⽇のプレゼン内容と⼀部異なります．ご了承下さい．12026/1/142表⾯・界⾯の制御により機能性材料を創製するためのチーム︓「材料のゆりかごから墓場まで」p 重藤 暁津（TL，主幹研究員）︓半導体微細加⼯や光学的⼿法による構造制御l 研究業務員 4名l ポスドク 1名（24/09/02〜），連携⼤学院⽣（国⽴台湾⼤学 博⼠課程）1名※現在深刻な⼈材不⾜中，ポスドクやインターン，客員（共同研究）⼤歓迎です︕0. 少しだけチーム紹介国研随⼀の多国籍環境アウトドア充実．試飲のできる和洋酒醸造所が⾞30分以内に4箇所もあります全く異なる学理でアプローチ2Bonding Tech1. 背景︓次世代IoTモジュールに必要な表界⾯の性質p 材料の加⼯スケールにSeamlessp 材料の種類や物性にSeamlessエレクトロニクス分野の知⾒を⼯業分野横断的に利⽤可能な⼿法に昇華︓「シンプルで安い (eco-nomy)」接合や組⽴技術の“壁”半導体微細加⼯や電⼦実装分野︓• 微⼩スケールの物性知⾒が蓄積されている• 部品単価が⽐較的⾼いため⾼真空などの特殊な加⼯雰囲気が許容される構造材料分野︓• マクロスケールの信頼性知⾒が蓄積されている• 部品単価が⽐較的低く，メートル級の材料⽣産を前提とする!32026/1/143⾃動⾞・航空機メーカーで公式に採⽤されている構造材料の⼀例．⾚字で記述されているものは電⼦実装分野でも広範に⽤いられている．n ⾼耐熱・耐電圧など対harsh環境材料の共通化n 有機材料も含めた多様な組み合わせで共有/配位結合を形成する必要性n 難成形加⼯性の有機材料とのハイブリッド化は⾼機能構造部品開発につながり市場性が⾼いp 材料の加⼯スケールにSeamlessp 材料の種類や物性にSeamless異種材料汎⽤性 + 環境・社会情勢への対応性︓「シンプルで安全（eco-logy）」1. 背景︓次世代IoTモジュールに必要な表界⾯の性質4表⾯・界⾯の物理/化学的構造の設計・制御＝システム全体の性能を左右1. 背景︓表界⾯の何を制御するか52026/1/144p ⾮真空・ガラス転移温度以下（150℃程度）で結合⼒を発揮p 配線幅に⽐して⼗分に薄い架橋層︓微細化による表⽪効果や散乱などへの対応p 実働中の信頼性︓移動体IoTでは耐⾷性が重要1. 背景︓表界⾯の何を制御するかPackagingAdvancedpackagingBEOLFEOLDevice layers境界がなくなりつつある Wafers / interposers• Shigetou et al., Proc. 51st ECTC (2001)• Shigetou et al., Trans. Adv. Pckg. (2007) etc.AMD Hotchips 2021 Sr. Fellow R. Swaminathan62. エレクトロニクスにおける界⾯の種類界⾯近傍で組成や機能の傾斜構造を形成するためにビーム照射が必要経時的にType Aと同様に変化Type A Type B-1 Type B-2傾斜機能材料ハンドブック (株)エヌ・ティー・エス 第2章 第８節より72026/1/145活性表⾯間の引⼒が接合に寄与︓p 物理的衝撃・ドライエッチングp 共有/⾦属結合材料のみ表⾯活性化常温接合（Surface Activated Bonding, SAB）︓バルク内の結合に近い構造を再⽣1) 初期表⾯に最低限必要な改質条件の把握（化学的要素1）← 初期化学結合状態を統⼀する2) 表⾯改質にともなう機械的形状の変化の把握（物理的要素）← 低温域で全⾯的接触を確保するための安全条件の⾒積3) 創製した結合⼒を維持できる限界条件の把握（化学的要素2）← 試料表⾯がタッチダウンするまでに晒される露出雰囲気での⽪膜形成の限界量ビーム照射により連動して変化する表⾯状態の最適化が必要2.1. Type A︓事例8 !!"<!"# "##!$%$%"!&& !!"=!!"!#!!+!!" ##!#!