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無機材質研究所

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[無機材研ニュース第76号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/6f053270-927e-4c2c-bf92-e38286ae6514)

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無機材研ニュース第76号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆Eo一垣o］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo一垣oO］’oo’0E0工oooωo〇一10－〇一ω○血眈Eo．但≧里三…ω…Z－o○眈］○工←．撚’　　」饗 ．一76 旦立方晶窒化ほう素の新合成法一衝撃加圧法による菱面体晶BNの直接変換一　立方晶BN（以下cBNと記す〕は，ダイヤモンドに次いで硬く，高温下で，鉄系金属に対して，ダイヤモンドに無い優れた耐蝕性を示すために’，これを素材とした，研磨，研削工具の市場は洋々としている。57年　BNには四つの変態がある。cBNは，ダイヤモンドに似た結晶構造の高圧安定型の変態であり，常圧下で合成される六方晶BN（hBN）を，高温高圧に晒すことによって合成される。hBNとcBNの平衝圧は，1500℃において，約4．5GPa（1GPaは約1万気圧）である。しかし，hBNが，直接、cBNに転移する圧力は，これよリ逢かに高い。1957年，GEのグループによるcBN合成の成功は，適当な触媒の発見によって，合成圧が，平衡圧附近まで，引下げられたことによる。それ以来，当研究所で開発されたアルカリ土類金属のほう窒化物を触媒に用いるなど、cBNの合成は，ほとんど，この触媒法により，静圧下で行われている。　hBNが，直接、cBNに転移し得る圧力を発生する手段として，動的加圧法がある。物質に衝撃波を与えると，衝撃波が物質中を通過する過程で圧縮状態が起る。この圧縮状態は，μ秒（百万分の一秒）程度の瞬間的なものであるが，100GPaの超高圧を容易に発生出来るので，実験的手段から，工業的手段として利用されつつある。　このような短時間に終る圧縮状態下では，その物質を構成する原子の自由な移動，すなわち拡散を伴う結晶格子の組替えが起るに充分な時間が無い。このため，隣接原子が互いに何らかの連繋を保ちながら，原子配列が変化する，いわゆるマルテンサイト型転移により高圧型構造に移行する場合に，有利な手段となり得る。衝撃加圧によるcBNの合成を可能図1　新合成法により得られたcBNの電顕写真（×lO，000）（1）にするポイントは，このような型の転移が可能な構　　て金属板を飛ばし，試料容器に衝突させ，試料申に造を持つBN原料を蒐い出し，それを含成するこ　　平面衝撃波を通過させる方法（ニュース第48制こ詳とにある。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　しい）である。試料に与えた圧力及び濫度は、稚定ところで常圧相酬には，通常得られる六方晶BN（冊N）　　値で40～100GPa及び2000℃である。rBNおよび他の他に，菱面体晶BN（rBN）の存在が予想されて　　のBN原料を衝撃加圧した結果を要約すれば，いた。両者は共に，黒鉛に似た層状化含物であリ，　　　（1）rBNはcBNに転換するが，wBNには変らない巾BN原子の六角網平繭が弱い緕含力で穣璽った構造　　　12〕bBNはwBNに転換するが，cBNには変らない。であるが，層の積み重なつ方が異っている。図1の　　　13〕結晶性のよい原料からは，維晶性のよい商圧左に示すように，hBNは，網面を構成する原子と　　　　梱が得られる。原子，穴と穴が上下に璽な一），二層ごとに繰返す魔　　　（4〕稜層周期の乱れたBN原料は，一部c酬に転換期構造をもつのに対し，rBNは三鰯周期であり，積　　　　　するが，転換率は低い。層様式が冊Nと異っている。図のrBNを，上下方向　　　用いた温度圧力では，cBNが熱力学的安定梢であに圧縮すると圃時に，B原予（黒丸）を」二方に，N　　ることを考えると，（1）の緒果は当然であるが、（2〕で原子を下方に変位させれば，層間にも強固な結含力　　は，準安定梱であるwBNのみの坐成が蒐られ，無（sp34繭体結含）を生じ，cBNの構造が得られる。　　拡敵転移が支配的であることを示している。13〕は，また，肥Nに同様の操作を加えれば，他の萬圧相である　　結晶性のよい原料ほど，この傾向が強いことを示し，ウルツ鉱型BN　（wBN）の構造が得られることは　　（雀）は，格子の級替が起リやすい原料は，安定相に転容場に理解できよう。　　　　　　　　　　　　　　　移することを示している。　このようなr13N→cBN，hBN→wBNの構造上の　　　これらの結果は、無拡散転移の様相をよく表わし対応関係は，無拡敵型転移のし易さにおいて，理想　　ている。したがって，良質なCBNを得るには，緒晶的な関係にあると書える。　　　　　　　　　　　　　性のよいr酬を用いる必要があると結論される。　wBNは，cBNに匹敵する破質材料として，工薬　　　黒鉛→ダイヤモンドの転移においては，BNのよ的に生産されているが、これは衝撃加圧によるhBN　　うな幟造上の対応関係がなく，緕1繁格子の大巾な総→wBN転移を利用している。　　　　　　　　　　替を伴うと考えられる。当所第8研究グループでは，　一方、rBN叫cBNの転移は，rBNの含成が困難で　　この考えに基いて，BNの場含とは逆に，むしろ緒あったことが主な理由で、まだ確認されていなかっ　　晶性の悪い炭素を原料にし，拡散の起りやすい条件た。最近，当研究所において，rBNを純粋な形で含　　を作リ出すことによって，ダイヤモンドの収率を上成することに成功し，これを用いてcBNの合成が実　　げた。行された。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　rBN叫cBN転移の実験に成功したが，原料と　原料のrBNを，圧カ媒体及び冷却媒体である鋼ま　　なる良質なrBNの合成法の開発が今後の課題でたは鉄粉と混含し，ステンレス容暑器に抑し詰めた。　　ある。衝撃加圧は飛行板法によった。これは，爆発によっ　　　　　　　　　　　　　　　　　f。　　　　　　　　　　　　　　　蹄　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　；仁三11、一ふr圓凹。／，で　　、・　　↑！、＿紬h目N○島｝　。／日o刊図1　BNの四変態（2）LiNb03－KNb03系とLiTa03－KTa03系の誘電的性質イオン伝導の立場から　返年，光通信技術の闘発・応用研究の立場から、さらには光メモリー一光による情報処理等に関する基礎的研究の立場から，電気光学効果を示す各種の結晶が注冒されている。イルメナイト型化含物であるLiNbOヨ，KTa03は、ともに誘電体であり、上喬己のような非線型光学縞縞として，あるいは電気音饗変換材料として多く研究がなされている。