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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第130号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/f9b3a1ce-5cb0-43c1-8beb-14acfbc5ca72)

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無機材研ニュース第130号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0－oo］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←第130号就任のごあいさつ　このたび瀬高前所長の後任として所長の重責を拝命いたしました。就任にあたり一言ごあいさっ申し上げます。　無機材質研究所は、本年で設立後25周年を迎えました。この問、材料は科学技術革新の原動力であるとの認識に立ち、非金属無機材料の基礎研究所として、諸先輩はじめ所員が一丸となって、社会的二一ズに対応しつつ、材料科学の研究に鋭意努力してまいりました。その結果、国内外から高い評価を得て、無機材料研究の重要な先導的役割を果たし、社会に貢献しつつあることを自負しております。　しかしながら、科学技術の進展は急速であり、社会的二一ズは益々多様化し、材料についても、従来に増して、高機能化、高信頼化が求められ、更にインテリジェント性等の高度な機能が要求されるようになりました。また、先進国として科学技術面での我が国の国際貢献が強く要請されており、材料基礎研究分野においてもシーズ創出型独創的研究の推進、国際交流の強化が科学技術政策の重要な柱となっております。平成3年11月　　　　　　　　　　　所長　藤　木　良　規　このため、当研究所は、新物質を理論的に予測・設計・合成するための系統的手法の開発、既知物質では得られない新機能性を持っ材料のシーズ創出を目的とした末知物質探索センターを昨年6月に設置し、基礎研究の強化を図ってまいりました。更に、当研究所特有のグループ研究体制の中で経常研究とプロジェクト研究の調和を図りながら、世界に通じる独創的な研究をどのように育成し、推進すべきかを検討しているところでございます。　一方、科学技術会議第13号答申などにおいて、基礎研究強化策の一環としてセンターオブエクセレンス構想が提言されています。我々は、国研の開放・国際化は意義のあるものとの認識に立ち、世界に開かれた国研を目指して、共同研究の促進、既設の大型研究施設・設備の共同利用化の促進を図るとともに、我が国唯一の無機材質関連研究機関として今後ともその機能を十二分に発揮していくために必要な大型施設・設備の導入に当たって外部の意見等をも取り入れた設備整備計画の検討をも早急に進めたいと思っています。　今後も当研究所は、社会の要請に応えて先導的役割を果たしていく所存ですが、常に新しい基盤技術に挑戦し、ポテンシャルを蓄積することが何よりも大切であると思います。それには一層の研究活性化を図る必要があり、時宜にかなった課題の選定、研究評価の実施など所員と共にいっそう努力いたす所存であります。　どうか、非才微力ではありますが研究所の発展のために全力を傾注したいと思いますので、今後とも相変わらぬ御理解と御協力をお願い申し上げます。（1）稀土類添加LaB。単結品の育成1．はじめに　ホウ化ランタン（LaB。）は、仕事関数や蒸気圧が低く、優れた熱電子放射陰極材として知られている。この単結晶を用いた熱陰極は、陰極先端の方位や形状が制御できるので輝度が高く、電子顕微鏡や電子描画装置に使用されている。育成には、高純度な単結晶を得るため、培塙を使用せず、高温融液（融点2715℃）から育成するフローティング・ゾーン法を図1　（・）LaB旧と（b）（La。．。Ce。、ヨ）B。各単結晶（lOO）面　　のエッチング・パターン。結晶の直径はO．9cmで　　ある。用いている。しかしながら、この結晶には、図ユ（・）に示すように、サブグレイン・バウンダリーが多数存在するため、針状に切り出した後バウンダリーを含まないものを選び、熱陰極を作製する必要があった。　我々は、TiC単結晶の育成過程で、炭化タングステン（WC）の添加により、バウンダリーが減少することを見いだした。今回、この手法を適用し、上記問題の解決を試みた。電子放射特性を損なわないようにCeB。、PrB。、NdB。を添加物として選び、育成をおこなった結果、図1（b〕に示すように、バウンダリーを全く含まない良質な単結晶が得られたので、報告する。2．実験　LaB巴と稀土類六ホウ化物の各粉末を所定比に混合し、出発物質とした。それを、直径1cm長さ10数cmの円柱形にCIP成形後、真空中170ぴCで焼結し、原料棒を作製した。第12研究グループ　主任研究官　大谷　茂樹　単結晶は、6－7気圧のAr雰囲気中、3巻2段のワーク・コイル（内径1．4cm）を用い、毎時1．2cmの速度で育成した。育成中は、ワーク・コイルとの相互インピーダンス変化（陽極電圧と高周波電流の比）から融帯形状を検出し、高周波発振機の出力（陽極電圧）と原料供給速度（上軸）を自動制御した。前者は、育成中の比較的大きな融帯形状の変化に依り制御している。この制御は、手動育成における制御と基本的に同じである。後者は、原料棒の融帯への溶け込みの変動から生じる融帯形状の変動を小さくするように制御している。そのため、手動育成におけるより、融帯形状を一定に保持できる特徴がある〔1，2〕。3．結果　LaB。単結晶の育成では、融帯を安定に保持できる加熱電力幅が狭く、加熱電力の精密な制御が必要で、手動育成では細心の注意を必要としていた〔3〕。これは、LaB。融液の表面張力が小さく、加熱が過剰になると融液がすぐ落下するためである。ところが、！0％以上のCeB直を添加すると、融帯が落下し難くな　　　Seed　crystalく100〉　　　　↓■　　　図3　（La。．。Ce。．昌）B置結晶の外観り、育成自体が容易になった。