∗"∗  ⁄$ % #$ ≤ &∗CMP-Cuの安全な粗さ︓概ねRa 2nm2.1. Type A︓ プロセス最適化事例（CMP-Cu）プロセスウィンド = “ある程度の清浄さ”と“物理的初期接触”の両⽴︓このCMP-Cuでは「エッチング深さを8-15nmに + 初期接触までのバックグラウンド真空度を0.2 Pa・s程度以下に」ビーム衝撃によるエッチング深さとCMP-Cu表⾯の化学的組成変化の関係約8nmエッチングで清浄⾯が露出 もしくは表⾯粗さの弾性体正弦波仮定による完全接触条件の⾒積の概念図適正エッチング量8 ~ 15 nmビーム衝撃深さと平均粗さ変化の関係0.2 Pa・s 程度で失活清浄⾯に対する酸素露出量と接合達成⾯積の関係92026/1/146世界初のCu-Cu常温直接接合A. Shigetou et al., J. Surface Sci. 2001 などSiO2どうしはSAB（このケースはArイオンビーム）では接合できないはずでは・・・︖イオンガンからのメタルコンタミが接着剤代わりに︕極薄架橋層の概念に発展2.1. Type A︓ 接合事例（1990年代）102.2. Type B-1︓事例Cu低温拡散接合（Modified diffusion bonding supported by SAB）︓酸化物層厚の制御により150℃でCu-Cu拡散接合を達成した事例⼤気圧雰囲気で形成される⽪膜の構造を制御し，架橋能を発現させる⽅向に発展p ⾼真空雰囲気はコスト⾼ → チップモジュール実働温度上昇 → 常温でなくても良くない︖ → RTから100℃上げれば拡散係数２桁up p 熱可塑性有機材のTg以下ならOK → 150℃程度p ⾃然酸化被膜の厚さ制御で相互拡散できないか︖Shigetou et al., Appl. Phys. Exp. 2009.112026/1/1473. 有機材のマトリックスダメージの低減1. ⾮真空雰囲気 = 何らかの分⼦層の形成が不可避2. 熱可塑性有機材のTg以下のプロセス温度 = 変形能・化学反応能が低いPhysisorbed/organic contaminant接合性の鍵は主に無機材料側の初期表⾯の化学結合状態制御にあるEx. Metal surface Native oxide/chemisorbed layer共有 or イオン結合性物質が多く，化学的に安定な層︓UV光だけでは分解が難しい場合があるFunctional groupBinding energy Wavelength (nm)12⼤気圧雰囲気での分⼦層の形成が不可避なら， 架橋能を発現させてしまえばいいp Tunable chemical structurep Tunable thicknessp Materials compatibilityp High bond strengthp High interfacial reliabilityMaterial 1Surface layer 1Surface layer 2Maetrial 2Ultrathin bridge layer例えばUV光を使ったら︖2.2. Type B-2︓架橋層の考え⽅12Vapor-assisted ultraviolet (V-VUV) 表⾯改質⼿法︓Modifyされた親⽔性接合p 窒素雰囲気（除害の都合上）・ <150℃p ~10nm程度の厚さの架橋層p 架橋層厚は「露出量 (s・kg/m3)」で制御可能p 常温で接触させた後に加熱p 原理的には加圧必要なしp 導⼊溶液を変更することで架橋層の化学構造を変更できる100 – 200 C around• T. H. W. Yang, C. R. Kao, A. Shigetou, Langmuir Vol. 33 No. 34, 2017 etc.• ⽇本 特許第6251935号 などVUV・OH・HCovalentelectronLone pairOutline of V-VUV method in case of WATER vapor2.2. Type B-2︓事例 Ver. 1.（⽔和物を架橋に）132026/1/14814炭素繊維強化ポリマー（CFRP）に⽤いられるマトリックス材と炭素鋼，ならびに航空機材料に⽤いられるPEEKとTi（Ti64も）の明確な熱変性層のない全⾯的接合を達成．Cuバンプレス電極の接合事例．絶縁体はSiO2とポリイミド．すなわち，Cu-Cu, Cu-SiO2, Cu-PIが⼤気圧150℃で⼀括接合され，導通も確認．電⼦実装分野PEEK – Ptの有毒な接着剤を⽤いない接合例．⼈⼯⾻⽤途．J. Elctr. Mtr. (2012), IEEE NANO (2012), Microelctr. Rel. (2016), Mtr. Sci. Eng. C. (2017) etc.2.2. Type B-2︓事例 Ver. 1.