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[無機材研ニュース第94号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/1dfc6fcb-0f09-4df8-bbd6-fe87d42c6dea)

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無機材研ニュース第94号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0．oo］100．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←第94号 昭和60年10月欽を添加したニオブ酸リチウム結晶の光誘起複屈折変化1．序　ニオブ酸リチウム（LiNb03；略号LN）の研究報告数は多い。当初，LN結晶は光変調素子として利用されたが，使用中に光損傷を生じ問題であるとされた。この光損傷とは短波長レーザーによる光誘起複屈折変化（photo－induced　birefringence　change；PIBC）を意味する。その後，PIBCをホログラフィック光記録材料として利用することが考えられるようになったが実用化されていない。現在，LN結晶が工業的に利用されているのはテレビやビデオの中間周波数フィルタ（表面波フィルタ）に限られており，光学性を利用するという意味での光エレクトロニクスには未だ活用されていない。　PIBCに関して，現在，（i〕不純物無添加の良質単結晶（congruent組成：Li20／Nb205二48．6／51．4モル比）がPIBCを生じないかどうか明らかにされていない、（五〕LN：Fe結晶のPIBC挙動に及ぽす酸化・還元の効果は余り明らかにされていない，価〕LN＝Fe結晶のPIBC機構は必ずしも一致した見解に達していない。　ここでは，（i）（i）を明らかにする目的で行った筆者の実験結果の概要を紹介し，実用への可能性を述べ，更に箇〕について多少の考察を加える。本論に入る前に次の事柄は既に明らかにされていることを書き加えておく。すなわち，レーザービームをLNlFe結晶のC軸方向に照射した場合はPIBCを生じない；そのビームをC軸に垂直な方向に照射した場合に最も明らかにPIBCを生じる；PIBCの生じた結晶板試料を約ユ70℃以上に加熱するか，または強力紫外線を試料全面に照射する第10研究グループ　総合研究官　嶋津正司（同グループ　森泰道，宮沢靖人；早大理工上江洲由晃（客員研究官），小林誰三）と，元の状態に戻りPIBCは消失する（光記録が消失される）。2．試料　Cz法によってLNおよびLN1Fe（Fe＝O．ユwt％）の単結晶を育成した。原料はLi2C03，Nb205，およひFe203であり，いずれも純度99．99wt％亡ある。原料はLi20／Nb205＝48．6／51．4モル比を保つように調合された。単結晶の寸法は直径約20㎜，長さ50－70㎜（成長軸〃C軸）であり，色はLNが無色透明，LN：Feは赤褐黒色であった。育成中の雰囲気は自然流を伴う大気であったが，LN：Feでは多少還元状態になっていた（光吸収スペクトルからFe2＋の存在が示された）。単結晶の肩から成長軸に沿って約20㎜までの部分はドメイン（誘電分域）配列構造が乱れていた（蝕像観察による判別）ので切り捨てた。ドメインがC軸に平行に配列している良質結晶部につきポーリングを行って単一ドメイン化した。更に，C軸に平行（LN1Feでは（ユOO）面平行〕に切断・研磨した平行平板を酸化一還元処理した。この平行板試料の酸化・還元状態が試料内全体で均一であるようにするために厚さを500μ刎以下にする必要があった。試料板の面積は約ユ5×10㎜fである（表I）。3．PIBC測定装置PIBCは1O■2以下であるので高精度測定装置が必要である。そこで，小林・上江洲によって既に考案された装置を今回の目的に合うように改造した。光源は2つあって，1つはHe－Neレーザー（632．8舳）でPIBC測定用光源であり，他の1つは試料の複屈折変化δ〃を誘起（1）するためのArレーザー（488．O舳）である。測定原理　　　ム径約ユ・5㎜）1糧射申のδ椛を照射時間に対して示したはセナルモン（Sεnarm㎝t）法によっているが，損淀精　　　ものであリ、同図（も）はArレーザー照射停止後のδη度を高めるように改造した（説明間各）。　　　　　　　　　を示したものである。いずれの試料も照射申にδκの4．P1BC損■淀緒果　　　　　　　　　　　　　　　　　飽和平衡値（δ〃0）に逮する。