又、原料棒の密度（55％）が低く、融帯への溶け込みがスムーズでない育成上の問題もあったが、原料供給速度の白動制御が有効に働き、安定に結晶育成が行なえた〔4〕。　図3に、CeB。を30％添加した結晶を示す。長さ6㎝、直径O．9㎝である。種結晶を用い、育成方位をく100〉に制御している。結晶棒は、スムースな直径をもち、育成が安定に行われたことを示している。このことが、再現性良くバウンダリーを減少させるのに有効であった。原料棒と同じ組成の結晶が育成図2　白動育成装置彗1000セ艶類「似、心　　0　　　　　0．2　　　0．4　　　0－6　　　0．θ　　　　1　　　　　　主　in｛Lo1＿珪C㍉〕日筍　　図4　バウンダリー密度（2）され、蒸発による組成変化は生じなかった。圃化した融帯のCe8ξ成分は40％であった。分配係数はC－75（＝O．3／0．4）となり、ユに近く、添カヨによる育成への影響が小さいことを示している。　バウンダリーの観察は、結晶の終端部から（100）面を切り出し、鏡面研磨の後、硝酸溶液でエッチングし、行った。図4に、CeB。添加量とバウンダリー密度の関係を示す。La3。結晶でのバウンダリー密度は1100cm／cがであるが、CeB昌の添カヨによりバウンダリーが減少し、30－60％の範剛こおいて完全に除去された良質な単結晶が得られた。この現象は、圃溶体硬化によるものと恩われる。サイズの異なる稀土類イオンが圃溶することにより、その周辺に圧縮や拡張領域（ここでは拡張領域）ができ、それらが熱応力による転位の運動を妨げ、バウンダリーの形成を抑えたものと思われる。この結晶のエッチング・パターンを図1（b）に示した。結晶は、薄い多結晶体の皮に囲まれているが、その申ではバウンダリーが全く存在せず、X線のラウエ・スポットも分離せず裏質結晶であることが確認されている。さらに、L盆B。結晶でしばしば見られた析出物や気泡も観察されなかった。諸抽達　　　　　　　　　　　02　　　　　　0＾　　O．5　　　　　　　　・j・lL呂1．。R・。〕臼6　　　　　　　　　where　Re＝Ce，Pr三and　Nd図5　添加による格子定数変化（●、▲、1■は、バ　　ウンダリーを含まない結晶を添す。）　PrB直、NdB。を添カ竈した場合は、それぞれ、≧18％、≧15％の組成領域において、バウンダリーを含まない結晶が得られた（5，6〕。これらの艦成領域は、図5に示すように、格子定数変化とよく対応した。格子定数はベガード則に従い減少している。バウンダり一のない良質結晶は、ともに、O，4153nm以下の領域において得られている。格子定数が、バウンダリーの形成されない組成領域の予測に有効なことを示している。　現在、これらバウンダリーを含まない結晶からの電子放射特性について、LaB。熱陰極と比較しながら、調べている。バウンダリーがなくなったことで、結晶全域カ・ら切り出した針状結晶がすべて熱陰極に作製でき、その放射特性に低下が認められなかった。このことで当初の目的は達成されたが、現在、なかで特性が最も良いと思われるPrB。を添力聾した結晶からの放射特性を詳しく検討している。4．おわりに　CeB喧、PrB。、NdB。の添加により、全くバウンダリーを含まない良質な単結晶を育成した。一般に、固溶体の結晶育成は難しいと言われるが、この系においては、育成自体が容易になり、結晶性が向上した。さらに、電子放射特性の低下が全く見られず、すべての面において良い結果を与えた。これは、添加物の選定が適切であったこと、しかも、互いに似通った物質であるため、分配係数がユに近く、育成を困難にしなかったためと思われる。　今後、この手法は、他の高融点単結晶の良質化に幅広く適用されてゆくものと思われる。〈文献〉i）大谷茂樹、石沢芳爽、日本金属学会会報30（199玉）　　175．2）S．Otani，T．Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．　　Crystal　Growth106（！990）498．3）T．Tanaka，E．Bannai，S，Kawai　and　T．　　Yamane，J．Crysta王Growth30（1975）193．4）S．Otani，T．Tanaka細d　Y．王shizawa，J．　　Crystai　Growth工08（！99互）425，5）S．Otani，T．Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．　　Crysta］Growth113（1991）329．6）S．Otani，S．Honma，T．Tanaka　Y，Ishiz－　　awa，J．Less－Comnユon　Metals（in　press）．粘土鉱物スメクタイトの単結晶はじめに　スメクタイトとは天然に普通に産する粘土鉱物（層状アルミノ珪酸塩）の一族で、組成の少しづつ異なるモンモリロナイト、バイデライトなどの総称である。有機化合物を吸着したり、包接（インターカレーション）したり、あるいは有機化合物の反応の触媒となる等の面臼い1性質のあることが知られて　第15研究グループ総合研究室　中沢　弘基いる。無機化合物でありながら有機化合物と反応するという点では、特異な無機化舎物である。特異な性質は当然、機能として利用の対象となり無機材料となる。鋳型成型材、ボーリング泥漿材、脱色・発色材、割こ加えて、僅かに制酸剤としての薬用など、天然物の多様な利用がなされている。　しかし、泥水など身近な経験でも明らかなように、（3）スメクタイトは常に極端に微細な結晶粒であって個々に捉えることが難しく、発達したマテリアルサイエンスを以てしても未だに、状態の異なる多数の結晶粒の、時に不純物を含む平均の性質しか判かっていない。利用のされ方も同様で、スメクタイト成分の多い変質した火山噴出物が用いられ、薄膜や単結晶を用いる近年の機能性セラミクスとは全く異なった旧態にある。スメクタイトが有機化合物と相互作用のあることカ・ら生命の起源に関係した物質として早くから注目されたにも拘らずそのまま日時を経ているのも、「単結晶」による原子レベルの詳細で確実な知識が不足していることに依っている。　従って、「スメクタイトの単結晶化」が科学的にも工業利用の面でもこの物質の持つ魅力が発揮されるための鍵になっていると言えよう。