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[NRIMNews1996-09.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/4d4880d6-a246-47b9-9c31-38087b8ebdfd/download)

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武藤 英一

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[金材技研ニュース 1996 No.9](https://mdr.nims.go.jp/datasets/4beca8ae-2d54-40cb-bd39-13d9da75a9f8)

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金属技研ニュース　1996　No.9七〇〕一．ゼEΦo一一〇⊂ωE0－oO］一〇〇〇一〇〕0＝あ○餉oo一］o－E0－ooo］101E0f000〕蜆o〇一一〇〇一〇一蜆○蜆眈Eo〕．ゼ≧里三…oo…Z－oo〕蜆］0f←下地構造を反映する電子定在波の観察／イオンビームによる帯電パターン描画■低温TEM観察の高分解能化電子の定在波のナノメータースケール構造による形態変化一原子スケール位相干渉デバイスヘの道一　これまで、金、銅（111）表面において、電子の定在波が存在することは、走査トンネル顕微鏡を用いて実空間で確認されていた。電子の定在波は水面の波と同じように、電子の進行波が金属表面のステップ端、あるいは、表面の欠陥等により反射され、進行波と反射波が干渉することによって生ず乱従って、定在波を観察するためには、電子波の位相が長距離にわたって保持されることが必要である。　当研究所では、金（111）面の試料を30Kまで冷却することによって、定在波が70nmの距離まで生ずることを世界で初めて観測した（図では、ステップ端から左側に定在波が示されている。）　更に新たに得られた知見は、定在波が下地のナノメータースケールの構造によってその形態が影響されること図：走査トンネル顕微鏡による定在波の三次元像（50nm×　　39nm）。ステップ端より左側の領域で定在波の方向が　　赤色の領域と緑色の領域で異なっている。である。図において、赤く表示されている領域では、定在波の波面はステップ端に平行であるが、緑色に表示されている領域では、定在波の波面はもはやステップ端に平行ではなく、ステップ端とある角度をなしている。　定在波と重畳して途中で折れ曲がった構造がみられるが、この下地の構造は、金（111）表面に固有なもので、面心立方格子と六方最密充填格子の境界に相当する。（ヘリングボーンと呼ばれる。）明らかに緑色の領域では、定在波はヘリングボーンの方向に沿って存在する。このような下地の構造を反映した定在波のでき方には、定在波が赤色の領域と緑色の領域の境界で屈折するためとする解釈と、電子波がヘリングボーンに沿って伝播するためとする二つの解釈が考えられる。　ここで隣りあって並行に走っているヘリングボーンのペア上にも、またこのペアの間（面心立方格子に対応する）にも定在波が存在する。このとき定在波の位相に注目すると、一つのペアの定在波の位相と、隣のペアのそれとはステップ端から測ってずれが生じている。そしてこのペア間に生じている定在波はこの位相の違いをキャンセルする、すなわち、二つの位相をつなぐように働いている。これは、電子波がヘリングボーンの中に横方向に完全に閉じこめられているのではなく、横方向に多少のしみだしがあるためとも考えられるが、いずれにせよ位相情報を与えている。　従って、定在波の方向が変わる機構の後者の立場をとると、人工的なナノメータースケールの構造を作製することにより、ナノメータースケールの位相干渉デバイス作製への道を拓くものとして期待される。絶縁性基板上への帯電パターンの形成一荷電ビームを用いた粒子アセンブルの基盤技術の開発一　ミクロンオーダーの粒子を配列・集積して、新タイプの機能素子・多機能材料の作製を目指した粒子アセンブルの研究を行っている（金材技研ニュース、1995年No．1）。粒子アセンブルでは、基板上の狙った位置に粒子を正確に配置できることが第一の技術的な課題であり、多種類の機能の異なる粒子を繰り返し配置することで集積化が可能と考えられる・粒子を基板上へ配置するためには粒子を配置すべき基板位置を帯電させ、粒子との間に働く静電気力を利用する。