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[無機材研ニュース第146号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/09ce54bf-9d71-41ab-a9ec-1b76b6ff2617)

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無機材研ニュース第146号七〇一．ゼEoo一一〇E蜆E0－oo］一〇〇〇一〇〇＝あ○眈oo一コo－E0－ooO］10－0E0f000蜆o〇一一〇〇一〇一蜆○蜆ωEo．ゼ≧里皇oo…Z－o○蜆］0f←第146号 平成6年7月燃焼炎を用いる大気圧下でのダイヤモンド合成1．はじめに　燃焼炎は気体の燃焼によって熱電離した一種の熱プラズマ状態にある。そのプラズマ密度と電子温度はそれぞれ約10呂cm■3，O．1eVであり’〕、アーク放電によって発生させた熱プラズマに比べれば、密度は数桁低い。低圧プラズマ（マイクロ波、rf，dc）および熱プラズマは、マイクロ波、高周波、あるいは直流に誘導された電界による電子加速により維持される。一方、燃焼炎プラズマは、気体の燃焼の化学反応で発生した熱による化学種の励起により維持される。　このような観点から見れば、燃焼炎を用いた大気圧下でのダイヤモンド合成の成功は2〕、種々のプラズマCVD法によるダイヤモンド低圧気相合成の延長線上にあると言ってよい。特に、アセチレンー酸素炎は、発生装置の簡易性、熱プラズマに匹敵するダイヤモンドの成長速度（数10～数100μm／h）が得られることから、気相合成法の一つとして汎用されている。以下、アセチレン炎の特徴およびダイヤモンド合成への応用について紹介する。2．アセチレン炎　大気圧下でのアセチレン炎の構造は、アセチレン、酸素の流量比により三つの領域に分けられる3〕。最内部は炎心と呼ばれ、ほぼ1対！に予混合されたアセチレンと酸素が反応温度まで加熱される領域である。中間の内炎またはフェザーと呼ばれる領域は、アセチレン／酸素1≧1の条件で現われ、その比が大きくなるほど内炎も広がる。内炎は一酸化炭素および水素で満たされた還元領域であり、アセチレン／酸素＝1の平衡組成の最終的な反応として、　　C．H2＋02→2CO＋H2が起こっているものの、原子状水素、OHラジカル、原子状酸素等が十分存在しているものと考えられる。ダイヤモンドはこの内炎の領域でのみ成長する。外側の外炎は、先端機能’性材料研究センター　研究員　岡田　勝行大気中から拡散した酸素によりアセチレンが完全燃焼して、最終的に二酸化炭素と水になる酸化炎の領域である。図1はダイヤモンドが成長する条件のアセチレン炎で、aが炎心、bが内炎に相当する。外炎は写真からは判別できないが、bの外側に広がっている。　アセチレン炎の発生方法としては、市販の溶接用アセチレンバーナーを用いる。アセチレンと酸素の流量比の重要なパラメータになるので、マスフローコントローラーにより精密に制御する。結晶性のよいダイヤモンドが成長する条件は、アセチレン／酸素≒1．1である。モリブデン等の高融点金属を基板に用いる。水冷ホルダーに装着して、水量の調節により基板温度を制御する。基板温度の計測は赤外放射温度計により非接触で行う。図1　アセチレンー酸素炎。（・）炎心、（b）内炎3．ダイヤモンド合成への応用4＾6〕　図2（・）、（b）はアセチレン炎により合成されたダイヤモンド膜の走査型電子顕微鏡（SEM）写真であり、基板温度がそれぞれ720℃、110ぴCの場合である。基板温度の低い（・）においては三角形の（ユ11）面が優勢的に現われ、基板温度が高くなるに連れて（b）のように四角形の（100）面（1）が優勢となる。結晶成長の観点から見ると成長速度の遅い面が最終的に残るので、（1／1）面の成長速度に対する（100）面の成長速度は、基板温度に対して負の相関関係にあることがわかる。この傾向は他の気相合成ダイヤモンドの場合と一致するものである。このような基板温度に対する結晶面の成長速度の相違はそれぞれの結晶面の安定性によるものであり、高温において（100）面のほうが（l11）面よりも安定であると推察される。　また、ダイヤモンドパウダー等での研磨による基板前処理を行わない場合は核発生密度が低くなり、図2（・）に見られるように、（100）、（111）面よりなる六八面体単結晶粒子がまばらに堆積する。4．発光分光法によるアセチレン炎の計測　燃焼炎プラズマの分光学的計測法には、吸収法、発光法、蛍光法、および散乱法がある。