# Fileset

[NIRIMNews0123.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/2b60a083-6d9b-40ee-b958-ed8e77b0f2cf/download)

## Creator

無機材質研究所

## Rights

In Copyright[In Copyright](http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/)

## Other metadata

[無機材研ニュース第123号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/70a6a7d3-ae2f-4340-a7d5-7e4da60cafca)

## Fulltext

無機材研ニュース第123号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0－oo］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo一垣oo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←1ノギ．ノ　　　　　！　　・プ㌧ノ＼ゾルーゲル法によるセラミックスの複合化1．はじめに　材料はハイテク化に伴いますます新素材の開発と極限付近での制御による高機能化が要求されている。もはや先端技術は無機、有機及び金属といった区分による狭い分野内での解決は難しく、学際領域を含む幅広い視点からの検討が必要である。　こうした意味で金属アルコキシドを用いるゾルーゲル法は溶液からの新しいガラス、セラミックスの合成法として最近脚光を浴びており、高純度で均質な様々な状態の材料が創製できる。しかも機能性に優れた無機一有機複合材（ハイブリッド）が得られる他、ゾルからゲル状態までを制御することによりファイバーやコーティング膜も得られ大いに発展が期待される。　本研究ではこうした背影を踏まえてゾルーゲル法の中でもまだ未検討な部分の多いコーティング法に着目し、セラミック多孔体との複合化に関する研究を行った。用いた基板はアノード酸化法で生成したアルミナ多孔質膜（孔径10～40nm）であり、これを種々の組成のゾル中でディップコーティングし複合化を計った。そして基本的な耐化学性，耐摩耗性及び密着性に優れたセラミック複合膜の開発と，微細孔の壁面改質，細孔化及び充墳化等につき検討し高機能化に関する知見を得た。一般に複合膜の利点はそれぞれの物質に特有の性質に加え、特に①化学的・機械的保護機能　②電気的機能　③触媒機能などが新たに付与され、基礎的研究としての興味と新たな応用への展開が期待できる。　以下にケイ酸エチル（TEOS）やTiのイソプロポキシドを主体としたゾル中へのアルミナ多孔体のディップコーティングによる複合化に関する研究成第9研究グループ　主任研究官　和田　健二果の一端を紹介する。2．ゾルーゲル反応　ゾルーゲル法の出発原料は今日主に金属アルコキシドが用いられており、M（OR）nで表わされる。ゾルーゲル反応は一般に（1）加水分解と、（2）重縮合の次の二式で書かれる。第18回無機材質研究所研究発表会のお知らせ　当研究所では、例年のとおり平成元年度で、研究が所期の目的を達成した、グループ研究課題2課題、特別研究ユ課題及び無機材質研究に必要な超高圧力技術、超高温技術等の基盤研究を行っている2つのステーション研究の研究成果について研究発表会を下記により行います。記日時　平成2年1i月21日（水〕10：OO～ユ6：OO場所　科学技術庁研究交流センター国際会議場　　茨城県つくば市竹園2－20題目　希土類アルミノけい酸塩ガラスに関する研究　　　モンモリロナイトに関する研究　　超高圧力技術に関する研究　　超高温技術に関する研究　　生体機能性セラミックスに関する研究参加費無料（当日会場にて受付）　詳細については、次号（第124号、平成2年11月発行）に特集する予定です。（1）　M（OR〕n＋nH20一→M（OH）n＋nROH・・……仙　M（OH）n→MOn／2＋n／2H20………………（2〕　しかし実際の反応はこのように単純なものではなく、さらに複雑な経路や遷移状態を通る。