その際、粒子サイズに応じた線幅で狙った位置に望みの帯電パターンを形成する必要がある。これまでは、帯電パターンの形成に電子ビームを用いてきたが、今回、集束イオンビームを用いる描画法で、より微細な帯電パターンの形成に成功した。また、通常、粒子はその種類や表面状態によって帯電状態が異なるため、状況に応じて正・負極性の帯電パターンを形成する必要がある。そこで、今回はさらに、集束イオンビーム及び電子ビームを使い同一領域に極性の異なる帯電パターンの形成を試み、成功した。写真1　EB描両によって形成した負極性帯電パターン　　　　　　　　　　　　　．’帖　　簿　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　！　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＾・　≡　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　一　　　　，　　　　　　　　　，　　　　　　　　　1写真2　FIB描画によって形成した正極性帯電パターン　　　　　　　　　　　　　・100岬写真3　EB及びPIBにより形成した両極性帯電パターン　写真1～3にセラミックスのチタン酸カルシウム基板上に形成した帯電パターンの例を示す。なお、帯電パターンの観察は低加速電圧SEM（2．5kV）による電位コントラスト法によって行った。写真1は電子ビーム（加速電圧：5kV）で描画した帯電パターン像である。帯電パターンは明コントラスト（白線）として観察され、表面電位の測定から負極性に帯電していることが分かった。一方、写真2に示す集束イオンビーム（加速電圧：30kV）で描画した帯電パターン像は写真1と比較してより薇細かつ鮮明である。集束イオンビームにはGa・イオンを用いているためパターンは暗コントラスト（黒線）として観察され、正極性に帯電していた。集東イオンビームを用いることでパターンの線幅を約5μmまで減少できた。パターンの線幅はラインプロファイルによる半値幅から推測して、イオンビームを用いた場合は電子ビームよりユ／3以下の微細化が可能である。その理由は、基板内における照射電子とイオンの拡散領域の違いに起因すると考えられる。一方、5μm以下の大きさの粒子のアセンブルには、より微細な帯電パターンの形成が必要であり、そのためには、基板内の電荷キャリアーの拡散メカニズムの解明が重要である。　次に、両極性の帯電パターンの形成について述べる・帯電パターンは、電子ビーム・集束イオンビーム描画装置を用い、図1の模式図に示すビームと基板の配置条件のもとで形成した。写真3は、集束イオンビーム（加速電圧：30kV）と電子ビーム（力11速電圧：5kV）を用いて同一領域に形成した帯電パターンについて、その電位コントラスト像を示す。正及び負極性の帯電パターンが同一領域に形成されている様子が観察される。このように本研究により任意極性の帯電パターンを基板上の任意位置に描画することが可能となり、粒子アセンブル技術の第」段階の課題はほぼクリアできたと考えられる。　なお、本研究はセイコー電子工業と共同開発した電子ビーム・集束イオンビーム描画装置を使用して行った。図1　集束イオンビーム（F1B）及び電子ビーム（EB）描画ドリフト・振動する試料の鮮明な格子像の記録に成功一酸化物高温超伝導体の低温高分解能電子顕微鏡観察に進歩一　液体窒素温度以上で使用できる酸化物高温超伝導体の開発は核融合炉等の実用化のためには不可欠である。最近発見された低温での格子異常は超伝導発現機構解明の鍵となる可能性がある。低温では温度変動による試料のドリフトや液体ヘリウムの蒸発等による試料の振動のため、透過型電子顕微鏡（TEM）による撮影像の分解能は室温観察に比べて約ユ／10と低い。将来低温での高分解能観察が可能になれば、TEMは酸化物高温超伝導体の格子異常の研究や低温での結晶構造の研究のための強力な手段となる。　そこで、当研究所では「高速撮像用CCDカメラシステム」（図1）を開発し、短時間撮像による低温でのTEMの高分解能化を図った。Michrocha㎜nel　Plate（MCP）の両端にパルス電圧を印加することにより、最短で50ナノ秒（1億分の5秒）までの短時間の撮像とコンピュータ入力を実現した。撮像にSunのワークステーションを用いた場合、1O00×1O18画素の10ビット画像（約2．