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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第113号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/cfb22b6e-1d0c-4caa-9440-14f395f5d162)

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無機材研ニュース第113号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆Eo一垣o］1oo－o0＝あ○蜆oo一］o－Eo一垣oO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○血眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］○工←．13 日刀 2光I・Cを目的としたBNNユ．はじめに　光I・Cとは一っの基板表面に屈折率のわずかに高い部分を作って光導波路とし、それを基本にして、光源であるレーザーダイオード、機能素子であるスイッチ、変調器及び光検出素子であるダイオードを集積化することによって、全体としてある機能をもたせるようにした光回路である。つまり、集積化によって光学系の小形軽量化、安定化、高性能化をはかることを目的としたものである。現在考えられている光I・Cを材料構成の観点から分類すると、ハイブリッド形、モノリシック形およびその中問の準ハイブリッド形に大別出来る。それぞれの特徴を図ユに示す。上述のように光I・Cを構成する3つの基本素子、すなわち、光源、各種機能素子を含む導波路、および光検出素子が3つとも一つの基板上にっくられているものをモノリシックI・Cといい、GaAs，InP　　　　　　　　　　　　　　　PDlSi〕（Ba2NaNb5015） 薄膜の研究第10研究グループ主任研究官　月岡　正至系化合物半導体がその基板になiつうる。また、3素子とも異なる材料で構成されているものをハイブリッドI・Cと呼ばれており、光源は化合物半導体、導波路はガラスやニオブ酸リチウムのような誘電体、そして光検出素子はシリコンという組合わせが考えられる。そして、その中問にある準ハイブリッド光I・Cは光源は前と同じく化合物半導体であるが、導波路基板にシリコンを用いており、この上に検出素子もつくることができ、モノシリック形に近い。この場合、導波路はシリコンを熱酸化しSiO。層をつくり、この上に誘電体層をつけて導波路にするので、導波路の形としては準ハイブリッド形もハイブリッド形も共に誘電体導波路である。光I・Cに関するこのような背景の中で、我々は高性能のハイブリッド形光I・Cを目的としてLiNbO・よりも電気光学効果の大きいBNN（Ba・NaNbヨO1・）に注目し、その無色PDlSi〕∠7LD口PDSiO。　　　　　　　　Ti　l　I－N　LD　　　　　　　　　　　LD　　　　　　LiNbO’（GaAlA昌〕　　　　　　　　　　　（G齪AlA昌〕／a〕ハイブリッド　　　（b〕　　　Si石拠系　カ“ラスなど準ハイプリ・ソドj1多　　　　｛C〕〔幣モノリシ．ンクjlち）　　　　　　図1モノりシック形GaAs（1）透明で且つ配向性のある、つまり機能性（光スイッチング及び光変調）あるBNN薄膜の育成を試み、それに成功したので報告する。2．アモルファスBNN薄膜の生成とその光学的性質　薄膜作成には一般的なR・Fスパッチ法装置を使用した。そのスパッタリングの条件は表ユに示してある。夕一ゲットは4インチ径で厚さが5㎜のBNNの焼結体を使用した。薄膜作成に使用したサブストレイトは鏡面研磨したシリカガラス板、シリコンウェーハー、ステンレススティール板、及び結晶化ガラス板である。生成された薄膜は6000A～6μmで、無色透明であった。図2には結晶化ガラス上に生成されたBNN薄膜の写真を示す。X線回折測定の結果からこれらのaS－grOWnの薄膜はすべて非晶質であることが判明した。そしてシリコンウェーハー上に生成されたBNN薄膜の屈折率と膜厚の測定を行い、表2に示したような結果が得られた。