従って望みの物質を創製するには、この中間過程の制御が重要となる。単成分系ゾルの場合にはこの制御は比較的容易であるが、多成分系になるほど難しくなる。それ故セラミックスの複合化を行うには、まず第一に研究目的と用途等のねらいを明確にし、次に浸せき用基板の種類と表面状態をよく理解した上で、ゾルの種類及び組成との関連を検討し、コーティングのための最適条件を明らかにすることが重要である。3，アルミナ多孔体へのコーティング　多孔体基板上へのゾルによるセラミックコーティングは、多孔体の細孔径、表面の微細凹凸及び濡れ性など表面状態に大きく影響を受ける。特に孔径がおよそ10～40nmの細孔中へのゾルの浸入状態を制御し、密着性に優れたセラミック複合膜を開発することは想像以上に難しい。しかし本研究では多くの予備実験を経て、シュウ酸溶液中で生成した多孔体膜上へのコーティングにより、複合膜としての当初の目的を達成できるゾル組成及びコーティング条件を明らかにすることができた。　（1）ゾル組成　　Siゾル：Si（OC．H。）。／2H．O／4．5C．H．OH　　　　　　　　　　　　　　　　　　（モル比）　　Si－Tiゾル：　0．95〔Si（OC．H。）。〕／2H．0　　　　　　　　／4．5C2H50H〕十　　　　　　　　〇．05Ti〔OCH（CHヨ）。〕。　　　　　　　　　　　　　　　　　　（モル比）　　添加剤：塩酸、酢酸、アンモニア等　（2〕ゾルの熟成　　熟成時間1加水分解直後、1日～7日　　熟成温度：室温又は50℃　（3）コーティング条件　　ゾル中への浸せき時間：ユO分　　乾燥時間：室温5分　　加熱温度：開放形電気炉中50ぴC，5分加熱4．複合化及ぴ孔径制御　Siゾルが細孔中に浸入するかどうかを予め予測するために、ゾルヘの添加剤と熟成時問による複合膜の50ぴC加熱後の重量変化との関係を調べた結果が図ユである。添加剤の効果は図から明らかなように酢酸よりも塩酸のほうが優れている。塩酸でも低濃度の方が重量変化が大きく、熟成時問が2日の時重量増加が最大となり孔中へのゾルの浸入が予測された。この予測を裏付けたのが図2であり、矢印で示したように孔中にゾルが孔底まで浸入し密に充填す1．21．O〕　o．8王．9o』　o，6主ちα　o，4［o■〔U　o．2一〇．2H　C11，10’］mOl，dm■；Hα1i「O’1mOl．dm’　　’’一へ1　　　＿＿’　’　　　　、㌧｝’一　　　　　　　　　　　　　　㌔㌔　　　　　　’．一■一一一』一一’■　　」■’■　’／　　、／　　　川O’1mOl・一m’＝　　　CHヨCOOHr　　　2　　　　ヨ　　　ム　　　　5　　　6　　　7　Aging　time　of　so【（doy）図1　種々の添加剤を含むゾルの熟成による　　　コーティング膜の重量変化と添加効果図2　アルミナ微細孔中へのゾルの浸入によ　　　るSiO。充填図3　4日熟成したゾルによって得られたセ　　　ラミック複合膜（2〕ることが明らかとなった。現在まだ未発表であるが、孔径！0om前後の細孔への充壊化に成功している。図3は追臼熟成したゾル中で処理した複禽膜の破断繭SEM像である。上層がSiO。コーティング膜であり、下霞がアルミナ多孔質膜である。ゾルの浸入は図2ほど顕著ではないが、孔壁修飾による細孔化が認められ複合膜の密着性も良好である。コーティング膜の摩さは約！μmで、膜刺こ粒子化が認められずち密である。こうした結累は複合膜の耐化学性、耐摩耗僅及び電気絶縁性等の諸特性の肉上を示唆している。図4はSiゾルの熟成時問と孔の細孔化、充壊化との関係を示した曲線で、熟成2日を境に孔壁のSiO。改質と孔径翻御ができたことは新たな展開を示唆する翼味ある緒果である。5．おわりに　SiとTiのアルコキシドを用いたディップコーティングによりアルミナ多孔体膜とSiO。などのセラミック膜との複合化を計り、クラック発生防止と密着性及び諸特性に優れた複奮膜の開発に成功したことで、コーティング法の今後の研究に対する明る50　40言ε30胃’砺豊20oo一10一≡；uHOCe　雪≡de／BoHomside01234567’　　　Aging　time　of　so6（doy〕図4　ゾルの熟成による微細孔の孔径制御い見通しを得た。