# Fileset

[NIRIMNews0111.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/6ee9376e-0dd3-4a91-ba7b-31c984de9303/download)

## Creator

無機材質研究所

## Rights

In Copyright[In Copyright](http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/)

## Other metadata

[無機材研ニュース第111号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/de904b9a-3242-4b31-b0e1-5e890dfabf93)

## Fulltext

無機材研ニュース第111号、七〇一．ゼEoo一一〇E餉Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo－ooO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○蜆眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］0f←1号 昭和ZnO粒界の組成分布とバリスタ特性年8　1．はじめに　セラミックスの研究においては、粒界の構造・組成分布を明らかにすることが研究の第一歩となることが多い。最近、粒界の構造・組成分布を解明する理論的な試みが数多く行われ、いくつかの基本的な事実が明らかになってきている。イオン結合性セラミックスの場合、イオンがプラスとマイナスの電荷を持っているのが特徴であり、それらの間に作用する引力・反発力によって粒界の構造が決まる。特に、酸化物ではイオン問の反発力が重要な働きをしていて、粒界はイオンが抜けた隙間の多い構造をとっている。このような理論的な考察を行う際の基礎となるのが対応粒界である。この粒界は結晶粒内のイオン酉己列と整合性が良い粒界であり、実験的にも数多く観察されている。　対応粒界は格子歪みが小さく安定である。そのため、粒界は不規則・不定形な構造をとるよりも、対応粒界構造を取るほうがエネルギー的に有利になる。しかし、実際のセラミックスの粒界の多くは、方位の異なる結晶粒子からできており、構造は多かれ少なかれ乱れている。この乱れは、粒界域に欠陥・転位・不純物などの偏析を引き起こし、粒界の性質を粒内とは違ったものにする。しかも、そのような粒界が3次元的なネットワークを形成して全体の特性を決めているので、セラミックスの特性を制御するためには、粒内・粒界の特性、不純物・欠陥の偏析など数多くの因子を同時に制御することが必要になる。このことは、プロセス制御の重要性を示しているが、同時に、粒界を1つ1つ評価することの重要性をも示している。以上のような観点から、1つ1つの粒界に着目して、機能性セラミックスの代表的第10研究グループ主任研究官　田中　順三な例であるZnOバリスタの粒界の組成分布、特性分布について調べた。　2．ZnOバリスタ粒界の組成分布　ZnOは、Bi．O。を1モル％程度添加すると、非線形質な電流電圧特性（バリスタ特性）を示すようになる（図1）。この特性は、Bi．O。を添加したため、ZnOの結晶粒界に電気的な障壁が形成された結果起きると考えられている。しかし、現在、添加物がどのような機構で電気障壁を形成するか明らかにされていない。そこで、走査型オージェ電子分光法を用いて、粒界の組成分布を調べ、粒界の電気的構造について考察した。測定結果を図2，3に示す。電子ビームO．5＜マ昌一〇．5＼h一1　　　　　　一50　　　　0　　　　　50　　　　　　　　　　V／V図1　ZnOバリスタの電流電圧特性。□は　試料作製直後の測定結果、○は直流電圧　70V，30分間印可後の結果。（1）O．5o　O　　　　　o　　　　o　　　　　　　ooZn濃度Bi　　　　　　　　　　　60　　　　　　　　　　　　　　　120　　　　　　　　　　　　　　　ユ80　　　　　　　　　　　　　　　スパッタ狩闘（秒）図2　ZnO：Bi系の粒界の組成分布。粒界破断面のオージ。。電子のディプスプロファイルより求めた結果。横軸はスパッタ時聞：20秒が約1訂m。縦軸はモル分率。スパッタイオンはAr．O．