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[無機材研ニュース第78号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/d19fa526-18d3-40ad-9204-ff21cba13afc)

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無機材研ニュース第78号七〇一．ゼEoo．一0E蜆E0一垣o］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o．Eo一垣oo］10’0E0上oo○眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←．8 8 57年表面原子構造解析のための新手法の開発直衝突イオン散乱分光法（I　C　I　S　S）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第12研究グループ　近年，特に最近の約ユO年間に，「表面科学」の分野において飛躍的な発展が見られた。しかしこの「表面科学」も，工業材料の表面・界面の研究に対して大きな寄与をしているかどうかという立場で見れば，まだ未熟であると言わざるを得ない。すなわち，「表面科学」の基礎的な研究と工業材料の表面・界面の研究との相互連係は一部の例外を除いてまだ極めて不十分である。その一つの原因は，工業材料の現実の表面・界面は非常に複雑なl1犬態にあるので，それを単純化された実験と比較したり埋想化された議論の上に載せたりすることが容易でないためである。しかしそれ以前に，理想に近い状態に処理された表面についてさえ，最も基本的な情報である表面の原子構造を正確に知ることが難しいという「表面科学」の現状がある。この現状を端的に示す例として，これまで実に多くの研究がなされてきたシリコンの低指数表面の原子構造がまだどれ一つとして正確には分っていないという事実を挙げることができる。表面の原子構造を定量的に解析する方法として，これまで低速電子線回折（LEED〕，光電子回折（PED〕，表面X線吸収連続微細構造（SEXAFS〕州則定，ラザフォード後方散乱（RBS）の4っ方法が多用されてきた。しかし，これらは何れも容易な方法ではない。すなわち，LEEDとPEDはデータの解析に電子の多重散乱を含む膨大な言十算機シミュレーションを必要とし，SEXAFSとP　E　DはそれぞれX線領域をカバーしうるシンクロトロン放射光施設，MeV領域のイオンビームを発生しうる加速器のような大型設備を必要とする。このため、これらの方法は言わば限られた研究者にのみ可能な“特殊技術’’となっている。今日の「表面科学」では工薬材料の研究との関連で多くの問題を次々と迅速に処理して行きたいのであるが，上記の点が大きな障害となっている。　筆者らは最近この因難を解決する上で有用な一つの新手法を開発した。直衝突イオン散乱分光ICISS（Impact－Co1lision　lon　Scattering　Spectroscopy）と名付けられたこの手法は，容易な実験と単純なデータ解析によって表面の原子構造を±O．lA以上の精度で決定できる。実際，ユCISSの実験は大型設備を必要とせず通常の実験室規模の装置で行なえ，またデータの解析も極めて単純で計算機シミュレーションのようなものを一切必要としない。　ICISSは従米から表面の化学分析や表面原子構造の定性的研究に用いられてきた低速イオン散乱分光2＼1　　　　　　　　　　　　　　　θL一一■■■一“一一r‘一一1一一一一一・一・一一一一一一一図1　低速イオンの標的原子による散乱軌道（1〕　　　　シヤドーコーンHe＋イオンの半径（丑）　　　　　　　　　　　　Eo二1・O　keV　　　　　1　　　　　’　　　　　、　　　　　　　　　　1　　　　2　　　　　　　　、㌔㌔一、．、　　　　　一1　　　　　　　　　チタン3　　　　4　　　　5　　　　6距離（A）図2　1ClSSによって決定されたHe＋イ才ンに対するTiのシャドーコーンの形ISS（I㎝Scattering　Spectroscopy）を特殊化したものである。その特殊イヒとは次のようなもので’ある。図1に低遼イオンが標的原子によって故乱されるさいの軌遠がラ］ミされている。炎節の研究の場含，機的豚一」＝r’は表櫛原二＝rである。従釆の王SSでは敵乱角θ∫一（添箏Lは実験秦系を表わす）を遜裏］な任意の伽こと一り，；ヌ11の太線1のようなi靭も遭をとって赦語Lされるイオンを観測するのに対し，1CISSでは太線2のように標自勺原・＝γと直衝突（正蘭衝突）を起こしてθj．二18（アで入射軌遺を逆にたどって赦乱されてくるイオンを観潰11する。すなわち、從米のISSではイオンビームは機的原乎の［＝1j心からずれた部分（そのずれは釆勧）を“跳める＾’のに対し，IC1SSではイオンビームは標的蝋一＝＝戸の申心を“眺める；この特殊化は微めて有効で，表1節原子嚇造の定二轟．士自勺解析を禽む以…ドの1～5の解析を’’珂能にする。紙櫛の郁含．」’二，原理や」プテ　　　　　　　　　　　　　　　ト月．