一次元電子系における電荷移動励起に対する電場効果と三次の非線形光学効果第6研究グループ　主任研究官　和田　芳樹　最近の光通信、光惰報処理技術の進歩により、新しい光機能材料の開発への要請が高まっている。この様な背景の中で、趨高速光演算等への応周の可能性から、非線形光学材料や光記憶材料の開発が盛んに行われている。当グループも光励起状態を利用する発光材料、光演算材料、光記憶材料等として金属典型元素カルコゲナイドの研究を行っている。また、これとともに金属典型元索カルコゲナイド等将来の光濠算、記憶材料の量子細線化技術の向上を念頭に置いて、一次元竃子系の有する大きな非線彩光学効剰こ注冒してきた。最近、一次元電子系の非線彩光学材料は、世界的にも関心を集めている。　一次元電子系を持ち、近赤外～紫外域にバンドギャップのある物質には、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の宥機高分子やポリシラン、ハロゲン架橋混合原子価金属鐘体（HMMC）等がある。これらの内、HMMC以外の物質では、三次の葬線形光学効剰こついての研究が盛んに行われている。これに対し、HMMCには、単結晶が得られ、バンドギャップが1～3．5eVの問で可変であるという、他には見られぬ大きな利点が有るにもかかわらず、殆ど手がつけられていない。　ハロゲン架橘混合原子個金属錯体（HMMC）は、図1に示すように配位子に囲まれた白金族元索イオンとハロゲンイオンが交互に直鎖状に並んだ構造をしている。この錯体では、鐘イオンのd王2軌道からなる一次元伝導帯が鎖軸方向に広がり、半分まで詰　　　　　　　　　　配位子（側鎖分子）　　　　　　　　　　／　＼．、ユ、五x皿、3　　　し　o　o　じ図1　M＝Pt，Pd．Ni　X＝C正、8r．Iハロゲン架橋混合原子価金属錯体の構造（3〕まっている。この伝導帯は、ハロゲンイオンの歪みにより二つに分かれ、バンドギャップが生じている。このため金属イオンは、交互に3斗ρ、3一ρ価（O＜ρ＜1）になっている。　一次元電子系に見られる大きな三次の非線形光学効果の起源は、基本的には一次元電子系特有の、強い電子励起と光の槻互作周によると考えられる。しかし詳細なメカニズムについては、電子励起状態の詳細な構造が余り明確になっていないため、確定的な結論は得られていない。以下では、HMMCについて、励起状態の構造を明かにし、その結果から三次の非線彩光学効果の大きさを評価する。　図2一（・）にHMMCの］種の［Pt（en）。コ［Pt（en）。Br。コ（αO。）。、（Pt－Br）の鎖軸方向の偏光での吸収スペクトル（誘電率の虚部、ε里）を示す。幅広く非対称な吸収帯は、3一ρ価の白金イオンから3＋ρ価の白金イオンヘの電荷移動励起、言い替えればバンドギャップ閻の電子励趨によるものである。鎖軸に嚢直な偏光では、強い吸収帯は、観測されない。この吸収強度は非常に強く、化学式あたりの振動子強度は4．Cによもおよぶ1〕。この様な幅広く非常に強い異方的な吸収帯は、一次元物質に共通にみられる。明療な微細構造の欠如から、HMMCの電荷移動励趣吸収帯が励起子（電子と正孔の東縛状態）によるのか、バンド間遷移によるのかすら明確ではなかった。そこで、詳しい情報を得るために、Pt－Brの吸収スペクトルの電場による変化を、電場変調反射測定により観測した2〕。　図2－b）に電場による吸収変化（△ε・）のスペクトルを実線と破線で示す。ここでε肋ヨ電場の方向、光の偏光方向は、共に鎖軸方向に平行である。どちらかが鎖軸方向に垂直な場合、吸収変化は観溺されない。図2一（b）から容易にわかるように、△ε。の構造に電場に依存したエネルギーシフトは見られない。もし電荷移動励起吸収帯がバンド間遷移によるものであれば、Frantz－Ke1dysh効聚により竃場の強度に依存した大きなエネルギーシフトが見られるはずである。これは実験事実と矛盾する。　図2一（b）で点線で示されたスペクトルは、ε。のエネルギー微分（dε呈／dE）である。これを△ε。のスペクトルと比較すると、両者は、Aで示された構造を除き互いによく一致する。このことは、△ε・のスペクトルが電荷移動励趨吸収帯の一様な低エネルギーシフトと、Aで示される電場誘起吸収帯の発激こよることを示している。