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[NIRIMNews0108.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/664790fb-f90d-4e0f-92af-3e05ff6495d8/download)

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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第108号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/b3cdc224-faae-4272-8fca-99c507d392f2)

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無機材研ニュース第108号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0－oo］100．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←第108号 昭和63年2月立方晶窒化ほう素pn接合ダイオードの超高圧下での作製と高温特性【はじめに】　元素周期率表で最も単純なIII－V化合物でありダイヤモンドと類似の構造を持っ立方晶窒化ほう素（cBN）は，アメリカGE社のR－H．Wentorf，Jrにより1957年に超高圧高温の極端条件で初めて合成された。1〕cBNは高圧安定相であり1気圧では約1300℃まで準安定に存在できる。その物11生には未だ不明な点が多いが，硬度や熱伝導度などダイヤモンドに次ぐ力学的性質を持っとされ，最近では加工工具への利用が始まっている。　電気的な性質では同じm－V化合物のガリウムひ素（GaAs）から類推してcBNの半導体化に興味が持たれるが，これもWentorfによりcBN合成の数年後に行われた。2〕ダイヤモンドのn型半導体化が困難であるのに対し，cBNはベリリウムの添加によりP型に，シリコンの添加によりn型の半導体になる。2〕cBNのエネルギーギャップ（〉6，4eV3〕）はSiC（～3eV）やダイヤモンド（5，5eV）よりも更に広く，III－V及び1V族の半導体グループの中では最大であるので，P型とn型のcBNを組み合わせれば原理的には約130ぴCまで使用できる高温半導体素子になると予想される。　25年前既にWentorf自身により超高圧高温でcBNのpn接合ダイオード作製が試みられたが，単結晶の育成が難しく，できたpn結晶は小さ過ぎて有意な測定が困難2〕なため，pn接合が本当に出来たかどうかは未確認のまま残された。次のスチシプは大きなcBN単結晶を作ることだとWentorfは述べている。　その後の結晶大型化への研究は新しい触媒の開発超高圧カステーション　主任研究官　三島　修を除いて大きな進展はなく，ようやく1986年になって我々の研究により温度差溶媒法で大型単結晶の育成が初めて可能になった。4〕我々はこの方法で比較的大きなpn接合結晶を作製し測定を行ったところ，ダイオードとして機能することが明白に確認された。・〕これはcBNを素材とした最初の電子素子であり，超高圧力応用技術がダイオードのような素子の作製にも利用出来ることを示した最初の例と思われるので紹介する。【cBNダイオードの作製と確認】　大型cBN単結晶の育成を可能にした温度差溶媒法とは，超高圧高温発生装置に入れたモリブデン製の結晶育成容器の中で，容器高温部でcBN原料粒を溶媒（LiCaBN。）に溶かし，温度差を利用して容器低温部にcBN単結晶を析出させ大きく成長させる方法である。4〕pn結晶を作るには，先ず最初にP型不純物のベリリウムを触媒に予め添加しておいて，55kb，約170ぴCに20時問程度保持し濃青色のP型単結晶を育成してユ気圧に回収する。次にこのP型結晶を種結晶として別の容器の低温部に配置し，n型不純物のシリコンを触媒に添加して同様の条件で透明山吹色のn型結晶を低温部の種の上にエピタキシャルに成長させる。　こうして作ったpn接合結晶は全体が約1㎜大の単結晶で，中心部が濃青色，周囲が透明山吹色のゆで卵状で，その界面はn型結晶育成の初期にP型種結晶の表面が少し解けるため丸みを帯び，触媒を小さく取り込んだ所もある。接合部のSEM観察及び同様の試料のラウエ法X線回折でエピタキシャルな成長がわかった。触媒を取り除くようにダイヤモン（1〕ド・ホイールで研磨整形してP型結晶を表面に出し測定を行った。電極形成の際，半導体と金属の間に生じる大きな接触抵抗を取り除くことはなかなか厄介な問題で，cBN半導体へのオーミックの取れる電極は現在不明である。