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[NRIMNews1995-12.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/388c4882-e988-4144-b268-26e11e59bf25/download)

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武藤 英一

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[金材技研ニュース 1995 No.12](https://mdr.nims.go.jp/datasets/25477b40-73b2-47d3-8022-1c4969b86e6f)

## Fulltext

金属技研ニュース　1995　No.12七〇〕一．＝ピEΦo一一〇⊂蜆E0－oO］一〇〇〇一〇〕o＝あoωoo一］o一⊂o－ooo］101E呵f0呵o〕蜆o〇一一〇〇一〇一蜆○蜆ωEo〕．ゼ≧里三…oo…Z－oo〕蜆］0f←No．12表面分析データペース／AFM超微小硬さ試験機／SPM画像の探針影響補正法表面分析データベースの開発一インターネットによる利用が可能一　近年，薄膜等に代表される先端材料は，その表面組成が物性に大きな影響を与えている。このような表面組成を解析するために，オージェ電子分光法，X線光電子分光法，二次イオン質量分析法などの表面分析法がさまざまな産業分野で多用されている。しかし，これらは分析法としての歴史が浅く，表面組成決定法の確立のために必要となるスペクトルデータの整備が強く求められているにも関わらず，物理バラメーターの不統一，基準スペクトルデータの欠如等の原因で整備が遅れていた。1982年にベルサイユにおける先進国首脳会議において，表面分析法に関する標準化を目指したプロジェクト（VersaillesProject　on　AdvancedMateria1s　and　Standards）が発足したことに伴い，当研究所はスペクトルデータの共有化を目指した国際共同研究を実施し，スペクトルデータ共有のために克服すべき問題点を検討してきた。その成果を受けて平成6年度より開始された科学技術庁の省際ネットワークシステム構築プロジェクトの下で，オージェ電子スペクトルやX線光電子スペクトル，および電子やイオンと固体との相互作用に関する物理バラメーター等の収集方法に関する調査が実施され，表面分析データベースの整備を実施・することを目的とした研究が開始された。　オージェ電子スペクトルデータなどの収集には，表面分析に関する業務を実施している約90機関の方々が任意団体「表面分析研究会」を組織して協カして下さっている。現在，表面分析研究会の方々の協力により取得したデータの一部はデータベース化され，当研究所に設置したワークステーションの中に蓄積された。最近ではコンピューターのネットワーク化が著しく進展しており，この表面分析データベースもできるだけ多くの研究者・技術者が気軽に利用できることを目的として，外部からインターネットでアクセスすることを可能とした。また，これらのデータの中から目的のスペクトルデータを，インターネット上で効率よく検索するためのソフトウェアはNTTソフトウェア研究所と共同で開発している。　インターネットで”http1／／sekimori．nrim．go．jp／”としてアクセスすると，データベース等の情報が記されたホームページが開かれ，これからデータベースが検索できる。スペクトルデータは，元素名や化合物名を入力すると対応するスペクトルが検索でき，表示’される。また表面分析に必要な脱出深さや背面散乱係数などの物理パラメーターも物質ごとに格納されている。このデータベースは現在まだ試験運転中であるが，表面分析データベースのインターネット化により，多くの研究者や技術者がデータを共有するプラットフォームが形成され，表面分析法の高度化に大きく寄与することになる。図　表面分析データベ］スAFM超微小硬さ試験機を開発一一ナノスコピックレベルで弾性率や降伏応力を測定一　材料のヤング率などの弾健特性，降伏応力や硬さなどの機械的惟質の測定は通常，取り扱いやすい大きさの試料を用いて行っている。しかし，微小薄膜構造をもつ半導体デバイスや磁気ディスク等の例に兇るように，最近ではミクロ構造を有する種々の高度な製晶が作られるようになり，そのための新材料の開発や信頼性評価を行う上で，微小頒域においても弾性特性や機械負勺1性質などを精密に測定する必婆健が言われてきた。