このデー表1　BNN薄膜のスパッタ条件雰囲気混合ガスの流量スパッタリング過程でのガス圧印加電圧電極問距離フィルム成長速度基板温度Ar＋O．20：20（CC／min）1×10■2Torr1OOWattsllOmmO．21μm／hr300℃夕一の示すように屈折率分布も、膜厚もほぼ一定で、屈折率の大きさは単結晶のそれよりもやや小さい。3．配向性のBNNの薄膜の生成　配向性薄膜もアモルファス薄膜と同様な条件で生成された。生成された最初の段階ではアモルファス状態であるが、70ぴC以上に加熱すると結晶化する事実を利用してターゲットの組成を変えることによって、配向性がどのように変るかの実験を行った。その結果は図3に示す。この図の示すようにNb．Oヨが多い組成の場合に配向性がよくなることが分った。この場合サブストレイトとしてシリコンウェーハーを使用した。　次に、プラズマセンターからの距離によって配向性がどのように変るかを知るための実験を行った。その結果を図4に示す。この実験結果はプラズマセンター近傍で配向性が最もよいことが分る。この実験にはステンレススチール板をサブストレイトとして使用した。　次に、この配向性薄膜がBNNのものか、それとも図2轡鵠　　　　　　　　20　　　252θ（度）　　　　　　　　　2θNb且Oi ηW％ Nb筥Oi 56W％＾ （ 〔（〔　　　　（ ＾ （ ＾　（ （（　（ 〔N o o0N　N N 趣 N 0N 0NN No H 寸＝o0N ト o 一　H o「o㎝ トo LO 寸工o寸寸 lo o 工ooo 岨寸寸 旧〕 〕 〕〕〕　〕 〕 ） 〕　　　　〕 〕〕　〕 〕縄20 25 30 妬 ワn フR qn o；　30（度〕35　　　　20　　　　　25　　　　　30　　　　　35　　　　　　2θ　（度）図3（2〕表2　酬N薄膜の屈折率（N），膜厚及び測定位置位置 N偏差値 厚　さ 偏差値（％） （μ） （％）1 2．3927 ．OO O．9476 O．202 2．3894 ．OO O．9568 O．u3 2，389C ．OO O．9877 O．ユ94 2．39ユ8 ．OO O．992ユ O．245 2，406？ ．OO ！．0755 O．396 2．3980 ．OO 1．O垂10 O．067 2．3891 ．OC O．9743 O．218 2．3832 ．CO 0．8893 O．06Nb・O・によるものかを調べる必要がある。なぜなら、BNNの（440）ピークとNb．05の（200）ピークとは重複していることと、スパッタリング用のターゲットはNb．O。が非常に多いからである。そのフィルムの組成を明らかにするために蛍光X線、ICP、原子吸光測定等の測定を行い、この薄膜がBNNの配向性薄膜であることが判明した（表3）結　語　以上、BNNの配向性薄膜には成功して、光I・Cへの第一段階はクりアーしたが、次に重要な間題として、スパッタリング法によって生成される薄膜特有のサブストレイト近傍のグレインがアニーリングによって成長し、その結果サブストレイト近傍に亀裂が生じ、わずかな失透状態をひきおこしていることがあげられる。この閥題の解決方法として、下記の方法を試みた。BNNと化学反応し易いサブストレイトを用いてBNN薄膜を生成すると、サブストレイトとBNN薄膜との（加熱による）化学反応によって、サブストレイト近傍のグレインが除去され、ガラス質のうすい中間層が形成される。最近の研究の緒果プラズマ剛＝1」むステンレス・スチール狐級（a）3 5（ ＾ （（　　　（ ＾ （ （＾＾（N o 0N　㎝ ㎝ o oo㎝㎝o H ζoo　困 o 一 寸oo（⊃N麺 o 旧 LO寸　寸 轡 o 旧 寸工o甘寸〕 〕 ）｝　　　） ） ） ））））僧 欄h0 冊20 25 3035　20 25 Rn 卯　2θ　（b）図4　　　　　　　20　　　　　25　　　　　30　　　　　35　　　20　　　　　25　　　　　30　　　　　35（度）　　　　　　2θ（蜘　　　　　　　2θ（蜘　　　　　　　　　　（c）　　　　　　　　（d）プラズマ状態とステンレス・スティール墓板との位置関係（3〕このような手法によってグレインのない蔭己向性薄膜が実現できることが確かめられた。　本研究は株式会杜村田製作所との共同研究であり、　表3この報告を審くにあたり、当社のスタッフのプ了々の日頃の御協力に対して厚く御礼致します。