ヨ1法については蝋に公表した論文を参貝糺ていただくことにし，ここでは結果だけを逃べる。　　　　　　　　　　　　　　　　　ヨhl”　1．シャドーコーンの形の決定　1ヌ11で，標自勺原予の手菱方に4三じる影をシャドーコーンと呼、；；。この影の畔1に入る燃・二・j二はイオン赦西Lに寄与しないので観洲されない。　この効榮・をシャドーイング効果と書う。IC1SSによる表櫛原予香I肯造衝孕布，子で’はこの効・栗・が照いられるので，　シャドーコーンの形を正確に決定しなけオ〕丈ならないが、ICISSによってこれを決定することができる。図2はユkeVのHピイオンに対’するT1のシャドーコーンの形をIC互SSによって決’定した緒果をホす。なお，1望12の繍梁からHeLTilll「の欄亙作1三月ポテンシァルはトーマスーフェルミ近似によってよく記述で’きることが分った。　2．表衝原子構造の定鐘解析　図2の締梁と王C王SS実験によって，TiCの（O01）表櫛の蝋子構造を決定した。その結果，［翼13にホしたT1C（OO玉）表i節の構遺において、表1亙iのTiとCTiC－001〕図3　TiCの（001）表繭の原子構造原乎は±O．1Aの実一験誤差内で［li1」帥1．王二にあることが分った。　もう一つの例として，三CISSによってSi（O（〕1）劇獅の原予鱗造を決定した緒梁を鰯達にホす。炎術の原・…rは2側ずつ楼近して“ダイマー＾を作っていること，そしてダイマー内原・・二戸閉馴＝1蟻直の表湖に平行な長さは2．4±O，1Aであることが分った。　　　　　　　　　　　　　1≒．l1　3．表面欠陥の構造解析　醐3にホしたTiC（O（川炎肺1には，ある条件で表櫛C豚子空孔が存4I1すること，その濃度は測定された書式料の場合～！0％であること，　そしてC原一’r空孝しの剛淵のT1原子は士O．＾の実験誤差内で変位していないことがICISSの実験によって分った。この概の解析は雌存の池の’方法では不可能て一ある竈　4．表面原子の熱振動振巾の解栃　ICISSにおいてイオンの入射方1言1jを徐々に変えると，ある方［言ilで炎獅猟二・r・が1隣りの表繭瞭一∫‘によってシャドーイングー効果を受ける。もし表獅豚乎カ｛完全に鰍、［1二していれば，このシャドーイング効一架は突然起こるが，実際には原ニゴ・は熱振動しているので，シ（2）　　⑧中．一　　　　　Si（00工）　　　　　　　1　　　　　Ao　l　　　　　　　1　　　　　8　1　　　　　　　，　　　　　　o1　　　　　　　l　　o⑧l0101I⑧　So　o③　　I　　　l⑧⑧C　D　δ　　　　　　　　　　⑧　εど　　1一百；如一位鱗／川011⑧⑧　⑧⑧o　　　　　o o　　　　　o　G　Ho　　　o　l⑧第1層　　　　　o第2層図4　Siの（001）表面の原子構造ヤドーイング効梁の湘始はぽける。このぽけから表繭順γの熱振動振11］が氷められる。例えばTiC（uユ）表櫛の丁順二rの場含，秦胤での1負乗平均振111は約O．07Aであることが分った。これはTiC繍I綜．内郁のTi原γのピ1乗平必］擬1’1］よりはるかに大きい。　　　　　　　　　　　　　　　ヨ．；｛「　5．表圃電子の二次元窒閏分布の解析　低連イオンの逮度は電子連度に較べて小さいので，低逃イオンは表而電子によって大きな確率で咋帷化される。この巾性化確率のイオン入射方咋1j依存性から表i百幡予の二次尤空間分布に関する近似的な惰報　　　　！121］一　　　　　　一一1州　　　　　　　　　　　　　　峠2ゴ　　　　　　　　　　　　　　　7側圃図炭素・工二な．二蛾　　　　　　　　、が得られる。ICISSによってTiC（至！ユ）表湖の電乎空閥分布を解術した繍果を図5に示す。表繭のある位綴で不縞含電二j二の濃度が大きいこと，そしてその不緒含電予の1紗L遺は表廊から大ヨ賂2ポ倣いていることを示唆する緒果が得られた。1）M，Aono，C．○shi竈コa，S．Za1ma，S，Otani　and　Y。ユshi2awa，加n．J．App1，Phys．20，L829　（ユ98ユ）2）都岨利］，大脇忠平，財榊鍍明，大谷茂樹、石　沢芳夫，　表蘭科学2，204（198！）3）祷墾圧側，応用物理51，887（ユ982）4）M，Aono，Y．Hou，R．Souda，C．○shima，S．○tani，　Y，Is1／izawa，K．Matsuda　and　R．Shimizu，Jpn．　j．AppL　Phys．　21，　　L670　（1982）5）M－Aono，Y，Hou，C．Osh1ma，a打d　Y．Ishizawa　Phys．Rev，Leもt．49，567（ユ982）6）M．Aono，Y，Ho簑．C．○sh1ma，S．Ota掃1and　Y．Ishzawa　　（発表雌備時1）7㍗1㍑㌣ぷ、1ザーO㎞i㎞図5　TiCの（l　l　l）表繭上の不結合電子の分布（3）気相から成長したダイヤモンドのラマン散乱鵜8研究グループ　気棚法によるダイヤモンド含成，気綱法で生成するダイヤモンドの多璽双］黒1粒子については，それぞれ本ニュース第74号と窮77号に総介されている。ここでは，気棚法の研究において瞬碇あるいはキャラクタりゼーションの一乎殴として利照してきたレーザー・ラマン分光法について，乎1岬するに至った背嫌と洲定紬果について繍介したい。　