特に、最近のレーザー分光学の発展により、蛍光法および散乱法による計測は大いに注目を集めている。ここでは、発光分光法によるダイヤモンド成長条件下におけるアセチレン炎の計測結果について述べる。］d■181㎡1d o　　　　　　1］■●’C！　51‘5A■［ユーCH柵1－A一一■一CH3］仙A士0H　3064A図2　アセチレン炎により合成されたダイヤモンドの　　SEM写真。（・）基板温度720℃、（b）110ぴC、（・）基板前処　　理なしの場合。　　　　　　246．8（。晶　1H‘8図3　アセチレン炎の発光強度分布。a，b，cはそれ　　ぞれ炎心、内炎、外炎の位置を表わす。　図3にダイヤモンド成長条件下におけるC董、CH‡、OH｝のZ軸方向（アセチレン炎の伸びる方向）の発光強度分布を示す。図中の●、□、■、△はそれぞれ、C童（d3■g－a3Hu）、CH非（A2△一X2π）、CH串（C2Σ十一X2π）、0H＃（A2Σ十一X2H）を表わす。これらの発光強度分布により、C。、CHラジカルがZ軸方向に減少していくのに対して、OHラジカルはアセチレン炎全体にほぼ均一に分布していることがわかる。　発光分光測定からは水素分子、あるいは原子状水素のバルマー系列（Hα、Hβ、Hγ…）の発光スペクトルは確認できなかった。アセチレンにおいては、バルマー系列の励起エネルギー（12～ユ3eV）に相当するエネルギーを持った電子が十分に存在しないので、励起された原子状水素がほとんど存在しないものと考えられる。しかしながら、基底状態にある原子状水素、水素分子の存在はマススペクトル、平衡計算の結果により裏付けられているη。　最後に、本研究の装置制作、SEM観察について御支援戴きました研究支援室の小倉好次氏、堤正幸氏に感謝いたします。参考文献1）A．T．BeI1，in　Techniques　and　Applications　of　　P1asma　Chemistry，John　Wiley＆Sons，1974，（2〕　New　York　I2）Y．Hirose　and　N．Kondo，Proc．Spring　Meeting　Jpn，Soc．App王．Phys．pp，434（1988）3）A．G．Gaydon　and　H．G．Wo1鮎ard，in　Flames；　Their　Stmcture，Radiation　and　Temperat岨e，　Chapmaηand　Ha1i，1979，New　York　I4）K．Okada，S．Komatsu，SI　Matsumoto，and　Y．　Moriyoshi，J．Cryst．Growtい08（1991）416、5）K．　Okada，　S．　Komatsu，　TI　Ishigaki，　S．　Mats口moto　and　Y．Mor1yoshi，J，Appl．Phys．　7ユ（1992）4920．6）K．Okada，S．KomatsU，and　Y．Moriyoshi，J．　CVD．1（王992）157．7）Y，Matsui，A．Yuuki，M．Sahara，and　Y．　雛irose，Jpn　I　J．App董．Phys．28（！989）王7！8．チタノガリウム酸塩系新化合物の結晶構造とイオン伝導特性第8研究グループ　研究員　道上　勇一1、はじめに　チタノガリウム酸塩系化合物のなかには結晶構造中に大口径の一次元トンネルを有するものがいくつか知られている。それらはトンネル内に配置したイオンの運動によりトンネル方向に沿って非常に高いイオン伝導度が観測されるため、一次元イオン導電体としての観点から興味がもたれている。一次元イオン導電体は物理モデルとの対応が容易であることなどからイオン伝導機構を検討するための研究対象として重要であるといわれる。　これまでナトリウムイオンを伝導種とする一次元イオン導電体に関する研究はカリウムを伝導種とするものに比べはるかに少ない。そこで、チタノガリウム酸塩系における結最構造の多様性に着目しナトリウムをトンネルイオンとする新たな］次元トンネル型構造を有する化合物の探索を試みた結果、Na・Ti・一・Ga川Olパx～O．8）の組成式であらわされる新物質を見いだしその結晶構造を決定した三〕。さらにトンネルの形状およびトンネル内でのイオンの分布状態など、イオン導電体としてみた場合に重要となる構造的な特徴を調べた。また、実際に複素インピーダンス測定によりイオン伝導性の評価を行った。2、結晶構造　単結晶試料の育成はNa．O－MoOヨ系フラックスを用いた徐冷法により行った。