5Zn濃燈BiO　　　　　O　　　　　　　　　　　　　　　　60　　　　　　　　　　　　　　　120　　　　　　　　　　　　　　　180　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　スパッタ時簡　（秒）　　　　　　　　　　　　図3　ZnO：Bi系の粒界の組成分布。条件は図2と同じ。の径が0，5μmであるのに対し、セラミックス粒子の　　れにしてもZnO粒界にはBiの偏析が認められ、電気大きさが約ユOμmであるので、図の結果は、1つの粒　　　障壁の形成にBiが直接関与していることがわかる。界の局所部分についての結果である。　　　　　　　　　電顕による格子像の観察結果によれば、ZnOバリ　図に屍られるように、ZnとOは粒界近くで減少　　　スタの粒界構造はほとんど乱れていない。一般に、し、Biは増加している。図2の場舎、Zn：Oの比は　　　「粒界の構造が舌Lれず、化学的性質が粒内と同じで粒内で1対1であるが、その値は粒界の近くでも変　　ある」場合、粒界の組成分布は計算によって求める化せずほぼ一定である。もし、BiがBi．O茗の形で粒界　　　ことができる。図4は、固溶しにくい不純物が存在に存在しているとしたら、粒界に近づくにしたがっ　　　している時の計算結桑である。この結果は図2と形て酸索濃度は増カ日するはずである。しかし、結桑は　　　状、幅などが良く一致している。この一致は、Biの逆に減少しており、粒界域のBiは酸索を伴わないこ　　　イオン半径が大きくZnOに固溶しにくいことを反映とを示している。図3は粒界域の厚さが厚い（図2　　　していると同時に、圃溶したBiはZnサイトに置換すが2nmであるのに対し、およそ10nmである）場合の　　　ることを示している。しかも、「粒界域のBiは酸索を結果である。Biの濃度が高いことに加えて、粒界で　　　伴わない」ことから、Biは、イオン半径の違いからZn：Oの比が1からずれるなど、図2と比べてかな　　　くる格子歪を緩和するため常に酸索欠陥を伴って置り異なる分布をしている。50点程度の測定緒果によ　　　換することを示している。このような欠陥状態は、ると、多くの粒界は図2のような分布を示し、図3　　　粒界が金属的であることを意味しており、ZnO－Bi・のような粒界はあまり観測されない。しかし、いず　　　O。系で半導体一金属一半導体モデルが成り立つこ（2）濃度　　　　　　　　　粒界からの距離　　図4　1000Kでの粒界近傍の組成分布。不　　　純物のエンタルピー、静電エネルギー、　　　エントロピー（ペア近似）を取η入れた　　　結果。とを示している。　図2と図3を比較すると、粒界に偏析しているBiの濃度が違っている。この濃度の違いは多くの粒界で観測される。これは、構造が粒界ごとに違うため、Bi，Zn，Oの安定性（エンタルピー）が変化し、粒界域でのイオン分布の仕方が変化した結果と考えられる。　3．粒界の特性評価　以上のように、粒界では1つ1つ、組成分布の仕方が違う。では、粒界の特性はどうなっているであろうか。物理量として、内部電界、障壁の高さ、キャリアの拡散などを対象とし、電子線誘起電流（EBIC）によって粒界の特性の違いを調べた。内部電界、キャリアの拡散といった物性はバリスタという機能の出現に直接関する要因であり、機能の素になるという意味で素機能と呼ぶことができる。セラミックスでは、この素機能が粒界ごとに違うのが特徴である。　ZnOバリスタは、高電圧を印可して長時問使用すると劣化する（図1）。このような劣化はZnOバリスタに限らず、a－Si，MOSなどにも見られる現象であり、素子の信頼性と関係して材料科学の大きな問題となっている。EBICの測定に用いた試料は、劣化したバリスタである。鏡面研磨した試料のSEM像とEBIC像を図5に示す。上の写真では試料の形状・結晶方位に起因する極めて弱いコントラストが観測されるだけであるのに対し、下の写真では粒界に沿って白と黒の線状のEBICコントラストが観測される。その他、幾つかの焼結粒子を含み、面状に広がった試料電流によるコントラストが観測される。濃さは上から下に向かって階段的に濃くなっている。詳しい議論は省略するが、EBICが観測される粒界の内部電界、電気障壁は、EBICが観測されない粒界より高い。したがって、図5のEBICコントラストは、内部電解及び電気障壁（素機能）の大きさの分布を示し　　図5　ZnOバリスタのSEM像（上）と　　　EBlC像（下）。