気梯合成について検討を開始した当初，激も可能性がi翻いと考えたのがダイヤモン1“嫉板上での成長であった。惑時（約ユO年削の文献によれば，ウィスカー状ダイヤモンドに縄する報皆など少数の例を除いて，成長層の厚さは数衡A以下と推定され，また成授層がダイヤモンドであることを立言正する実験的根拠も，我々の籔から兇て充分億棚性が商いものとは思えなかった。従って，先ずそれまでの実験の遺毒式を行うとしても，実験を蒲実に進めるためには，成蓑の可否をl1サ弓確に＊1」定する方法をもつことが必要と思われた。このためには光学顕微銚や電子鰯微鍍による表繭鰯察，電子1亘断（RHEED，LEED），電子分光（AES，ELS，ESCAなど）等による濯淀緒梁から総含自勺に判定を行うことが有力と考えられたが，これらの乎法を雛使できる体制を幣えることの［琢1難もあ‘），乎近にあってダイヤモンドや黒鉛の渕定にも利用できることからレーザー・ラマン分光法をとり」二げた。　文献にも訓喪され，我々の実験でも観察されたのは，成慶実験の緒梁試料が熟みを徽びるという現象であった。これはそれまで黒鉛の柵」1lによるものと考えられていたのであるが，4，冬板i禽身の表繭が黒鉛繊造に変化（以下これを黒鉛化と呼、∫；）しても圃様の結果となる。妊板は1OOO℃前後の高榊こ加熱される場含もあり，淡板の納処理，料椴過秋での雰1姪1気，瀞度等の条榊こよって表廊の黒鉛化が旭きてしまう。表蘭幾鉛化が起きては成侵は蜥寺できないので，どのような条件下で黒鉛化が起きるのか，またこれを抑制するにはどうすればよいかということもテーマの一つであり，これに閥連してダイヤモンド表櫛における気体の吸蒲・脱離や駿素申での表繭牒鉛化の実験が行われた。この遇不111で，ラマン分光法が表櫛に二生じた黒鉛煽（簡単のため“一　”と1］乎、三；が，実際には篭二Hl1折では殆んど固折像を示さない，いわ甘）るヨ1三綴慨巌索である）に対して椥＝｝憾度が比較的高いことがわかってきた。　以」二のような背景から・ダイヤモンドの成援鰯を4，ξ微とiリヨ確に11繊棚して渕定し，剛時に表頑iに他成した黒鉛糧が気棚から析搬したものか，あるいは表櫛黒鉛化によるものかを識別して研究を巡められるということで，格二㌘振動の剛立体シフトを杣三月した実験が考案された。この実験は商圧法で合成された，質養妻＝数玉3の炭素（1：｛C）から成るダイヤモンドを姥板強度X800X8CO（A〕｛B）12C13CX12600　　　　2400　　　　2200　　　　1400　　　　1200　　　ラマンシフト（o捌■’）図1　高圧法で合成されたダイヤモンドのラマンスペクトル。通常のダイヤモンド　　　（■皇C）と基板として用いた同位体ダイヤモンド（一ヨC）（遵）（概締■……1）として」羽い，反応ガ’スとしては遜常のメタン（］℃H」1）を使月蕎し，灰応後の書式料のラマンスペクトルを測定するものである。　ダ’イヤモンドは炭素猟子のみから成るのて’，　そのラマン活性格子振動数（レ）は，リ＝（1／2π）（2k／M）1μで表わされる。ここでkは力の定数，Mは炭素原子の換算質鍛で一ある。　1＝｛Cからなる姥板では■C　に比べ慨1曇11が大きいがkは変わらないので，そのラマン線は遡稚のダイヤモンドより低波数狽1jに移動する（剛三）1体シフト）。これを，商圧法・で合成したダイヤモンド；二よって実験自勺にホしたのが図ユである。縦軸には莚舳」された光の強度，繊軸は光の波数と貝賀射レーザr光の波数の差（ラマンシフト）を波数単位（cm’’ヨ）でホしたもので，以■’ドの図でも1言竈様である。遜常のダイヤモン　ド　（雌C）で一ユ332．5cm■’’一に現われるラマン線は，　ほCでは50cm’川一低波数の玉282．5cli1lに移動する。（2（〕OO～2700㎝…’■に現われるのは2次のラマン光であり，粥いために実験には利用で一きない）。1図2には，この1：｛Cダイヤモンド拠板を月ヨい，マイクロ波を利月1］した気棚法によって得られた．1式料の又ペクトルをホす。1渕からわかるように基板のラマン紳に比べ強度は弱いが玉333c；ll」1に■．州1寮なピークが認められ，成授が起きていることがホされている。一ソテ，鮒舳蔓についても，ラマンスペクトルから．．．1．二述のような，1舳11が’…i亙能であり、条件によっては4，隻板の、≡、罧、ミ鉛化が起きていることか’わかった。　ダイヤモンド以外を悠板とした場含，例えばシリコン，モ1」ブデン，　タングステン，　タンタルなどの半導体や金剛，暮板、．1二にも成長する。この場含には茶板がダイヤモンドではないので，［養1定は電・二r回株やX線胴手斤によって容錫に行うことができ、ラマン分光法は彫セとしてよりはむしろ，阿折で椥111仰1丞1難な刻㍉繋i概炭索の検1二15やキャラクタリゼーションの一つの乎段として有湘である。図3に，シりコンを姥板とした書式料のスペクトルをホす。この場含，200～3000cm■’’1域においては畷に示したダイヤモンドとシりコンのラマン線のみが観狽11される。図4は舎成条件の輿なった試料の場合であるが，！550cm⊥ヨ付近にピークをもつ線iljの広いラマン線が繊測される。