X線回折強度の測定は四軸型自動回折計により2θくユOぴまで行い、吸収および消衰効果による補正等をほどこした結果、最終的な信頼度因子はR二3．67％、およびwR＝3．14％を得た。　結晶構造を配位多面体であらわすと図1のようになる。ただし、b軸から少し傾けた方向より投影している。結晶学帥こ独立な金属サイトは四面体サイトが一つと八面体六配位のサイトが二つで計三つあり、解析の結果そのうちの二つのサイトGa1およびGa2はガリウムが！00％占有するが、残りのMユサイトはチタンとガリウムが固溶しており、その圃溶比はTiが59％、Gaが41％という結果が得られた。従って組成式Na．TiHGa。。。01。においてx皿O，81となり、EPMAによる分析結果もほぼこれに一致した。構造中には六個の八面体と二個の四面体により囲・芭02。、　　　　　　　　　　　　　　C　　　　　惟斜1111I系，C2力”　　　　o・12・09312），わ三3，Ol17（5），・豊10．41洲9〕A　　　　β士g2．29（iジ，y＝378．9419）A3図1　配位多面体で表したNa，Ti。一、Ga朴、Ol。（x～　　O．8）の結晶構造まれた八員環のトンネルがb軸方向に沿ってみられ、その中をナトリウムイオンが占有している。（図ではナトリウムの位置を便宜的に示してあるが、実際の分布の様子は後で詳しく説明する。）　このトンネルの壁は02－03－02－03および04－05－04－05の各々四個ずつの酸素の層が図2に示すようにb軸方向に相互に積層することにより構成されている。トンネル壁を構成している酸素問の距離は04－04間が4，352A，02－02間が4，923五である。従ってy＝Oの面においてはナトリウムが二つの02酸索の中間に位置した場合、ナトリウムー酸素閥は2，461Aとなりほぼ理想的な値となる。この時さらにナトリウムはy＝：±：1／2にある四個の04に対しても2，646Aの距離にあり、計六個の酸素と歪んだ八面体六配位を形成して安定化されることが予想される。これに対してy＝至／2の面においては04一04間が近いためにナトリウムは04からの静電的反発をうけることが予想される。このときトンネルの中心から少しずれることによって04からの反発を避けることは可能であるが、その場合でもy二〇およびy㍗ユ面にある02（3）O．51，o1．50302。■、0203040505o｛ 020302 0403050504／！洲・「05図2　、トンネル壁を構成する酸素の配置酸素との距離が近くなるため中心から大きくそれることはできなへ従ってこのトンネルを伝導パスとしてナトリウムイオンが動く場合、y＝1／2の面がいわゆるボトルネック効果を示すと予想される。3．トンネルイオンの分布　以上の点をふまえて、実際にトンネル内におけるナトリウムイオンの分布状態を検討するため、X線回折データをもとに電子密度分布をもとめた。なお、近年情報理論における最大エントロピー法（MEM）の原理を構造因子の値から電子密度分布をもとめる聞題に適用した研究2〕が行われるようになり、その解析法が確立され有用性が示されている富〕。そこで本研究でも電子密度分布の解析にこの方法を用いた。これにより、構造因子の値を束縛条件とする以外には何の先入観も介在しない最も自然な電子密度分布を得ることができる。　こうしてもとめた電子密度分布の様子をx・・0の断面でトンネル方向に沿ってあらわしたものが図3である。（0，0，1／2）付近で最も電子密度が高い。ここは上で述べた六配位のサイトで、実際にそこでナトリウムイオンの存在確率が非常に高くなっていることが確認された。そこからy二1／2にかけてトンネルとしての有効径が小さくなるため徐々に電子密度が低くなっており、ボトルネックの効果がみられることも確認できる。しかし全体として電子分布がなだらかで連続的であることからナトリウムイオンはトンネル内においてかなり東縛の弱い自由な状態にあることがわかる。また、トンネル軸に対して垂直な断面の電子密度分布を調べた結果、y＝1／2面の近傍では04酸素が近くにあるためそれからの静電的反発を避けるように中心がくびれた分布をしていることもはっきりと確認できた。このように、トンネルイオンの分布はそれを取り囲むトンネル骨格との幾何学的な関係を非常によく反映していることがわかる。套…≡山　　　　　　　　　　　　O，5　　　　　　0図3　トンネル軸方向に沿った電子密度分布（x＝O面）4．イオン伝導特性　複素インピーダンス測定をHP4／92ALFインピーダンスアナライザーを用いて100Hzから10MHzの周波数範囲で行っれ測定試料は針状の単結晶をポリスチレン樹脂に包埋し、電極として金を真空蒸着したもの（図4）を用いた。