測定縞果を要約すると　測定結果を図！に添す。同図1a）はArレーザー（ビー　　　次のようである。　　　　　　　　　　　　　　　’葦量　1　　PlBC…則定罵言式＊斗試’料番号 備　　　　　　考 平行板結屍の厚さd（μ〃）No　1 LN　（無言悉カロ），　争蕪一色j愛日児 236（■c輔〕LN（無添加），赤褐黒色No．　2 この試料はNα1をH2／C02（＝10／玉o容積比）混含ガス流申 2361，000℃・24時閥還元処理したものNo　3 LN＝Fe2＋一rich，as－grown，赤褐色 4！8（■（100））批G　4LN＝Fe2＋Fe3＋，帯黄色Nα3をH2／C02（＝1／20）混含ガス流申　玉，ooo℃・24時閲加熱処理4ユ8無α　5LN：Fe3＋一rich，帯淡黄色No．4を空気申　玉，OOO℃・56時間加熱処理4ユ8Nα　6LN：Fe3＋，無色透明No．5を418から86μ刎に研磨し，劉こ空気刺，000℃・56時閲加熱処理86No．　7LN：Fe2＋，黒色Nα6をH2／C02（＝／0／10）混合ガス流中で1，000℃・2塒間カ目熱処理86酸化度の大小順：晦6＞Nα5＞Nα4＞Nα3＞Nα7　一3（州o〕＝句」⑭U＝■齪I；oω〇四〇〇〇’o1．00．5．1！｛3，12”W　“　“　一・　‘　．　一■　．　一　一一　・　一　■　・　一・ψ1x残■⑫’刃抄　　　㌦・　　、φ　臼（ω12mW舟ザ：1二1’　　　　　’N　　　3““　、、　一⑫’ω12耐〃｛がい〕＆（2）（a、〕0　　　　1｛n剛　　　　　　　．‘　　　　　午＾10o　　　　㍑■帆〕0　　　　　　　　　　　10　　　　　　　　1nadi＾fod　τimo26（㎜io．）30図1　Arレーザー（488．O〃刎）によるLN及びLN：Feの光誘起複屈折変化（δ〃）　　　　　　　　　　　　　　　　　　la〕照射中（2）　（1）無添カ叱Nでは，試料の酸化・遺元状態の如何を間わずδ〃値は非常に小さく（＜10－6）無槻して養支えない穫度である。　LN：Feについて、酸化（または還元）の大小状態を便宜的に表現するために　“Fe3斗イiCゼ　（表1）などの記号を用いた。酸化から還元へ1旬けて，試料を次のように並べることができる。（この順序は光吸収スペクトルのプロフィルから判別できる）：LN＝Fe3＋（利皿6），LN：Fe3＋一rich　（ぬ5），LN1Fe2＋＋Fe3＋（Nn4〕，LN：Fe2斗＿rich（N⑪3），LN＝Fe2斗（Nα7）。以下にLN＝FeのPBCについて述べる。　12胴一試料板／N・5）に関し，δ〃0へ到達する速度はArレーザーバワーPの大きいほど遠いが，δκ0値は互いに等しい。ここで，各損1淀値実験を行う削こ試料をカヨ熱処理（表1）しているので前回のPIBCが書式料に残ることなく消去されている。　（3〕等しいP値のArレーザーに関し，δκ0値が最も大きいのは撮酸化試料（詞α6）や最遼元試料（Nn7〕ではなく多少遼元状態にある試料（Nσ3〕である二　（遂）照射停止後においてもδ〃0値が減少することなくそのまま縦持された試料は酸化試料（困・5，6）である。　（5〕最遼尤董武料（再α7）では，δ〃0値へ達する速度も照射停止によってδ1ド0へ戻る遼度も非常に遼く1瞬閲的である。　16〕∂＜500μ舳の試料では，∂の大小はδ〃の挙動に殆んど養異を生じない（図1には描かれていないが）。5．考察　測定総果から次のことがいえる。／1〕の寮実は無添加LNが高純度良質結晶であれば光変調素子として利用できることを鴎示している。14〕の事実は酸化LN：Fe結晶がホログラフィック光記録材料への不1岬の可能性があることを示している（試料は殆んど無色透明である）。　なお，（4）の結果からLN：FeのP肥C機繊は酸化・遼元の状態によって大なり小な＾）異なるのではないかと思われる。従来の理論（F．S，Chenの電気光学効果説，A．M．Glassのbu1k　photovoltaic効果説など）によれば，光電流による局部的dipo1eの変化が鰯折率変化の原因となっており，その光電流はFeのiむterVa1enCechange（Fe2＋→Fe3斗十e■；Fe2＋からの励起電子がFe3＋にトラップされる）によるとしている。これらの理論によれば，Fe2＋とFe3＋とがLN中に共存することが必要とされる。　しかしながら，筆者らの実験繍果では，（i）P1BCは最酸化（Fe3＋alone）または最遼元（Fe2＋aione）の書式料においてもおこっている。㈹Glass理論ではレーザー照射停止後にδ焔は指数関数的減少を要求しているが，酸化試料～5，6）では照射停止後も長時閥δ椛0値が変化せずに維持されている。