さらに△ε。の大きさは、電場の強度の2乗に比例している。これらのことから、電荷移動励起吸収帯は奇のパリティーをもった励起子、電場誘起吸収帯は光学禁制な偶のパりティーを持った励起子に起因し、電場効桑のメカニズムは、図3のような竃場による爾準位の混合によると考えられる。　摂動による取扱によれば、奇励起子のエネルギーシフト量は、△E。＝e呈F2r2／（E。一E。）、偶励起子の得たδu」くo一（o） Pt－Br15 77K“PllohOin105c（b）黒→　｛Pll〔1〔hoin15F言13舳Wom6（Ar’…F＝信洲1〔m10 凧5 2（O 洲’、　、一’Cノトノ≠’一5 一 一2（’f一一10 刈〔一15 一6〔1 2 36040言20　山　i　O、　しu　’0－20刈O－60　エ　ネ　ル　キ　■偶脇起予一一rド巨e葡励起子　　　荷　　　移　　f。動　　　励　　　起墓慮状態1熱＝制×↑△E。　↓△巨o冒く午容f。　　　　F＝O　　　　　　F≠O　　　　　　　　　　偶、奇脇起子が橿合図3　励起子準位に対する電場効果表1　励起子エネルギーと振動子強度Eo　　　　E筥　　　fo　　f．o　　　　　PHOTON　ENERGy　くeV〕図2　Pt－Brの（・）吸収、（b）変調（実線、破　　　線）、吸収の微分（点線）スペクトルPt一α　　　2．74eV　3．28eV　3．0　　5．3Pt一】3r　　　　1，77　　　　　2，23　　　　　4，0　　　10．2Pt一工　　　　1，22　　　1，46　　　6，4　　10－0（4〕振動子強度（△f。）と奇励起子の振動子強度（f。）との比は、△f僅／f。＝E直e2F2r！／E。（E。一E。）2と表せる。ここでFは電場の強度、E。（E直）は奇励起子（偶励起子）のエネルギー、rは奇一偶励起子閻の遷移双極子モーメントである。△軋と△f・／㌔の値は、△ε・のスペクトルからそれぞれ独立に得られる。双方からrの値を計算すると、それぞれ9．5，8．9Aとなり、互いに良く山致する。よって、上記の解釈が定量的に確認された。rの値から得られる奇励起子から偶励起子への遷移の振動子強度（f邊。）は玉O．2と非常に大きい値である。Pt－Brのハロゲン置換体Pt－Cl，Pt－Iにっいても同様な結累を得た。結果を表1にまとめた。　電荷移動励超吸収の近傍に他に強い吸収帯が存在しないので、上記の結果から考えて、三次の非線形光学効果に大きく関わっているのは、基底状態、奇励起子、偶励趨子の三準位であると考えられる。三準位を考慮し、表1のデーターを用いれば、三次の非線形感受率は、簡単な摂動による取扱で計算できる茗〕。ただし、簡単のために、非共鳴の場合について計算し、線幅、縦、横緩和は無視した。他の一次元物質との比較のため三借波発生の感受率λ｛3〕zzzz（3ω、ω、ω、ω）を計算した（鎖軸方向がz軸、わωは入射光のエネルギー）。結果を図4に示す。図4で基本波、二倍、三倍波共鳴近傍でκ㈹が発散しているのは、線煽、緩和を無視したためである。　図4からわかるようにλ㈹は10…1空～10■畠esu穫度の値をとることがわかる。比較のために特にπ㈹が大きいとして盛んに研究されているポリジアセチレンのPTS（●）、TCDU（○）単結晶についての実験値4〕を図4に示す。RMMCについての計算値は、これらの物質にまさるとも劣らない大きさであり、これは、HMMCが新しい三次の非線形光学材料として大きな可能性を持つことを示している。　HMMCでは、独特なフォトクロミズム引も観測されており、光メモリー等への応周も期待される。さらに側鎖分子の置換の自由度が大きいため、光、温eS　u3c×lO’e10’91O－10lO■11告PトBr○　　　　　　をp　t－Cl　　　　0　　　　　　1　　　　　　2　　　　　　3　　　　　　　　　　　　刊ω　　　（eV）　　　図4　Pt一α、Br，Iの三次の非線形感　　　　　　受率度、電場等の外場に対する応答性（分極、構造変化、電荷移動等）を持った働鎖分子の導入が可能であろうと考えられる。よって、主鎖一側鎖の相互作用を通じて、主鎖の光機能（非線彩性、フォトクロミズム等）に環境応答性を付加したインテリジェント材料としての展開が期待される。