結晶を包埋していないものとの差をとることにより迷容量や形状容量による効果を除去することができる。　トンネル軸方向における複素伝導度の周波数依存性を図5に示す。伝導度に寄与するものがイオン分極のみである場合には、比誘電率を仮に100とすれば図の破線で示すような伝導度の虚数部が観測されることになる。今国のデータにおいてはそれよりもはるかに大きな値を示し、また、実数部も低周波数側へ行くに従って減少するものの、例えば20℃の場合で10MHzでは10■2（S／㎝）という高い値が観測されている。さらに、温度の上昇によりこれらの値も向上していることから伝導度の原因が熱的な活性化過程によるものであることもあきらかである。以上の点から、ここで観測された伝導度はトンネル内におけるナトリウムイオンの運動によるものであると結論される。すなわち本化合物はその構造中にみられる一次元トンネノレを伝導路としたナトリウムイオン伝導性を示すことが確認された。上部電極（金蒸着膜）結晶ガード電極（金蒸着膜）　　｛a）ポりスチレン　　　　　　｛b）下部電極（金蒸着膜）図4　インピーダンス測定に用いた試料　（・）結晶有り　　（b）結晶無し（4）冒艶韓垣撚饗10’1101呈10毛10■10｛10｛10’710’目柵1雪293K　　□　共敏尭I三白．8・．，φo●　　　　o　　　　　呈　　　　　　　3　　　　　　　4　　　　　　　5　　　　　　　日　　　　　　　？　　　　10　　　　　10　　　　　10　　　　　10　　　　　10　　　　　10　　　　　　　　　　　　燭波数　（H■〕図5　Na．Ti。一。Ga。。。O1。（x～O，8）のトンネル方向の複　　素伝導度　イオン導電体は一般に、規則的な系（讐骨格構造）と不規則な系（＝伝導イオン）の混在した物質であり、これら異質のものを同時に取り扱わなければならないために研究が困難であるともいわれる。本物質についてもイオン導電体としての性質を十分解明したといえるまでにはまだ多くの実験が必要であり、今後さらに研究を進めて行きたいと考えている。　なお、インピーダンス解析においては当グループ客員研究官である同志社大学工学部の吉門進三助教授に御協力いただいたことを記し感謝する。参考文献1）Y．Michiue＆M．Watanabe，Solid　State　Ionics，　　in　press（1994）．2）D．M．Co1lins，Nature，298，49（1982）．　　M．Sakata，M．Sato，Acta　Crysta1logr．，A46，　　263（1990）．他3）S．Kumazawa，Y．Kubota，M．TakataandM．　　Sakata，J．Appl．Crystallogr．，26，453（1993）．他外部発表投稿登録番号 題　　　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等3263 Chemisorption　state　of　atomic　oxygen　on　TiC（100）surface：angle－resolved　photoem三ssion 枝元　一之・穴沢　俊久 Surface　Science宮崎　栄三・加藤　博雄 287／288，667．1993s沌dy 大谷　茂樹3264 S1∬face　phonons　of　LaB6（100）：deformation　of 長尾　忠昭・北村　和夫 Surface　Scienceboron　octahedra　atthesurface 飯塚　義尚・大島　忠平 290，436．1993大谷　茂樹3265 この人にきく一泉　富士夫氏 泉　窟士夫 セラミックス28，9，952．19933266 Graded　index　profile　of　anodic　a王umina　fi互ms 緒e鍛3醤城光信 ApPl1ed　OPticsthat　is　induced　by　conica王pores 32，12．2039～2044．1993和田　健二3267 Preparation　and　Crysta王Structure　Mode王of　a 小野田みつ子・佐伯　昌宣 Journa1　of　So王id　StateNew　Strontium　Tanta王um　Su王fide：Srl．TaloS．2 矢島　祥行 Chemistry105，354～62，’933268 The　Phase　Relat1ons　in　the正n20呂一A12ZnO。