したがって銀ぺ一スト電極を用いた4端子法の直流法で，室温では約1MΩの接触抵抗からくる試料温度上昇に注意しながら，電圧　電流特性を調べたところ，電極位置や，電圧と電流端子の変更や極性により僅かに値が違うものの，常に整流特性が観測された。P型やn型だけの結晶では電圧一電流特性は線型になる。　更にこの整流特性の原因となるpn接合が確かに出来ていることが電子線誘起電流（EBIC）測定により明白となった。図1に結晶のpn界面にほぼ垂直なへき開面のEBIC像を示す。この図で連続した線状に光っている・ところは結晶中そこに何らかの空問電荷層があることを表している。この空間電荷層はもしpn接合が本当に出来ていれば濃青色のP型と山吹色のn型の境界に存在するだろうと予想されるpn空問電荷層に完全に一致している。Pn接合の幅は測定系の分解能～2000A以下であった。こうしてcBNのpnダイオードが超高圧で出来ることが確認された。図1　cBNのpn接合ダイオードの実体顕微鏡写真（上）とEBlC像（下）【cBNダイオードの高温特性】　今回のダイオード作製では，超高圧という制御しにくい条件に加え，半導体不純物以外の不純物や結晶中の転位密度の制御に特別な配慮を行っていない。このため作製したpn結晶は，汚れた，割れや歪みの入った不完全な結晶と考えられる。しかしcBNの特徴である強い原子問結合のために，これらの欠陥も安定化し，その影響は高温まで現れないかも知れない。この超高圧で作られた結晶がどれくらい高温まで整流特性を示すのか興味がわく。　図2にcBNダイオードの高温測定の一例を示す。現在650℃までの整流特性が観測されている。我々の知る限りではZipperianとDawsonがGa－A　l－Pの組み合わせで作ったトランジタの作動温度550℃ωが現在までに半導体索子が作動した最高温度と思えるが，cBNダイオードの650℃はこれを上回り，S　i　Cの650℃7・田〕と同程度である。　また測定を行ったP型とn型cBNの活性化エネルギーは室温から60ぴCの範囲でそれぞれO．23eV及びO．24eVで，この温度域ではまだキャリアの出払い領域には達していない。【今後の課題】　現在，ダイオードヘの投入電力量が増加すると数秒程度の短時問しかダイオードは安定に作動しない。この理由はcBN結晶本体にあるのではなく，半導体一金属の接触抵抗が大きく且つ結晶が小さいために，電流電極部で発熱して試料温度が上昇し，不安定になるためと考えている。オーミック・コンタクトの取れる高温に強い電極材を開発する必要がある。20I（mA）10＝V（V）＝＝30　20　101’’500℃10650℃ 5図2　cBNのpn接合ダイオードのV－1特性（2〕　cBN半導体の電気抵抗は結晶の場所により違う。これは半導体不純物が結晶刺こ均一に分布していないためと考えられ，このためドープ量や移動度等の基礎的なデータが得られていない。均一に不純物をドープすることが望まれる。　また，特に将来の，あるいは可能かも知れない光学素子としてのダイオードを考えるとき，十分に各種不純物や格子欠陥を制御した結晶の良質化が必要になろう。　これらはおそらく主として技術的な問題と思えるが，他にもcBNは1300℃付近より酸化が進み蝸OO℃付近より熱力学的に安定な六方晶低圧相B　Nに変化するとされるのでこの温度以上では使用できない。今回用いた半導体不純物では室温の電気抵抗が高く，また実験でも少なくとも600℃まではキャリアの出払い領域ではないのでcBN索子の温度依存性が今後問題になるかも知れない。しかし他のものでは得られない広いバンドギャップのほか大きな熱伝導度や低い誘電率など竃子素子として優れた性質を持っているので，上記の技術的問題が解決すれば，超高圧で出来たcBN素子はその性質を活周した高機能の電子素子として利用される可能性がある。　また今回のcBNダイオードの作製により低圧法によるcBN電子素子作製の可能性に期符が出てくる。1）R．H．Wentorf，∫r．，J．Chem．Phys．26，956　　（1957）．2）R．H．Wentorf，Jr．，J．Che沽．PhysI36，199C　　（1962）．3）4）5）6）7）8）R．M．Chrenko，So胴State　Commun．14，511（1974）．O．Mishima，S．Yamaoka，O．Fukunaga，J．AppI，Phys．61．2822（！987）．O．Mishima，J，Tanaka，S．Yamaoka，O．Fukunaga，Science，238，18王　（互987）．T．E．Zipperian，L．R．Dawson，3．Appi．Phys．54．6019（1983）、R．F．Davis，Private　communication．3．W．paimour　et　al．，Appl．Phys．Lett．51．2028（1987）．外　部　発　表※　投　　　　稿登録番号 題 目 発　　表 者 掲 載 誌 等1834 Dispersion’CUrves　o麦the　Surface 大島忠平・た右困龍太郎 Surf－SciPhonons　of　the　TiC（100）Surface 青野 正和・大谷 茂樹 178，5王9．