＜文献〉1）Y．Wada　et．al．，J．Phys．Soc．Jpn．54，3王43　　（！985）．2）Y．Wada　et．al．，Phys．Rev，B，in　press．3）Y．R．Shen，uThe　Princip王es　of　Non互inear　　Optics”，（John　Wiley＆Soηs，王984）．4）C．Sauteret　et．al．，Phys．Rev．Lett．36，956　　（！976）．5）N．Matsushita　et．a1．，J．Phys．Soc，Jpn－56．　　3808（ユ988）．※投稿登録番号 題　　　　　　　　　園 発　　表　　者 掲載誌等2342 Preparation　and　Crysta1Strauctures　of 岡井　敏・筒橋　恒 Mat．Res．Bull．Some　Compiex　SuIphides　at　High　Pres一 佐伯　昌宣・吉本次一郎 23，！1．1575．1988一SureS2343 Preparation　of　the　Trans王ucent　Sr珪＿■Bax 渡辺　明努・羽日ヨ　肇松日ヨ伸一・守吉　佑介Sinteri㎎’87Nb．O．Ceramics臼崎信一・山村　　榑926．1988．2344 HIP　of　Zn2Ti〇一Prepared　by　Coprecipita一 渡辺　明努・羽田　　肇守吉　佑介・白崎　信一Sintering’87tion　Method 785．！988．山村　　博2345 ダイヤモンド薄膜の合成 力邊茂睦和 砥粒加工学会誌33，2，2．1989．（5〕登録番号23462347234823492350235123522353235423552356235723582359236C2361236223632364236523662367236823692370題　　　　　　　　　目超電導電子顕微鏡Sintering　of　Yttrium　A1uminum　GametR蘭TAN　A　Soft　ware　Package　for　theRietve1d　Ana1ysis　and　Simuiation　ofX－Ray　and　Neutron　d岨raction　Pattems第9回ヨーロッパ電子顕微鏡会議報告New　mgh－Tc　Superc㎝ductors　Witho砥tRare　Earth　ElementTc＝113K　Bi－Based　Superconductor　Pre－pared　by　Doping　F1uorineP・・p…tio・・fS・p・・…d・・ti・・！Bi，Pb）・Sr－Ca－Cu－O　Thick　Fi王ms　by　Rap－d　Quen・ching表面・界函にまつわるミステリー医用セラミックスPressureless　sintering　of　Tic－A120且com－positesSintering　of　ZrC－A120ヨComposites割れ破壊の遼度論E王ectron　Di旅action　and　MicroscoPeStudy　of　Ba－Nd－Cu－O　SuperconductingOxides　and　Re1ated　CompoundsKohn－Sham　density－functicnaI　approachto　dense　magnetic　po王arons　in　magneticSemiCOnduCtOrSNeutron　Powder　Diffraction　as　a　Practi－ca王Means　to　Study　SuperconductivityDeveloPment　of　Composite　Micros－tructure　Durin暮Liquid　Phase　Sinteringof　Si王icon　Nitrlde電子欠乏または過剰の黒鉛類縁化合物の設計EUREM88印象記ハイテク型と大艦巨砲型Oxygen　Deficiency　and　Crystal　Chemis－try　of　T”一AA’CuO｛OxidesPhase　Re1ations　of　Hexagonai　and　CubicPhases　in　Holmia－BDped　Bismuth　Ses－quioxide，Bi2＿。。H02．Oヨ（x＝O．205－O．