EBlCの電極は図の上下に　　　付いている。ている。図のように、素機能は粒界によって違う。このことは、粒界の特性がそれぞれ違うことを意味しており、前節で述べた「組成分布が粒界ごとに違う」ことに対応している。以上のことから、バリスタでは、結晶粒子の方向が異なるため粒界構造が変化し、それが独白な組成分布を引き起こし、最終的に個々の粒界の機能・特性を違ったものにしていることがわかる。このことは、また、セラミックスの特性を向上するためには個々の粒界を均一に制御して特性を良くしていく必要があることを示している。　4．結　論　セラミックスの研究分野では、近年、求められる機能はますます高度化し、それに伴って研究対象もますます複雑かつ原理的になってきている。とりわけ、セラミックスの特性・機能は粒界のちょっとした状態の変化に敏感に反応するため、マクロな系の機能と粒界の静的状態を関係づける手法、あるいは上述の素機能を粒界単位で観測する技術の開発などが必要になってきている。（3）第16回無機材質研究所研究発表会のお知らせ　当研究所では、創設依頼「グループ研究」という独自の研究システムにより、新しい無機材質を求めて幅広い材料研究を展開しております。　昭和62年度において、所期の罵的を達成した3つの研究グループの研究成果を右記により発表したいと存じます。参力擾に係る費用（含研究報告書）は、一切無料となっています。また、申込は、当ヨ会場にて受付を行います。　皆様方多数参加下さいますよう、ここにご案内申し上げます。研究発表会会場のご案内研究発嚢会会珊（研究交流センター）への交通1．J　R　常鑑線　土野から＝11＝11［荒川沖駅，土浦駅　　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅60分）　　　　　　　水戸から：■i［±滴駅，競川沖駅　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅6C分）バス　関東鉄遺パス　荒川沖駅から…千現一丁目　　　　　　　　　　　（筑波大中央行き、20分）　　　　　　　　　　土浦駅から…挙園竹圃　　　　　　　　　　　（筑波大申央行き，25分）徒歩　　　　　　　　　　　　（徒歩5分）　　　　　　　　　　　　（徒歩10分）　　なお、マイクロバスは、10時30分頃慌川沖駅」東口より「研究交流センター」へご案内します。2　高速バス（JR及び関東鉄道）東京駅八重洲南口から…つくばセンター　　（30分闘隔にて発車、所要時聞約60分）徒歩　っくばセンターから　　会場　　　　　　　　　　　　　（徒歩15分）　　　　　　　　　　記　　日時　昭和63年1閉21日（月）　！！：OO～！5：30　場所　科学技術庁研究交流センター国際会議場　　　　茨城緊つくば市竹園2丁目20－33．プログラム　1）！1：00～11110　あいさつ　　　　　　　　　　所　　長　　瀬萬　信雄　2）11：10～12：！0酸化ビスマスに関する研究　　　　　　　　　　総合研究官　堀内　繁雄　　　　　　　一休　　憩一　3）1330～ユ4．30　アモルファス・ペロフスカ　　　　　　　　　　　イトに関する研究　　　　　　　　　　総合研究官　岡井　　敏　4）1430～！5：30　アルミン酸希土類に関する　　　　　　　　　　　研究　　　　　　　　　　総合研究官　木村　茂行　5）1530　閉会JR常磐線及び連絡バス時刻表　　　　　　　　　　　（昭和63年8月現在）〈下り〉上野行先荒川榊（土滴）馴沖子丁習会場⑱8147平9：5〕9：57）1O：001011810：23⑬9：03土浦10：03（1C：C9）IO：I5玉O：3uO：36⑱9：20勝籔！0：28（10133）IO：3710：5310：58⑯9130勝脹一一　（10：玉6）＜上り〉　　　　　　　　　　　　　　　　千　現ム始発水戸（土浦）剤11沖剤■紳1了目皿場臼立　9：03（9：52）10：0210：玉5I0：3110：36珪参日目　9＝30（1O：04〕　一原ノ町9：32（10：2C）1G：3玉10：37！0：5310：58◎当研究所の直通バス（無料）　　　　　　　　　　　　10：33　　　　　　　　10：53　なお、1土1補駅でお降りの方は随時路線バスがございます。｛4）研究発表会 発表要旨　酸化ビスマスに関する研究　酸化ビスマス及びその関連化合物にはイオン導電惟、超竃導1生など実用的に注目される性質を示すものがある。　