又この二つの化含物の閲には，いくつかの化含物が存在するが，それらの一つに電気機械緒合定数とその温度依存性のすぐれているBNN，SBNと岡構造をもっ化合物K2L岨a50：5（KLN），K3Li2Ta5015（KLT）が存控する。この化合物についても，上言己材料と1司じく非線型光学材料あるいは電気音饗変換材料としての研究がなされている。とりわけVan　Ui之ert，Fukud会らは引き上げ法で糺N，KしTの大魏の単緒晶を育成し，その構造と誘電的性質を詳細に・轍背している。この化合物には級成比が3－2－5－15よりずれた，各イオンサイトが不完全にしか山有されていない圃溶頒域K3．詞Li2皿bNb（Ta）彗イO15－d（KLN，KLT）が存在するが，特にここではこの組成比のずれカ溺電的性質に与える影響を誘電率，誘電体捜，Li一核磁気共鳴の緩和時間を損1淀することにより明らかにした。　誘電率，誘電体掻の測定は，30Hz～！MHzの馬波数，500一工100Kの混度領域で行なった。得られたデータは特・異な燭波数分敵を示すが，それを被葉インピーダンスに変換し，インピーダンスプロットすると、図1のようになる。これらのデータは，瀞度に関係なく原点を通り，実轍よりKLNについてu二KLTにっいて1ヅ中心が傾いた円孤の上にのつ，低鰯波域で再び立ち上がりを示す。この電気的振舞は現象論的には，R－C並夕1」回路を2つ直列につないだ図2に示すような等価回路によつ説明されるが，この一方が円孤の周波数・域を，他方が低鰯波域での立ち上がリを表わしている。このような円孤を揃く振舞は、複数誘電率でのコール・コールプロットに獺似しているが，今の場含はプロットが複数インピーダンスについてなされており，この両者の閲には何らの互換性も存菊三しない。このインピーダンスの振舞は形式的にZ（ω）・・［G、、一jω・C（ω）］皿1で表わされ，ここでC（ω）はキャパルタンス（虻Cv）でB・（jω）n…1に等しく，Gvは導伝率の直流成分に対応している。これと同様な分散は，命までにいくつかの物質で観測されているが，MHz以下の低周波域での分敵であるという一迎からこの分’数はイオンの動きに特有なものと思われる。従ってGvはイオン伝導に関連させられるが，C（ω）の燭波数分散を明確に説粥する理論は未だないように思われる。このように、上記の円孤を描く振舞がイオン伝導によるものとすると，低鰯波域での立ち上がりは，イオンブロッキング電極（今の場含PtとAu電極）での空閲電荷層の形成に対応している。　Gvの逆数即ち紙抗率の温度依存惟を図3で示してあるが，これからKLNに対してO．73eV，KLTに対してO．80eVのイオン伝導の活性化エネルギーを得る。この活惟化エネルギーは超イオン伝導体に比べて必ずしも大きいとは言えないが，導電率そのものは趨イオン伝導体のそれに比べてかなり小さい値を示している。3－2－5－15に近い総成ではさらに図1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　3　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1．8xlO　　　　　　　　　　　　　RO　K3LiNb601フ（左）とKヨLiτa6017（右）のインピーダンス・図中の数字は測定周波数を，Roは直流抵抗成分を示す。フロツト。（3）導電率が小さくなリ，このことは，Liイオンの伝導が空のサイトを通しておこっていることを示唆している。又，単結晶を照いた測定によれば、緒縞の方位依存性は小さく，イオン伝導が3次元的であることを示している。　図垂にKLNのLi－NMRの緩和時閥の温度依存性が示してあるが，図申でTiはスピンー格子緩和時閥，T2はスピンースピン緩和1痔閲である。　（KLTについても圃様の緒果を得る。）これらの緩和時閥はパルスNMRを用いた，誘起磁気モーメントの禽歯滅糞蔚線（FID）より求めたもので，図中Ttで示した温度の上下で緩和時閲の振舞は著しく変化する。　（TtはKLNで550K，KLTで650Kである。）　Tt以下での緩和時閥はほとんど淑度に依存せず，これを核スピンをもつ不鋤格子点（Nb，Ta，u）とLiイオン核との双極子緒合による緩和であるとすると，比丁2（KLN）／T・（KLT）の計算値は8．0になる。実験的にもとまるこの比の値は6．6であ一），この醐者の閲の一致は比較的よく，このことよりTt以下での緩和の大部分はLiと近接するNb，Taとの閥の双極子縞含によるものであると総論される。これに対し，C　　　　　　　Cv　　　　　　　　　eG　　　　　　　GV　　　　　　　　　e図2　等価圓路1二舳100　／1’O・5　　　　　1，0　　　　　1．三　　　　　　！．O　　　　　呈．三　　　　　　　　　ヨ　　　ー1　　　　　　　　　工o〃帖　，図3　K3LiNb60！ア（o）とK3LiTa601水口〕の　　log（TGv）■L103／丁。　　③は単結晶　　Kヨ5Lil．5Nb5015にっいての結果。Tt以上ではTl，T2ともに活性化エネルギーをもって槻度変化するが，この系が，イオン伝導を示すことを考癒すると，この綴度域での緩和は動きまわるイォンによる動的遇程によっていると譜棚される。従って動的緩和に関するBPP理論から，　イオンの動きまわる活惟化エネルギーとして，KLNについてO．29eV，KLTについてO．33eVを，又その溺波数（Attempt童reque打cy）としてそれぞれ2一ユX10f　Hz，6．8×10日Hzを得る。この活性化エネルギーは，先に求めたイオン伝導の活性化エネルギーの2／5しかなく，又attemtfrequencyも光学フォノンの振動数，IO亘2Hzに上ヒペはるかに小さい。NMRで鰍輿11されるイオンの動きがイオン伝導のそれと圃じである蹄には，この爾老の活性化エネルギーは一致し、多くの場含，attempt　freq鵬ncyも光学フォノンの振動数に近い値を示すはずである。この畿より、この系のNMRで観濁されるイオンの動きは、イオン伝導に関連する長距離の動きとは同一でなく，繍銘構遼から予想される比較的短距離の動きに対応しているものと思われる。しかしこの葎輌者の動きは独立なものではなく擦搬離の動きは授距離の動きの一つのステップであると予想される。　以上のように各イオンサイトが完全に占有されていないタングステン・ブロンズ型の繍銘構造をもつKLN，KLTについては，uイオンの伝導（長艇離の動き）とその一つのステップとしての短瀕難の動きが存在し，特に前者がこの物質の誘電的性質に影響を与えることを明らかにした。これは，岡様の繊造をもつBNN，SBNと著しく異なる一［紅であ1），又イオンの動きが空のサイトを遜して起こることにより，この系の電気光学緒騒，電気音響変換葉二戸等としての研究を行う瞭に，材料の不定比惚こ充分の配慮を払う必要があることを示している。宝　　　　　　　10〃　　岨　i図4　K3LiNb6017のTl，↑2の温度依存性（4）SiCの（OO01）面上のねじれ粒界　原料粉未をうまく焼結させると言う技術は，セラミックエ学上非常に重要な研究テーマの一つである。時にSiC，Si・N・と言った共有結合性の強い非酸化物セラミックスは，酸化物系化合物のそれとは本質的に違った焼結上の間題点を含んでいるものと考えられる。焼結問題を論じる場合，一般論として三次元の粒界・界面での話を進めなければならないが，複雑な三次元の粒界現象をここでは単純化して二次元のものに置き換えて考察しようと試みた。何故なら，’結晶粒界の接合問題を二次元的に取り扱うことによって，三次元の粒界問題を解釈する為の糸口が得られるからである。