1MB）を約5枚／秒の速さで160枚まで連続的に取り込める。JEM－2010型（日本電子（株）製）のTEMにはスロースキャン型CCDカメラを用いて開発した「電子回析強度の精密測定用CCDカメラシステム」が取付けてあり、両カメラシステムの交互使用が可能な構造とした。撮像時問が短くなり、結像に寄与する電子の個数が減ると、画像の信号量と統計的ノイズ量との比（S／N比）が減少して画質は劣化する。そこで、低温でドリフト、振動する試料の短時間撮像を繰り返し行って得た多数の画像について、互いの位置ずれ量を計算した後各画像が一致するようにシフトさせてから加算（シフト加算）してS州比を向上させる画像処理ソフトウェアーを開発した。温度45Kに保持した酸化物高温超伝導体Bi2223のc軸方向の格子像（間隔：1．78nm）を0，1秒問づつ連続的に30枚撮像した後シフト加算した結果を図2に示す。画像はPICTROGRAPHY3000を用いてプリントした。6秒後に撮影された30枚目の画像（図2b）はユ枚目の画像（図2a）に対して右上方向に約19．6nmドリフトしている。O．1秒問の撮影時問に試料は約O．33nmドリフトしていたことになる。シフト加算によりS／N比は約価≒5．48倍増加し、ドリフト試料から鮮明な格子像（図2c）を得ることができた。90Kに保持したBi2223試料の撮像結果の例を図3に示す。ユ秒間の撮影像（図3a）では振動のため殆ど何も見えないが、50ミリ秒問の撮影像（図3b）では格子像が何とか識別できる。50ミリ秒間の撮像を40枚連続して行い、シフト加算を施してS州比を向上させた像（図3c）では、c軸方向の格子縞とb軸方向の変調構造が鮮明に見えている。今回の開発により、低温での分解能は約5倍以上に向上した。また、試料の振動そのものを抑制する温度制御方式も開発した。今後、低温での分解能を室温レベルにまで引き上げるため、更なる技術開発を行う計画である。■自・1τ　侶融楓〕　　二帳ε…→寺←ソ十ツタ．光ファイバープレート■十プ1」ンター型魍子顕微鏡M－2010〕今回關発した商速緩像用C　C　Dカメラシステム　（太線枠内）却永→環器口誘一カ淳㌢回折強度調」」　　　　“■冷却水掘環器定用CC　Dカメラ三口←ヵメラコント竈一ラ■Eヨ書　匿…　…匿…←糠扇奏亨脇デカラーモニターm　し…ワークスチーション　　　　　　　　〔またはマッキントシュ〕図1　「高速撮像用CCDカメラシステム」の概要　　　　　　．bパ図2　　　　　　　　∴遜45Kで上」二乙L虫のB12223から得られた格子像。O1秒間の撮影像のa）第1枚目とb）第30枚目の像。c）30枚の画像をシフト加算した像。矢印は双晶境界を示す。図3 90Kで振動生のBi2223から得られた格子像。a）1秒間の撮影像、b）50ミリ秒間の撮影像、c）50ミリ秒問の撮影を連続的に40枚行い、シフト加算して得られた像。海外での研究発表（1996年79月分）SixthAsia－Paci｛icConferenceon痩1ectron　Micr◎scopy（7」司11三卜51ヨ，香港）玉）1榊rovement　ofLow－Temperature　TEM　Imagi烈g　of（B1，Pb）、St，Ca，Cu，O、、，with　Hi曲一Speed　CCl〕C註mera一　　　木本高義，　子系，畿2）HREM　and　Low－temper註ξure　E1ecセron　Diffracti㎝Stud1es　o州一e　Bi22呈2Single　Cryst齪1Grown　by　Flo銚ing　Zone　Meξhoδ．　　　孫戚，木本高義，茂筑高士3）Long－raηge　O王der　Parameter　Near　Grai邊Bou一｝dary　in　Cu，A割and　B－Doped　NiヨA1Determineδfrom　Elect】’on　Diヂfr註c在ion　　　Intensiξies　Deまected　by　CCD　Camer罰一　　　木本高義，イ也ユ名21stRarel…aけhResearchConf欲e11ce（7月71ヨ～ユ21ヨ，米国・ダルース）ユ）Si邊gle　Crystal　Growth　and　P吋sical　Properties　of　YN1，B，C　and　Ho州、B，C．　　　