合成条件によるラマンスペクトルの変化は圭として玉300～1600cnl」」’1に現われ，その代表的な例を示したのが図5である。図5のA），B）　は図3，4に村応するものである。これらの試料と筒様にダイヤモンドの電予回折像をiリヨ確に示すにもかかわらず，これらとはかなり興なったC〕のよづなスペクトルが観汕1」されることがある。緒胤の外形とスペクトルにはある承≡三度の棚関カ｛認めらメ∫し，　D）のようなはっきりした舳ラをホす繍戯の場含にはA），B）のようなスペクトル，E）の例のように球状粒子の場含には，C）に実蔓似のスペクトルが観測される。C）は、ダイヤモンドの粥いピークに加え，約1580c㎡1とユ360cm’’’’ヨにピークをもつ慰めて［1の広いラマン線強強成長層　　12C13C　墓　板D1邑mo［dSiSi　2000　　　　　　　　　　1500　　　　　　　　　　1000　　　　　　　　　　500　　　　　　　うΨンシフト（oバ；〕図3　シりコン基板上に成長したダイヤモンドの　　　ラマンスペクトル強O；amondSiSi　16C0　　　　　　　　1400　　　　　　　　　1200　　　　　　　ラマンシフト（o田…≡）図2　同位体基板（ヨ3C）上に成長したダイヤモ　　　モンド（’2C）のスペクトル2000図4　　　1500　　　　　　　　　1000　　　　　　　　　500　　　　ラマンシフト（o冊■つシリコン基板上に成長したダイヤモンドのラマンスペクトル（5）から成っており，この又ペクトルはいわゆる非晶質炭素のスペクトルによく似ている（無機材研ニュース第53号，1978）。このことから，球状ダイヤモンド粒子の表面には非品質炭素（黒鉛構造を基木としたもの）が存在していることがわかる。A），B）のスペクトルを詳細に検討すると，天然あるいは触媒を用いて高圧下で合成されたダイヤモンド（例えば図1の試料）に比べ，線巾が3～4倍広いこと，ピーク位置がわずかではあるが高波数側にずれていることがわかった。この原因については基板との相互作用，多重双晶，気相法に特徴的な何らかの欠陥などが考えられるが結論に至っていない。また図4，図5C）の1550cm－1近傍のラマン線は初めて観測されたものであるが，上述の非品質炭素が表面に存在するのに対し，これは結晶内部に存羊11する欠陥に対応しているものと推定される。強度slit　width　＋A）B）C〕1800　　　　1600　　　　1400　　　　1200　　　1000　　　　ラマンシフト（Cm■一）D）E）　　　　　　　　図5　気相合成ダイヤモンドのラマンスペクトルと結晶の外形（S　EM像）1　　　　　第10回研究発表会開催される　　　　　　11　第10回研究発表会が去る11月18日（杣O時から研究　　　［日中廣吉所長のあいさつのあと，研究グループの1；学園都市，研究交流センターで開催され・200名を　　解故に伴う4つの研究成果，ユつの特別研究の研究1≡越える参加者の下で盛会裡に閉会した。　　　　　　　　成果が発表され，活発な質疑応答が行われた。　　　≡一言丁　正　第77号　（57年10月）分頁14／5記　　事　　名ボルドー大学に滞イllして第51！」最新焼結技術同際会議に■出席して著＝　者　　名第2研究グループ主任研究官　和田　州召第3研究グルーブ主征研究官　三友　　■護（6）特 許熱電子放射陰極用チップの製法獅リ｛者ノ」㌧　　上ヒ登　録［正伸高穂，内［B継治，坂内英典，志水1蜂一昭和56年第338！8号細099396号　　概要　本発1リ弓は、電予ビーム応欄機雅においてビーム径が小さく，かつ，商郷度サブミクロン電子ビーム月ヨ熱電予放射陰樋チップの製法に関するものである。　本発［聾弓の熱電予放射陰極蟻チップの製法は，醐化ランタン雌締儲をチップに切1ilし，該チップの鯛りに導電一1窒1のリングを設け，チップと導潮‘1三のりング閥に形成させた遜解液の液膜を遜してチッ．プと導電惟のリング閥に通電することによリチップを尖鋭化研磨切断することを特徴とするものである。　本発1粥の製法によって得られる熱電予放射陰極j≡月チップは、先端の半径が5μm以下と非常に尖鋭であリ，従来のヘアピン例タングステン陰敬あるいは棚化ランタン焼結体を用いた陰極に鮫べ岡じ奥空度，加熱電力においてもその熱電予放射による纐度は数倍以上と効率が良い。又、奥空度については，通常10」王…トール以」二の縞真空度が必要であるのに対し，本発明による熱電予放勇寸用隆敬は，10…ヨトール稔…度の奥空度においても充分使用が可能であり，燃存の進俺誓■｛電子麟微鋭の電極部に級込み，遜常の使用条件，つまり哀空度10…」1O…5トール，力1i熱電流2Aで王OOμA（25KV）のエミッション電流を得ることができ，郷度は，ほぽ1o盲A／（lm！・strであった。この場含のエミッション遜流の、∫、らつきは，ほぽ数％以…ドで実蜘こは何等の支障はなかった。走祢像のコントラストと分角翠能を調べる；ヨ的で磁気テープの観察を行いタングステン陰極と比較した緒果，輝度は数緒良く，分解能が胸上し，従米に見られないコントラストを得た。使用後，チップ先端の形状に変化がないことが獺微鏡観察によって棚らかになった。