（⽔和物を架橋に）構造材料分野バイオ・医療・光学分野透明材料（PDMS）どうしの接合体．界⾯での光透過損失（可視光）がバルクと⽐して2%以下．14無機材料 – 架橋層界⾯の分解が問題︓Irreversible M-O-C（single oxygen bridge）hydrolysis at V-VUV bonding interfaces:• Water penetration to interface• Broken M-O- quickly forms chemically stable oxide • Crack initiation due to stress concentration on unbonded oxide sites V-VUV⼿法で様々な低温⼤気圧ハイブリッド接合ができるようになったからこそ浮上した問題︓p 界⾯（特に無機 – 有機材）の加⽔分解劣化︓V-VUV⼿法（親⽔化接合）に特徴的な弱点p 異種材料間の寿命の違い（後述）n 移動体IoTの典型的材料例: Cu, Al, Ti (Ti-6Al-4V), PEEK, PI, Si，SiC, GaN などn 特に有機材と組み合わせた時に実働環境で⽔分⼦が界⾯に到着するのを完全に防ぐのは困難⽔の侵⼊が不可避なら，加⽔分解反応を平衡状態に保ってしまえばいい2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 新たな課題152026/1/149末端に対向材料との接合性を担うOH基を持ち，無機材側基部に多座配位カルボン酸塩を持つ架橋Schematics of anti-hydrolysis bridge layern アルキル鎖の⻑さ≒架橋層厚n 鎖⻑で親疎⽔性制御可能n アルキル鎖が対向材料と繋がり続けることを「接合が持続」とする“1つが切れている間に他が再⽣”2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 新たな課題16Alcohol - assisted VUV (EやIPA-VUV) ⼿法︓CHラジカルの供給源として低級アルコール蒸気を導⼊ (分解⽣成物の⽣体毒性の低さの観点から)p アトマイズされたエタノールやIPA蒸気を⽤いる以外はV-VUV⼿法と同じp 露出量(s・kg/m3)で架橋層成⻑速度制御p 光源は接合する材料の酸化物などの表⽪層物質の分解に必要なエネルギーで決めれば良いp 平坦表⾯を全体的に接触させるための機械的加圧: 0.04MPa (試料全体⾯積で除した値)Outline of Ethanol-VUV surface modification / bonding  method．• Nature Scientific Reports 9 (2019)• Materials & Design 195 (2020)• 特許第7018223号「積層体の製造⽅法，積層体，及び，暖房便座装置」• 中国特許IIC202391「层压⽣产⽅法、层压加热马桶盖装置」• 特願2022- 90266「表⾯に重合体を含有する基材の接合⽅法、接合装置、および積層体」• Pat No. JP 7018223 etc.p 擬疎⽔性表⾯︓コンタミを受けにくいp Si系ウエハに対しQ-time 24hrs 以上を確保2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2.（Alとポリイミドの接合）172026/1/1410架橋層の化学的構造分析は複数の⼿法で得たデータを⽐較するべきp ⾼エネルギービーム衝撃で⽣じる粒⼦のエネルギー測定︓XPS, AES, SIMSなどl 固体との相互作⽤の⼤きい電⼦を検出する⼿法＝ある程度の情報深さを有する（10nm程度）・実⽤的な検出感度の⽬安は1at%程度（主成分を主な分析対象とする）l AES︓電⼦ビームを使⽤＝微細化が容易＝数⼗nmφ程度の微細領域の元素分析可能．l XPS︓X線を使⽤＝領域は数百umφ程度以上の広い領域．電⼦線に⽐べると試料ダメージ⼩．また，有機物・セラミックス等AESでは困難な物資に対応．電⼦状態を知ることができる．