粘土鉱物の単結晶化と言う従来と異なった研究視点はすでに学術誌上で述べたが、「高純度無機材質の創出とそのキャラクタリゼーション」を基本戦略とし、実現に必要な合成・解析技術やグループ研究制度など力量のある本研究所であるが故に生ずる発想であろう。単結晶スメクタイトの超高圧・高温合成　水を吸って膨潤する有機高分子のような性質は、スメクタイトの属性の一つである。膨潤は結晶の層問に無限に水分子を包摂することであるので、結晶を壁開することに等しい。然るにスメクタイトは結晶構造中にOH基およびH・O分子を含み、その合成には水溶液環境を必要とする。水溶液中でスメクタイトが成長もするし膨潤（壁開）もするという矛盾は研究開始直後の難問であったが、膨潤挙動の研究や1Kb程度の水熱合成実験で、加圧条件下では過剰の水が存在しても膨潤しないことが明らかとなった（研究報告書「モンモリロナイトに関する研究」ユ990）。　水熱条件で膨潤しないならぱ、高温で処理して結晶成長を促進しようと考えるのは論理的帰結である。水熱条件の高温はすなわち高圧を必要とする。本研究所の超高圧カステーションの協力を得れぱ、ダイアモンドの合成のために開発した装置と技術の応用が可能である。　そこでモンモリロナイト組成のガラス200㎎と水lOOμ1を白金管に熔封し、5．5GPa，160ぴCの超高圧・高温条件（人エダイアモンドの合成条件と同じ）で数十分処理して急冷する合成法を試みた。この実験に至る思考過程や試行錯誤は記述程単純ではなく、例えば、超高圧・高温でモンモリロナイト組成の融体にできるだけ水を溶解し、急冷して含水ガラスをつくれば、低温水熱再処理によりモンモリロナイトの結晶が得られ得るであろうとのアイディアとか、あるいは高圧のDTAやシンクロトロン放射光によるin－Situの観測が先であるとか、いろいろあったがそれぞれは今後の課題として残されている。ともかくも超高圧・高温の上記条件の近傍で実験を繰り返し、後述の白形をしめすスメクタイトの結晶を得た。超高圧・高温合成スメクタイト　急冷して得た試料を軽く粉砕したままの状態の粉口111－16Ilo［＾nO■・．…O岨・O．1i　C■π血！’、厨㌧　■末X線回折像を図1（上部）に示す。スメクタイトの001に相当する12．3Aの回折ピークを除いて他は殆ど全て高圧鉱物として知られているコース石、藍青石、ジェード輝石に帰属される。6．94Aの小さなピークだけは未同定である。同試料をエチレングリコール蒸気に一昼夜曝して再び粉末X線回折像を撮ると図1（下部）のように、スメクタイト特有の格子面問隔の拡大（123→167A）が見られる。相対強度の増大はスメクタイトの方位配列に因ると解釈さ（4）れる。］見してスメクタイトと他の結晶の回折ピークに形状の差裏はない。回折ピークの半値幅、対称性は緒晶の規則度、大きさを反映するので、このスメクタイトは「普通の結晶」であることを示している。既知のスメクタイトは蓬かに大きな半値幅と低角側へのデルタ型の非対称性を有するX線回折像を示し、竃子顕微鏡暗視野法でさえも単結晶の区域は蒐えない。研究の歴史はもとより数千年以上かけた天然にも存在しない3次元周期構造の「スメクタイトの結晶」が初めて合成された意義は甚だ大きい。　超高圧・高温試料を軽く粉砕し、水に分散して遠心分離するとX線回折像では純粋なスメクタイトが得られる。ガラス板に塗布して乾燥すると方位配列して膜状になる。同膜の蛍光X線分析を走査型電子顕微鏡に付属したエネルギー分散型のX線検出器で行うと、予備的な値であるが、Na：Mg：Si：Aト0．5：1－！：8．0：3．Oを得た。雲母と同じ2：1型構造を仮定すると、通常のモンモリロナイトの纏成とは着干異なり、より詳細な分析と解釈を要するが、H＋の存在なども考慮すると生成したスメクタイトはそンモリロナイトの組成範圏であろうと推定される。趨商圧・高温スメクタイトの結晶形態　合成試料の一部を電子顕微鏡用の銅網上に載せ、水滴で覆って放置すると、スメクタイトの結晶は壁開して竃子線透過可能な薄膜状になる。多数の観察のうち輿型的な数葉の電子顕微鏡像と同回折像を図2に示す。同図aは極端に薄いリボン状で、透けて試料支持膜がはっきり見えている。このリボンが剥離する母体となった結晶は同図から推定して、すくなくとも数十μmはあったであろう。hkOの圓折像は均質な六圓対称を示している（a㌧1／5．4A■1，b㌧1／9，3パ1）。同図bは最も平均的な形状である。薄い短冊状と表現すべきであろうか。この長軸はa＊軸に平行である。また電子回折像は強度分布を含めると六回対称は消失している。電子回折像における強度分布は動力学的現象に依存し解釈に注意を要するが、像のコントラストから推定して、厚いと考えられる結晶が六圓対称を示さず、単斜または三斜対称が推定されることは輿味ある事実である。同図Cは六角板状の形態を示す稀な結晶片である。しかし岡像の僅かなコントラスト差を注意深く観察すると、短冊状の結晶が長軸を揃えて平行連晶し、その最外縁が六角形の形態を示しているのが判かる。制限視野圃折像も単斜晶以下の対称を示している。対称や結晶構造に関する詳細は現在研究中である。おわりに　無機物質の研究は入手できて始めて可能になる。スメクタイトについては漸くその出発点が見えてきた段階に相当する。研究の歴吏はもとより、長い地質時間をかけた天然にさえ無かった結晶を創った意義は大きレ・と思われるが、趨高圧・高濫処理後急冷というプ1コセスで創出されたスメクタイトの結晶は含水珪酸塩融体の急冷条件でのみ生成する準安定な梱である可能性も高い。構造や物性の詳細な研究の対称とするに相応しい大きさの結晶を得るには、更なる研究努力が必要である。　研究の当事考達は新素材の創出と共に、化学進化の研究に大きく寄与する可能性や、若しこのスメクタイトの結晶が超高圧・高温条件でも安定であるならば地球の創世記に関与したかもしれないと言う可能性にも大きな夢を描きつつ研究を続行している。第19回 研究発表会金属典型元繁カル＝1ゲナイド（M・S，Se，Te）に関する研究　昭和6王隼4周から平成3隼3月に亙って、第6研究グループは「金属典型元素カルコゲナイド（M・S，Se，Te）」に関する研究を行った。　r金属輿型元素カルコゲナイド」でI正A、亙IB，mB，IVB族カルコゲナイドの総称とした。