1986石沢 芳夫ユ835 透過電子顕微鏡によるセラミックスのキャ 守吉 佑介・板東 義雄 日本金属学会会報、ラクタリゼーション 北昆由一」冒」“口　］25，u，914．1986玉836 セラミックスの基礎と応用 守吉 佑介 Petrotech9，互2，ユ049，王9861837 Photem三ssion　satel1ites　and　e王ectronic 藤森 淳・佐偵 昌宣 Phys．Rev，Bstructure　of　Fe．O宮 君塚 昇・谷口 雅樹 34，ユO，73工8， 玉986菅 滋疋1838 The　microstructure　of　WC　and　WC－4，3 守吉 佑介・赤石 實 J．Mat．Sci．wt％Co　sintered　at　higb　pressure 福長 傭 2ユ，4250．1986王839 Shadowing　and　Focusing雛fects　in幽e 危右田龍太鄭・青野正和 S岨チ．Sci．Angu王ar　Distributions　of　Low－Energy 大島 忠平・石沢 芳夫 179，99．1987Rare－Gas　Ions　Scattered　from　So王idSurfaces1840 セラミクスの熱伝導率濁定法 三橋　武文 エレクトロニク・セラミクス11月， 8， 王986184！ 高分解能格子像による材料の構造評価法 松井　良夫 新機能材料の評価と制御39，ユ842 最先端の分析技術（電顕） 松井　良夫 エレクトロニク・セラミクス！月， 5， 19871843 焼結現象と焼結のプロセッシング 木島　弍倫 耐火物38， 9，52．1986｛3）登録番号 題　　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等1844 オキシナイトライドガラスの機械的性質 牧島　亮男 NEW　GLASS3，26，ユ986！845 Microstructural　Development　during 池上　隆康 Acta　Metal1urgicaIntermediate　and　Fina王一Stage　Sintering 35，3，667，玉9871846 Double　Inclusion　of　Methylated 木島　　剛 BulL　Chem．Soc．JPn．Cyc王odextrin　and　Sodium 60，765．1987Benzenesu1fonate　by　Na一，Ca一，andCu・Montmori王1onites1847 金属炭イヒ物の新しい応用 石沢　芳夫 機能材料7，3，13．19871848 Primary　Creep　of　Sintered　Silicon 因中　英彦・猪股　吉三 Proc．玉nter’i．Symp．onNitride Ceramic　Comp．forEngine296．19831849 S三ntering　and　Strength　of　Silicon 田中　英彦・PI　Greil Int．J．High　Tech．Nitride－Silicon　Carbide　Composites G，Petzow Ceram．！，！07，玉9851850 耐熱構造材料用ニューセラミックスの熱処 長谷川安利 金属理 6月，卑C，ユ9861851 AConicaI－TypeX－rayGuideTubefor 野崎　浩司・中沢　弘基 J．ApP1．Cryst．Diffraction　Experiments　with　Smau ！9，453．1986Crystals1852 趨高圧技術による硬質材料の開発 赤石　　實・福長　　脩 日本機械学会誌一ダイヤモンド焼結体 89，810，73．19861853 Observation　of　triplet－sing王et　conversion 柿元　　満・兵頭　俊夫 J．Phys，B：At，Mo1．of　positronium　via　ineIastic　Scattering 千葉　利信・赤羽　隆史 Phys．by　oxygen 張　　天保 20，Ll07．19871854 An　App王ication　of　the　JEM－4000EX 板東　義雄・松井　良夫 PracticaI　MetallographyHigh　Reso王ution　Analytica王Eiecton 北見　喜三・猪股　吉三 23，563．1986Microscope王855 The　Effects　of　Cation　Substitution　on 渡辺　　遵・藤木　良規 J．Sol．Sta．Chem．the　Ho1Iandite－Type　Structure 金沢　康夫・月村　勝宏 66，56．1987！856 Dissdution　of　Deuterium　into　Proton 池上　隆康 Sol．