このような状況にあって，nN（ナノニュートン，10…4g・cm／s2）とnm（ナノメーター，王O■7cm）を力と長さの堆位とするナノスコピックレベルでの超微小硬さ試験技衡，すなわちナノインデンテーション披術の闘発が進められている。　当研究所では，AFMO察予間顕微鏡）に新工夫を施し，このほどAFM趨微小硬さ試験機の開発に成功した。試験機ではナノレベルで抑し込み力一深さ曲線が測定できることに加えて，通常の趨微小硬さ試験機では不可能な圧痕の観察ができる。圧痕形状は抑し込み力とともに，硬さの定最化の基本を成すものである。　図工は開発したAFM超微小碩さ試験機の概念図である。通常のAFMに加えた主な工夫は次の通りである。1）探針すなわち圧予をl1ll1央に付けた両持ちレバーの使11珂。これによ1），力をかけた圧子が試料表而に垂政に抑し込まれる。また図2のように，レバーの変位検組部の両側をくり抜いた。これにより，レバーを台に取り付ける1際に付随する初期応力の発生が解消できる。2）繭持ちレバーの斑直方向の変位を圧子直上で測定できるようにした。3）抑し込み力を㈱御する駆動素子を遣加した。圧子　　　　光学式姦蔭変位計　　　　　直上の変位は一定に　　　　　　　　　　力制御踊　　　　なるように飾1」御され　　　　　　榊　咄アクチュエータ　レバー台　　　　　　　　　　　ている。力能1」御胴の　　　　　　　　　　衝持レパー　　　　　　　　　　　　　　　　　　1000　　試験片　　　、＼　　　　　　X　Y　　ダイヤモンド圧子　　　　　　Z　　　　　　　　　　　　　（　　　　　　　　　　　　　　　　　z　　　　　　　　　薔鱗　　　　　　5　　　　　　　　イメージ用　　　　ギ　　　　　　　　　　　　　　　　　芯500　　　　　　　アクチュエータ　　　　　膚　　　　　　　　　　　　　　　　　」図1　AFM趨微小硬さ試験機の概1略図　酢駆動素予で圧子が試料に抑し込まれ，その深さに対応して撮像用の駆動索子がZ方向に変位する。これにより抑し込み触線が精度よく測定できる。　除荷後は通常のAFMと同じく，撮像刷駆動素子をX，Y方向に走査することにより，圧痕像を襯察できる。　図3は，SNCM439鋼の抑し込み力一深さ劃お線を示す。力が小さい場含は，負荷時（△）と除荷時（A）のデータは重なっておリ，試料が弾性的挙動をしていることがわかる。力を大きくした場含は，図のように降伏点が現れ，試料に庄痕が形成される。試料は弾塑性挙動をしている。実線は，図中に示したヤング率Eとポアソン比リを用い，有隈要素法により計算した弾性押し込み醐線で，降伏点までの実験結果と一致している。したがってこの場合は，押し込み深さ30mn以下の範囲で弾性特性が測定できる。降伏点から求めた圧予下の降伏応力σyは，SNCM439鋼ではO．2E，ガラスcorηing＃7059とシリコン（111）結1＝苧1I面ではO，3Eで，これらは理想強度に近い値である。また，隣伏点以後のデータから各材料の塑性挙動がわかり，硬さ値が当然求められる。　このように，今1頁1開発したAFM趨微小硬さ試験機はナノレベルでの弾性特性や機械的性質の棚定を可能にし，新材料開発や高度な材料損傷評価法の開発に梅めて大きな買献を果たすと期待される。当而の応用としては，半導体デバイス等の薄膜構造の評棚と品質管埋が考えられ，図4のようにすでにアルミニウム配線を対象に試験が始められている。また，今鰯のAFM趨微小硬さ試験機の開発においては，比較的棚い試料を対象としたので，試験機産1体の高度化，すなわち，抑し込み力をさらに微小にすることは，従来の硬さ試験機の機構を基にしている趨微小概さ試験機に比べ，はるかに容易にできる。　　　　　　　　寸法単位1mm，　　　　　　　　板摩＝50Pm　　　図3図2　くりぬき両持ちレバー　　　　　50　　　櫛し込み深さ（nm）SNCM439鋼の抑し込み力一深さ幽線と圧痕のAFM像　200妻5只送劇100」吐　　　　　　　　　　　　○△負荷　　　　　　　　　　　　⑧A除荷　　　　　　ユ．．、u＿」L上ユ」」＿⊥ユ」」L」LLL．」＿」、　　　　　　　押し込み深さ（nm）図4　半導体デバイスのアルミニウム　　配線の抑し込み力一深さ籔時線’2SPM画像の探針影響補正法を開発一画像処理により対象物の形状測定精度を向上一　STMやAFMなどの装置は試料表面に探針を走査し，その先端の上下の動きを検出して表面形状を原子スケールで測定する。SPM（Scanning　probe　Microscope）はこれらの装置の総称である。探針の先端の形状と比較して試料表面が平坦な場合にSPM画像データは10■3nm以下の解像度を持つが，細かい凹凸を観察する場合は先端の形状の影響が避けられず，解像度が低下する。