竹麓浩幸，門脇和甥，平1ユ湘人，他1名The1…ur◎peanCarbonCon細renceI’CARBONI96II（7パ71三トユ21ヨ，焚国・ニューカッスル）1）Characteriz刮tio邊ofCarbo邊Fiber　a邊d　Follow－up　ofTheir　Anodic　Oxi幽tion　by　Elect－1oche1対caHmpedance　Specまro棚etry．　　　冨塚　功，富崎H召光，閑本三永子，他ユ名第5回化学工学国際会議（7月ユ41三トユ81ヨ，米国・サンディエゴ）1）Press眺1e　F11tmtion　of　Alumi邊a　Fine　Pal－ticles．　　　打越哲郎，1ヨ幾雄，小澤’三ヨ’43rd　lntem銚iorla1芦ield　l…獅mision　Symposium（7灼1碓1三1㌔20日，ロシア・モスクワ）1）Ato㎜Probe　Studies　ofSupe－1cooled　Liquid一　　　宝野和博，薬　安邦，H，G．Read，他1名2）APPIM　Studies　of　Nmocrys胸111zat1on㈱d　Supercoo…ed　L…quid　St刮te　of　Amorphous　Al1oys。　　　宝野和’1薙，他2名3）Phase　Sepa棚ion　Pa舳ioning　and　Pr㏄ipi童a童ion　in　MA956㎜ODS　Perrit1c　St刮inless　SteeL　　　宝野和’樽，H．G．Read4）Tlwee　Dime烈t1o蝸1A童om　Probe　Analysis　of　Chemical　Heterogcneities　in　Co－Cr－丁割Sp洲ered　Thin　Films．　　　　宝野和’鱒，他3名丁汽e2nd　ln言emati◎nal　Meeti11g　ofPacificRimCe臓micSocieties（7月15日～17El，オーストラリア・ケアンズ）！）冊幽一Resolu言ion　Electron　Micl’oscopy　Sωdy　of玉11芝el’faces　and　Traosformation　Be1袖v1or　in註ZrO、一9．7mol％MgO．　　　　阿熱冨士雄，宗木政一・，八木晃一・’第23圓半導体物理国際会議（7月211三卜261三1，ドイツ・ベルリン）1）Site　md　Coverage　l）epe邊de邊ce　of　C至2Adsorpt三〇n撚d　Chlor1de◎esorption　at　GaAs（OO1）Surチaces．　　　　大野隆央，佐々木泰造2）Curre珊t－i黎duced　Bre置kdown　oれ11e　QuantHm　H註11Effect1n　Tilted　High　Magnet1c　Fields．　　　　　　　　　正，寺．鴎太一・，　　．，木戸義勇，他6名第8圓国際圧カ容器工学会議（7月2ユ1■卜26臼，カナタ　モントリオール）1）L註ser　Sp㏄kle　Met嚢od　Applied　to　Dynam1c　St…一ain　Measし…11eme邊t　D雌ri黎g　Weldi㎎．　　　　村松ぬ樹，黒日］聖治12t111nteチ11ati◎11al　Co11f叡ence　ofApplication　o汁1igh　Magnetic1＝1e1ds　on　Semiconductor　l〕11ysics（7」弓221ヨ㌔261三1，ドィッ・ヴェルツブルグ）！）Bre盆kdown　p1蛇non三ena　o8I鮒eger　Q汕罰n童um　H囲H酎ξect　in　Ti…ted　Magnetic　Helds．　　　　商増　正，寿、島太・一・・，青木晴善，木戸義勇，他6名2）Non－ohmic　TI．ansport　Beも刮v1ow　in　a　New　Magnetic－Field－Iηduced　I黎s脹1註ξing　Phase　ofGr註phiまe．　　　　商増正，他3名3）Rlation　be芝ween　C舳c壬11Electric　Fie1d　ofまhe　B1’eakdowMnd　Magnet｛c　F1eld　iB　Integer劃nd　Fract1onal　QH刮ntum脳11Effects。　　　　　　　　　正，他2名　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　一　4．一4）High－M劃g鵬tic　Pie1d　Rese與rch　i費Semiconducまing　Mate1棚s　a川RIM．　　　　木戸義勇，竹端寛治，抑切光丈，J．Van盆cke珊，寺島太一，D．