安定化δ梱は高いイオン導電性を有するが、数玉OO℃以上での長時間の加熱に対して不安定であり、熱サイクルを受けると崩壊してしまう。このためにガスセンサー索子としての実用化には至oっていない。本研究での冒的は、1）安定イヒδ相の不安定化の機構、2）真に安定化するための方法、を見出すことであった。結桑的には、1）に関連してWO。、Y。、Ho．O呂などの第2成分の添力臼が相平行及び熱膨脹に及ぼす影響を明らかにした。2）に対しては第2成分の他にさらに第3成分を加えた場合の効果を明らかにした。　Bi．MoO。は酸化触媒として実用されているが、材料学的観点からは不明な点が多々残されている。我々は特に重要な多形の構造及び熱力学的安定関係を明らかにした。　本研究グループの期間終了間近になって（昭和63年1月）金属材料技術研究所において酸化ビスマス系高温超電導体が発見された。これはそれまでの稀土類系のものに較べて理が高い（～105K）ので注目を集めた。我々は主として電子顕微鏡を用いて調べ、本物質は変調構造を有することを明らかにし、さらに、高分解能格子像の計算機シミュレーション法に基づいて、構造解析（構成原子の座標及び歯有率の決定）に成功した。　以上の研究には未解決の問題が多く残されている’が、一部は新グループ（ビスマス基オキシ弗化物）に引継がれる予定である。　アモルファス・ぺqブスカイトに関する研究　アモルファス状態に融体の趨急冷法によって作られるが、酸化物のような脆い物質の厚膜を作るのに適したソフトローラー法が開発された。これによってKNbOヨ、及び添カヨ物質を含むものなどの厚膜が作られた。膜はその後の熱処理を加えて、ぺロブスカイト、F穐、アモルファス等の構造に豪たがる。誘電率、抗竃界等の特性に見るべきものがあり、赤外検出能での実用化が期待される。現在、超急冷法では密度ほぽユOO％のY－Ba系、Bi系超伝導酸化物膜が作られている。　ベトノルッ・ミュラー以前に超伝導ペロブスカイト物質の高圧合成をめざしていたので、高圧に関する基礎研究が行われた。高圧1次香目転移の最も基本的なタイプについて、楯転移は原子間の反嬢力による格子力学的不安定であり、結晶がズレる方向に運動した方が安定化することを示した。また一軸圧を加えることにより原子の集団運動の素過程が明らかになることも示した。この際、高圧下の一軸圧測定法を考案した。ペロブスカイト高圧合成は硫化物について行ったがBa（Ti。．。。Zr。．。。）S雪が転移したのみで、飽は殆んどNH．CdCl。形になる。もちろん超伝導物質ではない。高圧装置研究ではWCアンビルの破壊鐘線が高圧領域に到るまで、ある1本の線で書きあらわされる事が分った。　ベドノルツ・ミュラー後、La－Sr系近縁構造の結晶化学、Y－Ba系の正方晶・斜方晶転移などが調べられ、近縁物質PrBa．Cu島O。が作られた。（Y，Pr，Ca）Ba．CuヨO。の固溶系が調べられ、乃とCuの平均価値との関係がYBa．Cu畠O。の駿素欠損の場合と違って複雑なことが指璃された。またBi系の乃の圧力効桑が負であることが見出され、正を予言する、いま最も有望視されているR．V．B理論へ問題が投げかけられた。他にYBa．Cu彗O。のYをCaで置換することにより、臨界電流が倍近く上ることが見出された。　関連物質として焦電センサーとしてのゲルマン酸鉛圃溶系、過酸化水索化チタンの単離、高純度酸化チタンの合成がある。　アルミン酸希土類に関する研究　Ln．O富・nAl．O。で表される六方晶アルミン酸希土類結晶は独特の結晶構造を持っており、レーザー結晶としての利用が期待されている。この様な結晶の形成は比較的大きなイオン半径を持つLa，Pr，Ndの特徴である。本研究ではLa．O呂・nAl．O。及びNd．Oヨ・nAl・O・について化学組成の決定及び結晶構造の解析を行い、いずれもマグネトブランバイト型を基本とした層状構造を持ち、特定の欠陥構造が特定の割合で混在することを明らかにした。　そこで代表としてLa．O宣・nAl．O茗を選び、レーザー結晶としての性質を調べることにした。まずAl．OゴLaAlO茗系の相平衡を調べn＝13，6～14．4であることを見出し、分解溶融化合物であることを確認して、その時の融液組成を決定した。更にMgOを加えたAl．O。一LaAlOゴMgAl．Oヰ系の相平衡を調べ、La．O。・nA1．