図1　4本発明の製法の実施態様を示す概略図禽図2　チップの尖鋭化切断の遇程を示す図面1：棚化ランタン雌締［2：3：導電惟のりング雀：、祭から切とHしたチップ発岬堵公　・綜登　　　六方晶アルミン酸バリウム（BaAl1201g）単結晶の製造法　　　鰯　　　　　　　　　　　　　　　れているが，得られる総I鴇が不純物としてフラック昭和56年繁48479号　　　　　　　　　　　　ス成分を取込んでしまうこと，形状が平板状になる第1玉（〕7703号　　　　　　　　　　　　　　こと，時として械麟欠陥を含む緒晶になりやすいこ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　と，総脇育成に時閥がかかること，原料の歩止1〕が　　概要　本矧粥は，高純度の六方■界1アルミン駿バリウムの安価な製造法に幽するものである。　従来，BaA112010蝉緕1鴇襲造はフラックスを用いる方法もしくは弓〕二げ法によっている。フラックス法ではフラックスとしてPb○一P研！系のものが用いら悪いことなどの欠一1匁を有している。又，弓1上げ法によっては，BaA11！01纈の溶解惟状が分解溶融化含物であり，鰯溶領域が存豹1するので均質な納成の単結縁を得ることは1榊性である。　本発；明の六方繊アルミン酸バリウム（BaAl1201g）単織搬の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け，喬亥溶（7）媒許1；分が融解するように加熱して一ii喘，；＝I11を柵．llさせる〃法において，豚料鈴は酸化バ■」ウム（BaO）成分と1駿化アルミニウム（Al＝1O＝→）成分のモル比が1．O対5．5～王．（〕対・6．5の浪・念物であり，溶媒は酸化アルミニウム（A1！O：r）波分1．Oモルに酸化バりウム（3a○）成分をユ．O～O．08モルの一I…1』合で1牝含した漉余物で’あることを考，宇徴とし，又，．．1．二養己カ法により得られる蝋繍■欝iを燥料として，1写び．1．二蓄己ツテ法と1着j様の撚作を繰返すことにより1削＝i31質j1襖蒜！〒；芋111化せしめることを特徴とするもので’ある。　本発岬’圭の」〃浸三によれ｛丈，f逆来泡三により製造さ矛LたBaAl一！Oヨ｛〕卑繍1；’一11に比Il…交し，純度が商く，　格段に安価iなBaAlヨ！O］≡ヨ．蝉締■饗ヨを製遼し得る効梁がある。多孔質アパタイト成形体の製造方法発iリ」・拷1H閉災毅、．．1二州1南一公静1榊156年第49869一弩・登録剃！（〕3653督　　概裟　本発洲は，　人二1二1蜘・竹などのインプラント繁ヰオとして術月11な多孔優重アパタイト成彬体の製遊法に1裳jするものである。　従来のアバタイト成彬体の製遊法としては、カルシウム塩水溶液とりン酸塩水溶液とを，90～100℃でP　Hを8付近に保将しながら脱炭酸雰費111気1斗1で桃含し，沈殿‘1一三成したケリレ状物を熟成した後，　ろ逸洗浄してゲノレ1’・1・コの不純物を除五し，1葦乞燥・粉砕して粉宋状アパタイトを含成し，■1亥粉末状アパタイトを焼繍法箏により波形体とするソテ法が安uられている。この’ガ法によると多くの工概と装概を1必婆とし、その楳薬も細心の注意と熟練を饗求された。また，焼締法によって成彫する場含には，1（〕OO℃以．1二の馴1，主を一必饗・とし、　しかも徽られる成州＝多イ水は弄致｛密毒梼i登のものとなり，多孔・閂1のコントロールも」側；価1である等多くの欠、1．，工を有していた。　本発1リ・」のノテ法は，リン1駿三カルシウム（Ca3（P○．ユ〕）！をユOO℃以■ドで水または水溶惟の無機・狩機化含物の水溶液［1’1で，・アパタイトヘ転化しなか’ら凝織させるものて1ある。　本発1呪の’カ法によると，f准来法における如きアパタイトの含成一成月＝多の二段搬作を必婆とすることなく，一・般操作で成川洲二が製逃し得られ，」ヨ、つ従来淡のろ巡1洗浄・成形圧事三納およひ滴沽、一焼成等の燃雑で熟練を裟する二i二秋および多一数の裟概・滅搬を必饗とせず，糎めて徽．三洪な炎概で，瓜舳二よリ容馴二成形体が得られる。’災に従釆法では淳洲、、し度のもののみが徽られ，　多孔度のI凋烙も1ホi■雛で’あったカ｛，本発，榊こおいては，水溶仰媒慨のj韮択およびブラスチックヨ1頁の含浸の有無等の縦含せにより、容幼に所禦の空隙率と機械的強度のものが得られる箏優れた効果を狩している。外部発表※　投　　　稿鑓播号 趣　　　　　　1ヨ 発　　炎・　者 掲　1滅　誌　等1互6ユ ファィンセラミックス州粉末の余成 木，l1，1ぺ倫 非オ’米■・手斗｛亨＝　　玉9，　　1　．　　1982一三主三としてSjCとSi＝｛N．1一 ユ21！62 Bj－1Ti＝｛O］！の低沽、しにおける．1秀電鎚常 鉱物箏雑．1志15，4，217～223，　玉982！163 Co○一A1。○：｛系状態1ヌ1 尼利舳参 窯鞄協会、1念90，　2，1982　ユOO1164 CoO－Mg○一A1！○：／又ピネルヘのA1！O1／の モ利尚彦 窯薬脇会．総88．10，1渕溶1災弊 19806違O｝165 ゲルマン酸鮒，焦斑馴裳 11善1橋紘一郎 セラミックス一ガラスW溶融総1習i化寺去一 ユ7　　（1982）　　No．8　5931166 バリスター 守二［努佑介 セラミックス17　く8〕　597～599　1982！