試料番号 混合ガスの流鐙 各原素の璽鐙％又は重鐙比 分析方法Ba0　　　5．79 1CPBNN一・一99 Ar：O戸5015C（cc／M玉N） Nb．O呂　93．O IC王〕M．0　　　1，28 A．ABNN－122 Ar：OFgO：90（cc／MIN）Ba／Nb　　O．C51 F－XrayNa／Nb　　O．C王8 F－XrayBNN－／23 Ar：02二50150（cc／MIN）Ba州b　　O．05ユ F・一・Xrav　　　一Na／Nb　　O．（〕18 F－Xrav　　　一ICP　二1馨凋波誘導結合プラズマ発光分析A．A　皿原子吸光法F－Xrav・・蛍光X線　　　一ビスマス系高温超電導体の変調構造の電顕観察1．はじめに　！988年始め金属材料技術研究所の前田弘氏等の研究グループは、Bi－Sr－Ca－CU－O系に2種の新趨電導体を発蒐した。即ちT。約110Kの「高丁。相」とT。約80Kの「低丁。稲」である。しかしながら発表時点では、この二っの化合物は緒晶構造はもとより正確な化学組成すら不明であった。科学技術庁は「趨電導マルチコア・プロジコニク〕を推遼しているが、この中で「構造解析コア」を担当する無機材質研・究所は金材技研と協カしてこの新超電導体の結晶構造の解明を行うこととなった。本コアではX線・中性子線回折等による平均構造の解析と平行して、萬分解能電子顕微鏡法による局所構造の解析を進めており、既にイットリウム系超電導体の欠陥構造・界繭構造の研究で多くの成桑をあげていた’〕。ビスマス系新超電導体の場禽、①純粋な試料が得にくい、②単結晶育成が困難、③複雑な変調構造をもつ等の理窮からX線・巾1生子線回折による構造解析を慶ちに実行するのは困難であった。こうした事清で、本コアでは商分解能電子顕微鏡を用いた結晶構造解析から着手することとなった2）。実験にはJEM－4㏄OEX型萬分解能電子顕微鏡（加速電圧400kV）が稲いられた。　第王3研究グループ主任研究富　松井　良夫　第4研究グループ総合研究官　堀内　繁雄2．B1空Sr．CaCu．O。（丁。～80K）の電顕観察ヨ〕　T。約80Kの低丁。欄Bi．Sr．CaCu．O。（y～8）は近似白勺には正方晶（a・・b＝O．54nm，c㌃3．08nm）であり、図ユの様な「平均構造」を育すると考えられている。．即ちc鰯方剛こ跳O。膳とペロブスカイト属が交互に積膳し、前考はニニ枚のBiO繭が岩塩型類似の原子配列で違なる。B1O繭筒土の績合は極めて弱くこれが本結最の極端な鍔鱗性をもたらす。金材技研から提供された言式料を禰いて、〔u0〕方剛こ電子線を入射させて得られた商分解能電顕像を鰯2に示す。ここで讃も強い黒点が醐原子1こ、また弱い黒点申星印がCuに、丸印がSr（又はCa）に棚当すると考えられる。左端の数字で示す様1こペロブスカイト層はすべて鋼2腰より成る。こうした陽イ才ン醸例は、図1の構造モデルと基本的に良く一致した。　以上はあくまで近似約呼均構造」にすぎず、環実の原子配列はそれから大きくずれて、いわゆる「変調構造」を形成している。関2の結晶方位をc率歯の周りに垂5一回転させて、a鰯入射の高分解能電顕像を撮影すると図3の様な特幾なコントラストが得られる。図ユの平均構造モデルからは直線であるべき縦の原子列が左右に波打っている。またBi宣○。層を見（杢）ると等間隔で並ぶべきビスマス原子が互に近づいたり（写真B）、遠ざかったりしている。ビスマスが近づきあった領域を我々は「ビスマス濃縮帯」と呼び、cuク■　4Cu・．．　○○Co　O　SrBiBi〇一Sr　も・1Co　　　　　　　○図1　Bi．Sr．CaCu．O。（丁。＝80K）の平均構造モデル。図2　Bi．Sr．CaCu，O、（T。＝80K）の高分解能電顕像。［1工O］投影。図3の変調構造は平均化されて見えない。左の数字は銅層の数。蝋鮒、ゑ鮒ζ燃 ㌶脳潜簑繊◆）図3　Bi．Sr．CaCu．O。（T。＝80K）の変調構造の高分解能電顕像。［100］投影。右の数字は銅層の数。ビスマス濃縮帯を記号Bで示す。（5〕逆に離れ合った部分を「ビスマス希薄帯」と呼んだ。ビスマス濃縮帯のb軸方向の繰り返し周期は基本構造の周期の約4．8倍と非整数（インコメンシュレート）の関係にあるのが本変調構造の大きな特徴である。