O且とLaMgA1HO1目との闘に連統固溶体（5）（LMAと称する）が形成され、途申組成がコングルーエントに溶けることを明らかにした。集光式FZ法によりNd，Cr，Ti，V等を含むLMA峯結晶を合成し、それぞれの偏析係数を決定し、圃液界面に現れるファセットの種類を明らかにしれNdを含むLMAはCZ法によっても合成した。Nd：LMAは分光学的特徴がレーザーダイオード（LD）励起レーザーの用途に最適であることを指摘した。Ti：LMAについては有望か否か判定が微妙で、更に研究が必要と患われた。　関連研究とした六方晶アルミン酸イヒ合物の系統約な研究、液相エピタキシーによる薄膜単結晶合成とその光学歪の研究、その場観察手法による高濫・高圧下での緒晶成長の観察、X線トポグラフィーによる単結晶評価、電予顕微鏡によるβ一アルミナ型六方晶アルミン酸化合物の観察等を行い、広い視野からのアルミン酸希土類結晶の理解に資した。外　部　発　表※　投　　　　稿登録番号 題　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等2005 Superconducting　Properties　of　Highly 石沢　芳夫・福長　　鰭 JPn．J．ApPl．Phys．Oxidized　Superconductor 野崎　浩司・田申　高穂 26，5，L676．！987Ba。一。YI。。Cu且O。一。2006 Crystauization　of　dense㎜agnetic 梅原雅捷 Physical　Review　Bpo王arons　in　degenerate　magnetic 36，1，574．1987SemiCOnduCtOrS2007 Electronic　Structure　of　Superconducting 藤森　　淳・室町　英治 Solid　State　Comm．Cu　Oxides 内田　吉茂 63，9，857．！9872008 Phase　Re1ations　in　the　Ti－Mo－S 和翻　弘昭・小野田みつ J．Lex－Common　Meta王sSystem：The　Structres　of（Mo1一。 子 135，205．1987Tix）2＋yS雪and　Ti3Mo3μS52009 Large－VoIU触e　F三at　Be互t　Apparatus 福長　　脩・山岡　信夫 High－Pressure　Research赤石　　實・神E日　久生 in　Mineral　Physics，大沢　俊］・下村　　襲 pp－17－28．1987長島　　隆・吉川　昌範2010 SiC双結晶の境界構造 上村揚一郊・猪殴　吉三 窯業協会誌、市野瀬英喜 95，9，841，王98720！1 High　Field　MagnetizatiOn　of　Single 飯日日潤二・刺11康婿 J．Phys，Soc，JapanCrystal　LuFe．O。 竹川　俊二・君塚　　昇 56，10．3746，且9872012 Ramon　Scattering　in　Sing互e　Crysta1 山申　明爽・南　不二雄 JPn．J．ApPl．Phys．Ba．YCu畠Oy 渡辺　賢司’・丼上　久遠 26，8，Lユ404．1987竹川　俊二・井伊　伸夫2013 Re工ations　Between　the　Heats　of 大橋　晴夫 Thermochim1ca　Acta．Formation　of　MXヨHalides　and　the ！20，115．1987E1ectronegativities　of　the正工a王0gen　Ions2014 Resuscitation　of　carbon－contaminated 小出　常晴・福谷　榑仁 ApPlied　Optics，mirrors　and　gratings　by　oxygen 柳原　美広・庭野　道夫 26，！8．3884，ユ987一discharge　c王eaning．1：Efficiency 相滴　義弘・加藤　博雄recovery　in　the4－40－eV　r我nge 佐藤　　繁・設楽　哲失藤森　　濠20玉5 Loca王ized　indirect　exc三tons　in　a 商　不二雄・平田　和美 Phys，Rev，B．shortperiod　GaAs／A2As　superiattice 江良　　暗・八百　隆文 36，5．2875．1987舛本　泰章2016 Studies　on　the　Ther鮒al　Behavior　of 雲野　健・俊藤忠夫 JPn．