Sta．IonicsConductor　SrCeo．95Pbo．0503刈 2ユ，239．19861857 Re王ations　between　Heats　of　Formation 大橋　晴夫 Thermochimica　Actaof　MX2Halides　and　EIectronegativities 111，185，ユ987of　Halogen　Ions1858 遷移金属炭化物（100）表面の表面フォノン 大島　忠平 日本物理学会誌42，3，272．！9871859 Manganese－derived　porticai　density　of L．Ley・谷口　雅樹 Phys．Rev－Bstates　in　CdHMn．Te J．Ghijsen． 35，6．2839．1987R．L．Johnson藤森　　濠1860 ニューセラミックスの焼結と焼結炉 三友　　護 工業加熱24，2，3，1861 ガラス組成から性質を予測する 牧島　亮努 日本の科学と技術54．19871862 Comp工exation　of　Na一，Ca一，and　Cu一 木島　　剛 J．Indusion　Phenomenamontmoril1onites　with　some　Parent　and 4，333．1986MethyIated　Cyclodextrins1863 Hydration　and　Hardeniog　of　Brushite 門間　英毅 窯業協会誌and　MOnetite 95，2，284．19871864 バイオセラミックス，人工骨頭，関節 門間　英毅 バイオテクノロジー事典1986（4〕登録番号 題　　　　　　　　　　團 発　　表　　者 掲　載　誌　等！865 Formation　and　Crystamzation　in　the 牧島　亮男・久保　　肇 J．Amer．Ceram．Soc．Yttrium　Alumimsilicate　G1asses 小谷　和夫・堤　　正幸 69，12，C－294．1986Containing　Zinc　Oxide 浅屍　光婿1866 微粒子と平衡蒸気圧および溶解度 猪般　吉三 表面科学8，1，19．1987ユ867 高輝度放射光を周いた圃体の光電子分光 藤森　　淳 KEK　Report！61868 バイオセラミックス（バイオプロセス用） 牧島　亮男・原　　龍雄 新素材レビュー第2章，76．19871869 オプトエレクトロニクスセラミックス 自嵜　信一 新素材レビュー72，ユ9871870 Cation－Pathways　in　Super・Ionic 堀内　繁雄 Recent　Development　ofConductors　Visualized　by！MV E1ection　MicroscoPyHRTEM 75．19851872 Stabi1ity　of　a1uminium　orthophosphate 小野　　晃・小林美智子 3．Mat．Sci．Lett．i鐵the　system　NHヨAlPOべP皇05－H20 6，178．19871873 X－ray　Determination　of　the　Atomic 森永　正彦・大嶋　建一 J．ApPl．Cryst．Displacements　in　NbCo．η 原顕　仁平・大谷　茂樹 19，4ユ7．1986ユ874 閉gh　Resolution　TEM　Study　on剛ectron3eem－Induced　Damage　in松井　良夫・板東　義雄 J．Eiectron　Microsc．Sodiumβ’A1umina（Na，04MgO北見　喜三・J．L． 35，4，395．1986！5A120宮）and互sostructural　Potassium’Hutchisonβ！Ferrite（K204Fe015Fe20ヨ）ユ875 Interactions　of　Low－Energy　He＋，Heo， 店右囲龍太郎・青野正和 Nucl．Instr．Methods　inand　Heヰwith　Soiid　Surfaces盲 Phys．Res．B15，114．19861876 Sintering　and　H至Pping　of　Silicon P．Grei王・G．Petzow Ceramics　Int’1Nitride－Silicon　Carbide　Composite H．Tanaka 13，19．1987Materials1877 Grain　Boundary　Analysis　o｛SiHcon 板東　義雄・三友　　護 J．E1ectron　Microsc．Nitrides　by400kV　Analytica1E王ectron 北見　喜三 35，4，37王，1986MicroscoPy1878 Co㎜parative　Study　on　Compaction　and 門間　英毅・北見　喜三 Gypsum＆LimeSintering　Properties　of　Hydroxyapatite 堤　　正幸・長谷」11安利 208，3，ユ987Powders1879 Structural　Identification　of　SiC 申嶋　信一・中倉　康浩 J，Phys．