167 STEMによるサイアロンの粒弊組成分析 板爽義雄 セラミックスI7　　（8）　625～627　　ユ982（8）魏播号 魑 目 発　　表　　者 掲 繊 誌 等1！68 Mcrostructure　in　ZnO　thin　Plates　fl－om 僑本 栄久・守吉　偽介 J．Mateぬ1s　Science　LettersMo1ten　mixed　Alkali　So1uti㎝s ！ （1982） 毎～6ユ169 直衝突イオン敵乱分光（I　C　I　S　S）」1］三柵 応綱物理 51 8，887， 19821170 App1ic磁1on　of　Mod曲ted　Sをruct讐re 山本 昭二・井．．1二醤三郎 Acta　Cryst． B38，A邊alysis　to　Po1ytypes ／703～1706 （1982）玉I．Deter獅in誠｛on　of　a66R　S｛C　Po1ytypeい71 Va…〕or　Depositio篶of　Diamo暮d　Partic1es 松本締一郎 佐鱗洋一郎 JaP．J．A洲ied　Phys、from　Methane 力11茂 鵬和 2｝、 違， Lユ83～185 （王982H72 ANewTernaryPhaceZn！T11菖S＝遡 依伯I二い・’｝ 小堕畑みつニア・ Chem，Letters玉329～玉330 （玉982）1ユ73 I〕o亡entia1Distribution　and　Swiをching ［肘1 耕二・拷r壬］　稔 Th1打Solid　FilmsPheno閉e暮a　in　O1sconを妻nuous　Si1ver 86， （1981） 279～282剛mSユ！74 Phase　Separation　and　Strむctural 太套El 正仮　堤　　正宰 J．Ma芝、Sci、Change　Accomp棚ing　the　Intro一 痕 寓二1’二夫・．．．．1二野　糟一 ユ7 （1982） 243了～2堪34ductjoηof　Sj］ver　to　Arseηjc　Tr三su］一phide　Glass1！75 アメリカ窯業学会第84年会 鈴木 弘茂・木1；島　弍倫 セラミ ・ソクス17 （丁982） Nl’｝9 77玉1176 Oirec支Preparatioηofθ一Z…rconiむm 木．1蕩 1棚 Bull．Chem．Soc．JPn．Phosphate 55， 303ユ～3032 （1982）ユ177 Growth　of　L欲ge　Diamond　Crystals 榊1111 久‘1k　欄授　　條 Advances　in　Earth　andP1ane乏ary　Sc1ences！2， 525～5351178 Imp泌1ty　Eξfects　o費Anatase－Rutile 大■塚 猪螂・藤木　良胤 J．Jap搬Assoc．Min，pet、Transfol－mat1on 鈴木 淑炎 Econ．Geol77， 違　一n7～124 （1982H79 1飼体の初期焼精遡榊こ閥する正…1l■圭1エネル 徽般 背三 窯薬脇会誌ギー理．総 90， （9） 527～531 （1982H80 Mg○へのAj！Ollの剛察 ・モ利 削≡参 窯薬脇会瀦、90 （9） 1982 5511ユ81 丁茎1e　Crysta1Str讐ct讐re　of　NaTiSi！O円 大鰯 階夫・燃□11武敏 J．Japa膏Assoc，Min，Pet、Pyroxene 大沢 俊一 Econ．Geol77， 9　， （1982） 305～309ユユ82 Study　of　Boron　Nitride　by　Electron 細井 純・及川 扱夫 J．Eiectron　Spectroscopy　anEnergy－Loss　Spectroscopy 枠止k． 雛夫・松井 良夫 Related肺enomena遼磯一惚、 27 （1982） 2堪3～2541183 Phase　Relationships　in　the　System 三’友 護 泉 寓土夫 J．Mat．Sci．Si3N一一Si02－La！○＝｛ 堀内 繁雄 松枠 良夫 17 （I982） 2359～2364H84 Magne毛ization　of　Y…〕Fe20．い、r 津 文夫 ヨ粥　成人 J．Plユys，Soc．Jap棚中川 康昭 看塚　　堺’　　紀一 5ユ， 9 （1982）進藤 勇 280三～2805H85 Growth　of　Mixed　Fibeζs　of　Potass1讐m一 藤木 良槻 窯薬1協会誌Tetrat1tanate　and　D1titana乏e　by　Slow一 90 〔lO〕 1982624～626coohng　Calci冒ation　Method1186 The　Phase　Re1ation　of　the　Ti芝anium一 f左伯 副竈、小撃畑みつ二」㌧ 8ull．Che竈n，Soc．JPn．Sulfur　System 55，Nα10， 3M4～3ユ46（工982）1ユ87 Survey　of芝he　Phase　Fornユation　in　the 溜I塚 享1・ 1焚治 J．Sol．Sta，Chem．