# Fileset

[図.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/7be58527-938b-4b02-a8b3-b4a8fd81b93b/download)

## Creator

[田沼繁夫](https://orcid.org/0000-0003-2628-9941)

## Rights

[Creative Commons BY-NC Attribution-NonCommercial 4.0 International](https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/)

## Other metadata

[表面電子分光法における電子の散乱効果の研究](https://mdr.nims.go.jp/datasets/42075a75-380f-445c-a52a-887413320242)

## Fulltext

Microsoft Word - 図.doc100101102103101 102 103 104Inelastic Mean Free Paths (Å)Electron Energy (eV)         図１．電子の IMFP のエネルギー依存性 5)．４１種類の元素についてそれらのエネルギー損失関数から Pennのアルゴリズムにより計算した．          図２．モンテカルロ法による弾性散乱強度の計算の概念図 12)．  020406080100100 1000!"!#$%&'"(""$)&*+,-./01%&'"Electron Energy (eV)SiInelastic Mean Free Path (Å)010203040506070100 1000!"!#$%&'"(""$)&*+,-./01%&'"Electron Energy (eV)CrInelastic Mean Free Path (Å)0102030405060100 1000!"!#$1%&'"(""$)&*+,-./01%&'"Electron Energy (eV)AgInelastic Mean Free Path (Å)01020304050100 1000!"!#$%&'"(""$)&*+,-./01%&'"Electron Energy (eV)PtInelastic Mean Free Path (Å)     図３．弾性散乱分光法により測定したSi, Cr, Ag, PtのIMFP（マーク）のエネルギー依存性13)．実線は物質のエネルギー損失関数からPenn のアルゴリズムで計算した値．点線は一般式TPP-2Mの値．  Overlayer film thickness  (nm)t0Measured Intensity :  Log (I  s  /I s0)1.0AB   図４．P-EALとL-EALの説明図．線分A-Bの傾きがP-EALに相当する．深さt（点B）における対数スケールでの測定強度の傾き（微分係数）がL-EALに相当する．