二次元粒界の試料としては，　（OO○ユ）面で互いに平行に接合したSiCのBicrystalを取り上げた。このBicrystalは個々の板状結晶が成長の過程で偶然に（OO01）面を揃えたというだけのものではなく，　（0001）面を共有して両結晶がしっかりと結合を形成しているものだけを選んでここで（a〕（b〕取つ扱うこととする。　研究の対象としたSiC単結晶は2500℃のLely炉内で成長した板状結晶群の中から採集した。SiC結晶の合成に際しては，原料及び炉内雰囲気の高純度化に注意し，成長する結晶内に不純物が混入することを出来るだけ避けた。何故なら，不純物が粒界面に及ぽす影響が非常に大きいからである。こうして得られた高純度SiC単結品群の中から，その一例として2個のBicrystalの顕微鏡写真とX線カメラ法にて撮影した（OO0！）面の回折図形を図1及ぴ図2に示す。図2はプリセッションカメラにてμ＝20。にて撮影したものである。図1の（a）・（b〕の各試料に対して，図2の（a）・（b）が対応したものである。図2のθにて表示された角度は，Bicrystalの（0001）面における両結晶のねじりの角度である。Bicrystalへ㌻メ　＼　　　（・）　　　　　　　ol．　　　　　　l　l　　㌻、∴／∴．図1　二つのBicrystalの顕微鏡写真，夫々の　　ねじれ角度は（a〕がll．〔b〕が2．3。である。　　　　　　　　　（b））・一図2　SiC　Bicrystalのプリセッション写真。　　図1の（a），（b〕がこの図で（a〕，（b〕の写真に対　　応している。（5）を形成する緒晶（I）と緒属（I五）は，ほぽ平行に（000ユ）臓を揃えているが，申にはCI〈CH＝プつまリ互いの（OO01）繭の傾きが約7度近くのものも存准する。CIとCHの角度は9として表示した。表1には，これまでに得られた6個のBicrystalについてのθ。と9の値カ｛表示されている。　ここで，模式的に二つの六方格子網繭が（OOOユ）を乎行にして璽な1）含った場含を考えてみる。互いのプ市格子は原点を共有して〈0001〉方淘に固転軸を有し，亙いの格子点が全く重なり合った位激からスタートして上又は下のどちらか一方の網爾のみを徐々に固転させることを考えてみよう。そうすると上下の六方格子が完全に重なり含っている格子一蚊一これをここで璽含一煮と称することにする一が，固転角度θの値に応じて不連続的に出現することが分る。　表1綴察される6個のSiCBicrystalのデーターθ。　　θ。　g　　Schlafli’s　symbol2ユ．79．22．1．6「3，61［713，61］w曲（批，功＝（3，1）17．9ポ18、ポゴ　13，61［3113，61］with（批，切＝（6，工）工9．6ポ玉9．プ　O．13，61［王0313，61］w虻h（眺，ψ＝（n，2）ユO．9ヅ王1．ゴ0．13，61［ユ0913，6口with（〃，砂）＝（12，5）17．2ポユ7．ポ7竈13，6け27713，61］with（批，功＝（19，7）23，71．23．ブo．13，61［37913，61］with（砒，〃）＝（22，7）表2　（OOOl）面のねじれにより生じる璽含点の超格子（弘〃）　及ぴその時のねじれ薦度θと璽合点の密劇／nの値（〃，め　　θ、（o）　　　］一／弼　　　　（〃，功　　　θc（o）　　　1／〃3，14，15，26，17，37，ユ8，39，49，29，ユ！0，310，工u，51！，3！0，212，513，612，ユ！3，4ユ3，314，513，！14，315，715，4ユ6，715，221．7927．8013．！717，909．4315．1816，437．3424．43u．6堪26．0！10，426．0129．4ユ19．65ユ0，995，098．6ユ25．0425．46！8，737．9323．48珪．4129，848．2614．11！／7ユ／工3！／ユ91／311／37ユ／431／雀91／6ユ1／67ユ／73！／79工／gユ1／gヱ1／971／！03！／1091／工27！／1331／！331／139！／1511／1571／163！ノ1691／18！！／1931／19915，1！6，317，8！7，617，5！6，1玉7，318，717，218，519，919，7！9，619，420，918，119，321．1021，819，120，321，522，92！，422，723，！16．8420，323．89！9．2726，756．40！9．0314．6212．3628，783．48！7．2824．0223，046，615．6716，893．1515，655．3615．9926，351ユ．9920．6723，712．881／2ユ1！／2！7！／217！／223！／229ユ／24ユ！／2471／247ユ／2591／2591／27ユ！／2771／283！／3011／30工1／3071／3131／33！1／337ユ／3431／3491／36ユ1／3671／373！／3791／379更に，この回転によって生じる璽含一叙のみを注畠すると，これらの璽含一叙がよリ大きな新しい六方格子網繭を形成し，この新しい六方格子は元の六方格子のn倍（nは整数）の大きさを有する趨格子であることが分る。そして，この重含点の単位面穣幾りの密度というものは玉／nという値に上ヒ例した値を取る。しかもこの！／nという値は，（0001）面で接含したBlcrystaiの接合力を梱対的に現わした値と見なすことが出来る。　1／nの値が大きければ大きい緩に8iCrySta1における二つの結晶（I）と（II）の接含力は大きいと見なされる。例えば，緒晶（I）と（II）がθ三〇。（mod60。）で接含した場含，両者の六方格子一削ま互いに究金に重な1）合っていて，n亡1となり，ユ／nの値は最大値の！を取る。即ちこの場合のBiCrySta1は鍛強の接含プ］を発燕する。　ここで，ねじりの固転角度θと璽含一煮の密度（つまり，これはBicrystalの接合力の大きさと劃・換えることが出来る値）との関係を考えてみよう。この場合，重なつ含う二つの六方格子綱繭は互いに全く平行であり，互いに二次元に無限の大きさの格子点をもっているものと仮定するむこの仮定のもとで，」二下二枚の六方格子網繭の重なり含う璽含点の密度（1／n）は，ねじり角度θの函数として計算することが出来る。その蕎十算結果はn＜397の範顕内で表2に与えられ七いる。表申に用いた（〃，0）という記号は，ねじり回転軸に巌も近い重含点の座標を表示している。図3には，ねじり角度θを横軸に，重含点の密度（÷）を縦鋤に取ったときの弼者の欄間礫係が図示されている。この図では，格子点の大き　　　　　　　ねじれ角魔θ図3　（0001）面内のねじれ薦度θと格子の　　重合点の密度との関係図（6）さも考慮に入れて，この問題を取リ扱った時の弼者の関係が図示されている。即ち六方楮予点の’最近接の格子点間隔を1としたとき，各格子点に大きさを与えてその痘径をaで表わすとき、a＝O．06，O．ユO，O．玉5の三種類の場含についての関係が示されている。尚，この図で．叙線で示したものは，上下二つの六方倦子点の球が完全に璽なリ含った時を“格子点が璽なった”と解釈するのに対し，棒線状グラフでは、上下二つの六方格子点が互いに接触したとき，“格子点が重なった｝と解釈して図示したものである。　こうして得られた理論上の計算値θ。