Soc．JapanPolytypes　by　Raman　Scattering：27R 井上善三郎 56，！，359．1987and33R．Polytypes1880 Structura王Change　of　SiC　at　High 井上善三鄭・倉地　育夫 Proc．Int’i　Symp．onTemperature Ceram．Comp．for　Engine519．19831881 Primary　Creep　of　Sintered　Silicon 田中　英彦・猪股　吉三 Proc．Int’i　Symp．onNitride Ceram．Comp．for　Engine296．19831882 Phase　ReIation　in　SiC－ALCポB．C 猪股　吉三・田申　英彦 窯業協会誌System　at1800℃ 井上善三郎・川端　治雄 88，6，57．1980ユ883 Y3A王Si皇O．N2in　a　System　of 田中　英彦・長谷川安利 Proc．Int’l　Symp．onSi呈ON。一Y．OポAi皇Oヨ 猪股　吉三 Factors　in　Densificationand　Sintering　of　Oxideand　Non－Oxide　Ceramics458．19781884 Contrast　behaviour　of　octahedra1Cr3斗 大橋　晴夫・大沢　俊一 J．Jpn．Assoc．Min．Petr．in　c1inoPyroxenes　at　elevated　pressure Eron．Geo1．82，3，100．1987玉885 窒化ケイ素 三友　護・松尾康史 ファインセラミックス事典669．1987（5）登録番号 題　　　　　　　　　　薫 発　　表　　著 掲　載　誌　等1886 高T　c超伝導酸化物の結晶化学 泉　富土夫 日経ニューマテりアル6！，！9871887 An　EELS　Spectrometer　with　a　Doub1e 及川　哲雄・柴蘭　信正 J．Electron　Microsc．Dispersion乙ens　for　a　Medium　Voltage 申西　和教・小久保　清 35，4，353．1986TEM 板東　義雄1888 Potassium　Gallotitanogallate，Kx［Ga2、、 渡辺　　遵・佐々木高義 Acta．Cryst．Ti皇一、O。コ（x≦0．25） 北見　喜三・藤木　良規 C43，392．19871889 Growth　of　Semiconducting　Diamond 佐藤洋一郎・カ竈茂　睦和 閉gh　Tech　CeramicsFi1ms　by　Plasma－assisted　Vapor 瀬高　信雄 ！719．1987Depos1tion1890 Distribution　Coefficients　of　Lanthanide 佐々木高義・小松　　優 J．Radioane王．Nuc1．馴ements　and　Some　Separations　on 藤木　良規 Chem、Layered　Hydrous　Titanium　Dioxide 107，2，1！！，且9861891 Evaporation　of　VC　and　Ti　in　F玉oating 大谷　茂樹・日ヨ申　高穂 J．Cryst．GrowthZone　Melting 石沢　芳夫 80，241．1987ユ892 Syn出es三s　of　a　New　Bismuth　Oxide 小玉　博志・渡辺　昭輝 J．Sol．Sta．Chem．Fluoride　with　theγ一Bi20富Structure 矢島　祥行 67，170．1987Type1893 Three　tridy㎜ite　structuraI 貿井　昭彦・ Amer．Mineralogistmodifications　and　cristobalite O．W．Flδrte 72，167．1987intergrOWn　in　One　CrySta11894 新しい機能発現の予地がまだまだあり，市 牧島　亮勇 M＆E場も大幅な拡大が予想されるニューガラス 5月，59．19871895 S　i基板上へのG　a　A　s成長の初期過程 川辺光夫・高杉　英利 日本結晶成長学会誌上日ヨ登志雄・板東　義雄 ユ3，4，233．！986北見　喜三1896 エンジニアリングセラミックスの焼結 三友　　護 新素材プロセス総合技術926．1987互897 In呈tial　Growth　and　D三sIocation 高杉　英利・jl1辺　光夫 JPn．J．ApP1、恥ys．Accomnodation　of　GaAs　on　Si（100）by 板東　義雄 26，5，L584．