樋）最遼元喬式料（Nα7）では照射ON－OFFによるδ〃の変化が瞬間的にδη0まλ、、　　　　　　　｛5｝一一一一一一一一一一＿＿＿＿＿＿1．o←　　　　　　．．13）　」　　　　　　（o、、←一i←←次＼　、斧、　　　＼　9・汁一→「一r’’派、　　　　　　　、1●　　　　　　　　、．次・．、　　．q〃．■（一）（η0　　　　　　　　　　　”　　　　　　’1’i㎜○　三｛10r　　　　　201■1・adiati011‘0f｛ ‘mi　o．〕。。｝†｛図1　Arレーザー（488．O舳）によるLN及びLN：Fe光誘起複屑折変化（δ椛）　　　　　　　　　　　　（b〕照射停止後（3）たは零になる。闘題1i〕（拍）（勘）は従来説では説明できない。そこで，PI13C機構は単にFeの原子価の変化（光電流を生じさせるための）によるばかi〕でなく酸素欠損濃度も関係するのではないかと臆測される。Li兀叩eハb15＋O～■の化学式を前提に考察すると単位格子当りの平均的Fe濃度は平均的酸索欠掘濃度よつも蓬かに小さい。これらのことについて今後の検討が必要である。NiOの光電子スペクトルと電子構造　NiOは典型的な酸化物磁性体として，現在に至るまで50年以上の間に非常に多く研究が横み重ねられてきたが，その電子構造については多く議論があり，一致した描イ象は得られていない。最も簡単には，バンド・ギャップの大きい（約4eV）絶縁体であることから，Ni2＋及ぴ02一イ才ンからなるイオン緒晶であると考えられる。電子配置3d8なる不完全殻を持つNi2＋イオンの局在磁気モーメントは，02■イオンを仲介した趨交換棚互作用により反磁性的に配列している。しかし，バンド・ギャップ形成の機構，バンド・ギャップのエネルギー付近における光吸奴遷移の同定などの重要な聞題が兼解決のまま残されてきた。我々は光電子スペクトルの解析により，バンド・キャップの形成機構も含めたNi○の新しい電子構造のモデルを得たので，以下に紹介する。後で述べるように，この電子構造は，鉄族遷移金属化合物一般に対しても，電気伝導性，金属・絶縁体転移を論ずる上で，従釆の考え方よりも合理的な解釈を与えるものと思われる。　Ni○の電子構造をバンド理論的に考えると，図！のように，酸繁の2pバンドは完全に電子が詰まっているが，Niの3dバンド（電子を10個収容できる）は不完全にしか電子が詰まっていず（電子8個）、金属的電気伝導を示すはずである。玉950年代にMottは，N1○では，Niのd電予は梱互の強い相関（クーロンカによる反発）によつ各Ni原子に局在し絶縁体になると説　　　　第14研究グルーブ研究員　藤森　淳甥した。すなわち，M原子間の電子の移動（2原子を考えた時の3d8＋3d8叫3♂一ト3d9）によるクーロン・エネルギーの上昇びが，移動に伴う運動エネルギーの得（バンド幅）を上回るために，絶縁体としてふるまうと考えた。これを模式的に示したのが図2で，Ni3dバンドは強い電子相関のためにdとd串に分裂し，その間に絶縁ギャップを生じている。　光電子スペクトルは，電子の詰まったエネルギー準位（図2の斜線部分）を与えるが，Ni○のスペクトルは複雑で，Ni3d準位，02p準位の他にポサテライト」と呼ばれる余分なピークを示している（図3）。「サテライト」の解釈としては，d電子が光エネルギーを吸斗又して放出（光電子放出）されるのに伴い，02p軌遣からNi3d軌遺へさらに他の電子が励起されたものと考えられてきた。我々は，d電予閥の強い相関とM一○閥の電子移動を考慮したモデルでスペクトルの解析をおこない，「サテライト」が本当のNi3d準位で，M3d準位と考えられていたピークは，d電子の放出によって生じた正孔が02p→Ni3d電子移動で埋められることによって生じたものであることを明らかにした。従って，エネルギー準位は図2よりもむしろ図遁で与えられる。すなわち，バンド・キャップは，Mottのいうようにaバンドの電子相関による分裂Uで決まるのではなく，分裂したaバンド（Ni3d＃）と02pバンドのエネルギー養で決まると考えるべきである。冷ミ作HNi3d02p午ミ仲H　　　　　　　　　状態密度図1　バンド理論によるNiOの模式的エネルギー準位　　　　　　状態密度図2　電子相関によるdバンドの分裂（4）　我々の用いたモデルでは、1個のNi原子とそれを取り畷む6個の酸素原子を考える（図5）。同一Ni原子上のa電子閲の強い欄関（U雌7～10eV）によつ，N12斗イオンの8個の3d電子（3a呂）は圃原子上に局在し，薗由イオン的な原子内のクーロン交換相互作用で多重項分裂を示すが，一方，まわリの酸素の軌遼との混成によりd準位の結品場分裂を生じる。d電子1個が，光電子放出されると，先ず3d7状態が生じる。