と，実在のBicrystaiから得られた実測値θ＾を上ヒ較して気づくことは，表！に示した如く、Bicrystalの実損1j値θ。の全てについて，それぞれに該当する計算値θ。が存在すると言う事である。θ。とθ。のわずかの遠いは，緒晶（I）と（II）の平行函のづれ，つまり9角度の影饗を受けた為に生じたものと考えられる。以上に述べた実験事実から，我々は次のような結論を導くことが出来る。邸ち「六方格子面のねじりにより生じる接含カは，ねじり角度θの連統函数として現われるのではなく，不連続なθの特有値においてのみ生じる」と雷う事である。つまりSiCのように共有結合性の強い物質が互いに接含する為には，接含角（粒界面）が互いに或る特定の方位関係を保たなければならないという事である。図雀には、我々の実測したBi岬S固（θ。＝1ユ．1。，θ。＝ユ0．99。）の場合における二つの重なり合う六方格子網面（△と▲で図示）が（OO01）繭上でねじれることによiつ、どのようにCompoundtesse1iation13，6け10913，61〕，（〃，〃）＝（ユ2，5）を作っているかを具体的に図示したものである。△と▲で賜来た六方格子網面の内，どちらか一方がユ1．99。わじれるとき，もとの六方椿子の109倍の大きさをもつ趨格子網繭が重含点によって出来る様子が摘かれたものである。　φ　　　　　　　　　　　　　　　　　　φ図4　（0001）面のねじれ角度θ＝lO．9ゴにおいて金　　じた重合点が形成すると趨格子と，もとの格子　　（△と▲にて表示）との関係図1特　　許No．60，　61　　　　酸化マグネシウム焼結体の製造法発明者　池上隆康公　告　昭和56隼第18555号登録第1075885号発明者　池」二隆康公　告　昭和56隼第王8556号登　　釜景　　賛茗ユ075888号　　概要　本発明は，電子工業材料，水銀ランプ及びナトりウムランプの発光管として用い得る高純度，高樹比璽，光透過度を有する酸化マグネシウム焼緕体の製遺法に関するものである。　従来酸化マグネシウムを焼結して高い嵩比重の焼結体を得るためには通常ユ700℃以」二の焼成温度が必要であi），生産コストが高くつく欠、蚊があった。又，低い温度で酸化マグネシウムの高い嵩比重を得るためには，酸化マグネシウムにシリカ，酸化ボロン，酸化アルミニウム等酸化マグネシウムの焼緒温度で液梱を生成する物質を加え，この液梱を利用して焼縞を促進させる方法，あるいは，ホットプレス，奥空ホットプレス等の特殊な装置を用いる方法等が知られている。しかし、これらは添力目物が純度を低下させたり，生産性が低く工業化しにくい等の欠点を有していた。　本発明の方法は，液に分散させた微粒子の酸化マグネシウム又は水酸化マグネシウムに弗素化含物又は弗素化合物と塩素化合物を混含し，これを乾燥して成形し，該成彩物を600～玉000℃で予熱した後，ユ100℃以」二の高温で焼成するものである。　本発明の方法によると，原料混含物を乾燥・成形するため，従来のホットプレス脚こおける如き，高椴商圧に耐える金型を必要としないため，極めて安価で任意の形状の金型ですむ。従って，任意の形状の焼結体が安価にしかも多鐙生産することができる。又，仮焼を必要としないでしかも焼成温度が非常に（7）低いにも拘わらず鰻密な焼結体が得られる。No．62ダイヤモンド粉末の合成法発明者　瀬商信雄，山口成人公　告　昭和56年第18533号登　　釜暴　　婁嵩1076016号　　概要　本発明は衝撃波加圧によるダイヤモンド粉末の含成に関するものである。　従来の衝撃波カ旺によるダイヤモンド粉末の含成は人工黒鉛，天然黒鉛を出発原料として用いられているが，しかし次のような欠点がある。衝蝶波加圧後生成したダイヤモンドと未転移の黒鉛を分離することが關難である。具体的には，酸化鍋を酸化剤として用い，衝撃波加圧処理した試料とこれらの酸化鉛とを混合，450℃付近の温度で2時閲処理して未転移の黒鉛を酸化した後，酢酸で酸化鉛を溶解してダイヤモンドを分離する方法を講じている。　本発明は，衝蝶波によって1舜間的に発生する衝撃波加圧を利用し，ダイヤモンドを含成する方法において、沸化黒鉛を出発原料とし、該出発原料と鍋，鉄、または鍋・鉄の漉含物の圧粉体に！00Kbar～！500Kbarの衝蝶圧を加え，該出発原料組成申の弗素と鋼または鉄と反庵せしめて，生成する遊離炭葉を同時にダイヤモンドに転移させ，ダイヤモンド粉末を得るものである。　本発明の釆転移の炭繁は濃硝酸に塩素酸ナトりウムを少最溶解した加熱溶液に溶解し，生成したダイヤモンドとの分離が容易となる。　以上のように本発明の方法は，従来法に比べ未転移の炭素の分離が容錫であるほか，低圧力でかつ高変換率にダイヤモンド粉末を得ることができる。また本発明における衝撃圧締の手段は従来の方法をそのまま活用できる利点もある凸これらの点から現荏工業的に有効に矛1j用されているダイヤモンド粉宋の供給に対し，生産コストの繭から好適である効果を有する血No．63イットリウム鉄ガーネット固溶体単結晶の製造法発明者　木村茂行，進藤勇，北村健二，丼伊伸夫公告昭和56年第27479号登録第1083524号　　概要　本発明は，マイクロ波用磁性材料として用いられるイットリウム鉄ガーネット固溶体単鰭晶の製造法に関するものである。　従来，一般式R3M5012（但し，RはScを除く希土類元素，MはFe，A1もしくはGa）で示されるイットりウム銚ガーネット圃溶体単結晶の製造は，フラックスを用いる方法によっている。この方法では，フラックスを包有物もしくは不純物として緒晶申に取込み，結晶育成に時閲がかかリ，鉄とアルミニウム及びガリウムの分布が一様でなく，原料の歩止りが悪く，従って製造コストが高くなる等の欠点を有していた。　本発明のイットリウム鉄ガーネット圃溶体R3M5012単結晶の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け，該溶媒の下に種結晶を設け該溶媒部分が融解するように加熱して単結最を析出させる方法において，原’料棒は酸化第二鉄Fe20宮成分と酸化アルミニウムA1203成分と酸化力りウムGa203成分との混含物と希土類元索酸化物（R203：Rは希土類元繁）成分とのモル上ヒが5．O対2．5～5．0対3．5の混合物であり，溶媒は酸化第二鉄Fe203成分又はこれに1モル当リ希土類元索酸化物R203成分をO．6モル以下の割含で酉己含した漉含物もしくは酸化第二鉄Fe203成分の一部を酸化アルミニウムA1203成分と酸化ガりウムGa203成分との混合物で代替した該混合物であることを特徴とし，又，上記方法により得られる単結晶を原料として，再び同様に処理する操作を繰返すことによリ再結轟化せしめることを特徴とするものである。　本発明の構成によれば，従来のものより，純度が商く，構成元素の分布が均一で，格段に安価なR3M50王2単緕晶を製造し得る効果がある。（8）No．64六方晶バリウムフ〕ニライト（Baドe1201g）単結晶の製造法発明者　木村茂行，進藤勇，井伊伸夫公皆昭和56年第27478号登　　金暴　　穿；王083525号　　概要　本発明は，従来法に比較して高純度で，緕最育成遼度が大きく，製造コストの低滅の観点で格段に有利な六方晶バリウムフェライトBaFe｝20ユg単結晶の製造法に関するものである。　従来，BaFe120蝸単結轟製造はほとんどフラックスを用いる方法によっている。