一ZnO 中村真佐樹・毛利　尚彦 Journa王　of　Solid　StateSystem　at135ぴC 君塚　　昇・磯音挿光正 Chemistry105，535～49，’933269 Tunneユ　Cation　Ordering　in　K－and　Rb一 佐々木高義・渡辺　　遵 Jourηal　of　Solid　StateOctatita洞ates 藤木　良規・北見　喜三 Chemistry105，480～488，’933270 Anion　Distributions　and　Phase　Transitions　in 石丼　紀彦・芝田　研爾CuS1＿。Se（x工O－1）studied　by　Raman　Spectros一 野崎　浩司Jour独al　of　Solid　StateChemistrycopy 105，2，504～11，’933271 Arrangements　of　oxygen　atoms　in　YBa2Cu30石。。 堀内　繁雄 Materials　Chemistry　andSuperconductors　visua1三zed　by　u1tra－high－reso Physicslution　electron　microscopy 3δ，139～144，’933272 SIMSを利用したセラミックスの拡散評価 羽田　　肇・白崎　信一 セラミックデータブックP－100～4，’933273 低エネルギーイオンの中性化過程とそれに基づく 左右E日龍太郎 表面科学表面結合状態の解析 王4，7，410，’933274 構造周セラミックスの組織制御 三友　　護 セラミックデータブック’933275 Effect　of　Introduction　of　chloride　on　the 井上　悟・曽我公平牧島　亮男Jouma1of　AmericanUpconversion　Emission　Intensity　in趾一and　Yb Ceramic　Soc1ety…Codoped　ZBLAN　F王uoride　G1asses 76，6．1591．19933276 サイクリックCIPによるセラミック粉体の成形と 西村　聡之・松尾陽太飾 セラミックデータブック焼結体の性質 木村　脩七 ’932353277 サイクリックCIPによるセラミック粉体の成形 西村　聡之・木村　脩七ち密化の定量的評価Journa王　of　the　Ceramic松尾陽太郎・神保　勝久 Society　ofJapan王01，9，985．1993（5）3278327932803281328232833284328532863287328832893290329三329232933294329532963297329832993300Characteterizatioη　of　Calciむm－DeficientHydroxy■apatite　after　a　Cata1ytic　Reactionwlth　TrIch王oroethy1ene　VaporIsothermal　capacltance　transient　sPectroscopyof　grain－boundary　interfacial　states　in　Bi－dopdSrTiO茗ceramicsShock－indむced　mechaηisms　of　phase　transfor－mat三〇廻from　rhombohedra互BN　to　cubic　BNFerroe王ectric　properties　of　Ba2NaNb5｛1＿。〕Ta砒○蝸Separatioむof　Alkaline　Earth　Metal　Ions　byso王veRt　Extractioηand　Ion　Exchange　lMethods粘土鉱物スメクタイトの単結晶化Mechanism　of　Grain　Growth　ofβ一S　AIONParamagneticceれterinporoussilicon：Adang王ing　bo廻d　with　C3V　symmetryPreparat1on　of　Modified　Lead　Zinc　Nibatecompomd　Thick　Films　by　Rapid　QuenchingPhaseTransitionso童Ba2NaNb5u＿。｝Ta…。O蝸I曲o㎜ogeneo鵬distribution　of　nitrogen　imp雌i芝ies　in　｛111｝growth　sectors　of　high　pressuresynthetic　diamondThermochem｛cal　Study　of　Ln203，γ一L王ユ2CなO。