これら材質に電子的励起状態を作ると多彩な光学的な機能を示す。その幾つかは現在まで優れた材料として利用され、また光技術の未来を拓く素材と考えられている。本課題では材料学の一系統を成す一群と考え、新規な光技術用材料の開発、物性の分光学的解明、評価法の開拓を薄然と行なうことを蔑指した。発表要旨　Pb．Sr（Ca）1一亘S系の特徴に着冒し、幾つかの量子工学的薄膜材料を考案し、ホットウォールエピタキシー法による作製装置を設計製作した。　課題発足豪でに組んでいた趨短パルスレーザー分光系を用い、課題材質の励起子系とそれと結晶不完全性との相互作用とについて、超短時間分解能により高速過程を、高密度励起が可能なことにより非線型光物性を研究した。課題材質系の、結晶の積層、人工超格子界面、固溶体組成の三種の不規則性に共通する萬速応答の性質と浅い欠陥の東縛励起子発光の時聞応答に現われる高密度励起効果を見出し解釈を与えた。エピタキシャル不整合による歪みが起こす薄膜申の真性励起子準位の分裂を、発光の二光子15）励起と二光子共鳴散乱の二種の分光法で捉え、歪みの大きさを求めた。これら分光法を薄膜内部の歪みの高精度な測定法とすることを検討した。　関連材質cBNにっいて、pn接合を実現した超高圧カステーションと典同しで、短波紫外の発光ダイオード作用を実証し、2種の発光帯を見出した。更に電子線励超で、紫外から可視に3種の発光帯を屍出した。これらはcBNの特有領域での初観測である。これらは発光機構はもとよりcBNの物性解明と材料作製法改善にとって有用な手掛かりである。　以上のほか、BN系材質の合成、セラミックス超伝導体の相平衡と単結晶の作製、ハロゲン架橋白金錯体の光物性の研究が行なわれた。二才プ酸バリウム・ナトりウム（8a州aNb．O］。；8NN）に関する研究　婿和6ユ年4月から平成3年3月に亙って、第ユO研究グループは『ニオブ酸バリウム・ナトリウムjというグループ名でBa．Na．Nb。。O帥（BNN）、及びその関連物質にっいて研究をおこなった。　BNNは電気光学物質としてLiNbOヨよりも有用な物質であるが、その大形で良質な単結晶ができにくいために、基礎および応用両面での研究が遅れていた。つまり、強誘電体槻転移温度（580℃）での体積変化のため結晶育成の過程で亀裂が入ってしまい電気光学結晶、及び、圧電体としての基礎的、応用的研究がおくれている。　本研究においては、このようなBNNの持っている潜在的特性を引き出すために、亀裂のないBNN単結晶の育成研究を主目的にし、安定化ジルコニアと同様な発想から、BNNと同類のタングステン・ブロンズ構造をもつ物質、BNRN（Ba且NaRNbI．O。。、R；希土類元素）を選び、これらが結晶育成過程で転移温度を通過するとき（BNNとことなって）異常な体積変化がおきない性質を利用して、BNN－BNRN系固溶体の楯転移の研究を熱体積変化の観点から研究し、次にその結果からクラックの入らないBNN単緒晶を育成するための注入する希土類元索を選定し、また単結晶育成のための固溶体組成をきめ、爵的の単結晶育成に成功した。また、育成に成功’したのSHG（secondharmonicgeneration）の研究を行った。更に、BNN－BNRN（R；La，Nd，Y）系セラミックのX線による構造の研究を行い、全組成領域に於いて固溶可能であることを確かめた。また、それらの系の物質の誘電特性の研究を行った。更に、これらの組成全域に亙って、還元によって半導体になることを発見した。また、光玉Cおよび圧電材料を目的にして、BNN薄膜の育成を試みアモルァス簿膜の生成と、配向性薄膜の生成に成功し、その光学的性質の研究を行った。ダイヤモンドの半導体化に関する研究　ダイヤモンドは広いバンドギャップ（5．5eV）をもち、良い絶縁体であるが、不純物をドープすることにより半導体となる。ダイヤモンド半導体はシリコンに比較し、より高い温度でも便用できること、放射線損傷が起き難いことなどの特徴をもつことから耐環境性半導体素子、高出力素子としての応用が期待されている。このような予測は主として天然ダイヤモンドについての基礎的研究結果に基づいたものであり、これらの応用を実現するためには半導体ダイヤモンドの含成技術を確立することが必要である。本特別研究では、化学気相法（CVD法）が不純物制御に有利であり、また薄膜合成に適していることに着目し、マイクロ波プラズマCVD法による半導体ダイヤモンド合成技術確立を目標として研究を行なった。　シリコン、ゲルマニウムと同様、ホウ素のドープによってP型半導体、リンのドープによってn型半導体が合成できることが示された。一方シリコンなどと異なるのは、成長後に不純物をドープすることが困難であり、成長の段階でドープすることが必要な点である。単結晶膜についての実験にはダイヤモンド単結晶基板を用い、種々の条件下で（111）、（uO）、（100）面上に単結晶膜を成長させ、その結晶性および不純物濃度の面依存憧について検討を行なった。ダイヤモンド以外の基板上には多結晶膜が成長するが、その代表例としてシリコン基板上に成長させた多結晶半導体膜の性質を調べた。一方、ニッケル、コバルト基板上についてはエピタキシャル成長を示す結果を得た。キャリアの易動度は膜申の構造欠陥に大きな影響を受けることが示された。趨耐摩耗性材料の開発研究　本特別研究は、耐摩耗性に優れたダイヤモンドとcBNの焼結体の開発研究を行い、セラミックス等硬質材料を切削加工できる高性能の〕二具材料を提供することを團的に行われた。　ダイヤモンド焼結体の開発研究では、まず、ダイヤモンド焼結体の合成に広く周いられている溶浸法に注目し、焼結助剤として働くCoの溶浸挙動を明らかにした。次に、粒径が1μm以下の微粒ダイヤモンド焼結体の合成研究を行い、出発原料にPEGと少量のcBNもしくはSiCの微粉末を添加することにより、均質・綴密で単結晶並みの硬度を有する微粒ダイヤモンド焼結体を合成することができた。更に、非金属塩を焼結助剤としたダイヤモンド焼緒体の合成研究を行った。研究の結桑、CaCOヨ、MgCO・を焼結助剤に便用し、7．7GPa，2000℃の蔦圧、高温条件で、（6）均質・織密な焼結体を合成することができた。