Symons，　　　正，青木晴善Asian　Pacific　Conference　for　l＝racture　and　S桁e11gth　I96　（7月231三1～261ヨ，韓国・慶州）1）Creep　Cr齪改Growth　Behavior　of316S童註…nless　Stee…．　　　　八木晃一一，日ヨ淵正明，久保　L睦，他2名1I1ter11ati◎11al　Co11ference　on　Physics　and　Chemis枚y　of　M◎lecular　and　Oxide　SupercoI1ductors（8月21ヨ～61三1，ドイッ・カールスルー工）ユ）Phonon　Anomalies1n　YNi　l1B　C．　　　　竹屋浩幸，門脇和甥，他2名2）A黎neal1ng　Beh註vior　ofAr　Ion　Ir11adiated　B三、Sr．Can－1Cun04＋2n　Super1鮒1ce　and1羽teilg11owth　Films．　　　　羽多野　毅，中村恵吉，貝瀬正次，斎藤一鍔，他2名1nternationalConferenceonξlec曾onLocaliza箇onandQuantum↑ranspoけinSolids（8月31ヨ～61ヨ，ポ］ランド1ヤスオビツツ）玉）Propagati㎎Electr㎝s　Alol－g　D㎝1劃in　Walls　ofAu（1ωObserveδby玉n1erferen㏄ofCohe糊t眺clrons盆比ow　Temperature．　　　　栂葦カ皮　圭勾，亘奏1三Eリ（プト，タミケ剖…ゾ（劇≦The1OthAmeric釧C◎nferenceonCrystalGrowth（8月41三卜91ヨ，米国・べ一ル）！）Melt　S岬ercoo1ing　Be濠av1or　and　Crystal　G，1owth　ofBa（B，．工M占）O、（M：Al　and　Ga）。　　　　木村秀夫，沼澤健輿1」，佐藤充典9t111nt餅I1ationalConf餅e11ceonMolecular1≡…eaml…p1taxy（8灼51ヨ～91三1，米圃・カルフォルニア）！）S・…i螂・T・m・1量・・S…童・・・・・・…柵・・トP・i・・i・1・・I・…言i・1ti…汕◆・（001）（2×6）一SS・1・ξ…fb・舳・M・……1・・B…　　　　Epit劃Xy．　　　　塚本史郎，大野隆央，ノ」・口信行’21stlntemationalConferenceonし◎wTemp欲at岨e帥ysics（8月81三1～ユ41三1，チェコスロバキア・プラハ）工）I獺e…ast1c　New芝ron　Scatまering　Study　o獺YN1，B，、C．　　　　竹蟻浩幸，門脇和男，他2名2）Superco11ductivity　in　Bi，Sr，Ca，Cu、，O，ノBi，Sr，CaCu，O封Super1洲1ce　Pi萎ms・　　　　羽多野　毅，石井　閉，Hコ村恵書3）P一’ess峰re　Dependence　of　the　Elec｛11onic　Strucωre　in　the　S芝盆ge－3玉恕O，Graphite　In芝erca1囲tion　Compoしmd　Studied　Via　the　de　　　　H雌s－van　Alphen蹴fec仁　　　　　　　　　　　’，松本武彦，　　・，他3名4）Prop齪gat1ng眺ctrons　Alα1g　Soliξ㎝W洲s　ofAu（川）observed　by　In童erferen㏄oぎConherent　E1㏄t11ons　atLow　Temperaω1’e一　　　　利鋤戎　均，藤胴大介，矢ケ都太良■；，印村明子，内番喬　縫StronglyC◎鵬1ated§lectronSystems’96（8」弓玉9E1～22日，スイス・チューリヒ）ユ）High－Pressure　St齪dy　of　A黎tiferromagnetic　Oヨー由11In　CePd、（A1，G註）、．　　　　　　　　　捷，北澤焚明，松■閉行，松本武彦2）High－Pield　Magne主ic　Properties　ofRPd，A1ヨS1ngle　C1’ystals（R＝Ce，Pr，M，Sm）一　　　　北澤英明，唐　　捷，二森茂樹，松本武彦，木戸義勇，他2名The8thJoin閉uss1an－JapanSymposiumonAna1yticalChemistry（8jヨ251三ト3！1ヨ，ロシア・サラトフ）1）The　Speciati㎝ofOrga理otin　Comp㎝nds　i頸Marine　Samp1es　by　Using　Solid　Ph註se　Extracti0Mnd　ICP－MS．　　　　