245）Metal　Ordering　and　oxygen　Displace－ments　in（Nd，Sr，Ce）2CuOHNeutron　and　E王ectron　Diffraction　Studyof　the　Electron－Doped　SuperconductorNdl．富補Ceo．I55Cu04－y高周波熱プラズマの発光分布測定Synthes｛s　o｛Sintered　Diamond　with　HighHardness　and至TS　Properties発　　表　　者堀内　繁雄羽田　　肇・渡辺松日ヨ　伸一・酒井自崎　信一・山村泉　富土夫板東前臼ヨ蘭中福富浅野戸叶熊倉堀内野崎松井下村関竹中猪股門問石垣守吉石垣守吉酒井猪股松丼丼伊梅原明勇利和　博義雄　弘・上原　　満吉秋・池田　省三勝夫・小川　恵一稔久・堀内　繁雄］正・松丼　良夫浩明繁雄・正田　　蕪潜司・小野臼ヨ義人良夫周一・高橋紘一郎裕之・坂田好一鄭　正吉三英毅隆正・佐藤佑介隆正・佐藤佑介・佐藤利和吉三良夫・竹川伸夫雅捷泉　富土夫三友　　護仁俊仁俊忠夫俊二佐々木高義松井　良夫困申　高穂室町　英治・内囲　吉茂小林美智子・加藤　克夫渡辺　日召輝泉　竃士夫・浅野室町　英治・秋光藤森　　淳・澤神山　　崇泉　富土夫・松弗高木英典・内田十倉好紀浅野　　肇石垣　隆正・守吉赤石　　實・山岡田申　順三・大沢福長　　脩　肇　純　博良夫慎一佑介信夫俊一掲　載　誌　等医学のあゆみ！49，4，222．1989．Sintering’871，381．1988．The　Rigaku　Journa16，　1，　10．　1989．電子顕微鏡23。争，2垂9．1989・PhyslcaC！53－155，602．1988IJpn．J．App1．Phys，28，4，L621．！989．JPn．J．ApP王．Phys．28，4，L6！2，互989．表圃技術40，3，46．！989．医科器械学59，3別冊三142！989・J．Mat．Scl．Lett．8－678’989・Smter1ng’871，453．1988、表面科学！0，　3，33．　1989．Jpn．J．App1－Phys．26，王O，L1693．1987．Phys．Rev，B39，！0．7101．1989．ISTEC　Jouma王2，！，28．1989，SoIidificatio恥Processingof　Advanced　Materials321，　互989．化学と工業42，6．1067．1989、表面科学10，4，83．1989．応用物理6，940，互989．Physca　C158，449．1989．So1．St－Ionics34，35．1989．PhysicaC158，　440．　1989．PhysicaC158，　433．　1989．電気化学および工業物理化学57，5，438．！989．Proc．至nt’王．Inst．Sci．Sint．Symp．1，545．1988（6）登録番号237123722373237423752376237723782379238023812382238323842385238623872388238923902391239223932394239523962397題　　　　　　　　　目超高圧焼緒Studies　on　the　oxidation　behavior　ofsintered　si｝icon　carbide　ceramicsLatera王　Control　of　Impurity－InducedDisordering　of　AiAs／GaAs　Super1atticeZinc　Oxide　Varistors　Made　from　Pow一軒轄郷脇鵠eP「ocessingマクロとミクロの組織学Profiie－Imagi㎎of　Wavyαeavage　Sur－face　of　Bi－Sr－Ca－Cu－O　SuperconductorbyH填h－Reso王ution　Transmlssion　ElectronMlcroscopyInteractions　among　magmas　and　rocks　insbductiOn　zone　「egions：　exPe「imenta王studies　from　slab　to　mantle　to　crustPro釧e－Imaging　of　Wavyαeavage　