焼結体は、単結晶並みの硬度を有するだけでなく、耐熱温度がMOO℃と従来の金属助剤系焼結体に比較し、400℃～60ぴCも高いものであった。　cBN焼結体については、焼結助斉蛇全く含まない高純度焼結体の合成研究を行なった。その結果、高純度処理した六方晶窒化ほう素（hBN）を7．7GPa，215ぴCの高圧、高温下に処理することにより、反応焼結で高純度のcBN焼結体を合成することができた。焼結体は、均質・綴密で透光性があり、ヴィッカース硬さも～50GPaと単結晶並の硬さを有していた。　更に、工具特性を調べるため、本研究で新たに合成された非金属助剤系ダイヤモンド焼結体と高純度cBN焼結体で切削二工二臭を作製し、切削試験を行った。その結果、これら焼結体の耐摩耗性は市販工具より優れており、二〔具材料としての可能性が確認された。17）投稿登録番号　26692670267126722673267426752676267726782679268026812682268326842685268626882689　　　　題　　　　　　　　8H車h－Reso王ution　Transmission　ElectronMlcroscope　Study　of　Modulated　Struc－tures　in　B1smuth－Based　SuperconductorsPhase　Equi肋rium　Study　of　the　SystemNaV．OボV203－V205at923KStructure　of　Kト5V205Electric－field　　efチects　on　　the　charge－Transfer　excitation　　in　　quasi－one－dimensiona王ha互ogen－bridged　mixed－valence　Pt　coInplexesPressure　Dependence　of　the　VerweyTemperat鮒e　of　Fe3－yO．Obtained　byMagnetic　Permeability　Meas耐ements撫蛛辮湘nぷ紺鮒aphiteNeutralization　of玉ow－energy　D＋scat－tered　from　so胴SurfacesHigh－Pressure　Synthesis　of　Ndo．05（Cao，3Sro．7）o．蝸CuOyPreparati㎝of　Wh1skers　of　A1刈Ti旦。。M5一。012（A＝Na，K　and　M芒A1，Ga）醐ectronic　Structure　of　MnOAngle－reso王ved　photoe㎜ission　study　ofthe　surface　state　on　NbC（111）一次元トンネル構造物質の多機能性一オクトチタン酸塩一Substrate　Bias　Ef｛ect　on　Diamond　Depo－sition　by　DC　Plas㎜a　Jet機能材料とレアメタルBo・d・oft・・i㎎i・㎜o・o亘・y・・ξ・・p鮒・formed　on　transition－metal　carbide　sur－facesThird－Order　E1ectric　Susceptibi王ities　ofHa王ogen－Bridged　Mixed－Valence　PtComp1exes：　〔Pt（en）2コ［Pt（en）2×2］（ClO。）。、　X＝C亙、　Br，　I，　en：eth・y1enediamine酸化物微粉末の焼緒性制御Plasma　etching　of　non－oxide　ceramicsHigトOxygen－Pres帥re　Synthesis　ofSuperconducting　Tetragona1YBa2C晩○て・Hlgh－Pressure　Syntbesis　of　Supercon－ducting　YSr空C鴫Oy　　発　　表　　者松井　良夫・堀内　繁雄菅家カ竈藤菅家力簑藤和田　康・室町　英治克夫・松井　良夫　康・磯部　光正克夫・室町　英治芳樹・山下　正廣翻村　脩蔵相澤　　俊・平野　栄樹左右田龍太郎・山田太郎田申　　慶左着田龍太郎・大谷茂樹相沢　　俊・石沢　芳夫速水　　渉岡井　　敏藤木　良規・吉門　進三渡辺　　遵・大鉢　　忠小野田義人藤森　　淳・君塚　　昇赤羽　　隆・千葉　利信木村　茂行・南　不二雄白鳥　紀一・谷口　雅樹小川　晋・菅　滋正大谷　茂樹・枝元　一之阿部　芳巳・池蘭　　剛伊藤　徳政・宮崎　栄三加藤　博雄藤木　良規松本精一郎・細谷　郁雄長南　　武北村　健二相沢　　俊・石沢　芳爽左右田龍太郎・大島忠平大谷　茂樹和田　芳樹・山下　正廣池上　隆康三友　　護・堤佐藤洋］郎・八島岡井　　敏岡井　　敏正幸　勇　　掲　載　誌　等Studies　of　High　Temper－ature　SuperconductorsJourna王　of　Solid　StateChemistry89．！301990Acta　Cryst46，且590．！990Physical　Review　B42，12．7398～7404．1990JournaI　of　The　PhysicalSociety　of　Japan59，12．4462～4465．1990Surface　Science237，194－202，王990Physica王Review42，13，776王～7768．1990Japanese　　Journa王　ofApPlied　Physics29，！ユ，209互～2092．1990日本セラミックス学術論文誌98，10，n69～ユ171，王990Physica1Review　B42，！2．7580～7586，199CSurface　Science237，241～247．1990縦畿LimeJapanese　JournaI　ofApplied　Physics亙9，ユO，2082～2086．1990単行本「レアメタル」森北出版㈱19王＾〕192，239～258，！99CPhysical　Review　B42，18，469～478，！99CJapanese　　Journal　ofApPlied　Physics29，王2．2744～2745．1990表面28，王2，967～976三1990Jouma王of　Materlais　Sc1－enCe　LetterS10，83～84，互991Japanese　Journal　ofApPlied　Physics29，12．