大河内泰乃，　宗幸，佐藤幸一一，井舳…l1和9thlnternationa1Con胎renceonRapidlyQu釧chedandMetastableMater1als（8月251三1～301ヨ，チェコスロバキア・プラティスラバ）1）UniqBeQlystalliz註言ionProcess　in　Sputtel’一deposiまeδ丁量一Ni　Sh纈peMenlo11yFi韮ms。　　　　梶原節夫，菊池武杢児，小川一行，他2名2）APP1M　Stud1es　ofMetal1ic　Glasses　witおWide　S岬ercoo1ed　Liq齪id　Regi㎝s．　　　　宝野和博，H．G．Read，察　　安邦，他1名3）APF1M　Stud…es　on　N…mocrysω1…zat…o理ofA棚orphous　AHoys．　　　　宝野和博，他3名　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　一　5　一Applied　Superconduc言ivity　Conference　（8月25日㌔30日，米国・ピッツバ］グ）！）Fabぎication　and　Properties　ofBi，Sr，CaCuO且Mulむlayer　Superconducting　Tapes　and　Coils。　　　　熊倉浩明，北口　仁，戸［1ヤー正，他3名2）Performan㏄Tests　ofBi－22妻2玉nsert　M齪g鵬ts　Fabricated　by　Ag　Shea士hed　Method刮nd正）ip－Coating　Metllod．　　　　熊倉浩明，北［二］仁，戸ヨIl’’一正，木’書　　　井．．1二　廉，他雀名3）酎fect　of　Flat－RoH　For㎜ing　on　Cr三tica1Current　De昼sityαwac主eristics㎜d　Microstrucωre　of　NbヨAl　ML舳fi三註m㎝tary　　　　Conductors．　　　　竹内孝失，飯島安男，丼上　廉，和凶　仁雀）Cur1・eηt　Dec註y　Eva1鶯atio邊ofClosed　HTS　Coi王C…rcuits、　　　　木吉　司，井上　離，小菅通雄，和凶　仁，前田　弘マhegthlntemationa1Conf餅e11ceonX－rayAbsorptionl：ineStructI」re（8パ26日～301ヨ，フランス・グルノーブル）王）Deve1opme1賞ofHigh　Power　X－ray　G㎝erator　with　LaB6Cathode　md　Its　App11cation　to　F1uoresce耐XAFS　Meas鵬㎜ent。　　　　桜井健次，他ユ名2）Trace　Chem｛cal　C11aracterization　of　L…quid　Drop　by　Flurescence　Detect量o110f　AbsorptioηBdge　Shifts　Us｛ng　Tot副1Renectio螂　　　　SuPPo1t　　　桜ナ1二健次，他2名国際溶接協会（llW）第49回隼次大会（8月3玉日～9月8日，ハンガリー・ブタペスト）1）Evaluati㎝ofTough鵬ss　in　R幽e註童ed　T1－B　Weld　Metals　w1th　M1croslrctu11es　Analysis。　　　志賀千晃，他3名2）Fatigue　Crack　Propaga童ion　Properties　ofWe1ded　Joi嵩ts　at300℃．　　　　太1王閉彦，鈴木直之，前出芳夫14th　lntemati◎nal　Worksh◎p　on　Rare－Ea舳Magnet　and　Their　Copyolications（9月1F卜4ξ1，ブラジル・サンパウロ）ユ）Correct1㎝s　for　Hysteresis　C纈rves　fol．Rare　Ea他Magne童Mate一’i刮1s　Measured　by　Op㎝Magnotic　Cur㎝it　M舳od．　　　　木戸義勇，他3名国際溶接学会第49回年次大会（9月ユ日～7冒，ハンガリー・ブタペスト）1）InBuences　ofS　Cun－ent　on　Shape　ofF瞠sion　Zone…n　Elecまron　anδLaser　Beams　P－1ocess．　　　　