J，ApP玉．Phys，Ba2YCuヨO。＿。by　X－Ray　Powder 大庭　茂樹・太田　正恒 26，5，L869．1987Di脈action　Method 岡村富土夫・小野　　晃20玉7 新しい焼結体の制御技術 自嵜　信一 工業材料、35，16，5．1987（6）登録番号201820192020202120222023202420252026202720282C292030203玉203220332034203520362037題　　　　　　　　　　目ルビー高圧カセンサの一軸圧縮応力下の特性Formation　and　characterization　ofLayered　Lithium　Titanate　HydrateOxygen－Sensitivity　Resistivity　ofLa2CUOヰat　High　Temperatures光電子分光から見た高温超伝導Magnetic　Structure　of　Intermeta王1icCompoundκ一Mn5Ge2結晶化掌的視点から見た高温超伝導体Loca王ized　Versus　ltinerant　Character　ofd　Electrons　in　NiS：PbotoemissionSpectroscopic　StudyAdsorption　of　Uranium　from　MtricAcid　Solutions　Using　Crysta王1ineHydrous　Titanium　Dioxide　FibersCo㎜plexes　of　Na一，Ca一，and　Zn－Montmori11onites　with　an　AminatedCydodextrin複合酸化物単結晶の育成Loca王ized　E王ectrons　Around　Cu　Atomsof　Supercondctor，TetragonaiYBa里Cu宜＿。07＿ySynthesis　of　Sintered　Diamon（玉withH｛gh　E1ectrical　Resistivity　andHardnessSuperconductivity　of　YBa2Cu茗＿。M．Oy（M＝Co，Fe，Ni，Zn）Dynamics　of　Excitons　Localized　byDisorder　in　SemiconductorsThe　Oxygen－Deficient　Perovskite　So王idSolution　Nd1似Ba2＿xCu30y　and　ItsSuperconductivityPreparation　of　Ba2YCuヨ07－y　withτcbe王ow65KSynchrotron－radiation　photoemissionstudy　of　tbe　high一τc　superconductorYBa2Cu307＿苗Surface　Phonon　Dispersion　of　HfC（100）ASuperstmctureMode王to玉nterprettheDiffuse　Electron　Scattering　Observed　inBa2YCu30y第48回応用物理学会学術講演会（亙987年）報告薄膜・表函発　　表　　者藤城　郁哉・中村　裕一川瀬　威・岡井　敏佐々木高義・小松　　優藤木　良規野崎　浩司・E日中　順三芝田　研爾藤入　　淳山田　修義・松橋　　達泉　富士夫・池亀　蜂秋大山　哲夫中井　　泉・泉　富士夫藤森　　淳・的場　正憲安西修一郎・寺倉　清之谷口雅樹・小川進菅　　滋正小松　　優・藤木　良規佐々木高義木島　　剛・竹之内　智松井　佳久北村　健二井上善三郎・佐々木　聡井伊　伸夫・竹」■1俊二赤石　　實・山岡田申　順三・大沢福長　　脩室町　英治・内E日加藤　克爽南　不二雄・江良竹川　俊二・野崎石沢　芳夫・井伊信夫俊一吉茂皓浩司伸夫小野　　晃・末野　重穂小林美智子・石沢　芳夫高橋　　隆・細谷　正一前田　文彦・藤森　　淳荒井　　宏・設楽　哲夫吉囲　　榑・小出　常晴岡部　豊・宮原垣星鈴木　　孝・小野田雅重社本　真一佐藤　正俊M．W鶯ttig・大島　忠平相沢　　俊・走右圖龍太郎大谷　茂樹・石沢　芳夫松井　良爽大島　忠平・難波　義捷掲　載　誌　等日本機械学会論文集C，53，　494．　2121．　1987Mat．Res．Buu，22，　王0．　1321．　1987Jpn．J．Appl．Phys．26，11，L王881．互987パリティ、3，1，54．1988J．Phys．