またC軸方向に注目するとビスマス濃縮帯の直上直下にはビスマス希薄帯が来る。以上の結果や電子回折の詳細な解析から、本結晶は体心型斜方晶に属し、格子定数はA＝a＝O．54，B～4．8b＝2．6＆C＝c＝3．08nmとなることが分かった。電顕像の詳細な解析により変調構造の具体的モデルの提案も行っている。その要点は、①ビスマス濃縮帯と希薄帯では酸素の配列が異なる。その結果希薄帯ではBi間の水平距離は増大し、一方垂直距離は減少する。②ビスマス希薄帯ではBiの一部がSr又はCaで置き換えられている。③ペロブスカイト層においては、ビスマス濃縮帯近傍のSr位置はBiで、一方希薄帯近傍のSr位置はCaでそれぞれ置き換えられ、その結果ペロブスカイト層中の陽イオン位置は上下方向にも大きく変動する。等であるが、詳細はなお検討中である。3．Bi里Sr．Ca．CuヨO。（T、～ユ10K）の電顕観察引丁。が110K級の高丁。相はBi－Sr－Ca－Cu－O系では極めて限られた条件下でのみ得られるが一般に低図4　Bi・Sr，Ca，Cu，O、（T、＝1ユ0K）の平均構造の高分解能電顕像。［ユ10］投影。右の数字は銅層の数。図5　Bi．Sr，Ca，Cu，O。（T。＝110K）の変調構造の高分解能電顕像。［100］投影。右の数字は銅層の数（6）T・相や他の不純物が混入しやすい。無機材研の竹川等により作製された、上ヒ較的純度の良い高丁。桐の平均構造の高分鱗能電顕像を図4に示す。ここでも最も強い黒点がビスマス原子に対応する。ペロブスカイト膳中のCu麟の数は大都分3であるが、部分的に（写糞上部の様に）4騰もある。この様に商丁。相はかなり多くの醐犬欠陥を含んでいるのが特徴である。高丁。槻も変調構造を有しておりその電顕像を図5に示す。写輿右側の数字がぺロブスカイト騰111コの銅麟の数を示す。様々の厚みのペロブスカイト鰯からなるにもかかわらず、ビスマス濃縮帯の直上直下にビスマス希薄帯が来るという配列様武は低丁。欄（関3）と同じである。なお高丁。欄は鉛（Pb）をドープすることによって安定化されることが知られているが、Pbを含む商丁。禍の一部は図5とは異なる様武の変調機造を有することが讃近の金材技研の破究で知られている。またCaを含まない趨電導体Bi空Sr．CuO。（T、～20K）も様式の異なる変調構造を示すことが無機材研での研究で知られている。こ∂）様にビスマス系趨電導体とその燭辺化合物について、様々のタイプの変調構造が発屍されつつあり結晶学的にも大変興味ある悶題を提供している。4．おわりに　ビスマス系超電導体の変調構造を更に疋確に解明することは、その高いT。特佳や超電導発現機構を理解するために極めて璽要と考えられる。今後「構造解析コア」では電顕以外の季法も含めて変調構造の解析を到こ発鰻させる予定である。参考文献ユ）松井良夫：日本緒晶学会誌　29，374（ユ987）　　松丼良夫：セラミ’ツクス　23，226（1988）　　松丼良夫1電子情報通信学会誌　71，68（ユ988）2）松丼良夫：表面科学　9，500（1988）3）　Y　Matsul　et　aI山27，　　L372　（1988）及びS－Hor三uchi　et　al。＝五胆」＝＿エニ　　独⊥27，L1172　（ユ988）4〕Y　Matsu1et　a1　地皿二虹27，　　Lユ24工　（1988）マクマスター大学に滞在して第ユ3研究グループ主任研究官　井伊　伸夫　玉987年5月から｝年間、長期在外破究員として、カナダ團オンタリ才州のハミルトンにあるマクマスター大学に出張した。ハミルトンは東部カナダのオンタリオ州の小都市で、アメリカとの国境いのナイアガラから60キロぐらい北のところ、また商業の申心地トロントからも5Cキ〔ユ程度のとこ二ろに位護し、ドファスコやステルコといった有名な製鉄メーカーのある製鉄の街としてカナダではよく知られている。苅街地には英国風の吉風な特徴ある家がまだあちらこちらに残っていて、すばらしい街並と景観を保っている清潔な街であった。大学の創立は玉887牢で、設立当初、トロントにあったが、戦前ハミルトンに誘致され移転してきた。現在は文科系の学部のほか、理学都、工学部、医学都等を有し、実験用の原子炉まで持つ総禽大学に発展してきており、トロント大学と並、主ミカナダ有数の大学である。