AESで微⼩領域分析，XPSで表⾯平均組成や酸化状態などの使い分けp 吸収スペクトルを利⽤する測定︓(ATR) FT-IR などl 分⼦構造に応じた吸収スペクトルの取得＝有機物中の炭素の結合状態の識別などに優れているl 連続光使⽤により短時間で⾼感度測定可能l 様々な形状の試料に対応可能⻑所︓汎⽤的⼿法でデータベースが充実，膜厚計算理論が成熟短所︓データ解析が恣意的になりがち，有機化合物中の炭素の結合状態同定が難しい2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 測定⽅法（Alとポリイミド）18有機材料のマトリックスダメージが少ない︓微細化時に微⼩領域の物性維持は重要「接合」⾃体はどちらもできる例︓ポリイミドのビームプロセスによる“活性化”⾼真空中のビームプロセス（⾼運動エネルギー粒⼦） UV光などによる改質n 開裂部位︓C-O-C，C=O，C-Nn C凝縮が発⽣︓ひび割れ，絶縁不良などの原因n 低マトリックスダメージ，最表⾯で物性を⽐較的維持→微細化時に重要O-C O=C ベンゼンYang, Kao, Shigetou, Langmuir 2017改質前⾼真空中でのAr⾼速原⼦ビーム衝撃表⾯改質前のポリイミド表⾯で取得したXPS valenceスペクトルベンゼン2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 測定事例（Alとポリイミド）192026/1/1411異なる露出量でE-VUV処理を施したAlのO1sスペクトル．⿊線が元スペクトル，⾊線が結合構造ごとに波形分離したもの．(a) 取得したスペクトルをピーク形状の違いを強調するために最⼤強度で正規化したもの．架橋末端の親⽔性官能基形成に伴うFWHNの増加が⾒られる．(b)-(d) 各化学構造に対応するピークごとに波形分離した結果．⿊線が元のスペクトル，⾊線が各構造に対応．E-VUV処理後に-OHならびにC-OOHに対応するピーク強度が増強．各化学構造を含む層の厚さ x は⾓度分解で得たピーク⾯積強度⽐から計算できる︓'& = '' ) *( ⁄) *! +,- ./Im︓ターゲットとなる化学構造を含む厚さxの層で覆われた表⾯で，検出⾓ = θ1で測定したピーク⾯積強度Iu︓異なるθで取得したピーク⾯積強度λm︓薄膜物質の⾮弾性散乱平均⾃由⾏程XPSなどの分光法による化学種の同定︓想定した架橋層に含まれる化学種の確認p E-VUV処理を施したAlのO1sスペクトル︓アルキル鎖・架橋末端に由来する-OH，C-OOHを確認p Alカルボン酸塩の形成をAl2p, C1sスペクトルのみから確証することは難しい2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 測定事例（Alとポリイミド）20E-VUVなし218 s・kg/m3794 s・kg/m3E-VUV処理を施したAl表⾯と架橋層の間に2座配位のカルボン酸塩形成を確認ATR-FTIR法によるAl上の炭素の結合状態変化の追跡事例．XPSでは明確なピーク分離が困難．露出量の増加に伴い炭素の結合状態変化を⽰すピーク群が出現．特に，架橋のアルキル鎖伸⻑ならびに基部のカルボン酸塩形成に特徴的な構造が確認された．アルキル鎖の伸⻑Δ = nasー d = 151 cm-1→ 2座配位C. Ohe, J. Phys. Chem. B103, 1999.2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2. 測定事例（Alとポリイミド）212026/1/1412Al（on native oxide）PolyimideAl表⾯上への架橋形成は約2000 s・kg/m3まで露出量に⽐例して増加し，その後律速．Freundlichの等温吸着挙動で近似される．VUV-dissolved sites are occupiedHydroxyls are oxidizedRatioofC-C&C-Hbonds(%)Exposure (kg・s/m3)XPSで測定したPI表⾯上の C-C の C-H に対する原⼦濃度⽐．C1sスペクトルの波形分離結果から算出．アルキル鎖の伸⻑を意味する．Hラジカルで還元されたサイトへの吸着が⽀配的（等温吸着）の間は露出量に⽐例し，その後は律速する．Saturation exposure︓320-470 kg×s/m32.2. Type B-2︓事例 Ver. 2.