1987molecu王ar　Beam　Epitaxy1898 Pressure－Induced　Face－Centered－Cubic 藤井　保彦・長谷婁代司 Phys．Rev．Lett．Phase　of　Monatom1c　Meta1lic　Iodine 浜谷　　望・大石　泰生 58，8，796．1987小野寺昭史・下村　　理竹村　謙一！899 Superconducting　Properties　of　High1y 石沢　芳夫・福長　　傭 JPn．J，ApP1．Phys、Oxidized　Superconductor 野崎　浩司・田中　高穂 26，5，L676．1987BaHY1。且Cu且O。一。1900 竃子エネルギー損失分光法（EELS， 大島　忠平 日本結晶学会誌HREELS） ！61．19871901 Crystai　Stract雌e　of　a　Ba－Y－Cu－O 泉　富＝土＝爽・浅野　　肇 JPn．J．ApP1，Phys．Superconductor　as更evoaled　by 石垣　　徽・小野　　晃 26，5，L611．1987Rietve工d　Ana1ys圭s　of　X－Ray　Powder 岡村富土夫Di鮒action　Data1902 A　Revised　Structural　Mode1for　the 泉　富士夫・浅野　　肇 JPn．J．ApPl．Phys．Ba－Y－Cu－O　Superconductor 石垣　　徹 26，5，L617．19871903 Rietveld　Refinement　of　the　Structure　of 泉　富土夫・浅野　　肇 JPn．J．ApPl．Phys．Ba2YCu307＿。with　Newtron　Powder 石垣　徹・室町英治 26，5，L649，王987Diffrection　Data 内田　吉茂・渡辺　　昇西川哲治！904 Preparation　and　High　Tc 太田　正恒・高橋　　康 JPn．J．ApPi．Pbys．Superconductivity　of　Ba－Y－Cu　Oxides 岡井　　敏 26，5，L818．19871905 X－Ray　and　Electron－Microscopic 室町　英治・内蘭　吉茂 JPn．J－ApP1．Phys．Studies　on　Single－Phase　High　Tc 松井　良夫・加藤　克夫 26，5，L619，玉987Superconductor，YBa呈CuヨOy（6）登録番号 題 目 発　　表 者 掲 載≡士回心等1906 Identification　of　the　High　Tc 室町　英治・内田 吉茂 JPn．J．ApPL　Phys．Superconductor　in　the　System 松井　良夫・加藤 克夫 26， 4，L476．1987Y・Ba－Cu－O1907 Thermogravimetric　and 室町　英治・内田 吉茂 JPn．J．ApPl．Phys．High－Temperature　X－Ray　Studies　on 雪野　　健・田中 高穂 26， 5，L665．1987the　Orthorhombic－to－TetragonaI 加藤　克夫Transition　of　YBa2CuヨO。1908 Single　Crystal　Preparation　of 竹川 俊二・井伊 伸夫 Jpn．J．Appl．Phys．Ba2YCu30．from　Nonstoichiometric 26， 5，L851．1987Me1ts1909 Ref1ection　High－Energy　Electron 坂本　邦博・坂本 統徳　一 Jpn．J．Appl．Phys．Diffraction　Intensity　Oscil1ations　during 永尾　　悟・橋口 兀 26， 5，666．1987Ge，Si1一、MBE　Growth　on　Si（O01） 国吉　勝也・板東 義雄Substrates1910 Preparation　of　Single　Crysta1s　of　the 小野 晃・田中 高穂 Jpn．J．App1．Phys、Superconductor　Ba2YCu306．5＋。 26， 5，L825．19871911 High　Resolution　Transmission　Electron 松井 良夫・室町 英治 JPn．J，ApP1．Phys．Microscopy　of　Defects　in　High　Tc 小野 晃・堀内 繁雄 26， 5，L777．1987Superconductor　Ba2YCu30y 加藤 克夫1912 Pressure　dependence　of　the　Morin 田村 脩蔵 High　Temp－HighTemperature　ofα一Fe20宮obtained　by Pressuresmegnetic　permeabi1ity　measurements　to 18，411．19862GPa1913 ゾルーゲル法による2成分系酸化分コー 牧島　亮男 工業材料テイング 35， 9，58．