この3d7状態は上記の大きなUのため商エネルギー（約8eV）の励起状態で，これに統く02p→N13dの電荷移動によって，より安定な（励起エネルギー約！eV）3d82p－1状態（2p－1は02p軌遺の正孔を表わす）に緩和する。従来の鉄族化含物の光電子スペクトルの解析はこの緩和過程を考えず，緩和によって生じたピークをd電予の放出によって直接坐じたピークと考えていたので，ほとんどの場含，図2のようなエネルギー準位を得ていた竈しかし，ここて示したモデルを用い＞9冷ミ作H－8一12o＼ 1、、、、、 3d呂2p■■、、 、、 「Ni3d一4ノ 終状態／、02p 、’／1’’02pノ’ ’’’3d1終状態 「サテうイト」一8一12 理論 実験米蟹早強庸光電子強度図3　NiOの光電子スペクトル（宥）と　　　局在モデルによる計算結果（左）廿　　　　　　　　状態留痩図4　光電子分光により得られたNiO　　　のコニネルギー準位の模式図て，実験を再現するようにバラメータを決めることによって，「サテライト」が3d7終状態で，　「主バンド」は3d82p－1終状態であることがわかり，図4のエネルギー準位図の方が妥幾であることが結論された。　（個し，図逢での02p準位は，本来的な意味での02p準位の他に，3d7→3d82p一工なる緩和過秘によリ生じる02pの正孔も含んでおり，多電子的なエネルギー準位であることに注意。）　我々のモデルでは，基底状態，光電子放出によって生じた励起状態ともに少数の原子に層在していると仮定している。これは、1個の原子に局在しているとする配位子場理論より一歩進んだものとなっているが，一方，電子が緕晶全体に広がっているとするバンド理論とは対極的な立場にある。近年のバンド計算の手法の進歩によ1）、Nl○の反強磁性磁気構造を仮定することによって有隈のバンド・ギャップが得られているが，それでもわずか0．3eVにすぎない。バンド理論では，実験的に鰍員1jされる物理量に寄与する緩和過程，多電子遷移を取り入れることがむずかしく，N1○のような電子相闘の強い物質では特にこれらが璽要である。　最近，米国のゼロックス研究所のグループが軌遺放射光を用いた共鴫光電子分光及び逆光電子分光（電子の詰まっていない準位を与える）の笑験を発表し，我々の与えたエネルギー準位が正しいことを示した。さらに，同グループとチューりツヒエ科大のグループはNlSの光電子分光・逆光電子分光の実験をおこない、NiOに類似のエネルギー準位図で実験絡果を解釈している。ここで特錐すべきことは，NiSは反強磁惟磁気転移点より高温で金属的な性質を示すにもかかわらずスペクトルが絶縁体のNi○に獺似していることである。従来は，図2のエネルギー準位に基いて，UがMSではNi○に比べ何らかの理醐こよ，）著しく滅少し，バンド・ギャップが消失していると説明されてきたが，U　　　　　　　　　3d！2p’1兼冬オ犬真眞図5　光電子放出の局在モデル（5）の減少の機構は㎎らかでなかった。一方，図4の立場では，Uをほぽ一定に保ったままでも，S3p－Ni3dホのギャップが滅少すればNiSは金属的になり得る。実際，SはOに比べて電気陰惟度が低いので，SのpバンドはOのpバンドに上むべて」二昇することが期待される。したがって，遷移金属化含物の金属一総縁体転移で重要なパラメータはUのみでなく，金属元素d＊バンドと非金属元素のpバンドの相対エネルギー位護も考えなくてはならない。　このような考え方に立つと，鉄族遷移金属の酸化物，・硫化物，ハロゲン化物等の金属的・絶縁体的ふるまいを自然に説明できるようである。例えば，FeS，CoS，NiS，CuSが金属でM烈Sが絶縁体であるのは，周期緯表の有方の元素ほど3d‡バンドのエネルギー位置が低下しているからであろう。Mott的に考えると、右の方では3d軌遺の収繍により，Uは増加し，dバンドの幅が滅少するのでより絶縁体になる傾向が強いことになってしまうし，非金属元素の電気陰性度への依存性（硫化物と酸化物，ハロゲン化物の養）の理歯も明快でない。（周期葎表の崖方のTi，V等では金属元素の嬉sバンドも考えなければならず，ここで述べたモデルは適用できなくなる。）　バイライト型硫化物の伝導性・磁性（FeS2，ZnS2は非磁性絶縁体，CoS2は強磁催金属，CuS2は，常磁性金属）は，バンド理論でうまく説明できるとされている。しかし，NiS2が反強磁1雪…絶縁体であることはバンド理論で予雷できないこと，光電子スペクトルがバンド計算とあまり一致がよくないことを考えると，局在モデルの立場に立って見なおす必要があるかも知れない。