Yb103－Ga1O：ヨーMO　and　Yb203－Cr203一 43， 278～284 （1982）MO　Syste竈ns　in　Air　aをHigh　Temperat饒res（M1Co，Ni，Cu，and　Zn）ユ188 ZnO粒予の酸素芋広散と欠陥構造 虞1崎 億一・守袴　侑介 材料山村 協・掛jll一津 3ユ， 348， 850～854羽田 奥鍋　和夫 （1982〕小川 言成ユ189 β一アルミナ系化含物の構造と電二戸線搬傷 松井 良夫 日本締絆斧会誌24， 王65 （互982）（王982）（1982）（1982）J　Eiectron　Spectroscopy　and（9）○論文別刷をご・稲1望の方は， 管理郁企繭諜まて’，侑介・ セラ三・ソクスI7（11）93（ト939その爵菓欝にてお1辛1込み’’ドさい。※　口　　　　　萌題　　　　　　　図 発　　表　　者 学　・脇会等 発炎日セラミックスの界節における拡敬 帥奇　儒一 臼本表耐斗学会 7∫ヨ28臼セラミック又の粒界繊j登 守詐　佑介 E1本表耐斗学会 7J1ヨ28臼FZ法における薦菱｛ヒ牛勿単結1響1の大［］｛釜イヒ 木村　茂行・北村　健二 ［ヨ本緒1警I成・墜11羊1金 8」弓玉7日一集’光武FZ法に於ける濫度勾頭己制御の交力梁 北村　健二・木村　茂行 ヒ1本繍一饗コ成授学金 8J1123臼鎌11D　　修FZ法による定比紺1成にj亙いTiC単蒜与銘の表ぎ 大・斧茂樹…二臼叶111…著穂 日本系繍11成長学会 8∫1ヨ23臼成 耳三f享バ　　＝捗ツミ・功（1鋳］　　　J炎’気飼」1含成夕’イヤモンドにおける双■轟i発生の起 松本精一郎 臼本緒1饗1成災学会 8」1123臼淑CZ法Bi！Ge＝｛O≡〕一…斡結燃の流れの反転現象 ？、1王沢靖人・森　泰遭 日本緒■留1成侵学会 8j1123臼北村　健二酸イヒ零勿繍垂芋≡IのFZ法育成 木村　茂行 臼本締■聾｛成媛学会 8芦124臼融剤法によるNASICON単緒I豫Iの育成 坂内災典・後藤　　優 E1本総■1高成長1亨1会 8’1ヨ24臼進騰　　勇事絡い過飽利度から生成したダイヤモンド状炭 松本精一郎・泉磁・．11火 1二1本織■蟻j成長！1デ1金 8」・・ヨ2畑一素の形状 壕養　　　jユ三茗捧・青次瀦ξ享準一劇三漱商　｛妻1雄人エダイヤモンドの内・郷構造 桝1囲　　ク㌧々三・言堰…鳶三　作婁左陸 E1本総釧災授学会 8∫1ヨ25臼大沢俊一・橘脹　　f1篇○xyr正itr1deαassの作成と物惟 牧、幕詣　亮勇 窯1薬脇会ガラス郁会 8Jl126臼セラミックス粉体の開発と構造制御 ピ・1崎　篶婁一 1†］郁経嘗閉発センター 8∫ヨ27日イオンを利用したスペクトロスコピーの現11大 脅野　正fl］ El’本分光学会 8」三121臼と将来の展望娩締理論の兇腹し 蜘投　沓三 日’本学術振・興会 9Jヨ2臼Effect　of　Hydrostat1c　PressLぼe　on　the 1＝B村　惰灘 IntematiO…一al 9J・ヨ7日Magnet1c　Trans1tion　Temperat蛆e　of Conference　onMixed－Valency　Pemvskite（La｛〕．宮Cao．2） Magnet1sm（ヱ982）MnO二｛．中｝・ニューセラミックスの枝術的動胸と将釆 1茎1崎　情一 工薬総榊滑究：・砺・ g芦18ヨ粉末X糊咽折図形のR敏ve1d解析とシミュレ 娘　竃二1二夫 嚢1本分析化学会 g月9臼一ション気棚合成ダイヤモンドのラマン分光法による f左瀦冬；羊一測ヨ・捌…｝炎　　異泰弄口 応用物理学会 9夕13C臼キャラクタリーゼーション 杉ミ功⊆非i署一醐｛・刺1［王1　ク㌧‘k瀬高　儒雄CZ淡のL盆TaO：ヨの言充れの反転硯象 協沢　立1Ii人・森　　泰遭 応兵貿物理学会 9芦130日⇒ヒ村　健二As！SllAgx（O，！≦X≦O．5）ガラ又系における 太E臼工狂仮・堤　　二1三率 応月茗物理学会 9月28日榊分離と嫡造変イヒ 皿．．1二野糟一・災禽十夫マイクロ波プラズマによるダイヤモンドの気 加茂膿和・f左藤洋一郊 応用物理学会 g　j『30日棚含成 漱高僧雌・堤　正幸総胤質チタン酸繊縦に対するアルカリ土獺金 小松　優・藤木良規 日本分析化学会 9／1ヨ28日属のイ方ン交換ユ・1互衡 性々木高義絨晶質チタン酸繊維に対する2価遷移金属イ 佐々木高義・小松　　優 日本分術化学会 9月28Bオンのi吸蒲特惟とカラム法による金属閉の分 藤木　良槻離の検糞寸l　IO）題　　　　　　　目 発　　表　　者 学　・協会等一 発表日FZ法育成・YI　Gのアイソレーターとしての 木村　茂行・北村　健二 応用物理学会 9月29日評価 鎌田　　修・辻本　好伸PbTeの表面電子構造 藤森　　淳・奥村　　元 日本物理学会 1O月2日伊原　英雄・権田　俊一動力学散乱波の位相と結晶構造像 堀内　繁雄 日本物理学会 ユO月2日RFeM04のメスバウアー分光 君塚　　昇・田中みどり 日本物理学会 ！0月2日白鳥　紀一マグネタイトの磁気抵抗とピエゾ祇抗I 木村　茂行・白鳥　紀一 日本物理学会 ！