繍張した隼は、ちょうど大学の創立100年に当たっていて、キャンバスにはそれをあしらった花壇があり、篇が］繭おおっている古風な大学の建物と調和していた。　私がVIS互丁互NG　RESEARCHERとして席をおいていた物質科学工学科のニコルソン教授の研究室は3人のポストドク、5人の大学院生、3人のVIS互丁王NG　RESEARCHER，2人の技術職員を抱えた巾程度の研究室であったが、セラミックスの合成・焼結から機械的、電気約・誘竃的性質の損淀まで行なっており、また対象物質もイオン伝導体、誘電体、超伝導体、ガラス、構造セラミックスと多妓にわたっていた。構成負もインド人、中国人、ポーランド、台湾、ソ連人と多様で、むしろ少数派であったカナダ人もドイツ系、イタリア系、香港系といろいろな背景を持っていた。アメリカの社会が人種のるつぼと言われるのに対しカナダは人種のモザイクと呼ばれている。それは種々の文化背景の人がそれぞれの文化・習慣を維持しながらカナダの社会の中で共存しているということであるが、研究室に於いてもまた日常生活に於いてもそのことが強く感じられた。賞本人はごく少数であったが、研・究室では日本人の評判は高く、私の仕事を補腕してくれたポーランド移民の技術員も蘭本人びいきで、よく手助けし働いてくれた。　私の滞在［一のテーマは、アンモニウム・β”一アルミナ焼結体の含成とキャラクタリゼーションであった。この物質は、プロトン伝導体で室温でもユo－4SCm■1程度の高いイオン伝導度を持っていて、しか（7）も200度程度の温度まで安定であることから有望なイオン伝導体として期待されている。しかしながらこの物質の焼結体がいままで得られていないため、充分なキャラクタリゼーションができておらず、化学式や伝導機構もあまり明らかでなかった。いままでこの物質はナトリウム・β”一アルミナからのイオン交換によって合成されていたが、イオン半径の差が大きいことからイオン交換中に焼結体の中に歪が生じて割れのないものができていなかった。今回イオン交換の過程とイオン交換条件を検討し、1000度以上の高温での気相イオン交換によりルビジウム体を合成し、これをアンモニウムイオン交換の前駆物質とすることによって、割れのないアンモニウム・β”一アルミナ焼結体の合成に初めて成功した。　カナダでの日常生活はきわめて快適で、各種催し物や公園、公共施設と休日とは行先に事欠くことはなく、大学以外の場でのカナダ人とのつきあいも楽しむことができた。さらに仲間のインド人やポーランド人の家に招かれて、また彼らを招いて一緒に食事をしたりいろいろ話し合ったりした経験は忘れ難く、意外な共通点や文化の」端を知ることができた。よくカナダの冬は寒かったのではないかと聞かれる。確かに3，4ヵ月も一5から一20度ぐらいの日々が続くが、それなりの格好をしていくので問題ないし、アパートは暖房がきいているため寒いと感じたことはなかった。大きなカナダの自然、おおらかな人間性、多彩な文化モザイク、これらすべてが日本だけしか知らなかった私に大きく影響を及ぼしたことは疑い得ない。　最後にこの貴重な経験の機会を与えて下さった、科学技術庁並びに無機材研のかたがた、カナダでお世話になったみなさまに感謝致します。マクマスター大学のキャンパス外　部　発　表※　投　　　稿登録番号 題　　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等2059 Boundary　Structures　of　Sic　Bicrysta1s 上村揚一郎・猪股　吉三 J．Ceram．Soc．JPn．市野瀬英喜 Inter．Ed．95，788．19872060 Surface　Phonons　of　TiC（310） M．Wuttig・大島　忠平 Surface　Science相沢　　俊・左右田龍太郎 193，180．1988大谷　茂樹・石沢　芳夫2061 Control　of　Heat　Flow　to　Feed　Rod　in 大谷　茂樹・田中　高穂 J．Crys．GrowthFloati㎎zone　system 石沢　芳夫 87，175．19882062 不定比組成を制御した中間化合物単結晶育 北村健二・沢田勉 日本結晶成長学会誌成 木村　茂行 14，2，29．