Niの複含酸化物LaNi03も金属的伝導性を示すが，Niの異った酸化状態（Ni3斗）やぺロブスカイト型構造の格子ポテンシャルによつ，図4でNi3d・一02pのギャップが閉じて金属的になっている可樹生がある。Ni化含物に比べ，Mn，Fe，Co化含物で，エネルギー準位がどう変化しているのかも，これから明らかにしていかなければならない間題である。r…．一．一1一．一’川一’’’11’一川川川川「1特　　許1結　晶　育　成発甥者　遼藤　勇公告（ユ）昭和58年第015471号（2〕昭和58年第015472号登録（1階許第1！870雀8号　（2〕特許剃ユ87049号・一、～1■234657；8！1電気炉、21ヒーター，31炉心管，41ルツボ、5：多数の細孔を有する1鰍瓦　6：1欄板支持棒，7：種子結虚，，81ルツボ支持台。　　図1　本発明（1）の結晶育成裟置の縦断面図装置（1）（2）　概　要　本発明は，電気炉中に筒状のルツボを設け，該ルツボ申に種子結晶および結晶原料を充損し電気炉申11竃気炉，21炉のヒーター，31炉心管，4：ルツボ、5：補助ヒーター、　6：網目状ヒーター、　71縄量状ヒーターのリード級，81織霊源料導入衡、91ルツボ支涛南。　　図2　本発明／2〕の縞晶育成装置の縦断面図（6）を移動させて，結晶原料を溶融，次いで固化させて単結晶を育成する装置の改良に関するものである。　従来ブリツジマン法による単緒晶の育成法は，多くの利点によサ）多くの大型単結晶育成に利用されているが，均質組成の圃溶休単結晶育成が困難という基本的欠点を有していた。　本発捌1）は，ルツボ申の溶融液申に多数の纐孔を有した隔板を置き，隔板を隔てた溶融液の対流を防止して緒騒育成することにより，均質組成の固溶体単結晶の育成を可能にしたものである。　更に隔板の下側に突起を設け，溶融液の掩絆を充分に行えば，育成遠度を大きくしても溶媒のとり込みが生ぜず，良質な単結晶を迅速に育成でき，生産コストを低減できる利一煮がある。　本発明（2）は，従来のルツボの外音盾から加熱を行う方法による単緒晶育成では，融帯の幅が大きくかつこの■幅を一定に保つことが困難であつ，従って育成された単結晶の組成が目的よリ大きく変化するほか，ずれた組成の音盾分が全体に占める割含が大きくなるなどの欠、叙を有していた。ルツポの結晶原料申に移動可能な網目状ヒーターを設けると共に、ルツボの最下部に予熱用補助ヒーターを設けることにより，ヒーター近傍のみを溶融，析出を行うため，結晶組成の均質のものが容易に得られ，温度勾配が小さいため熱歪が少なく，良質の大きな結晶が効率よく育成し得られる優れた効果を有する緒晶育成装置を提供するものである。炭化珪素焼結体の製造法発明者　猪股吉三，田申英彦公告昭和58年第023344号登　録特許第u96025号　概　要　本発明は，商密度の炭化珪素焼緒体の製造法に関するものである。　従来、炭化珪素焼緒体の製造法としては，11〕炭素一炭化珪索の混合物成形体を珪化する方法。（2）10ミクロン以下の炭化珪索粉末に、0．5～5．o重量％アルミニウム等を加え，不活性零囲気下でユ，950℃以上でカ旺焼結する方法。／3〕β型炭化珪素粉末に，O．3～3．O重量％の棚繁等及び同等添加物を加えて，ユ，950℃～2，300℃で不活一1埜零騒気申で焼結する方法等があった。　しかしながら，（1）によると大型製晶の製造には適するものの，焼結体の商綴強度が珪索の融点である1，400℃付近で曲げ強度が20kg／㎜1程度に急激に低下する欠点があり，（2）及ぴ（3）の方法は，冷間曲げ強度，高温でも強度低下のない優れた点を有するが，（2）の方法では複雑形状，大型製品を得ることが困難であり，（3）の方法では焼結時ユ5％穫度の綜収縮があるなど，それぞれ欠点を有している。　本発明の方法によると，棚索系焼結促進剤，例えば，BN，B4C及びアルミニウム系焼結促進剤十例えば，AlN，A1203を含んだ炭索一炭化珪素系混含粉末に，結含剤を加えて成形するため，大形または複雑形状のものも容易に成形し得られる。また珪化過程でおこる成形体の寸法変化が非常に小さいので，大形製品の場含においても成形体に亀裂等の損傷を生ずることが少ない。また珪化は珪化蒸気で，例えばユ，400一ユ，800℃の温度で行なうので，炭化珪素粒子の粒成長速度が小さく，珪化成形体はユ，900℃以上の商温で焼成することによって更に高密度化し得られ，この際の収縮を炭化珪素圧粉体の焼縞の際の収縮に比べて小さくできる優れた効率を有する製造法を提供するものである。ダィヤモンド焼結体の製造法発明者　福長條，大沢俊一，赤肴實公告昭和58年第C23343号登録特許第ユ19603王号　概　要　本発明は，合成または天然ダイヤモンドの微粒子を主原料とする高強度，強靱性のダイヤモンド焼緒体の製造に関するものである。　