最近は探針の作製技術が向上して先端の曲率半径10nm程の針が作られるようになったが，その探針で例えぱ幅！nm，高さユOnmの円柱状の対象物を画像に撮ると幅10nm程の半球に近い像になって真の形状とはかなり異なることになる。この点を改善する目的で本研究では探針の形状が像に及ぽす影響をシミュレーションによって調べるとともに，その影響を最小にするための画像再構築法の開発を行った。　図1は探針の形状の影響を模式的に示した図である。対象物の平面部では探針の先端は正確に表面をなぞるが，側面部では先端が接触せず側面が接触することになる。このように探針の形状の影響を大きく受けるのは対象物が切り立った側面をもつ場合である。そこで，大きさの異なる直方体と円柱を種々の形状の探針で調べた場合のシミュレーションを行った。図2は探針の一例である。大きさの異なる四角柱および円柱をこの探針で走査した場合に得られる画像を図3に示した。ここで図中の白色の濃淡は高さを示しており，高いほど白い。対象物が探針より十分小さい場合は探針の形状がそのまま両像に現れ，両者がほぽ同じ大きさの場合には複雑な画像になることが分かる。このような場合でも，探針の形状が分かれぱ対象物の画像から探針の画像を差し引くことによって真の形状を推測することができる。　その遮用例として，金の電極上に電析させた銅粒子をSTM観察した。実験はO．1molの硫酸銅水溶液に硫酸を添加した溶液中で探針電位55mV，試料電位25mV，トンネル電流2nAで行った。探針の走査範囲は4x4μmで，測定点の数は256x256である。図4左上の画像の，左中央　　　　　　　　　　　　　　　　　　　マに見られる濃色の像は走査した探針を押しつけることによって形成された穴で，ほぽ探針の形状を表していると考えられる。この穴の情報から探針の形状を推測し画像化する。そして探針の画像を仮想的に全画像上に走査し，重なる部分がある場合にその部分を差し引くことによって画像を再構築する。図4中央は再構築前の画像で，銅粒子の形状は見かけ上直径約200nmの突起であるが，下の画像から明かなように実際の直径は100㎜以下であることが分かる。　以前，STMで局部電析を行って超微細加工する手法を当所で開発した（金材技研ニュース1993年No，6）。これに画像再構築法を併用することにより100nm以下の加工が可能である。原理的に画像再構築の手法は探針の側面が円柱のように切り立った場含がより有効で，対象物が探針ほどの細さで切り立った側面を持つ場合でも精度良い両像が得られる。この画像補正法のプログラムは著作図3　シミュレーションの結果剛列．権フリーの画像処理ソフトとして知られるNHIImageを基にして開発され，マッキン　トッシュ上で簡単なマウス走査で実行できる。図1　ステップを走査したときの探　　図2　　針の影響。太線は得られる像シミュレーションに使用した探針剛列　　　　　　　　　竺図4　金電極上の電析銅粒子のSTM像と，探針の　　　形状を計算に人れ再満築した問像海外での研究発表（1995年10－12月分）European　Ceramic　Society4th　Conference（！0月2蘭一6日，イタりア・リチョーネ）1）htrodむction　of　Amorphous　Disc－Layer　into　B｛一2223Lattice　of　AgCu　Al1oy　Sheated　Tapes　and　the　Critical　　Cむrrent　Properties．　　困中吉秋，前田　弘，他3名第6回国際εCAS1Aコンファレンス（10月9日～13日，スイス・モントレー一）ユ）Round　Rob三n　on　Spectrometer　Calibration　for　AES　in　the　Common　Data　Processing　Sysをem．　　吉武遣子，吉原一紘lntemational　Symposium　on　Materials　Aging　and　Component　Life1三xtension（至O月10日一13日，イタリア・ミラノ）1）Creep　Curve　Analysis　and　Creep　Life　Eva1uation　of1O　Cr－30Mn　Austenitic　SteeIs．　　木村一弘，阿部冨士雄，馬場栄次，金丸　修，八木晃一2）Creep　Deformat三〇n　Assessment　of　Aged　Steel　Based　oパnherent　Creep　Strength　Concept、　　木村一弘，九島秀昭，阿部冨士雄，八木晃一The　Third　lntemati㎝al　Sy岬osium　on　Atomically　C㎝trolled　Surfaces　and　lnterfaces（至O月！