19872063 Optica1－RefIectance　Study　of　the　Single 小出　常晴・設楽　哲夫 Nove1Superconductivity一Crystal　Superconductor 福谷　博仁・高橋　　隆 （Plenum　Press　Co．．Ltd）（La1一。Sr、）。CuO。 藤森　　淳・細谷　正一 P．915．1987鈴木理一郎・佐藤　正俊2064 Effect　of　Oxygen　Concentration　on 石沢　芳夫・福長　　惰 Physica　BSupercondacting　Properties　of 野崎　浩司・田中　高穂 148，315．1987Ba．YCu．O。一。 小野　　晃2065 EIectronic　structure　of　FexO 藤森　　淳・君塚　　昇 Phys．Rev．B谷□　雅樹・菅　　滋正 36，12．6691．19872066 ニューガラス材料設計支援のエキスパート 牧島　亮男 富士通ジャーナルシステム 14，1，58．19882067 バィォプロセス用セラミックス 牧島　亮男・原　　龍雄 機能材料1988，3月号　48頁（8）登録番号206820692C70207王207220732C74207520762C77207820792C802C8ユ2C8220832084題　　　　　　　　　　嚢水和凝結法によるアパタイト多孔体の作製と性質新しい焼結体の制御技術The　Electrical　I〕roperties　of　a　SrTiOヨBicrystaI　Joined　by　Thin　F三王m　of　aMolten　Bi20．Neutroηand　X－Ray　D砒raction　Studiesof　RBa呈CuヨOト。High－Tenlperature　Cubic　Boron　NitrideP－N　Junction　Diode　Made　at　HighPressure．玉〕hotoelectron　Spectroscopy　ofLnBa呈Cu30。一（Ln＝・YaηdSl〕1）RDF　Studies　of　Ge．Se一＿。G－assesEmploying　Anomalous　Scattering高分解能電子顕微鏡像の観察・解析法Rietveld　Aηalysis　of　Powder　PattemsObtained　by　TOF　Neutron　DiffractionUsing　Cold　NeutroηSources電子顕微鏡による分析技術の応踊Die1ectric　properties　of　HZr。（P〇一）茗and細ヨOZr2（PO。）3crystalsFracture　Toughness　of　Pressure1essSinteredSi王iconCarbide：AComparison　of　K1．MeasurementMethodsPhase　Equilibrium　Study　of　the　LiV．05－V20べV205System　at923K：A　Seriesof　Lithium　Vanadium　Bronzes，Li互V6．O1。。＿mPreparation　of　SuperconductiveYBa2Cu30？＿、Thick　Fi王ms　by　the　Rapid－Quenching　TechniqueCrystal　Chemistry　of　Ba2YCuヨ＿、07＿y（x＝O～O．12，y＝C～ユーO）シアン酸およびシアナミドアパタイトShock一玉nduced　Ox三dation－ReductionReaction　in　the　system　Fe－Fe20。発　　表　　者門間牛尾清沢白寄英毅・高橋　卓二浩樹・添蘭　周吾智晴信一藤本　正之・山岡　信立自嵜　信一浅野滝田石垣渡辺三島山岡高橋前因荒井吉田岡部鈴木社本　繁・泉　竃士夫宏樹・室町　英治　徹・内田　吉茂　昇　修・日ヨ申　順三信夫・福長　　脩　隆・藤森文彦・蜜原　宏・小出　博・設楽　豊・佐藤　孝・高桑真一・細谷　淳恒翌常晴哲夫正俊雄二正一小野田雅重賛井　暇彦・溝水川　豊森j■旧出貴・大偶　一政堀内　繁雄泉　富±夫・浅野　　肇村困　秀明・渡辺　　昇板聚　義雄太困　正恒・岡村當士夫広田　和士・小野　　晃Gilles　Orange田中　英彦Gilbert　Fantozzi室町　英治・加藤　克夫高橘紘一郊・下村　周一長沢　　新・太田　正慣掛川　一幸岡村蜜士夫・末野　重穂申井　　泉・小野　　晃門間　英毅関根　利守・赤石　　實瀬高　信雄掲　載　誌　等Gypsum＆Lime212，25．