Sur－face　of　Bi2Sr呈CaCu里Oy　by　High－Reso互ution　Transmisson　E1ectronMicroscoPyNew　Barium　Tantalum　Sulphides　Part2，Ba彗Ta空S呂夏ntrinSiC　and　eXtrinSiC　CathOdO王umineS－cence　from　sing玉e－crystaΣdia㎜onds笑灘左賭m段柑堺OSitiOnニューセラミックスの機能と微細組織一透過電顕観察を中心として一Preparation　and　Characterization　of叩bVS宮”a　New　Composite　LayeredCompoundFZ法のための高周波発振機出力安定化装置の開発High　Fie1d　Magnetization　of　Sing王e　Crys－ta工s　YFe．O。，YbFe20．and　L口Fe．O．Two－Di㎜ensiom1Magnetic　Order　inHexagonal　Lufe！Oヰ窒化ホウ素hBNからcBnへの衝撃波合成光学的機能材質としてのcBN新素核セラミックに関する実習の展開脇榊嵩e鍛総、、ぎ㌍至鳩9・RF　Therma1Piasma　and　Its　App王icationto　Ceramic　processingPreparation　and　Physica王Properties　of（Bi，＿xLnx）2．2Sr、．目CaCu20y　（Ln竺La，Prand　Nd，x≦0．25）On　Hydraulic　Calcium　PhosphatesOxygen　Deficiency　in　the　Electron－DopedSuperconductor　Nd2＿亜Ce．C1ユO。＿y機能の最小拳位を探る…索機能　一セラミックの粒界一Rb＋and　Cs＋Incorporation　Mechanismand　Hydrate　Str口cture　of　LayeredHydro鵬Titanium　Dioxide発　　表　　者赤石　　實・若槻長谷川安利・広E臼川辺　光央・横山池E日　雄二・南日小川　和夫・板東白石　　俊菱田　俊一・銚白崎　僑一加茂　睦和松井　良夫・小野朝倉健太郎松井　良夫・前蘭田申　吉秋・堀内雅男和土　新康勇義雄　尭　晃　弘繁雄P．J．Wylli・M．R．CarrollA．D．Johnston・M．J．Rutter関根利守・S．R．Vanderlaan松井　良夫・前田　　弘囲中　吉秋・堀内　繁雄小野［日みっ子・佐伯　昌宣A．T．Collins・加茂　睦和佐藤洋一郊中沢　弘基松井　良夫後藤　義人・小野日ヨみつ子後藤みどり・大沢　吉直大谷　茂樹・蘭中　高穂石沢　芳夫飯困　潤二・申」l1康昭剣I1　滋1竹川　俊二木戸　義勇・君塚　　昇飯日ヨ潤二・中川　康昭船橋　　達・竹川　俊二君塚　　昇関根　利守江良　　暗長谷川安利・瀬戸口正明君塚　　昇・毛利　尚彦中村真佐構石垣　隆正千　　正男・岡丼　　敏囲中　順三・野崎　浩司太田　正垣・松永　正久門聞　英毅室町　英治・泉　富土夫内困　畜茂・カ簑藤　克夫浅野　　嚢堕中　煩三佐々木高義・小松　　優藤木　良規掲　載　誌　等セラミックエ学ハンドブック667．　1989．Cer盆mica34，226，　172．　！988．N㏄．Inst．Methods　Phys．Res．B39，　441．　1989．J，Am，Ceram．Soc．72，2，33§，1989日本金属学会会幸良28，6，483．　！989一金属ユ2，　96，　互988．2nd　Workshop　on　High－Te叩e・at・・eS・pe・co・一ductmg　E1ectron　Devices341．　1989．Eur．J－Mineral！，　165．　1989．Jpn．J．App1．Phys．28，　6，　946．　1989．Mat．Res．BulL24，　5，　625．　1989．J，Phys．：Condens．Matt．！，　4029，　玉989．臼本結晶学会誌3王，2123、工989．Eヨ本結晶学会誌31，2，56，王989．Chem，Lett．1281．　1989．Eヨ本結晶成長学会誌16｛99．！989・PhyslcaB！55，　307．　1989．J．