フラックスとしては，BaO－B203系のもの，NaC03，NaFe02，BaC12，BaF2等各種用いられているが，得られる緒晶が不純物としてフラックス成分を取込んでしまうこと，形状が平板状になること，時として積層欠陥を含む結晶になi）やすいこと、緒晶育成に時間がかかること，原料の歩止つが悪いことなどの欠点を有している。　本発明の六方晶バリウムフェライトBaFe1201g単結晶の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け，該溶媒部分が融解するように加熱して単結晶を析出させる方法において，原料棒は酸化バリウムBaO成分と駿化第二鉄Fe203成分のモル比がユ．O対5．5～ユ．O対0．08モルの割合で配含した混含物であることを特徴とし，又，上記方法によつ得られた単結晶を原料として，再ぴ上記方法と同様の繰作を繰返すことにより高晶質単縞晶化せしめることを特徴とするものである。　本発明の構成により得られるBaFe1201g単緒晶は，従来法によ一）得られる13aFe－20旭単結晶の，主な用途であるマイクロ波用磁一1塗材料として用いられるばかりでなく，従来法に比較して格段に安緬であることが有利に働いて，従来のスピネル型フェライトやガーネット型フェライトあるいはその他の磁性材料の応周分野あるいは全く新しい分野にも広い庵用性が開拓される可能性がある。No．65チタン酸マグネシウム（MgTi03）単結晶の製造法発明者　遼藤勇，木村茂行公　告　昭和56年第32277号登録第玉087906号　　概要　本発明は、高純度で緒晶育成速度が大きく，製造コストの点で格段に有利なチタン酸マグネシウム（MgTi03）単結晶の製造法に関するものである。　従来，MgTi03単総晶は，LiClを融剤として用いるフラックス法によって製造されているが，詳細は不明であり，又，この方法によって製造された単縞晶は，径数㎜以下の微結晶であリ，純度も悪いという欠点を有していた。　本発明のチタン酸マグネシウム（MgTi03）単結晶の製造法は，酸化マグネシウムと酸化チタニウムをモル比で1対1～1対1．5の割含で混合したものからなる纐長物の下に，駿化チタニウムまたはこのユモルに対しO．5モル以下の酸化マグネシウムを配含したものからなる溶媒を設け，更に該溶媒の下に種結晟を設けて，溶媒を融解するように加熱して種緒晶上にチタン酸マグネシウム単緒黒を析出させる方法である。　本発明の構成によれば、従来法により製造されたMgTi03単緒晶に比較し，純度が商く，格段に安個なMgTi03単結晶を製造し得る効果がある。叉，MgTi03単結晶はMが†Cr3・等のイ才ンをドープすることにより，ルミネッセンス材料としての用途に期待されるものである。更に，従来法に比較して格段に安個で，且つ，大型な単縞晶が得られるため，この鯖最の持つ特異な光学特性が、人エキャッツアイ宝石としての禾1」用に貿献するものである。No，66圧縮性ガスケッ ト発明者　福長傭公告昭和56年第35628号登録第ユ092202号　　概要　；奉：発明は，高温高圧装霞のアンビルとシリンダーとの閥の平行面閥隙に挿入する圧縮僅ガスケットに（9）関するものである。　本発明に係るガスケットは，例えば高圧装誰断面模式図を下剛こ示すごとき状況で使用する。すなわち下図において1，1’はアンビル体であって2はシりンダー体，4は圧力室，3，3’はべ一ス体であってアンビル体がと6）つけられて油圧プレス内に装概されている。アンビル体を滴圧力によって接近せしめると圧締性ガスケットは変形して厚みを減少させっっ，圧カ室内の言式料を力嘔し趨高圧を発生せしめる。　ここにおいて圧締惚ガスケットはアンビル体とシリンダー体の電気的絶縁を保ち，圧力室内の試料の封止を行いかつ，変形によって圧カ室内に商圧を発生させ，又，アンピル体とシリンダー体の1耐圧性を応力支持効果によリ商めている。従って，圧繍性ガスケットとして用いるために望ましい催質は①熱的電気的絶縁体であって②加圧下で適度に変形する能力があり③しかもその内部に商圧を保持し得ることカ｛望ましい。　この条件を満すため本発明の圧繍惚ガスケットはシlj力一アルミナ系粉末でSi02／A1203比が1より大なる組成比のものに、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム，炭酸マグネシウム，水駿化カルシウムおよび炭酸カルシウムから遼択された1種または2種以上の粉末5～30璽最％および鱗酸アルミニウム5～40重量％を配含し，成形焼成してなる圧繍性ガスケットである。　　ω＼＼＼＼　　｛ヨ1〃　ωω　　　　1’〕㌦｛コ〕｛コ〕｛ヨ〕（1X工〕…アンビル体　　（2）…シリンダー体（3Xぎ）…べ一ス体　　　（唾）…圧カ室No．67，　68六方晶アルミン酸バリウムマグネシウム単結晶の製造法発甥者　進藤勇，渡辺明男，坂内英典，木村茂行公告昭和56隼第38557号登　録　第ユ092298号（BaMg3Al1402筥）発囎者　進藤勇，渡辺明男，坂内英典，木村茂行公告昭和56年第38558号登　録　第ユ092299号（BaMgAl　loO17）　　概要六方晶アルミン酸バリウムマクネシウム（BaMg込～022）単結晶は，従来その製造に成功した例はない。これは，BaMg込1M022の溶融性状に関する正しい知見が得られておらず、又，フラックス法によっては、該単結晶が得られなかったためである。　本発明の六方晶アルミン酸バリウムマグネシウム（BaMg測M02呈）単結晶の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け．該溶媒部分が融解するように加熱して単緒暴を析出させる方法において，原料棒は酸化バりウム（BaO）成分と酸化マグネシウム（MgO）及び酸化アルミニウム（A1203）成分のモル比がユ．O対3．O対65～1．0対3．0対6．75の混含物であり，溶媒は酸化アルミニウム（A1203）成分ユ．Oモルに酸化バリウム（Ba○）成分及び酸化マグネシウム（MgO）成分を〇一5～O．05モルの審1恰で配合した混含物であることを特徴とし、又，上記方法によつ得られる単鰭晶を原料として，再ぴ上記方法と同様の操作を繰返すことにより高品質単結晶化せしめることを特徴とするものである。　本発閉の構成によれば，純度が商く，安価なBaMglAlM022単緕晶を製造し得る効果がある。又，得られたBaMg3Al14022蝉結晶は・新規な単結最であって，六方轟フェライト単結晶薄膜作製用の基板として使用されるなど，新しい応用性カ螂待される。Nα69ムライト固溶体単結晶の製造法発明者　進藤勇公　告　昭和56年第38559号登録第！092300号概要　本発明は，一般式Si02・nA1203（n＝玉．2～2．8）で示されるムライト圃溶体単結晟の製造法に関するものである。　従来，ムライト固溶体単緕最製造は，ベルヌーイ法もしくはイりジウムルツボを使用した弓1き上げ法（10）によっている。しかるに，ムライトが分解溶融化含物であり，しかも広い固溶頒域が存在する。従って，この様な溶融性状を示すムライトを従来法で育成しようとすると，初晶であるA1203，もしくは液相成分であるSi02を多く含んだガラス状物質の滉入がさけられず，良質で，組成の均一な単結晶を得難い欠点があった。　本発明のムライト瞳1溶体単縞晶の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け，該溶媒部分が融解するようにカ買熱して単緕晶を析出させる方法において，原料棒は二酸化ケイ素（Si02）成分と酸化アルミニウム（A1心）成分のモル比が1．