2193～2王94．1990Japanese　　JOurnal　ofApPlied　Physics29，王2．2180～2ユ82．1990（8）269026912692269326942695269626972698269927002701270227C327C4270527062707270827092710271王Pressure－induced　str砥ctural　changes　inthe　superconductor　　（Ndl＿xSrx）（Ndl＿yCe。）CuO。一王AneutrondiffractionstudyAutomatic　Crystal　Growth　of　RefractoryMetals（Mo，Ta，W）by　the　Fioat1㎎Zone　TechniqueAnoma玉o囎Behaviour　in　the　crystalHza－tion　from　Supercooled　Gamet　Melt　in　theSystemsGd20ヨーGa20島and　Nd20宣一Ga20ヨハイドロキシアパタイトの軟部縫織親和性に関する光顕的電顕約検索一気管再建を§約とした軟部組織適合性一前馬区体繊維イヒ法によるセラミックス繊維の合成（第1報）一アルミナ繊維一高温萬圧下での放射光実験周システムの開発Neutron－d雌raction　study　of　T12Ba2Cu06＋富with　various　Tc’s　from　O　to73k透遇型竃子顕微鏡による高分解能観察法B，光図折法による情報抽出Sr－induced　oxygen　defects　in　La2＿、Sr亜CuO。一。Aneutronpowderd倣ractionstudyEPR　studies　of　interstitial　Ni　centers　insynthetic　diamond　crystalsIdea王Stmctures　of　the　Icosahedral　A1－Mn　and　A1－Cu－Li　Quasicrysta王sSome　Results　Obtained　by　a　New王y　Con－stmcted　Ultra－mgh－Resolution玉300kVE1ectron　MicroscoPeStmctura王Ana王ysis　oチOrthorhombicZr02by　High　Reso玉ution　Nertron　Pow一〔玉er　D雌ractionAspectroscopicstudyofopticalcentersin　diamond　grown　by　microwave－assist－ed　chemica王vapor　depositionMonte　Car王o　simulation　of　oxygen　disor・dering　in　the　YBa2（Cul一。M。）ヨOy（M鶯Al，Fe，Co，Ga）system酸化物固体中の酸素拡敵Growth　forms　ofβ一rhomもohedrai　boronwhiskers　and　plateiets　prepared　in　a　iow－press岨eB2H伍十Hep］asmaintermsofperiodic　bond　chain　methodGrowth　steps　and　etch　pits　apPearing　on｛！00｝of　diamonds　prepared　by　combus－tion－fia㎜e　deposition　methodPreparation　of（Lal＿xCex）B5single　crys－tals　by　the　floating　zone　nユethodInユpurity　　distribution　　arnong　　vicinalS1opes　of　growth　spirals　deve王0Piηg　onthe｛1玉リfaces　of　synthetic　diamondsDisso1utlon　behaviour　of　fine　partic王es　ofdiamond　Under　high　pressure　sinteringconditions単結晶育成と酸索欠陥泉　蜜土夫・松本　武彦JD．Jorgensen室町英箔P．Lightイootshityou　Pei山蘭　裕大谷　茂樹・蘭中　高穂石沢　芳夫木村　茂行・M．Gδbb1es沢田　　勉添E日溝澤牛尾藤木周吾・門聞響晴・広田浩樹良規・西尾英毅和土俊幸下村　　理島川　祐一・五十嵐　等久保　佳実・泉　當士夫真子　隆夫・浅野　　肇堀内　繁雄神山　　宗・泉　富土夫浅野　　肇・高木　英典内田　慎一・十倉　好紀室町英治・松蘭　雅昌｛蘭　和芳・遠藤　康夫日高　義和磯谷　順一・神田　久生内E日　吉茂山本　昭二松井　良夫・堀内　繁雄坂蒙　義雄・北見機山　政人・末原　　茂松井　　功・勝E日　禎二大高　　理・原　　直樹山申　高光・浅野　　肇久米　曙一・泉　當士夫加木睦和・佐藤洋一郎A，T．Collins室町　英治羽困　　嚢小松正二郎・守吉佑介岡田　勝行・守吉　佑介小松正二郎・松本精一郎大谷石沢神蘭山岡山岡赤石神田木村茂樹・田中芳夫久生・赤石繕夫信夫・大沢　実・洪久生茂行高穂俊一時期Physica　C172，　166－174．　19903ournal　of　CrystalGrowthl06，498～502．1990Journal　of　CrystalGrowth106，　712～714、　玉990生体材料ユ8，6，294～302，王990日本セラミックス協会学術論文誌98，　］一1，王223～1230，ユ990B本緒晶学会誌32．5，239～253，ユ990Physical　Review　B42，16－A，ユ0165～10互7ユ，1990応用物理60，ユ，53～65．199！PhysicaC172，120～126．1990PhySiCa王ReVieW　B42，玉6．9843～9852，ヱ990Soiid－Sciences93，　57～67．　1990Japanese　Journal　ofApPIied　Physics30，王A，64～66，199王Proceedings　of　the　JapanAcademy66，ユ0，193～玉96．1990Joumal　of　MaterialsResearch5，1玉，2507～2514．