1988］二業材料35，　16，　5．　！987Jpn－J．Appl．Phys．26，　9．　1594，　ヱ987Physica　B148，302．！987Science238，　18ユ，　ユ987PhysicaB148，　476．　1987J，Non－CrystallineSoIids95＆96，433．1987金属学会セミナー暇近の電子顕微鏡技術と材料開発」（テキスト）ユ頁J．ApPl．Cryst．20，　411，　ユ987金属学会セミナーゼ最近の電子顕微鏡技術と材料開発」（テキスト）81頁J．Mat，Scie．Lett．5，　511．　1986Ceramics　Internationa王ユ3，　159．　1987∫．Solid　State　Chem．71，　274．　1987Jpn．J．App王．Phys．26，！2，L199！，1987Proc．Japan　Acad．，63，Ser．3，6，165．1987化学と工業4］一，　2，　174．　1988Shock　waves　inCondensed　Matter1987（Proc，APS　ToPicaiConf．）（E王sevieT　SciencePub．B．V．）P．4271988（9）☆　M　E　M　O　☆運當会議　10月3日、第111回運営会議が1）昭和64年度予算概算要求について、／2）再編成研究グループの研究課題について、3）その他の議題で開催された。研究会　8月30日、第23回チタン酸塩研究会が「ガロチタノガリウム酸塩のイオン導電性ω」の議題で開催された。　9月8日、第35回焼結研究会が「バリスターにおける粒界問題」の議題で開催された。　9月24日、第39回高圧力研究会が「単結晶ダイヤモンドの摩耕特性について」の議題で開催された。　10月13日、第ユ回ビスマス基オキシ弗化物研究会が「超電導体および準結晶の電子顕微鏡による研究」の議題で開催された。　1O月25日、第1回耐熱材料研究会が「パラレル検出電子損失分光の原理と応用」の議題で開催された。海外出張　第3研究グループ主任研究官板東義雄は、「第9回ヨーロッパ電子顕微鏡会議及び大学訪問」のため、昭和63年9月3日かから昭和63年9月16日まで、イギリス国へ出張した。　第3研究グループ主任研究官田中英彦は、「炭化ケイ素及び窒化ケイ素複合材料における焼結技術に関する実験並びに講演及び討論」のため、昭和63年9月5日から昭和63年9月23日まで、中国へ出張した。　第1研究グループ研究員菱田俊一は、「ジルコニア化合物の物一性とキャラクタリゼーションに関する研究」のため、昭和63年9月12日から昭和64年9月11日まで、フランス国へ出張した。　第12研究グループ研究員た右田龍太郎は、「第7回表面衝突国際ワークショップに出席し講演及び討論」のため、昭和63年9月16日から昭和63年9月26日まで、ポーランド国へ出張した。　第12研究グループ主任研究官大島忠平は、「表面・界面の新現象とその材料科学への応用に関する共同研究」のため、昭和63年10月1日から昭和63年11月15日まで、フランス国へ出張した。外国人の来所9月12日9月19日10月6日lO月12日10月21日10月21日J．Spitz　フランス原子カエネルギー省李　基成　韓国太平電子窯業㈱Mr．Chung　Hun－Saeng　韓国資源エネルギー研究所Prof．Dr．Hans－Ude　Nissen　スイスチューリッヒエ科大学山本　八土郎　ブラジル国家科学技術審議会虞家瑛他2名中国科学院長春物理学研究所第3回茨城県先端技術産業展　第3回茨城県先端技術産業展は、つくばフェスティバルの一環として、西武百貨店筑波店において、9月2日（金）から9月6日（火）まで開催された。　今回、この展示会に当研究所は初めて出展し、研究所の成果の展示のほか、超電導の浮上実験（マイスナー効果）などを行い、たいへん好評であった。　5日間の入場者は、約28．OOO人を数えた。発　行　日編集・発行昭和63年12月1日第113号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木1丁目ユ番電話0298－51－3351（10〕