Soc，3aPan，56，　1ユ，　4107．　1987圃体物理、22，12，4！、1987J．Magne，Magn．Mat．70，　67．　1987Bu1王．Chem．Soc．JPn．60．　4443．　1987J．Inc．Phenom．5，469．1987工業レアメタル、Nα93，　pp，54．　1987Jpn．J．Appl．Phys．26，8，Lユ365，ユ987J．Am．Ciram．Soc．70，！0，C237．1987Jpn．J．App王．Phys．26，12，I■2087．1987J．Luminescence，38，84．1987JPn．J．ApPl．Phys．26，12，L2076．1987Jpn．J，Appl．Phys．26，三2，L王985，王987Physical　Review　B36，　lO，　5686．　1987S班rface　Science，192，573．1987Jpn．J．AppI．P吋s．26，12，L2021．1987応用物理、57、互、113．1988（7）※訂正　前号（110号）訂正箇所　　　　　正2ぺ一ジ左9行　　安定性　〃　左11行　　テレビ様安全性テレビ用訂正箇所 正　　　　　　誤3ぺ一ジ図5中　　　〃3ぺ一ジ左10行SiC　　　　　SicGa里　　　　Gap削除　　　　　（ルーメンノW）☆　M　E　M　0　☆運當会議　6月27日、第110回運営会議が1）昭和64年度重要施策にっいて、2）その他の議題で開催された。研究会　6月6日、第3回ダイヤモンド研究会が「遷移金属カルコゲナイド界面とIB族金属との相互作用」の議題で開催された。　6月！0日、第40回結合状態研究会が「金属中及び金属表面上の水素」の議題で開催された。　6月14日、第22回チタン酸塩研究会が「希土類金属の分離化学」の議題で開催された。　7月13日、第5回非線形光学結晶研究会が「非線・形光学結晶の最近の進歩」の議題で開催された。海外出張　超高温ステーション総合研究官守吉佑介は、「超微粒子の熱プラズマ合成と評価に関する研究」のため、昭和63年7月14日から昭和63年8月14日まで、カナダ国への出張した。外国人の来所5月26日Dr．H．EckhardtHoenig西ドイツ　　　　　シーメンス社5月27日　Prof．Jung　Ho　Je韓国　Pohang　　　　　Institute　of　Science　and　Technology5月31日　Dr，M．G．NichoIas英国国立原子力　　　　　研究所他3名6月1日　Mr．Yam　Barbaux　他4名　フランス　　　　エコールドミン大学6月3日　Prof．R．Ender工ein西ドイツフンボル　　　　　ト大学6月4日　謝　先徳　中国科学院地球科学研究所6月6日　除　祖耀　中国上海交通大学他7名6月7日　Dr．Pi㎎Tien　Wu他4名　台湾工業　　　　技術院6月10日　Prof．T．C．Lei他2名　中国　　　　Harbin　Institute　of　Technology　　　　Metals　and　Heat　Treatment　Division6月14日　Mr．Antti　Eskola　フィンランド大使　　　　館科学アタッシュ6月14日　Henry　Freiser米国アリゾナ大学6月22日　Dr．F，W．Clinard，Jr．他5名　日米　　　　セミナーメンバー6月29日　Gerd　Adami他9名　ドイツ学術交流　　　　会7月5日TanJian他1名中国社会科学院7月9日　Ms．Joyce　Yamamoto　他2名　米国　　　　ペンシルバニァ州立大学7月14日∵15日　A1exander　Dani1ov　ソ連科学ア　　　　カデミー一般物理学研究所7月15日　Mr．Ajuno　Brojonegoro　他1名　イ　　　　ンドネシア応用物理研究所7月16日　BanyOwenJonesオーストラリア科　　　　学・中小企業大臣　他3名受　賞表彰者名門　問　英毅表　　彰　　名日本セラミックス協会学術賞表　　彰　　の　　内　　容新しい水和凝結反応の基礎と応用に関する研究表彰年月日昭和63年5月25日発　行　日編集・発行昭和63年8月1日第111号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEATCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木1丁目1番電話0298－5ユー3351（8）