入江宏定，他ユ名14th■ntemationaI　Conferenc＠◎n　NanometerScaleScience＆Technology（9月8［トユ2日，中国・北京）1）Nanostruc主ures　Fabricati㎝and　Elecξron　Transpo血Measuremen童Throug細洲em．　　　根城　均，藤1壬1大介，他ユ名19th　Sy閉p◎sium◎111：usion1’echno1ogy（9月ユ6日㌔20日，ポルトガル・リスボン）1）An　Analys1s　of　Effect　of　Bubble　Morphology　and　Wor㎞ardening　Expon㎝ξ㎝He1ium　E㎜brit伽ment　by　Pini童e　E1eme鮒　　　Method．　　　　白石春樹2）Vo…d　Swelling　in　Proton　Irradiated　Fe－Cr－Ni　Temary　Al1oys．　　　村瀬義治，永川城正，山本徳和，白石春樹The8th1ntemati◎nalSymposiumonSuperalloys（9月221三1～261三1，米国・セブンスプリングス）ユ）Determimtion　ofAtomistic　S舳cture　ofNi－Base　Single　Crystal　Super註11oys　Using　Mo邊te　Ca…一1o　Siηユu1at1on　and　APFlM、　　　村上秀之，原田広史，他1名FatigueDamageinSt川cturalMaterials（9月22日～271ヨ，米国・マサチューセッツ）1）Unique　Fat1gue　Threshold　and　Growth　Prope11芝ies　ofWelded　Jo1nts　i列Tensile　Resid割al　Stress　Field．　　　太田昭彦，鈴木直之，前田芳夫9thlnternationalSymposiumonCreepResistantMeねllicMaterials（9月23日～26El，チェコ・フラデツ）1）Long－Ter11ユCreep　Streng士h　Eva1鶯ation　of曲e　Ferrit量c　Heat　Resist刮nt　Steels．　　　木村一弘、，九島秀昭，阿都冨士雄，八木晃一・一・10th1械ernat1◎na1ConferenceonThinξilms＆5thl；ur◎peanVACUUMC◎nference（9月23［卜27日スペイン・サラマンカ）ユ）Q纈an言i峨ive　Auger　Electron　spect11oscopy　in　Th1n　H1m　Dep証h　Profiling．　　　S．Hofmann610月の研究発表 （国内分）学・協会名 開催期闘 発　　表　　一題　　目 発表者（所属）日本物理学会1996隼秋の 10．1～10．4 1．高温超伝導体の磁束状態と工／H輿1」 上原　　満（物性）分科会 2．S終端GaAs（oo至）而の光電子回折による観 下固　正彦（物性）他（山口：山口’大学） 測III3．CuIr，（S、．、Se亜）、の電気抵抗での圧力緒果2 唐　　　　　捷　（物性）イ也4．Supp～ess1on　of　antiferromagnetic　order　in 麿葦　　　　　韮埜　（等勿11’生）　イ也U（Pd，．士Ptヨ）ヨunder　high　pressu1℃5．単縞晶Bi，Sr，CaCu，O品、一，における磁束融解 平1三日　矛口人（ユG）他線と不可逆曲線のキャリアー濃度依存性6．（Nd，Ce）コCuO、単締晶の精密結晶構造解析 茂筑　高士（！G）他7．Arイオン照射されたビスマス系高侃趨伝 羽多野　毅（！G）他導体薄膜のアニール効果8．圧力下におけるCeSbのdHvA効果 脊木　晴善（4G）他9．HoNi，B，Cのドーハース・ファンアルフェ　　　　　’　　　　　　　h脊木　晴善（4G）イ也ン効果10．CuGe031＝1］の叩eメスバウアー 二1ヒ澤　英明（4G）イ也1ユ．六方晶系REPdAlの磁気的性質 二1ヒ澤　英明（4G）他！2．近藤系CePdAlの申性子散乱 北澤　英明（4G）イ也13．C聰GeO。の強磁場磁歪H 竹端　寛治（4G）他14．Hfを添加したAgシ］スBi（Pb）一2223テープ 凹印　　諺手牙火　（強ミ破雄姜…〒）　イ也の微繊組織工5．Metal／S1（lOO）における吸’着金属原子の構 矢ケ畜1≦ブ【貞1∫（オ亟商）イ也造と電子構造溶接学会秋季全国大会 lO．1～1O．3 ユ．レーザー誘起プラズマの電子密度及び温 圭家功（　　　主隆　（隷t毒織）　イ也（窟1．