19871914 Dynamics　of　excitions　loca1ized　by 南　不二雄・江良 暗 Phys．Rev．Bstacking　disorder　in　GaSe 35， 5．2509．19871915 Mn3d　Partial　Density－of－States　and　p－d 谷口 雅樹・藤森 淳 Sol，Sta．Commun．Hybridization　in　Cd。一。Mn．Y（Y＝S，Se 藤沢 正美・森 多美子 62， 6，431．1987and　Te） 相馬 出・岡 泰生1916 Fe2N－type　Si02from　shocked　quartz 関根 利守・赤石 實 Geochimica　et瀬高 信雄 cosmochimica　Acta51，379．19871917 Liquidus　temperature　of　plagioc1ase　and 関根　利守 Geochemical　Joumalpyroxene　in　andestic　melts　at　one 20，287．1986atmosphere1918 The　Titanium－Sulphur　System： 小野田みつ子・和田弘昭 J．Less－Common　MetalsStructures　of　Ti6．gSg（！8H）and　Ti宮．2S，1 132，195．1987（33R）and　the　Unit　Ce1Is　of45R　and57RTypes　of　Titanium　Su1phide研究会　10月28日　第36回結合状態研究会が「3d遷移金属化合物の内殻電子分光と電子構造」の議題で開催された。　10月31日　第37回結合状態研究会が「LuFe・O・の中性子線回折の測定結果について」の議題で開催された。　11月12日　第34回焼結研究会が「ムライト領域でのアルミナーシリカ相平衡」の議題で開催された。　11月12日　第5回金属硫化物研究会が「インターカレーションの化学」の議題で開催された。　12月4日　第9回酸化ビスマス研究会が「Bi．O。系の変調構造」の議題で開催された。　12月9日　第45回結晶成長研究会が「超イオン伝導体研究と超伝導体研究の接点」の議題で開催された。　海外出張　所長瀬高信雄は「ダイヤモンドの気相合成法」に（7）関する日・米科学技術協力に関する打合せ並びに「米国材料研究学会秋季講演会」出席及び討論のため，昭和62年11月30日から昭和62年12月5日まで，アメリカ合衆国へ出張した。　外国人の来所11月7日　Amo1dLundenスウェーデンチャル　　　　　マースエ科大学11月11日　JanH1avacチェコスロバキアプラハ大　　　　　学11月12日　Dr．Frederic（Ric）K1ug米国General　　　　　Eユectric社11月12日　ヨハネス・ムルシト　インドネシア共和　　　　　国技術評価応用庁（BPPT）11月19日～20日　Dr．AmeLericheベルギーセラ　　　　　ミックエ業技術研究所12月4日　Lee，Byung－Min他1名　韓国機械研究　　　　　所12月9日　張　永南　韓国動力資源研究所12月10日　Dr．LenaFa1kスウェーデンチャルマー　　　　　スエ科大学12月ユ4日　アリム・アブドラーマン　中国新境大学　来　訪　12月7日，国務大臣伊藤宗一郎科学技術庁長官の訪問があった。研究所のi般公開について　本年の科学技術週間は，4月18日（月〕から4月24日（日）間で開催されます。　当研究所では，4月22日（金〕に所内一般公開を予定しています。　なお，詳細は次号（第109号；63．4．1発行予定）をご覧下さい。第15回　無機材質研究所研究発表会開催さ　　　　れる　第15回無機材質研究所研究発表会は，11月20日（金），筑波研究学園都市・研究交流センターで約130名の参加者を迎えて開催された。　まず，瀬高信雄所長のあいさっの後，「酸化亜鉛に関する研究」及び「複合モリブデン硫化物に関する研究」の発表が行われ，次いで午後には「炭化けい素に関する研究」及び「バナジン酸アルカリ金属に関する研究」の発表が行われた。に’I1250kv超高圧電子顕微鏡の説明を聞く伊藤科学技術庁長官受　賞　最近の刊行物○無機材質研究所研究報告書　第50号　酸化亜鉛に関する研究　第51号　複合モリプデン硫化物に関する研究　第52号　炭化けい素に関する研究　第53号　バナジン酸アルカリ金眉に関する研究○無機材質研究所研究論文集　第12集　ご希望の方は，管理部企画課に文書にてお申込み下さい。表彰者名石大大大沢島谷島芳忠茂忠夫平樹平表　彰　名第12回真空技術賞　　　〃　　　〃日本IBM科学賞表 彰　　の　　内　　容電界放射型電子銃のための極真空装置の開発　　　　　　　　　〃　　　　　　　　　〃低速電子エネルギー損失分光法による表面フォノンの研究表彰年月日昭和62年11月12日　　　〃　　　〃1987年／2月18日（8〕