O対ユ．O～1．O対3．Oの混含物であ一），溶媒は酸化アルミニウム（A1203）成分1．Oモレに二酸化ケイ素（Si02）成分をユ．O～1O．0モルの審恰で配含した混含物であることを特徴とし，又，上記方法により得られる単緒晶を原料として，再ぴ上奮己方法と同様の操作を繰返すことにより高品質単結晶化せしめることを特徴とするものである。　本発明の構成によれば，従来法により製造されたムライト圃溶体単結晶に比較し，純度が商く，組成が均一で，良質なムライト固溶体単結晶を製造し得る効果がある。又，得られたムライト圃溶体単結晶は組成が均一でかつ，原料組成を変化させることにより，その固溶体頒域内で二酸化ケイ素と酸化アルミニウムの組成比を変化させることができるから，イオン伝導休として使用される可能性があるなど，全く新しい分野にも広い応用性が開掘される可能性がある。No．70炭化棚素固溶体単結晶の製造法発明者　進藤勇、鈴木弘茂，蝦内英典’公　告　昭和56年第38560号登　録　第1092301号　　概要　本発明は，一般式BxC（x＝2I5～5）で示される炭化醐索圃溶体錐締鳥の製造法に関するものである。　従釆，炭化棚素固溶体単結鑑製造は，主として，2B20宮十4C→B功C斗3C02なる反応を利用し，電融渕こよって含成されている。しかるに，炭化棚索の圃溶組成を均一にした結晶は，この電融法では得難い欠一叙があった。　本発明の炭化棚繁園溶体単緕晶の製造法は，原料棒の下に溶媒を設け，該溶媒部分が融解するように加熱して単結晶を析出させる方法において，原料棒は棚素（B）成分と炭素（C）成分のモル比が5．0対1．0－5IO対2．5の混含物であつ，溶媒は棚剰B）成分5．Oモルに炭素（C）成分を工．O～5－Oモルの割合で配合した混含物であることを特徴とし，又，上記方法によi）得られる単緒晶を原料として，再び上蓄己方法と同様の操作を繰返すことによリ商品質単結晶化せしめることを特徴とするものである。　本発明の構成によれば，従釆法によリ製造された炭化棚素圃溶体単結晶に比較し，純度が禽く，組成が均一で，良質な炭化醐繁圃溶体単結晶を製造し得る効果がある。又，得られる炭化棚索固溶体単結晶は，組成が均一であり，かつ原料総成比を変化させることによリ、その圃溶領域内で，緕晶の組成を変化させることができるから，従来法で得られる炭化棚素の主な用途である高遠増殖炉の減速剤として，よリ有効に利用される可能一1生がある。升、単、率、尋．、、1※　投　　　　稿畿藩号 題 目 発　　表　　者 掲 載 誌 等1081 High－Coerciv虻y　Hysteresis　Loop　below 刺11 康昭・岸 学 PrOC． Int1－Conf． 1980200K　of　YPe204搬d　LnFeO｛ 広吉 秀俊・君塚 昇 115自鳥 紀一1082 Electron　Exchange　between　Fe2’十’and 囲印みどi〕 秋光 純 Proc． Int’l　Conチ、 且980Fe3＋1打LuFe20一 進藤 勇・君塚 昇 且19自鳥 系己一1083 粘土一シリカ複合体 遠藤一奮、 J． Clay　Sci． Soc． Japaη21　83 （王981）（川畿藩号 ・題 冒 発 表 者 掲者士岬甘等108雀 アルミニウム表面につくる太陽熱吸収皮膜 早坂 公郎・和蘭 健二 表面　19　（12） 198ユ699玉085 正六繭体型超高圧力発生装置のアンビル位 増田 安次・小倉 好次 旧Pユ　20 （ユ） 1982艦の調整 21三086 α一SiCの（1010）粒界での緒含の一致度 猪股一ごごロー． 井上蕃三郎 窯薬協会誌上村揚一郎 90　〔2〕I982 871087 The　Re1ationship　betweenthe　Morphology 太囲 正恒・堤 正1幸J，of　Crys芝al　Growthof　Brushite　Crysta1s　Grown　Rapid1yin　Sihca　Gel　and　Its　Structure 56　（ユ982） 652～6581088 Needles　of　W02，g　Grown　in　an jean　Pierre　Bonnet J． of　Crystal　GrowthElectron　MicroscoPe 堀内 繁雄・川田 功 56　（ユ982） 633～6381089 ApP1ication　of　Moωated　Structure 山本 圓召二 Acta　Cryst． （1981）Analysis　to　Polytypes A37、 838～8421090 最近の新しいガラス 牧島 亮勇 ファインセラミックス一その開発と応用一 第2巻　（ユ981） 1521091 SOR光電子分光法と闘体のバンド構造 脊野 正和 圃体物理　Vo1． 玉7No．！　1982　58玉092 光電子分光 脊野 正和 日本物理学会誌第37巻 第2号（1982）1391093 Po5nt　Defects　in　Nb2205－I　Oxidized 堀内 繁雄・木村 茂行 Japanese　J． of　ApPl．at200℃ Phys．Vol． 21，No． 2，！982，L97～L991094 ANewPhaseofCompound 商橋紘一郎 山村 博村松 国孝Bu11．Chem． Soc．CaMn02。δ 禽崎 信一JPn．，末広 建介55，619～620 （！982）1095 Growth　of　Sn02Crystals　from　the 畑野 東一 内囲 健治J、of　Crysta1GrowthVapor　Phase　by　Reaction　of　Tin 57　（1982） 197～王98w1th　Water　Vapor1096 Combination　of　CBED　and　Structure 板東 義雄 Anaiytical　ElectroむI欄aging　in　Crysta】Strucωre Microscopy 工98ユ 117Determinationユ097 STEMによる最近のセラミックス粒界 板東 義雄 FOP　Vol． 7，No． 1の研究 （王982）18！098 Phase　Transit三〇n　in　V丑十xTe2 野崎 浩司 大谷 槻男 So1．Sta、 Commuη．（0．04＜x＜0．1ユ） 林 宏哉 申光 光輿 Vo1．40 （629－63ヱ〕1099 セラミックスのもろさを改良する 禰長 偽 セラミックス ユ7 （ユ982〕一Zr02分散セラミックスについて一 No． 2　1061100 Eiectronic　Structure　of　TiH2 藤森 濠・津田 惟雄 So1． Sta． Commun．VoL 4ユ，No．6 （1982）491～4941101 The　Smau　Anomaly　in　the 太蘭 正恒・羽囲J． Non－Crysta1ineTemperature　Dependance　of　the 上野 精一 SoL　46　No．3ElectricaI　Conductivity　of　Iron（ユ981）379～387Contai口三ng　Phosphate　G1assesユ！02 商分解電子顕微鏡によるセラミックスの 守吉 偽介・三友 護 データブック （1982） 131粒界の研究1103 Magnetic　Susceptibilities　of　RFe20’ 君塚 昇Proc．Nudear　Phys．Sta．