de　Physique　Co11oqueC8，Supp王．12，49．1497．1988．セラミックス24，6，548，互989．セラミックス24，　6，　544．　1989工業教育725，　］一46，　ユ，　1989．J，So互id　State　Chem．8王，70．　1989．FC　Anma王Report31．　1989．Jpn，J，App1．Phys．28，7，L1131．1989．MRS　Ist’王．Mtg．on　Adv．Mats，！3，　！5．　1989．PhysicaC至59，　634．　1989．NEW　CERAMICS2，9，90，工989，Inorg．Chem．28．2776．1989．（7）登録番号23992400題　　　　　　　　目Preparation　of　Zn．TiO’　by　co－prec1pitation　method　and　hot－isostaticP「esslngA　New　FamiIy　of　Superconducting　Cop－per　Oxides：（Lnl＿xCl、）。（Baエ＿。Lny）。CuヨO1o一占（Ln：Nd，Sm，Eu）　　　　☆　M　E　M　O　☆運営会議　7月16日、第ユ16回運営会議が1）平成3年度予算概算要求にっいて、2）再編成研究グループの研究課題についての議題で開催された。研究会　7月19日、第42回高圧力研究会が「中国における超高圧利用研究及びダイヤモンド合成研究の発展と現状」の議題で開催された。　7月23日、第2回単結晶化研究会が’「通常の酸化物と高Tc酸化物の組織構造の特性」の議題で開催された。　8月1日、第4回結晶構造解析研究会が「高温超電導体の電顕観察」の議題で開催された。海外出張　第3研究グループ総合研究官猪股吉三（団長）、第9研究グループ総合研究官貫井昭彦、第1研究グループ主任研究官羽田肇、管理部技術課長今野重久は、アセアン科学技術協力に関し「マレイシアファインセラミックス（特性解析）研究にかかる調査団員」として、平成2年7月8日から平成2年7月15日まで、マレイシア国へ出張した。　第ユ5研究グループ主任研究官岡村富士夫は、「第12回国際科学技術データ委員会総会で招待講演及び大学を訪問し、研究打合せ及び調査」のため平成2年7月13日から平成2年7月24日まで、アメリカ合衆国へ出張した。　第8研究グループ総合研究官佐藤洋一郎は、「国際炭素会議及び日仏セミナーで講演及び大学を訪問し、研究討論」のため平成2年7月16日から平成2年7月27日まで、フランス国へ出張した。　第ユ1研究グループ主任研究官山本昭二は、「第15回国際結晶学連合国際会議で論文発表及び衛星会議で講演」のため、平成2年7月18日から平成2年8月渡辺守吉山村澤秋光堀内発　　表　　者明男・羽田　　肇佑介・白崎　信一　博　博・小原和彦　純・松井　良夫繁雄掲　載　誌　等J．Mat．Sci．24，　228ユ，　ユ989．J．Phys．Soc．Jpn．58，　7．　2252．　1989．4日まで、フランス国へ主張した。来訪　7月5日、国務大臣大島友治科学技術庁長官の訪問があった。て桑勾如超高分解能超高圧電子顕微鏡を御視察の大島科学技術庁長官外国人の来所7月9日　ロミイリョ・タルケ　ホセ・アントニオ　　　　　キューバ国エチェヴェリェエ科大学総長7月9日　ジョウジ・ロゼッティ　三菱化成㈱総合　　　　　研究所研修生7月19日　葛　清泉他3名　中国成都科学技術大学　　　　　高温高圧物理研究所所長他7月26日　L．H．Cao他22名　中国Nationa1Lab，of　　　　　Advanced　Tech．，Wuhan　Univ．ofTech．　　　　　他7月27日Justine　Davies英国University　of　　　　　Sheffie1d　Schoo1of　Materia1s7月30日　チョッカ　ジュセッペ他1名　イタリア　　　　　政府石油公団総合研究所在日連絡事務所8月7日　金　蚊榮　韓国動力資源研究所鉱物研究　　　　　室長発　行　日編集・発行平成2年9月1日　第ユ23号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATRIALS〒305茨城県つくぱ市並木1丁目1番電　言舌　　0298－51－3351（8〕