（Alとポリイミドの接合）2285%RH・85℃ 3ヶ⽉経過後も明確な⽋陥・クラック進展なし，⺟材破断強度E-VUV⼿法で150℃以下で接合されたAlとPIの接合界⾯の透過電⼦顕微鏡像．接合実験を⾏った露出量はAl 1890 s・kg/m3，PI 400 s・kg/m3．(左) 接合達成後ただちに試料製作された断⾯，（中）左図a, b点で取得したディフラクションスポット．この時点ではそれぞれの材料とアモルファス状の架橋の存在が⽰されているだけ． (右) ⾼温⾼湿試験3ヶ⽉後の界⾯.p 接合達成直後は10nm程度の厚さのアモルファス状の架橋層として明確に残存p ⾼温⾼湿環境でAl → PI側に傾斜層が約20nm厚で形成される2.2. Type B-2︓事例 Ver. 2.（Alとポリイミドの接合）232026/1/1413p E-, IPA- VUV⼿法で形成された架橋層は経時的に傾斜層を作って安定化p 無尽蔵に厚くならない︓別の機能を発現する「層」として使えないか︖Al(OH)3の形成源として可能な界⾯︓① ⾃然酸化⽪膜を貫通してAl⺟材から供給されたAlイオン② PIの電荷移動遷移による⾃然酸化⽪膜の分解③ ⾃然酸化膜の最表⾯がE-VUV⼿法で発⽣するプロトンに還元された時のAlイオン余剰分が，架橋末端の脱⽔縮合で発⽣する⽔分⼦と反応E-VUV⼿法で接合したAl – PI試料を85℃・85%RHで6ヶ⽉保持した後の界⾯の電⼦顕微鏡像および架橋層近傍でのディフラクションスポット．3. 固相分離の両⽴へ︓Type B-2の発展アイデア24A clear "trigger” for solid-state debonding at low temperature that does not overlap with actual operating or reliability test conditions.p Trigger condition must be reached with existing industrial equipment.3. 固相分離の両⽴へ︓どのような物性が必要か⾼信頼性な接合と簡易な固相分離を両⽴するために必要な熱的物性の概念図．界⾯近傍のみに応⼒を急峻に印加したい以降 ICEP2024で発表内容252026/1/1415p 露出量2.4 s・kg/m-3 近辺の条件で接合した無酸素銅試料のせん断破断強度︓すべて20MPa以上（設定⽬標達成），凝集破断を呈したp 全体強度は破断強度を⾒かけの接合⾯積で除して求めたものなので，真実接合強度は上記より⼤きい．真実接合⾯積の考察が今後必要．p 試料によっては耐荷重500Nの試験機で複数回試験を実施する必要もあった．研磨表⾯の傾きやダレに起因する初期接触のばらつきによるもの．Cu⾃体への架橋形成挙動は明確になったので，今後は平坦化試料の利⽤も検討する．接合体せん断ツール接着剤 試料ステージ上の試料だけに荷重印加，せん断本研究で⽤いるせん断試験装置の概略図．最⼤印加荷重500N．界⾯の接合強度が⼤きく破断に⾄らなかった場合は荷重を繰り返し印加．3. 固相分離の両⽴へ︓接合結果283. 固相分離の両⽴へ︓固相分離トリガーの確認4 FIB points100 umCu Cu均等に界⾯が開放されている。表⾯形状などが原因の接触不良であればこのように均等かつ薄く開放されることは難しい。CuCu-95℃で24時間保持したCu接合試料を、FIBで試料内部に向かい掘り下げて界⾯を露出させ、SEM観察した結果。左上が界⾯斜め上からの低倍率俯瞰像。4点で深堀りを⾏った。右下が拡⼤像。292026/1/1416複数の機能を包含した界⾯形成⼿法としてのビーム照射技術の応⽤例として，次世代移動体IoTデバイスのための「接合と分離の両⽴」を挙げ，界⾯の種類と要素技術について説明した︓1. BEOLとAdv. Pckg.がSeamlessに︓⼤事なのはスケールと材料にSeamlessな接続ができること2. ⼤事なのはスケールと材料にSeamlessな接続ができること3. 低温（RTでなくて良い）・⾮真空プロセスが必要4. 界⾯は“傾斜層”︓今後は傾斜層 =  架橋層と考えたプロセス設計が必要5. 事例としてVUV-assisted⼿法を挙げ，架橋形成概念・⽅法・接合事例を紹介6. E-, IPA - VUV⼿法では⾼い耐⽔信頼性や親疎⽔性制御性が実証された7. 本⼿法固有の酸化物ナノ結晶⽣成機構を固相分離のトリガーとして使うアイデア，現在進⾏中まとめ30