1990PhysicaC172，199～206．1990セラミックス25，u，1033～37．！990Journai　of　Crysta1Growthヱ08，　63－72，　199ユJouna王　of　CrystaiGrowthユ08，416－420，199三Journa玉　oチ　Crysta1Growth玉08，　425～428．　1991Journa｝　of　Crysta王Growth108，　421～424．　1991Joumal　ofMaterials　Let－terS10，164～至66，199互セラミックス25，玉互，1060～ユ063．1990（9〕2712 High－Pressure　Synthesis　of　Supercon一 岡井　　敏 Japanese　Jaurnal　ofducting　La1．。Cal．3Cu20y ApP1ied　Physics30，2A，179～181，ユ99ユ2713 Kohn－Sham　density－functiona1approach 梅原　雅捷 Joumal　of　Magnetismto　excess　e1ectrons　coup1ed　with　locaI一 and　Magnetic　Materialsized　spins　in　antiferroma 90～91，　531～532．　19902714 融液の挙動と結晶成長 木村　茂行 日本結晶成長学会誌！7，384，264～268．19902715 Synthesis　of　Fine－Grained　PoIycrysta工一 赤石　　實・大沢　俊一 J．Am．Ceram．Soc．，line　Diamond　Compact　andユts　Micros一 山岡信夫 74，1，5～10．1990truCture2716 Sicのβ→α転移と焼結特性 田中　英彦 ニューセラミックス3，63～67．19912717 光分解法によるガラス表面の機能化 井上　　悟 表面29，　2，　131～137．　19912718 Kuczynski氏のセラミックス焼結研究に与 池上　隆康 ニューセラミックスえた影響 ユ，99～103．19912719 Nbc（1ユ1）表面での酸素吸着に関する角度 大谷　茂樹・宮崎　栄三 Physical　Review　B分解型光電子分光の研究 枝元　一之・加藤　博雄 43，　5．　3871～3875．　1991穴沢　俊久・塩原　英志八田　政紀2720 Charge　exchange　in　low　energy　D＋scat一 左右田龍太郎・相沢　俊 Surface　Sciencetering　from　Mo（111） 速水　　渉・大谷　茂樹 241，190～196．1991石沢　芳夫2721 Diffraction　Streaks　Due　to　Phase　Dis一 堀内　繁雄・昊　　暁京 Acta　CrystaIIographicaorder　in　One－DimensionaI　DispIacive A47，11～16．1991Modu1ation2722 Structura1　changes　of　Superconducting 山田　裕・泉富士夫 Physica　CYBa2Cu．O目under　high　pressure J．D，Jorgenser 173，185～194．1991Sriyou　PeiP．Light　foot児玉　泰治・松本　武彦2723 インテリジェント・マテリアルの設計・創 田中　順三・羽田　　肇 インテリジェント・マテリ製 アル一複合材料設計一 66～762724 Use　of　a　ReOヨSingle　Crysta1as　the　Tip 赤羽　隆史・津田　惟雄池辺晋一郎・嶋田　大介Japanese　Journa1　offor　Scanning　Tume1isg　Microscopy ApP1ied　physics30，3A，L405．19912725 Study　of　the　Reaction　of　Ba2YCaヨOy 小野　　晃・竹之内　智 Japanese　JournaI　ofwith　Air　at　Room　Temperature 石沢　芳夫 ApPlied　physics30，3B，464～467．1991運営会議　10月！4日、第120回運営会議が、1）平成4年度概算要求にっいて2）平成4年度再編成研究グループの研究課題にっ　いての議題で開催された。研究会　9月12日、第7回結晶構造解析研究会が「電子顕微鏡による高分解能観察とその限界」の演題で開催された。　9月20日～21日、第43回高圧力研究会が「①ダイヤモンド、窒化ほう素の相関係②ダイヤモンドの新しい合成法」の議題で開催された。　10月15日、第4回耐熱材料研究会が「エンジニアリングセラミックスとしてのサイアロン」の演題で開催された。　10月21日、第3回焼結研究会が「セラミックスの粒界現象」の演題で開催された。人事異動　清水川　豊第9研究グループ（科学技術特別研究員）に採用する。　八尾板　憲一超高圧カステーション（科学技術特別研究員）に採用する　　　　　　　　　　（以上平成3年10月1日付）海外出張　第15研究グループ総合研究官中沢弘基は、「第7回ヨーロッパ粘土会議に参加及び発表」のため平成3年8月23日から平成3年9月2日までドイツ連邦共和国へ出張した。　第14研究グループ総合研究官千葉利信は、「陽電子消滅法による固体の電子構造に関する意見交換及び動向調査」のため平成3年8月24日から平成3年9（10）月29日までハンガリー共和国、ドイツ連邦共和国、ポーランド共和国、スイス共和国及びフランス共和国へ出張した。　第8研究グループ主任研究官加茂睦和は、「第2回ダイヤモンド及び関達物質に関するヨーロッパ会議に出席及び研究所訪問」のため平成3年8月30日から平成3年9月12日までフランス共和国及びドイツ連邦共和国へ出張した。　未知物質探索センター主任研究官渡辺昭輝は、「ビスマス複酸化物の相平衡と結晶化学についての共同研究」のため平成3年9月1日から平成3年9月30日までフランス共和国へ出張した。　第3研究グループ総合研究官猪股吉三は、「日本アセアン科学技術協カプロジェクト責任者会議に出席」のため平成3年9月2日から平成3年9月6日までフィリピン共和国へ出張した。　