Phys．and　S‘SystemsVo1．21C　592！104 The　Crysta1Stmcture　of“Ba2Fe4S5” 君塚 昇 J．Sol．Sta、 Chem．A　Two－Dimensional　Array　of 41　　104～工08 （1982）FeS4Tetrahedra1105 遷移金属炭化物の単緒晶育成技術とその 大谷 茂樹・刷穴 芳夫 データブック （1982） ユ91評価！106 Translucentβ一Siaion　Ceramics 三友 護・守吉 佑介J、Mater1a1s　Science酒井 利和・大坂 俊目帽 Letters小林芙留子 （1982）25～26131and　So1．ユ9ヱ（ユ2）畿泰番号 懸 富 発　　表 者 掲 載制』売o・等！！07 Mお』ated　Struct甘e　cf　the　NC－丁腿 山本 昭二・申沢 彗！、基 Acta． Cryst． （王982）（N＝5．5）Pyrrhot三to，Fe1－xS A38， 79～861ユ08 The　NMR　Study　of　L1Ion　Motioポn 田申 順三一 小野蘭義人 Japanese　J． ApPl． Phys．K3LiNb6017and　K3LiTa膚○17 月簡正至・島津　　山正司 2！， 3 （工982） 垂5王～455註］二原製u09 Sintering8幽avior　of　the　Diamond一 赤石 賛 神困 久生J． Materials　ScienceCoba虻System　at　Righ　Temperat雌e 佐藤洋一郎 瀬高 信雄 17 （1982） 193～王98and　Pressure 大沢 俊一 福長 傭！110 Si－O　Distances　in　Some　Si1icates 大橋 日青夫J． JaPan． Assoc． M1n． Pet．Con亡aining　Fluor玉ons ECOn． Geo177 2 （玉982） 33～36uユ1 Chevre1化含牛勿の繊造と総成 j1旧 功・石月二 紀彦 日本結晶学会言志23 328 （198ユ）1！12 Detection　of　Point　Deffects　Accommo一 堀内 繁雄 附ramicroscoPy 8 （198二dating　Nonstoichiometry　in　Inorganic 27～38ComPounds1113 商強度セラミックス 三友 護・福長 傭 新繁材酎斗 1982 4月1114 セラミック粉体の非晶体化と緕晶化 高橋紘一郎 セラ三 ックス 17 （1882）No．珪 2461ユ15 Crysta1lization　of　Amor凶ons　Lead 高橋紘一郎・ 村松 国孝 The　Society　of　MaterialsTitanate　Prepared　from　an　Aqueous 山村 博・自崎 僑一 Science　Japaむ 王982So1むtlon1ユ16 Die　Kristai茎struktur　des　B】eis｛】icats カロ藤 克夫 Acta　Cryst． （1982）Pb1且Si昌○17 B38， 57～621117 Ln（GaM2■｛’）04and　Ln（AlMn2＋）○｛ 君塚 昇　高山 英治 J．So1id　State　Chem． 41Coηapounds　Having　a　Layer　Structure 166～王73 （ユ982）［LnこLn，Yb，Tm，Er，Ho　and　Y　andM二Mg，Mn，Co，Cu　and　Z剛u18 P益ase　Relatioわs　Relevant　to　HexagonaI 木ヰ寸 茂行・坂内 英典 Mat． ReS． Bull．，Ba曲㎜Alum三烈ates 進藤 勇 Vol． ユ7， 209～2ユ5Hユ9 An　Oudine　of　t註e　Str冒ct泌e　of　New 渡辺 日召輝・関」ll 笠ゴ一＝I　一J． So1id　State　Chem．Layered　Bismuth　Lanthanum　Tungstate 泉 竃士夫 41 No．2 （1982） 138跳一xLaxW06（X＝O．4一ユ．玉）！！20 Polymorphism　in　Bi2W○看 渡辺 昭輝J． So1id　St説e　Chem．41 No．2（1982） 1601121 The　Surface　Propeζties　of　TiC（O01） 大島 一忠平・青野 正和J． the　LeSS． Commonand　TiC（11！）Surfaces Meta1s， 82 （玉981）69～741ユ22 Surface　States　o恥the　LaB6（玉00），（110） 青野 正不口・田申 高穂 Surface　Scienceaむd（nヱ）Clean　Surfaces　Studied　by 大島 、曹、平 95 （1980） 3幻～358Angle－Resolved　Ups玉ユ23 Study　on醐ectric　Resistivity　and 蘭申 順三・梅原 雅捷J． Phys． Soc． JapanThermoelectric　Power　in（La　o」日Ca　o」2） 田村 傭蔵・月閥 正至 Vo． 51， NO． 進 （1982）Mn03－y ユ236－12421124 ガラスの化学強化 牧．鴎 亮男　境野 照雄 表繭 Vo…． 20， NO． 3（1982） 121－129u25 二次元表示型電子分光暑景 背野 正和 日本物理学会誌35巻， 7号 （玉980） 6011126 酸化物の焼結 守吉 佑介　小■松 和蔵 「ファインセラミック又の澱新技術」 761127 Direct　Reco㎜bination　and　Anger 脊野 正和・凹申 商穂 Phys． Review　BDeexcit誠｛on　Channe1s　of　La4d→4f Vol． 2ユ， NO． 7（1980）26ξResonant　Excitations…n　La8石1128 Delayed　Onset　of4d　Photoen｝ission 青野 正和 So1id　Staをe　Commuむ．Relat｛ve　to　the　Giant4d　Photoabsor＿ V〇三． 37 471～474 （1981）ption　of　La（1982）7　（1980）　2661（王3）螢播号 題 目 発 表 者 掲量士叩山等1129 Angle－Rosesolved　Photoemission 青野 正和 Solid　St誠e　Commun．and　Valence　Band　Dispersions Vo…． 3ユ， 9王7～920E（k）for　GaAs Direct　vs． （ユ979）玉ndirect　Mode1su30 Anoma1ous　Two－EIectron　Auge　r 青野 正矛口 Solid　State　Commun．Resonance　in　Tlユorium　near Voi、 39， 1057～1060the5d（05）Photothersho－d○論文別刷をご希望の場含は，管理部企画課まで，その爵葉書にてお申込み下さい。※　　口　　　　　繭題　　　　　　　蟹 発　　表　　者 学・協会等 発表日Magnetic　Order　of　Lu2Fe307 君塚　　昇・囲申みど一） 巳本学術会議 4月玉日秋光　　純一船橋　　達自鳥　紀一Ti1。。S2－12R（竺O．