湘一1蝸，米国・ラーレイ）1）Surface　Nanostr㏄ture　Study　oむSegregation　and　Growth　of　Monolayer／Mu1tiIayer　Graphite（0001）o好　　Ni（O01）Using　XPS　and　AFM．　　藤田大介第42回米国真空学会シンポジウム（至0月16日～20日，米国・ミネアポリス）1）Aαient／ServerDatabaseforSurfaceChem三calA蕊a王ysis．　　吉原一紘，吉武遣予2）Rea1－Time　Observation　of　Phoむon　CorrelatioηLe温gth　Cha温ge　in　Ion－Irradiated　GaAs　Surface．　　北島正弘，申村一隆，石岡邦江第8回チタン国際会議（1閉22日～26日，英国・バーミンガム）1）Ana1ysis　of　Substitut三〇n　Site　of　the　Third　E1ement｛n　T三A互and　T｛冨Al　I打termetauic　Compomds、　　小野寺秀博，阿部太一2）The　Effect　of　Silicon　Addition　oηthe　M1crostructure　and　the　Aging　Behavior　of　Ti－3A18V－6Cr－4Mo－4Zr　　Alloy．　　森藤文雄，宗木政一，高橋順次，貝沼紀夫3）M1crostτuctures棚d　Mechanical　Properties　of　B1ended　Elementa1Powder　Metal1urgy　Ti2AlNb　Intermeta1－　　IiCS．　　江村　聡，萩原益夫，河部義邦，他2名4）High　Temperat鮒e　Mechanical　Properties　of　In－situ　Processed　T1宮A言／Ti倉IntermetaI1ic　Matrix　Composites．　　江村　聡，萩原益夫，河部義邦第3回原子炉用先端材料目中シンポジウム（至O月30日一1互月1日，中国・成都市）1）High　Temperature　Stabi1ity　of　CVI　SiCf／S｛C　Composites．　　野田哲二，荒木　弘，鈴木　裕，岡田稚年2）Neutron　Spectrum胱ect　on　the　Transm葛tation　of　First　Wall　Mater1a1s　of　Fusion　Reactors．　　野田哲二，藤困充苗第9圓アジア太平洋腐食防止会議（11月5日一10日，台湾・高雄）1）CorrosioむInhibition　of　Copper　by　Potentiostat三c　Anod三zat｛on　in　Triazinedithiol　So1utions．　　小玉俊明，馬場＝清雄第40回磁気と磁性材料に関する国際会議（1至月6日～9日，米国・フィラデルフィア）！）Giant　Mag舵toresistance　iR　Granular　Fe－MgF2Films．　　古林孝夫，中谷　功2）U1tramicro　Fabrications　on　Fe－Ni　Al1oy　Films　Usi㎎Eiectro貧一Beam　Writ1ng　and　Reactive－Ion　Etchi㎎．　　l1牛1谷功14thドoresight　Conference㎝Mo1ecula川anotechmlogy（11月9日～11ヨ，米国・カルフォルニア）1）Fullerene　Molecu亘e　Assembly　at　the　Edge　of　Steps　of　Au（！！！）S岨圭ace、　　根城　均，藤困大介，矢ヶ部太郎第2回アジア結晶学会（11月22日一2蝸，タイ・バンコク）1）Sing1e　Crystal　Growth鋤d　Growth　Mechanism　of　YNi2B2C　Supercoむductors　by　Floating　Zoむe　Techn1que、　　竹屋浩幸，門脇和男，平田和人，平野敏幸，戸叶一正M　R　S秋季大会（u月27日～12月1ヨ，米国・ボストン）1）Defects　in　YBa2Cu307一δTh三竈Films　and　Their　Inf互uences　o貝Tc．　　葉　金花，申村恵吉2）So1id三ficatioηProcessipg　for　the　Productio篶of　Fine　Cast　Structure1Materials．　　佐藤　彰，荒金吾郎，大澤嘉昭，高森　晋3）Charge　Transfer　Enhancement　on　Tc　in　B卜（2245）／（220！）