0月2日東堂　　栄・近角　聡信LaCoO＝沖の57Fe発光メスバウワー効果 木村　茂行・浅井　吉蔵 日本物理学会 10月2日関沢　　尚・安部　文敏安部　文子ぺロブスカイトの組成変動と特性 洲11一幸・毛利　純一 窯業協会 10月6日白崎　信」・高僑紘一郎X線導管を用いた顕微X線回折 中沢　弘基 三鉱学会 ユO月6日Fe2VS一およびFeV2S・の規則構造 中沢　泌、基 三鉱学会 10月6日気相合成ダイヤモンドのラマン散乱 佐藤洋一郎・松本精一郎 人工鉱物討論会 10月14日加茂　睦和・潮高　信雄層状構造をもつLnABO・化合物（3〕 君塚　　昇・高山　英治 人工鉱物討論会 10月15日Ln＝希土類元素，A＝Ga，Fe，A1B＝Mg，Mn，Co．Cu，Fe，ZnA120昌一BaA1104－MgAl！〇一系における相関係 木村　茂行 人工鉱物工学会 10月15日マイクロ波放電を用いて合成したダイヤモン 加茂　昧和・佐藤洋一郎 人工鉱物討論会 10月15日ドの形状 瀬高　信雄・堤　　正幸新化合物Bi！．。La．WOo（。＝O．4～ユ．ユ）の結晶構 渡辺　昭輝・泉　富士夫 人工鉱物工学会 lO月15日造 関川　喜三FZ法によるYB一単結品の育成 田中　高穂・大谷　茂樹 人工鉱物討論会 ユO月15日石沢　芳夫FZ法によるV！Oヨ単結晶の育成 坂内　英典・内田　吉哉 人工鉱物工学会 1O月15日高山　英治新化合物AlふCTの合成と結■＝吊学データー 井上善三郎・田中　英彦 人工鉱物討論会 10月15日猪股　吉三★M　E　M　O★運営会議　lO月25臼　第93回運営会議が「58年度予算概算要求」の議題で開催された。研　究　会　9月！4日　第9回チタン酸塩研究会が「リシウムイオン導電体の現状」の議題で開催された。　9月14日　第31回結晶成長研究会が「希土類カルコゲナイドの高温結晶成長」の議題で開催された。　lO月27日　第2回炭化けい素研究会が「セラミックスの界面と粒界」の議題で開催された。　10月28日　第32回結品成長研究会が「分析電子顕微鏡の基礎と応用」の議題で開催された。　1ユ月8日　第33回結晶成長研究会が「最近の1融液成長結晶について」の議題で開催された。　1ユ月I6日　第30回焼結研究会が「固体アイオニクスの最近の発展と応用」の議題で開催された。　ユ1月17日　第14回電子放射研究会が「仕事関数による酸化物材料の表面の研究1の議題で開催された。来　　　　訪　10月7日　中野　明　科学技術振・興対策特別委員会委員長，太田淳夫岡委員会理事の訪問があった。（11）外国人の来訪　8月25日　英国，J．S．Whitehead英国公使，C．C．Bradley参事官ほかの訪問があった。　9月8日　米国エネルギー省材料科学部）の訪問があった。R．J，Gottscha」ユ氏（　9月9日　仏国　J，M．ビンド氏を団長とする仰オ料調査団の訪問があった。　9月14日　東独国　Dr．Ulrich　Hofmann東独科学アカデミー副総裁の訪問があった。回最新焼結技術国際会議出席」のため昭和57年6月ユ2日から6月29日までイタりア国ほかへ出張した。　第8研究グループ主任研究官　赤石　實は「衝撃圧力下におけるセラミック粉末の挙動及び衝撃誘起による久1陥の焼結過程に及ぽす影響についての研究」のため日召和57年9月30日から昭和58年9月29日までの予定で，米国ノースカロライナ大学へ出張した。　第3研究グループ主征研究官　三友　護は「α一サイアロンの熱力学計算に関する研究」のため昭和57年9月15日から12月18日の予定で，ドイツ連邦共和国マックスプランク研究所へ出張した。　9月17日　第6回国際コンタミネーションコントロール　シンポジウム参加者，Baumam　Peter氏をはじめ約ユoo名の来訪があり，無塵特殊実験棟などを見学した。　9月24日　ハンガリー　Dr．Sander　Torokインターコーポレーション日本支社支酉己人の訪問があった。　第1卑研究グループ研究員　藤森　淳は「金属水素化合物の電子構造表而状態の光電子分光法による研究」のため昭和57年9月29日から昭和58年1月2日までの予定でスイス国チュー」ツヒエ科大学へ出張した。研究発表会　10月1日　中国張海泉を団長とする科学技術管理者コースー行24名の訪問があった。　1O月15日　西独国　Dr．マィト務所事務局次長の訪問があった。日独経済促進事　ユo月26日　仏国　Dr．J．M．Hamert　DeDetrich社エンジニアの訪問があった。　10月26日　中国　馬　思泓氏を代表とする北京化工学院訪日団の訪問があった。11月18日（刈 第ユO回研究発表会が開催された。（P8〕第10回研究発表会の参加者　11月17日　中国　注　華氏を代表とする中国江蘇省高校男子バスケットボーフ漱一行16名の訪問があった。 最近の出版物　1ユ月17日　韓国　金　容漸韓国科学技術虚次官一行6名の訪問があった。海外出張第3研究グループ主任研究官 三友　I護は「第5無機材質研究所研究報告書第30号第31号第32号第33号第34号複合マグネシウム酸化物に関する研究複合チタン硫化物に関する研究複合酸窒化けい素に関する研究ゲルマン酸塩に関する研究チタン酸カリウム繊維の合成に関する研究禿　行　日　　　発行昭和57年12月1日　第78号科学技術庁　無機材質研究所NAT1ONAL1NSTlTUTE　FOR　RESEARCH1N　IN〔．）RGAN1C　MATERIALS〒305　茨功長■県朝干沽州三牛妄朴士並木1■］」目1番電話0298－51－3351（12）