ダイヤモンドは典型的な共有性緒合物質でかつ高融点の物質であるから焼結が極めて困難である。例えばダイヤモンドの安定な商温高圧領域（70kb，ユ，600℃）に数分閲保持すると，一応焼結体の様相を塁するが，圧縮強度や硬さがダイヤモンド単結晶に比べて著しく低い。これは予想以上の多量な黒鉛（20容量％）が析出しておリ，この黒鉛がダイヤモンドの緒合斉Jとなって，性質の劣化をまねいていることから牙る竈黒鉛がこ（7）の様に析出するのはダイヤモンドの一部が黒鍬ヒされ，ダイヤモンド粒予の表面が空隙にさらされ一1塗質が劣化したものと考えられる。　本発明は，含成または天然ダイヤモンド微粒子，好ましくは平均粒径2μ刎以下のものを主原料とし，これに2～20璽量％のコバルト，ニッケルまたは鉄の金属もしくはそれらの含金の1種以上と，O．2～3重量％の金属ボロン粉末を加え，これらの混合物を黒鉛一ダイヤモンド圧加蠕、度状態図のダイヤモンド安定領域で，少なくとも1，250℃以上で焼結する方法である。　この場合，主原料中に30体積％以下の黒鉛または非ダイヤモンド炭素を混含することが好適である。　本発明により，理論密度の95％以上の密度を有する焼結体が得られるf鐙れた効果を有する製造法を提供することが可能となった。外部発表※　投　　　　稿盤播努 題 目 発　　表 者 掲壷土一冊甘等1雀52 B1～B2Transition　of　RB　and　K　Halides 閥井 敏 Mat．Res． Soc． Symp．22，153， 19841453 大容盤趨高圧発生装澄の試作 福長 イ1篤 セラミックス19，8，637， ユ984145遁 Summary　Abstract＝A　Spec1alization　of 青野 正和 J．Vac．Sci． TechnoiLow－Energy　Ion　Scattering　SpectroscoPy A2，2，635， 1984and　its　App1ication　to　Surface　Stむdies○チTiC1455 Stereschemica三Inf1uence　of　the　Bi3＋ 渡辺 日召輝 Mat．Res． Bu11、Lone　Pair　of　Eiectrans　on　Polymorphism 19，877， ユ984in　Bi2W061堪56 Sびrface　Composition　Change　of　TiC 囲申 治彦・ 斎木幸一朗J．Nuc1ear　Mar．むnder　O．15－3KeV　Hydrogen　Ion 大谷 茂樹・小閲 篤 116，2－3， 317， 工983Bombardment 田中 昭二1堪57 β一SiC粉末の常圧焼縞 田申 英彦・猪股 書三 窯薬’協会誌一ホウ素と炭索の最遜添加鐙一 佃 一志・萩村 厚 92，8，461， 19841458 Two－Dimensiona1Spin　Corre1ation　ln 船橋 達・秋光 糸屯 J．Phys．Soc． JapanYFe20＃ 自一嵩 紀一・君塚 男・ 53，8．2688， ユ984田申みどり 藤下 察司1459 互mp泌ity　Efチect　o珊Morpho1oy　of　Syn一 桝1田 久生・瀬商 信雄 Mat．Res． Soc． Symp． Procthetic　Diamond 大沢 俊一’・福長 イ1嵩22，209， 工9841遵60 Va1ence－band　Photoemission　and○的cal 藤森 淳・南 不二雄 Phys．Rev、 BAbsorption　in　Nickel　Compo㍑nds 30，2，957， ヱ9841雀61 中性子回折による物質構造の研究 堀内 書！、之・」1旧 功 セラミックス一特にパルス中催子源の禾■」用一 ユ9，8，658， ！9841462 Muiti＿Anvil　type　X＿ray　Apparatus　for 下布寸 理 山簡 信夫 Mat．Res． Soc． Symp、 ProcSynchrotr㎝Radiation 八木 健彦 若槻 雅男 22，17，玉984辻 和彦 福長 條河村 春樹 脊木 月券敏秋本 イ菱一1463 Mischerd荻a1ieffekt　lnαassystem 長谷jll 泰 Giastechnische　Ber三chteRO－A1203－Si02 57，7，177， 19841464 Re1ation　between　Electronegativ三ty　and 大橘 崎夫 J．Japa荻Assoc．Min． Pet．Ratio　of　the　Heat　of　Formation　to　the Econ．Geol．