Superlattice　Prepared　by　Seq湿ential　Magnetron　　SPutter三ng．　　羽多野毅，中村恵吉4）Microstructure　of　Extreme1y　Fine　Lamellae　in　a　TiA1Base　Al1oy　Stむdied　by　High－reso1ut1on　E1ectro烈　　M1croscopy、　　阿部英司，熊谷達夫，中村森彦Third　lntemational　Symposium　on　New　Phe（12月4日一8日，米国・ハワイ）王）Molecdar　Size　Schottky　Barrier　Using　Ful1erene　Mo1ecule．　　根城　均，藤田大介，矢ヶ部太郎目本金属学会1995年秋季ハワイ大会（12月13日一1開，米国・ハワイ）1）Suppress｛on　of　Environmenta互Embr三ttlement　in　Boron－Free　M3A1by　Unidirectiona1So王idificatio巫、　　西村　睦，平野敏幸，古牧政雄，天野宗幸2）Process　Optim｛zation　of　High　Stre貝gth狐d　High　Conductive　Cu－Cr　A互1oy　Co㎜posites．　　鈴木洋夫，安達和彦，竹内孝夫，他1名3）服fect　of　Co1d　Roning　o巫Microstructures　and　Mechanica1Properties1独Cu－Cr　A11oy　Composites一　　安達刷彦，竹内孝夫，鎗木洋夫4）What1s　the　Problem　for　Stre㎎then1㎎of　Titanium　Alloys？　　河部義邦5）Ti　Melti㎎W1th　Full　Levitatio乃Cold　Cruc1ble．　　福澤　輩，櫻谷和之，渡辺敏昭，岩崎　智6）A　Client／Server　Database　for　S独rface　Chemica1Analysis．　　吉原一紘，吉武遭子7）Recovery　of　Surface　Composit1on　of　Thin　Films、　　　曹武遭子，吉原一紘8）Moldless　Upward　ContimoUs　Casting　Process．　　　佐藤　彰9）Effect　of　Heating　Surface　Treatmept　in　Vacuむm　on　Diffusion　Join三ηg　Joint．　　　大橋　修王O）Application　o童a　High－Speed　CCD　Camera　with　MCP　to↑EM　Imag1ηg　of（B1，Pb）、Sr，Ca，Cu畠O、、at　Room－　　　and　Low－Temperatures．　　　木木高義，孫　　威n）Order　Parameter　Near　Grain－Boundary　in　Cu．Au　a口d　B－Doped　Ni茗Al　Alioys　Determined　from　Electron　　　Diffraction　IntePsit…es．　　　木本高義，他王名12）Struct鮒e　aれd　Charac辻erization　of　BiSrCaCuO　F1王ms　Syηthesized　by　PUlsed－Laser　Ab王盆tion．　　　石井　明，羽多野毅，巾村恵吉13）Large　Sing1e　Crystal　Bi2212Prepared　by　Floating　Zone　Method：High－Resol㍑tion　Eletron　Microscopy　and　　　王ow－Temperature　Electro荻Diffractio温．　　　孫　　威，木本高義，茂筑高士，門脇和勇14）Effect　of　M1crostructure　on　the　Creep　Rupture　Properties　of　Ti－46at％Al　at1273K．　　　1羽辺龍彦，武藤　功，中村森彦ユ5）Direct　Observation　of　APB　Formed　inγ一TiAl　Phase　by　HREM．　　　阿部英司，熊谷達夫，巾村森彦王6）New　Poss三ble　Pinηing　Centers　in　Ag－Cu　A1loy　Sheathed　Bi2223Tapes．　　　