25）の中のTi空位の短範囲 小野囲みつ子・佐伯　纂宣 日本化学会 卓月1日規則配列硫化チタンの4H型と工2R型の安定関係 佐伯　昌宣・小堅細みつ子 日本化学会 4月1日Ln2Fe307のm6ssbauer解析 君塚　　昇・田申みどリ 日本物理学会 4月！B自鳥　紀一（Lao．8Ca〇一2）Mn03ヰyでの磁気転移点の圧力変 蘭村　脩蔵 日本物理学会 4月1日化陽電予消滅γ線2次元角度梱関装置の製作II 千葉　利樗・赤羽　隆史 臼本物理学会 4月1日津蘭　惟雄Magnetic　Properties　of　YbFeMO’ 禽鳥　紀一・三浦　成人 日本物理学会 在月1ヨ船橋　　達・秋光　　純君塚　昇・竹jI1俊一Low＿Temperature　Transition　of　RFe20＃ 岸　　文夫1申川　康昭 日本物理学会 透月1日蘭中みどリ・君塚　　昇進藤　　勇気欄法によるダイヤモンド含成 瀬高　信雄・松本精一郎 応用物理学会 尊月1日加茂　睦和・佐藤洋一郎緒晶質チタン酸繊維に対するセシウムのイオ 小松　　優・藤木　良規 日本化学会 填月2臼ン交換平衡 佐々木高義緕晶質チタン酸繊維による2価遷移金属イオ 佐々木高義・小松　　優 日本化学会 4月2日ンの吸着特催 藤木　良規強弾性体NdxCd1－xP50H混最のキュリー温 関日≡，　正豫＝・ノ」、ヰ木　　　j三 ヨ本物理学会 4月2日度の組成依存性（I）強弾倣…体NdxGd1－xP501’混晶のキュリー温 昌暑臼ヨ　　〕三實・ノ」、オ木　　　正 日本物理学会 4月2日度の組成依存性（夏I）気相合成ダイヤモンド粒子の形状 松本精一郎・松井　良夫 応用物理学会 4月2B堤正幸・佐藤洋一郎瀬商　信雄NaC1型高圧梱転移のエネルギーバリア 岡井　　敏一藤蘭　武敏 日本物理学会 4月2日層状化含物の高分解能電顕による観察 堀内　繁雄 巳本化学会 4月3日酸化物ガラスの低温合成 牧島　亮男 第45春季学金 4月4日特定テーマ講演Bi2Ge30gの結最成長 宮沢　靖人・関田　　賛 第29回応用物理学関 4月4B北村　健二 係連合講演会（ユ雀）題　　　　　　　目 発　　表　　者 学・協会等 発表日A　Simp1e　Position　Spin　A打alyser　Usinga　Ge　De乞ector赤羽　隆史 テキサス大学陽電子研究センター4月5日電子材＊斗セラミックスの闘懸点 自崎　信一 エポキシ樹脂技術 4月26日協金Same　Aspects　of　As－Prepared　Surface　of 大島　弘歳 米国窯業協会 5月4日Mg皇一。V1似○1The　Effect　of　Adδitive　Graphite　on　theLiquid　Phase　Sinteぎing　of　Diamo齪d赤石　　實・福長　　脩 Amer三can　Cera㎜ic佐藤洋一郎・瀬商　信雄5月5日Society多孔質ガラスを用いる分離 牧轟　亮男 高分子学会 5月7日無機材料の研究鵜発 珊沢　芳夫 「物質開発の方法論と 5月ユユ1ヨ方策」物催研短期研究会STEMによる極微小領域での元素分析I， 板東　義雄・河本　洋二 窯業協会友沢　稔・飯島澄男5月ユ8日セラミック粒界への応用ゾルーゲル法によるシリカガラスの合成 毛利　尚彦・下平商次郎 窯業協会 5月18B水銀圧入法による球充損組織の空孔分布損1j定 小谷　和夫・若桑　睦夫 粉体粉末冶金協会 5別8日下平高次郎六チタン酸カリウム繊織の縦断爾写典 長谷川　泰 窯薬協会企繭委貿会 5月18臼プラズマCVDによるダイヤモンドの合成 木脇　弍倫・松本精一郎 窯業協会 5月王8臼瀬商　信雄粒度分布と粒成長遼度定数 池上　隆康・松膿　伸一 窯業脇会 5月19日守曹　佑介天然多総晶ダイヤモンドの微細幟造 守吉　佑介・瀬商　信雄 窯業協会 5別9日加茂　睦和・佐藤洋一郊SiCの酸化 長谷川安利・広蘭　雫吐 窯業協会 5別9日鈴木　弘茂α一Si3N｛およぴその圃溶体 三友　　護・泉　寓士夫 窯業協会 5月王9日の繊造のPFSR法による検蓄寸 鈴木仁一郎STEMによる極微小領域での元素分析n， 板東　義雄・三友　　言襲 窯薬脇金 5月20日ガラスヘの応用 飯島　澄男多孔質ガラスの高分解能電顕鶴察 板東　義雄・K㎞O㎞君 窯業協会 5月20日J．nMackenzie希土類含有アルミノ珪酸塩ガラスの惟質 牧島　亮男・永閉　達也 窯業協会 5月20日下平商次郎希土綴窒繁含有ガラスの性質と構造 牧島　亮男・三友　　護 窯業協会 5月20日Composibona1Flucωa亡ion　and　Properties 負崎　信一・高橘紘一郎 第八回日米誘電体セ 5月24臼of　PZT　and　Lead　Tita舶te　Co赦eining 山村　　博 ラミックセミナ運営Lattice　Defects 委員会縞最構造像におけるコントラストの反転 堀内　繁雄 日本電子顕微鍍学会 5月26日気梢含成されたダイヤモンド微粒子の 松井　良夫・松本精一郎 日本電子顕微鏡学金 5月27日TEM－EELS観察 瀬高　信雄・板東　義雄関』11善三1MeV高分解能電顕と収束電子圓折の併用に 閥」I1善三・板東　義雄 日本電子顕微鏡学会 5月28日よる結爆I構造解析法 山村　　樽・松井　良夫分析電顕による粒界の組成と構造解析 板東　義雄・関川　善三 日本電子顕微鏡学余 5月28臼松井　良夫Electronic　Stmcture　of　Noむ一Stoic滅ometric 藤森　　淳・津蘭　惟雄 金属水素化物の物性 6月1日Ti乞anium　Hydride と応用に関する團際シンポジウム寮務燭KENS－FOXによる中惟子回折実験 j1旧　　功・磯都　光正 日本鉱物学会 6月ユ臼岡村竃士夫（15〕回折実験のための“X線導管”グランダイト系ザクロ石におけるツィード様組織発　　表　　者中沢　弘基中沢　弘基・平井　寿子学　　協会等日本物理学会日本鉱物学会発表者6月1日6月1日★M　l≡M　O★研　究　会 あった。　5月25日　第5回高圧相転移研究会が「ぺロブスカイト型化合物の電気伝導性と光学特性」の議題で開催された。　6月4日　第30回結晶成長研究会が「分析電子顕微鏡の基礎と応用」の議題で開催された。海　外　出　張　第3研究グループ主任研究官　三友護は「第5回最新焼結技術国際会議出席」のため，昭和57年6月12日から6月29日まで，イタリア、西ドイツヘ出張した。　6月9日　第24回結合状態研究会が「ホイスラー合金の電子構造」の議題で開催された。最近の出版物無機材質研究所年報　昭和56年度版　7月1日　第8回チタン酸塩研究会が「プリデライトのイオン導電機構について」の議題で開催された。　7月12日　第25回結合状態研究会が「YFe204化合物およびそれと同型の一群の化合物の物性研究」の議題で開催された。　7月16日　第1回金属硫化物研究会が「半導体物質の光電気化学的特性とその応用」の議題で開催された。外国人の来訪　7月12日から13日まで芦　東生　（Prof．YANDongsheng）　中国科学院副院長ほか一行の訪問が気相法によるダイヤモンドの合成とそのキャラクタリゼーションの説明を聞く中国科学院　汗　東生副院長（中央）と同セラミックス材料視察団発　行　日荊一■1集・発行■招和57年8月1口　第76号科学技術庁　無機材質研究所NAT1ONAL1NSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGAMC　MATERIALS〒3（〕5　茨城県新治椰桜村並木1丁目1番電i≡lI巧0298－51－335ユ（16）