，and　Ln2C伽O彗（Ln＝Rare　Earth）Nむmerical　Simu互ations　of　Argon－HydrogenRF　Thermal　P玉asmas　with　Add互tiona王Gas　IηjeCtiOnPreparation　of　Modif1ed　Lead　Zi口c　MobatρCompomd　Thick　Fi玉ms　by　Rapid　QuenchingOxygen　deficiency　and　strびctびraI　phase　trans｛言ion　iη（La、＿xBax）2Cu04Time　resolved　lむminescence　study　ofrecombinat1on　processes　i口electro王um三nescentpo1ymersPicosecond　hopPing　re互axation　in　conjむgatedpolymerSHigポPressure　Sy温thesis　of　Mo－containing互212a独d1222compoUnds，（Cu，Mo）Sr2YCu20．and（Cu，Mo）Sr2（Y，Ce）2Cu20。ナノ領域での分析化学の新展開：超伝導材料セラミックスThe　Role　of　Precursors三n　the　Struct岨e　of　Si02－A1203Sols　and　Ge王s　by　the　Sol－Gel　ProcessLoca王Structure　of　Y1＿。Ca．Ba2Cu．O島Determined　by　XAFSH…gh－Pressure　Synthesis　of　New　S岬erconductingCompoむnd　CuSr2（Y，Ce）2Cu20．Sintering　aηisotropy　in　slip－cast　Sic－whisker／Si3N・一Powder　compacts醐11門間秋田伊藤大串田中関根高重月岡鈴木小松山囲浩光・池田英毅千芳・藤本憲治・柴垣秀世・羽田煩三利守・佐藤正明・浜崎正至・清水晴彦・沢蘭　優裕久重良正之茂樹　肇忠夫真一文直正三Mari－AnnEinarsrud三友　　護内田　吉茂・越田　信義小山　英樹・山本　有子SoRg－Goo　KangHwan　K亘M高橋紘一郎・雪野　　健月岡　正至・岡村富士夫高重　正明・小島　誠司浜崎　真一・清水　文直月岡　正至神田　久生・山岡　信夫室町　英治A－Navrotsky渡辺　隆行・神沢　　淳石垣　隆正・守吉　佑介Sang－Goo　KangHwam　Kim高橋紘一郎・雪野　　健月岡　正至・岡村不土夫室町　英治・泉　富士夫神山　　崇U．LemmerR．F．Mahrt和田　芳樹A．GreinerH．B首sslerE．O．GむbelU．LemmerR．F．Mahrt和田　芳樹A．GreinerH．B亘sslerE．O．Gむbe王小野　　晃板東　義雄福岡　荘尚・小野田義人井上　　悟・和困　健二貫井　昭彦・牧島　亮男前田　裕當・藤本　　保柏野　節夫・久保園芳博江村　修］・村田　隆紀泉富士夫・山田裕松本　武彦・児玉　泰治小野　　晃三友　護・斉藤信一松田　敏紹・米沢　孝夫BuI1etin　of　the　ChemicalSociety　of　Japan66．2570，互993Joむ閉a1of　Applied　PhySiCS74，4．2669．1993Jouma1of　App1…ed　PhySiCS74，14），2440．1993Proced｛ngs　of　the　eighthInte狐atio篶al　Meeting㎝Ferroe王ecをricity，］一993Solvent　Extract｛on　in　thePrOCeSS　IηduStrieS2，775，］一993図本・結晶成長学会誌20，3，230，玉993Jouma王　of　AmericanCeram三c　Society76，6．1624，王993Applied　Physics　Letters63，7，96王，ユ993J争panese　Jau榊al　of　Applied　Physics．32，9B，4254．！993J色panese　Ja岨nal　of，App1王ed　Physics．32，9B，4384．1993Diamon（i　a皿d　Re王atedMaterialS2，王420，王993Journa互　of　Solid　StateChemistryユ06，349，王993Proceedings　of　Symposi・㎜㎝．PI・・㎜・S・i・…f・・Materlals6，211．1993Jap・・ese　J岬・・1・fApPiied　Phys王cs32Part1，9B，4254．