前日ヨ弘，1王1巾吉秋，他2名1995環太平洋国際化学会議（ユ2肥7日一22ド1，米国・ハワイ）ユ）孤ectrochemicai　aηd　Spectroscop1c　Pτoperties　of　Dichioro（phthalocyallinato）antimony（V）Cation　and　Its　　　Radica1Anion、　　　砂金宏明，カ噸屋豊2）Characterization　of　Layered　ThiηFilms　by　Grazing　IDcidence　X－ray　Ref1ectometry　and　Spectrometry．　　　Using　SR．　　　桜井健次，他1名◇特言午速報◇⑧出　　源．員発 明 の 名 称 王1・I1鰯 日 出願播号 発 閉 者 名絡電処理による滞度特惟機能複含粒予の製造方 7．10． 5 07－258858 武弘，江頭満，京野純郎、法 不動寺滞，新谷紀雄商強度’導電性Cr含有銅含金とその製造ツテ法 7．10． 9 07－261670 安達和彦，竹内孝夫，三介達郎，鈴木洋・夫●登　　録発　　明　　の　　名　　称 出　願　日 出願番号 発　明　者　名Bi系酸化物超電導体の粉末とその線材の製造方 7．9．18 1966618 浅野稔久，田中吉秋，福冨勝夫，法 前田　弘結晶配向薄膜製造装置 7．9．18 1966676 福富勝夫，青木茂樹，小森和範，浅野稔久，田中吉秋，前田　弘Ti基形状記憶合金の製造方法 7．9．18 ！969！54 海江田義也　他1名（共立窯業原料株式全社との共有特許権）窒化鉄磁性流体製造装置 7．9．18 1969640 中谷　功，他3名（日本精工株式全社との共有特許権）窒化金属磁性流体 7．10．17 1976371 中谷　功磁性流体熱機関 7．lO．17 1976307 中谷　功，土方政行，高橋　務A1含有金属間化合物のプラズマ電子ビーム溶解 7．10．17 1976313 倉部兵次郎，高橋順次鋳造方法新居前所長講演会および新旧所長挨拶会平成7年10月31日に新居前所長講演会，同年11月ユ日に新1日所長挨拶会が当研究所で行われた。「38年余りの研究生活を振り返って」と題し講演をする新居前所長就任挨拶を述べる岡田新所長［1995年金材技研ニュース主要題目一覧］○No．1（通巻第434号）新年のごあいさっ粒子アセンブル技術の概念とアプローチの一例GaAs（00ユ）表面への塩索吸着過程を理論的に解析　シンクロトン放射光を利用した斜入射X線実験による薄膜解析法の開発　ピエゾアクチュエータの非線形性の補正法を開発oNo．2（通巻第435号）結掃巾の原子の動きを調べるAFM／STM複合技術による硬さ分布の映像化燃焼含成法で工業生産したTiNi形状記憶材料の特性oNo．3（通巻436号）強磁場ステーションの極低温冷凍システム　アーク放電プラズマによる金属含金の蒸発形態と挙動漆融金属巾にサイアロン製ホーンで超音波振動を付加○No．4（通巻第437号）金属の綱胞毒惟の複含効果の研究進展減速した集束イオンによる微結晶成長法新しいプロトンイオン伝導体の作製と評価○No．5（通巻第438号）　ナノスペースラボによる新材料の創製Nbチューブ法Nb茗A1線材の超伝導特性の中性子照射依存性新しい高温クリープ計測システムを開発○No．6一（通巻第439号）強磁場への応用進む銀繊維分散強化鋼合金　ジルコニウムとオーステナイトステンレス鋼の接含T1－A1金属間化含物の高耐磨耗性の機構解明○No．7（通巻第440号）筑波移転完了のごあいさつ磁栓含金のドライエッチング法を開発電子線圃折強度からの規則度の計測に成功○No，8（通巻第44至号）ASEAN地域における5年閲の大気腐食試験流動層CVD法によりタングステン粉末に服Cを被覆N誰耐熱合金の複相組織形態の応力依存性を解明No．9（通巻第442号）　金属材料の地球環境への負荷を定量約に表現　吸着原子の表極偏析を利用した潮嘆成長様式の制御　高温カ肛111コの趨塑惟セラミックスの損傷過程を解析No．1O（通巻第443号）　極低温構造材料に関するVAMASの成果　セラミック粒子を分散させたチタン金属閲化含物　準安定バリウム・ケイ化物で超伝導体相を発兇○No．11（通巻第444号）就任のごあいさつ　ホウ炭化物系超伝導体の大型単結晶育成　“高融点超含金”の開発先進ブロンズ法で低コスト型高強度導電性材料を開発oNo．12（通巻第445号）表磁分析データベースの開発AFM超微小硬さ試験機を開発SPM爾像の探針影響補正法を開発発行所科学技術庁金属材料技術研究所　　　　　〒305茨城県っくば市千現1－2－1　　　　　　TEL（0298）53－1045（企函室直通），　　　　　　FAX（0298）53－1005通巻第445号　　　　　　平成7年12月発行編集兼発行人　　　　　　　武　藤　英　一間合せ先　　　　　企画窒普及係目］棚所前田印刷株武会キ1二　　　　　　　茨城県つくば市焚新づl1ニユ4－5