第3研究グループ総合研究官猪股吉三は、「セラミックスの強度靭性試験の評価に関する科学研究の意見交換」のため平成3年9月29日から平成3年ユO月5日までアメリカ合衆国へ出張した。　第1研究グループ総合研究官白崎信一は、「ファインセラミックスに関するアセアンー日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　第1研究グループ主任研究官池上隆康は、「ファインセラミックスに関するアセアンー日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　第3研究グループ主任研究官田中英彦は、「ファインセラミックスに関するアセアンー日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　第9研究グループ総合研究官貫井昭彦は、「ファインセラミックスに関するアセアンー日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　第9研究グループ主任研究官井上悟は、「ファインセラミックスに関するアセアンー日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　超高圧カステーション総合研究官山岡信夫は、「ファインセラミックスに関するアセアン　日本地域セミナーに出席講演」のため平成3年9月29日から平成3年10月5日までマレイシアヘ出張した。　超高温カステーション主任研究官小松正二郎は、「薄膜材料のプラズマ合成に関する研究」のため平成3年10月1日から平成4年9月30日までアメリカ合衆国へ出張した。　超高圧カステーション主任研究官下村理は、「第13回高圧国際会議に参加」のため平成3年10月5日から平成3年10月13日までインドヘ出張した。　超高圧カステーション主任研究官竹村謙一は、「高圧X線回折の分野における共同実験計画の討論及び高圧実験施設の調査」のため平成3年10月5日から平成3年10月19日までインドヘ出張した。　第7研究グループ主任研究官渡辺遵は、「カナダにおける固体電解質研究の動向調査及び二国間協力の新規テーマの調査」のため平成3年10月6日から平成3年10月28日までカナダヘ出張した。　第2研究グループ総合研究官石井紀彦は、「韓国新素材特性評価センタープロジェクトに関する協議」のため平成3年10月ユO日から平成3年10月16日まで大韓民国へ出張した。外国人の来所1．来訪日時　平成3年8月6日　　来訪者名　Wism　Hadlan　Martadipura　　　　　　　インドネシア　技術評価応用庁人　　　　　　　事・教育・訓練局計画部2．来訪日時　平成3年9月9日　　来訪者名　Daivid　T．Shaw　他1名　　　　　　　米国ニューヨーク州立大学バッ　　　　　　　ファロー校教授3．来訪日時　平成3年10月8日　　来訪者名　Hossain　Orafai他2名　　　　　　　イラン　マシャド大学医学部講師4．来訪日時　平成3年ユO月ユ1日　　来訪者名　Dr－Victor　Temery　他ユ名　　　　　　　米国　オークリッジ国立研究所　高　　　　　　　温材料研究所長（11）第19回無機材質研究所研究発表会のお知らせ　当研究蕨では、創設以来rグループ研究」という独禽の研究システムにより、新しい無機材質を求めて幡広い材料研究を展闘しております。　平成2隼度においては、所期の冒的を逮成したグループ研究課題2課趣、贈別研究2課趨の研究成果を春記により発表したいと春じます。　なお、参施費は無料、参加者には研究報告蕃をお渡しします。研究発表会会場のご案内研貌発爽会会摺（研苑交流センター）への父逸しJR　常鱈繍　上籔から泣荒川沖駅，土捕駅　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅60分）　　　　　　　水戸からコ唾土滴駅，荒川沖駅　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅60分）パス　関東鉄適1パス　荒川沖駅から…千現一丁慶　　　　　　　　　　　（筑波大申央行き，20分）　　　　　　　　　　土補駅から…学園竹園　　　　　　　　　　　（筑波大申央行き，25分）徒歩　　　　　　　　　　鱗会場　　　　　　　　　　　（徒歩5分）（徒歩五0分）　なお、マイクロバスは、9時35分頃「荒川沖駅」案口より「研究交流センター」へご案内します。2．高速バス（JR及び関東鉄道）　東京駅八重洲南口から州…つくぱセンター　（15分間隔にて発箪、所要時間約60分）　徒歩　つくばセンターから　会場　　　　　　　　　　　　（捷歩王5分）　　　　　　　　　　記1．目蒔　平成3隼1工月27目（水）　王O：00～ユ5：002．場所　科学技術庁研究交涜センター国際会議場　　　　　茨城爆つくぱ市竹園2TE…20－33．プログラム　1）10：OO～ユO：10　あいきっ　　　　　　　　　所　　長　　　瀬高信雄　2）10：10～工！：10金属輿型元素カルコゲナイドに　　　　　　　　　関する研究　　　　　　　　　特別研究宮　　　　江良　　繕　3）11：10～12：！0　ニオブ酸バリウム・ナトリウム　　　　　　　　　に関する研究　　　　　　　　　圭任研究官　　　　月岡　正至　　　　　　　一休　　憩一4）王3：00～ヱ4：00　ダイヤモンドの半導体化に関す　　　　　　　　　る研究　　　　　　　　　総舎研究宮　　　　佐藤洋一郎5）ユ4：OO～15：OO超耐摩耗性材料の關発研究　　　　　　　　　総合研究宮　　　　山閲　僖突　　15：00　　　　闇　　　　会　　　JR常磐線及び連絡バス時刻表　　　　　　　　　　　　（平成2隼9月現在〕　く下り）　上野微荒川神（鋪順川神了丁警会場⑯7154纐窩：59（9105〕9：Gア9：259：30⑰8．oo仙台一（8．49）｛⑮8：王三ニヒ拝商　9：王2｛9：18）9：209：389：43⑱8119勝田9：26（9132｝9：｛2ユO：0010：05⑱宮130　　一（9：25〕　く上り）　姶　発　水戸　｛土禰）荒川坤渕1紳す丁警会　瑠考繋炎篶1其／（12〕