1993PhysicaC2ヱ5，329．1993App王ied　Physics　Letters．62，22．2827．1993Chemical　Physics　Letters－209，3，243．！993J竺panese　Jaumal　of　Applled　Physics．Part　I32，10．4517．1993ぶんせき10，809．1993Sol－Ge王　Science　　a肌d榊紛y三。。。Japanese　Joomal　ofAppiied　Physics32，　Supp王．　32－2，　587．1993J争panese　Jaumal　of　App王1ed　Physics．Part　II32，11A，L王599．1993Jo岨Pal　of　Matenals　Sci－enCe28．5548．1993（6〕3301 電気化学的に析出させたアパタイトの形態とカル 門問　英毅シウム欠損性Gypsum　＆　Lime　247，427．19933302 BaおよびSrを固溶した繊維状四チタン酸カリウ 藤木　良規・佐々木高義ムのフラックス育成とそれを基材とした組成・構 渡辺　遵・西尾俊幸Gypsum＆Lime247，427．1993造変換プロセスによる繊維状（K，Ba）。Ti眉O1彗および（K，Sr）。Ti直O、宮の合成3303 単原子層グラファイトの性質とその応用 石沢　芳夫 Gypsum＆Lime247，73．19933304 Synthesis　and　Po王ymorphism　of　PdP206 渡辺　昭輝・竹之内　智 Journa1　of　so1id　　stateJ．P－Wingnacourt chemistryP．Conf1ant 107，93．1993M．DracheJ．C．Boivin3306 Pressure　Effects　on　Tc　of　Y2Ba。（Cu1＿。Cox）7015 泉富不夫・山田裕水谷宇一郎・松本　武彦Advances　in　Supercon一山田　修義・児玉　泰治ductivityVProceedingsof　　the　　5th　　Internec1o森井　幸生・船橋　　達 Symposium　on　Supercon■duct1vity（ISS’92）319．19933306 ホットウォール法による薄膜結晶育成装置の試作 高見　武広・江良　　皓 工学院大学研究報告中沢叡一郎 75，293．19933307 粉末X線回折図形によるSiC多形含有量の簡単な 田中　英彦・井伊　伸夫 日本セラミックス協会計算方法 学術論文誌101，11．1313．19933308 自己複合化窒化ケイ素焼結体の微構造の定量的評 広崎　尚登・秋宗　淑雄 日本セラミックス協会価 三友　　護 学術論文誌101，11．1239．19933309 Forming　of　ceramic　Posders　by　Cyclic■CIP 西村　聡之・松尾陽太郎神保　勝久・木村　脩七Jaumal　of　the　Ceramic■Quantitative　Eva1uation　of　Densification SocietyofJapanBehavior一 10ユ，959．19933310 Disordering　of　Pb　and　Cu　arrangements　in　the 山本　文子・泉　富士夫奥　　健夫・庄野　安彦PhysicaCbユock　　ユayers　　of　Pb．Sr．YCu．O宮十δ　　and 2ユ5，243，ユ993PbBaSrYCu30。十δby　oxygen　introduction3311 STRUCTURAL　PHASE　TRANSITIONS　OF 菅家　康・泉富士夫森井　幸生・船橋　　達Proceedings　of　the　fifthNaV60、、AND　SrV．O、、秋場　悦男・加藤　克夫Intemationals　symposi一um　on　Advanced　NucIearEnergyResearch2，213．19933312 Biexciton1asing　in　CuCl　quantum　dots 舛本　恭章・河本　智弘江良　　浩Applied　Physics　Letters62，3，225．19933313 Synthesis　of　a　new　Superconductor（Cuo．6Ceo．。） 小野　　晃・堀内　繁雄 PhysicaCSr．YL．Ceo．豊Cu20．under　high　oxygen　presures 216，165．