Ll：窟山大学） 度分布日本機械学会M＆M　Ig6 10．3～王O，4 1．窒素添加ステンレス鋼の疲労き裂伝ぱ特 ／寸内　　・1覚勇　（環茎域琶）　イ也材料カ掌部門議演会 性（三重：三重．大学） 2．T1－49aξ．％A1合金のクリープ破断特性に及 武藤　功（環境）他ぼす組織の影響（II）3、構造月弓鋼SS4妻のぜい姓破面のナノフラフ 蜻…川　　　秦芸　（鐸童塚著）　イ姐トグラフイ碓．イ本心立方（b㏄）金属のナノインデンテーシ 雀り琢　　偲≡プト　（姜榮塚琶）　イ幽ヨン第43圓腐食防食討論会 10．16㌔10．王8 ユ．東南アジア大気環境における塗装及び表 小三1三俊■≡リヨ（環境）他（大阪：大阪大学） 而処理鋼の劣化試験2．炭酸カルシウム飽和指数算出法’改良に関 小玉　俊一三リヨ（環境）する基礎約検討3．Ke1vinProbeによる薄水膜下での電極電位 日1順　　晃（環境）他測定第11回1ヨ本整形外科学会 …0．三7㌔10．18 1．inViセroマクロファージによる純チタンの 二慕　　　鵬（2T）他墓礎学術集会（鹿児．鴎：城山観光ホテル）第4回機能材料園際シン 10．2王㌔工0．24 ！．TiC／MiO傾斜紙成皮膜の形成と皮膜の性 禰．島　孟（組織）他ポジウム 質（茨カ戎：丁．諜き才支刷サ院銃t波 2．Modeli擁g　md　Measurem鮒od　Stress 黒田　　聖治　（組織）イ也研究センター） Evolutioη1n　FGM　C㎝ting　duringFabric劃tion　by　Thel’1Tla三Spray1祓鉗national　Symposiu閑 至0．21～10．24 1．Magne童ic　Pζoperties　of　Ag－C担AHoy 困1二1＝＝1書秋（強磁場）他0n　Superconductivity’96（北海適：ロイトンサッポS董犯a童hed（B…，Pb）Sr，C劃、CuヨO，Tapesロホテル）◆短　信◆●受　賞　臼本材料試験技術協会賞　極隈場研究センター長　西島　敏　環境性能研究部　　　　阿部孝行　　　　　　　　　　　（以上｛醐」に表彰）　　「J亙S機械構造用鋼の弾性係数の測定について」の報皆（材料試験技術雛39巻：第！号）が材料試験技術の向．．．1二と発展に買献し，認められ，平成8隼7月26日，左記の賞を受けた。◆特許速報◆●出　願発　　明　　の　　名　　称酸化物単結品とその製造方法出願日8．8．2出願番号08＿204376発明者氏名木村秀夫，佐藤充典●登　録発　　明　　の　　名　　称 登録日 登録番号 発明者氏名溶銑の連続処理装置 8．6．24 2062371 福澤章，岩崎智，笠原章，古山貞夫，福澤安光電解加工用Ti／A1基金属間化合物材料と 8，6．24 2062373 沼田英夫，冨塚功その製造法並びに加工法超伝導セラミックス積層体およびその製造法 8．6．27 2532914 福富勝夫，他3名（三井金属鉱業株式会社との共有特許権）タングステン粉末の高温における流動特性の 8．7．8 2535746 板垣孟彦，新井隆，小林敏治改善方法酸化物単結晶の製造方法とその装置 8．7．8 2535773 木村秀夫，沼澤健則，佐藤充典析出強化型モリブデン単結晶とその製造方法 8．7．8 2535774 藤井忠行，本多均一高エネルギー粒子線用積算線量モニター 8．7．8 2535786 岸本直樹，雨倉宏非線形補正方法 8．7．8 2535787 升田博之黒色系顔料組成物 8．7，25 2071908 小澤清，中谷功サイエンスキャンプ’96を開催　青少年への科学技術の普及を目的として、昨年から開催しているサイエンスキャンプを今年も去る8月6日（火）～8日（木）の3日問に高校生ユO名を迎えて開催した。「形状記憶合金コース」、「超伝導コース」の2つのコースに分かれて、それぞれ実験や見学などを行った。　形状記憶合金コースでは実際に形状記憶合金を作成し、形状記憶効果を試す実験や超伝導コースでは実際に作り上げた超伝導物質を浮かせる実験など様々な実験を通して、研究の現場を身近に体感し、感動している姿が印象的だった。多色発　行　所　科学技術庁金属材料技術研究所　　　　　〒305茨城県つくば市千現ユー2－1　　　　　　TEL（0298）53’1045（企画室直通），　　　　　　FAX（0298）53－1005通巻第454号編集兼発行人問　合せ先印　　刷　　所　　　平成8年9月発行　　　　武　藤　英　一　　　　　企画室普及係前　田　印　刷　株式会社茨城県つくば市東新井14－5