Pote鐵tial　Energy 79，8，329， 198堪1465 The　Crysta1Structure　of　Lan伐anum 井伊 伸夫 井上善三郎 J．Sol． Sta． Che胴、Hexaa：びminate 竹」ll ｛麦二 木村 茂行 54，ユ， 70， ユ984！466 The　Crysta1Structure　of　Neodymium 井伊 イ申夫 井上善三郎 J．Sol． Sta． Chem．Hexaaluminate 木村 茂行 54，王， ユ23， 198填1467 光通信の仕組みを失口る 牧島 亮男 サラリーマンライフ2号，49， ユ984（8）登録番号 題 目 発　　表 者 掲 誌　等1遵68 インターカレーションによる材料の可能催 逮藤、恕、エレクトロニク・セラミック秋号，35．1984！469 Preparation　of　High　Purity　Sing…e 蘭申 商穂・大谷 茂樹 J．Less－Common　Met．Crystals　of　YB4棚d　their　App1ication 石沢 芳夫 102，28玉，1984to　De　Haas－Van　A1phen　EffectMeasuremants！470 エチルシリケートの加水分解過程における 毛利 尚彦・下平高次郎 日本レオロジー学会誌ケイ酸ゾルの粘度の変化 12，3，ユ56，198違1471 Growth　of　Rare　Earth　Gamet　Crysta1s 木村 茂行・北村　｝健二 J．Cryst．Growthby　the　F1oat1聰Zone　Method 進藤 勇 65，卜3，5進3．19831472 Infrared　Ref1ectivity　and　Ram醐Scatter一 大坂 俊明・進藤 勇 Sol．Sta．Commun．三ng　of　Lithium　Oxide　Single　Crysta1s 5玉，6，42ユ，ユ9841473 Structure　ofトW　Oxides　Investigated N．D．Zakharov Acta　Crystby　Means　of工MV　High　Resolution M．A．G此eluk B39，575，王983Electron　Microscopy B．K．VainshteinO．N．Rozanova内田 健二 堀内 繁雄！474 マイクロ波放電プラズマ法によるダイヤモ カロ茂 睦和 佐藤洋一郎 日本化学会誌ンドの気相合成 瀬高 信雄 1O，1642．19841475 ○bservation　o董the　De　Haas－Van 石沢 芳夫 蘭中 高穂 Sol．Sta．Cornmun．A1phen　Effect　in　WC 51，9，743，王984！垂76 Microscopic　Voids　in　FZ－Grown　NdGG 北村 健二 堤 正幸 J．Cryst．GrowthGamet：Occurrence醐d　Morphology 木村 茂行 小松 啓 67，656，王984！477 ○xgen　D三ffusion　in　Single　Crystal 羽囲 宮沢 靖人 J．Cryst．GrowthYtt芝i邊m　A1umin砥Gameを 菌器 信r 68，2，581．19841遵78 バナジウム複硫化物の陽イオン分布 野崎 滞司 日本緒晶学会誌26，220，198遁1479 X－Ray　Scat亡ering　Study　of　a　One一 寺内 輝・二村 高房 J．Phys．Soc．JapanDimensiona1Ionic　Conductor，Hol…andite 石井 、喪、男・藤木 良規 53，7，23王1．1984互480 ファインセラミックス機能材料の現状と間 自静 信一 電気評論題点 9月号，783，王9841481 イオン緒晶のB1仲B2構造梱転移の聞題 嗣井 敏 日本結晶学会誌点 26，！57，王9841482 Raman　Study　of　Non－Stoichiometr三c 石井 紀彦・佐伯 昌宣 Phys．Stat．Sol．（b）丁辻anium　Su1fides j1旧 功 124，n09，198違！483 Heat－Treatment　of　Crystalhne　Hydrated 藤木 良規・小松 優 Yogyo－Kyokai－ShiTit脳ia　Fibers　and　Adsorption　Behavior 佐々木商義・カ■1藤 俊作 92，工1，660．1984of　Uranium童rom　Sea　Wa乞er 窟崎 秀甫！通84 Heat－Treatme鮫of　Crystalline　Hydrated 小松 優・藤木 良規 Yogyo－Kyokai－ShiTitan三a　Fibers　and　Ion＿Exchange　Proper＿ 佐々木商義 92，1ユ，665，ユ984乞ies　for　Alkaline　Ea曲Meta1Ions　inAqueous　So1utions！