19933314 Characteristics　of　Boron　Epoxy　Resin　as　a 谷□　　尚・下村　　理山岡　信夫Japanese　Journa1of　Ap一Gasket　for　Pressure　Generation　in　the20Gpa p1iedPhysicsRegion 32，PsrtIgA，4012．199333ユ5 Defect　structure　and　superconducting　proper一 H．Shaked Physica1RevieBties　of　La、．島SrxCa、、。＿。Cu．06＿δ J．D．Jorgensen 48，17．12941．1993B．A．HunterR．L，Hitterman木下　恭一・泉　富士夫神山　　崇研究会　5月24日、第9回耐熱材料研究会が「セラミックス粒界の構造と組成」の演題で開催された。　6月16日、第1回希土類ホウ化物研究会が「遷移金属炭化物・窒化物の化学と反応姓」の演題で開催された。人事異動　武井　恒男（管理部庶務課長）防災科学技術研究所管理部庶務課長に配置換　田中　孝三（長官官房秘書課長補佐）管理部庶務課長に昇任　　　　　　　　　　　（以上、平成6年5月10日付）　植田　秀史（管理都長）研究開発局宇宙国際課長に配置換　武山　謙一（工業技術院総務部研究開発官）管理部長に昇任　　　　　　　　　　　（以上、平成6年5月20日付）外国人の来所1．来訪日　来訪者名2．来訪日　来訪者名平成6年5月30日WanZaharahマレーシア標準工業研究所部長平成6年6月2日Prof．T－Nagarajanインドマドラス大学核物理学科長Prof－K－P－Gopinathanインドインディラガンジー原子カセンター（7）3．来訪日時　平成6年6月4日　　来訪者Pfof．Stachowiak　　　　　　　ポーランドブロツワフ低温・構造研究所4．来訪日時　平成6年6月9日　　来訪者Dr．JosephCarpenter他2名　　　　　　　（マテリアルズ・スタディ・チーム）　　　　　　　米国NIST海外出張　第3研究グループ主任研究官板東義雄は、「！994年春季MRS会議に出席・発表」のため平成6年4月2日から平成6年4月10日までアメリカ合衆国へ出張した。　第11研究グループ主任研究官菅家康は、「遷移金属イオンの酸化数制御及び物質探索に関する研究」のため平成6年4月2日から平成6年4月11日までフランス共和国へ出張した。受賞　総括無機材質研究官猪股吉三及び超高圧カステーション総合研究官山岡信夫は、「超高圧実験施設の調査と超高圧研究に関する討論」のため平成6年4月9日から平成6年4月16日までウクライナ共和国及びロシア共和国へ出張した。　第13研究グループ主任研究官井伊伸夫は、「光学材料不定比化合物の欠陥構造の解析に関する研究討論及び共同研究の検討」のため平成6年4月9日から平成6年4月18日までオーストラリアヘ出張した。　先端機能性材料センター主任研究官加茂睦和は、「第5回ダイヤモンド、ダイヤモンド状及び関連物質に関するヨーロッパ会議組織委員会出席及び第2回ダイヤモンド膜国際シンポジウム出席・講演」のため平成6年4月26日から平成6年5月9日まで連合王国及びベラルーシヘ出張した。受賞者名 表　彰　名 表　彰　の　内　容 表彰年月日君　塚　　　昇 セラモグラフイツク賞 InFeO彗（ZnO）1。型ホモロガス相の変調構造 平成6年4月5日板　東　義　雄 学術都門銀賞中　村　真佐樹 （㈲日本セラミックス協会）田　中　高　穂 研究功績者表彰 六十六ホウ化イットリウム（YB・・）を用いた放 平成6年4月20日（科学技術庁長 射光軟X線分光素子の開発官表彰）加　茂　睦　和 業績表彰 ダイヤモンドの高機能性材料化研究においてそ 平成6年5月19日佐　藤　洋一郎 （科学技術庁長 の基礎となる高晶質ダイヤモンドの合成及び評官表彰） 価法を確立し、スーパーダイヤモンドの開発に貢献した板　東　義　雄 業績表彰 セラミックスの高精度局所分析技術の高度化に 平成6年5月19日．（科学技術庁長 関する研究において、電子顕微鏡による超微細官表彰） 領域の元素分析や構造解析の手法を確立し、先端技術の進展に貢献した山　田　裕　久 業績表彰 粘土鉱物スメクタイトの研究において、超高圧 平成6年5月19日（科学技術庁長 高温により世界で初めて単結晶を創製し、その官表彰） 特性を明らかにするなど、材料科学の進展に貢献した藤　木　良　規 学術賞 一次元トンネル構造材料の高機能化に関する材 平成6年5月20日（㈱日本セラミッ 料設計的研究クス協会）［　1i　　・≡㍉1ピ1■　三（8〕