485 The　Modulated　Structure　of　Intermedi一 山本 昭二・申沢 弘基 Acta　Crys亡．ate　P至agiodase　Feidspay　Ca血Na1吋Al］十且 北村 雅夫・森本 信弱 840，228，玉984S13．ユ08ユ486 インコメンシュレート相の対称性 山本 昭二 固体物理ユ9，ユ2，78ユ，1984ユ487 透遇電子顕微鏡のモフォロジー 守脊 佑介・池上 隆康板東 義雄セラミックス玉9，王1，95堪，198唾！488Dynamic互nterchange　among　ThreeStates　of　Phosphorus（4＋）inα一Quartz2 内田 書茂・磯谷 順一J．A．We1lJ．Phys．Chem．88．5255．19841遵89 ガラス及びセラミックスヘのソ）トケリレ法の応 牧島 亮男 FC　Report用 2，ユ1，24，王9841490 Oxgen　Se…f－Diffusion　in　Sing1e　and 羽固 進藤 勇 J．Mat．Sci．Polycrystalline　Magnesio－Ferζ1tes 山村 博・白蕎 信一 19．2948．19841491 拡敵に律せられた物質移動の自歯エネルギ 猪股 音三 表繭科学一理論 5，3，308，ユ984（9）運　営　会　議　9月30日，第ユ02回運営会議が1）昭和61年度予算概算要求について，2）再編成研究グループの研究課題について，3）その他の議題で開催された。研　　究　　会　8月27日　第1回無機／有機複合体研究会が「モンモリロナイトの特性」の議題で開催された。　9月2日　第1回ダイヤモンド研究会が「衡撃圧縮による材料合成」の議題で開催された。　9月27日　第6回高融点化合物研究会が「①走査型トンネル顕微鏡（STM）の現況②第32回フィールドエミッションシンポジウム報告」の議題で開催された。外　国　出　張　超高圧カステーション主任研究官下村理は，「超高圧力発生下の観察技術に関する共同研究」のため，アメリカ合衆国へ昭和60年7月24日から昭和60年8月30日まで出張した。　第7研究グループ主任研究官小野田義人は，「第5回固体イオニクス国際会議出席及び研究討論」のため，アメリカ合衆国へ昭和60年8月16日から昭和60年8月28日まで出張した。　第9研究グループ主任研究官牧島亮男は，　「日本一アセアン科学技術協力」のため，マレーシア国へ昭和60年8月ユ8日から昭和60年8月22日まで出張した。　所長　後藤優は，「日・加，日・米科学技術協力に関する調査」のため，カナダ，アメリカ合衆国へ昭和60年8月21日から昭和60年8月30日まで出張した。　超高圧カステーション総合研究官福長イ1各は，　「ダィヤモンド合成に関する学術討論」のため，中華人民共和国へ昭和60年8月25日から昭和60年9月7日まで出張した。　第3研究グループ主任研究官板東義雄は，　「電子顕微鏡による材料の評価に関する日英共同研究の可静性の調査」のため，連合王国へ昭和60年9月1日から昭和60年9月12日まで出張した。　第8研究グループ主任研究官加茂睦和は，　「第8回ガス放電とその応用に関する国際会議」出席のため，連合王国へ昭和60年9月15日から昭和60年9月25日まで出張した。外国人の来所下記の外国人の訪問があった。8月7日8月16日8月19日8月19日8月23日9月5日9月11日9月11日9月12日9月13日’9月24日9月27日Dr．T．Janssenオランダナイメ｛ン大学朱雄吉他1名　韓国科学技術院R．M．Notis米国リーハィ大学超梅楡他2名中国科学院上海珪酸塩研究所L．F．Mattheiss米国ベル研究所張光世他21名台湾現総統府呉皆生他！名中国西北軽工業学院R．Storm米国力一ボランダム社Dr．MortonオーストラリアCSRIOMr．E．S．Wright（米国）他30名　KRC国際会議メンバーG．Petzow西ドイツマックスプランク粉末冶金研究所Dr．Rudo1fKerscher他6名西ドィッフンボルト財団学　位　授田中　順三佐々木高義　　　　論　　　　　文　　　　　名酸素欠損を有するペロブスカイト型半導体の電子伝導に関する研究Properties　of　Layered　Hydrous　TitaniumDioxide　and　Its　Applications（層状構造含水酸化チタンの特性とその応用）授与年月日昭和59年7月31日　授与大学東京工業大学学位名工学博士（1O）