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[無機材研ニュース第136号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/2f713919-c7d5-433c-874a-f0a56180c6cb)

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無機材研ニュース第136号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0－oo］100．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－ooω］o〕f←剃36号’’ 平成’斗年Li見、溶媒移動FZ法によるLaB。単結晶の育成1．はじめに　ホウ化ランタン（LaB。）単結晶を用いた熱陰極は、高輝度・長寿命な電子源として、電子顕微鏡や電子描画装置に使用されている。この用途には高純度単結晶が必要で、培塙を使用せず高温融液から育成するフローテイング・ゾーン（FZ）法を用いている。しかしながら、サブグレイン・バウンダリーを含む結晶が得られ、熱陰極の作製には良質な部分を選ぶ必要があった。　LaB石は、図1の相図が示すように、2715℃で一致溶融する。従来、ほぼ定比組成をもつ融液からの、融点での育成であった〔1，2〕。今回、融液組成をLa過剰側（B／La＜6）及びホウ素過剰側（B／La＞6）に制御し育成温度を下げると（溶媒移動FZ法）、図2に示すような、バウンダリーを含まない良ρ担咲2000　　　　　　　60　　　80　　　100　　　　　　　　　B（otomico’・）図1　LaB石の相図（▲一従来法における融帯、●　　一今回の融帯）｛BlLo〕｝4　6　12300025002000150060　　　80　　　10図2　（100）エッチング・パターン、（a）従来の　　結晶、（b）今回の結晶第12研究グループ　主任研究官　大谷　茂樹質な単結晶が得られたので、紹介する〔3，4〕。2．実験　出発原料を、直径1㎝、長さユO数㎝の円柱形にラバープレスにより成形後、真空中170ぴCで焼結し、原料棒を作製した。　単結晶は、6－7気圧のアルゴン雰囲気中、3巻2段のワーク・コイル（内径1－4cm）を用い、高周波加熱FZ法により育成した。育成中の融帯形状は、ワーク・コイルとの相互インピーダンス変化（陽極電圧と高周波電流の比）から検出し、原料供給速度の自動制御により一定に保持した〔5〕。　図3は、ランタン（La）を溶媒として育成する場合を示す。初期融帯は、原料棒と種結晶の間に挟んだLa金属周辺を溶融することにより形成した。育成中、蒸発による組成変化がないので、LaB。組成の原料棒を用いた。育成速度は、結晶への含有物を避けるため、従来法における速度の半分（o．5cm／h）とした。L呂、紅種結晶融補（融液〕単結晶図3　Laを溶媒とした溶媒移動FZ法3．結果　図4に、初期融帯形成に用いたLa重量と育成温度および結晶中のバウンダリー密度の関係を示す。融帯中のLa成分の増加に伴い、バウンダリーと育成温（1）度が減少した。0．7g以上のLaを用いると、育成温度が200度以上低下し、バウンダリーの見られない良質な単結晶が得られた。O．9g以上を用いると、融液が成長した結晶表面に付着し育成が難しくなった。良質化は、結晶が融点より200度低い温度で析出することで、析出時から既にある程度の機械的強度を有し、熱応力によるバウンダリーの形成を抑えたためと思われる〔3〕。ηoo担　　煕　　掻！500担　　　　　　o　　　　o．占　　　o．8　　　1．2　　　　　　　　L・重坦（9）図4　初期融帯形成に用いたLa重量と育成温度及　　びバウンダリー密度　図5に、La0．74gを用い育成した結晶を示す。直径O．9cm長さ6cmである。　スムースな径をもつ結晶が得られ、自動径制御が有効に働いたことを示している。融帯組成はB／La＝3．6であった。融液の原料棒への染み込みが生じ、融帯直上の原料棒組成はB／La＝5であった。結晶の終端部から切り出した（100）面のエッチング・パターンを図2（b）に示す。単結晶は、厚さ1㎜の多結晶体の皮に囲まれるが、その内部ではバウンダリーが除かれている。1種結晶狭いことを示した。また、格子定数（Csα型、a＝O．41563－0．41566nm）も融液組成に依存せず一定であった。La及びBと共存する状態（即ち、固化した融帯中）でさえ、同じ格子定数を示した。しかしながら、密度、電気抵抗及び色において差異が見られた。　定比融帯より育成した結晶は、理論密度に一致し、残留電気抵抗値（ρ。．。。）が低いことから、欠陥のない定比組成をもっことが判明した。Laを溶媒とした場合にも、欠陥のない定比組成の結晶であった。ホウ素溶媒を用いた場合には、結晶の密度が減少し、Laの欠陥が検出された。また、残留抵抗値が欠陥1％あたり0．5μΩ・cm増加した。この値は、銅やナトリウムなどの金属での値にほぼ同じである。結晶の色も紫より青に変化した。今回育成した最多欠陥をもつ結晶の例を表1に示す。既報の相図〔6〕では10％程度のLa欠陥をもつが、今回の結果ではせいぜい1％程度である。単結晶の育成がクロスチェックにより確かめられ、今回の結果が妥当に思われる。　　　　　表1．LaB。単結晶の比較融　　帯　　　　　　　単結晶La　B格子定数　密度　RRR囎抵抗〕桶（Wt％）　（nm）　（9／C㎡）　（mΩCm〕　（％〕図5　LaB。結晶（H　l　cm）　ホウ素を溶媒とした育成では、ホウ素の蒸発が激しく、育成速度を2㎝／hとした。融帯のホウ素成分が多い程、加熱電力が減少し、結晶中のバウンダリー密度も減少した。融帯組成（B／La）が11以上の領域において、育成温度が170度低下し、バウンダリーのない単結晶が得られた。速い育成速度にもかかわらず、結晶への含有物も存在せず、La溶媒を用いた場合同様の良質結晶が得られた〔4〕。　次に、La過剰、定比及びホウ素過剰の各融液より得られた結晶の不定比性を調べた〔4〕。表1に、代表的な結果を示す。化学分析の結果では、誤差の範囲内で一致し、たとえ不定比組成領域が存在してもLa一過剰　63，331．50．4ユ5634．7ユ375（O．ユ1〕O定比　　　68．23ユ．50．415664．7ユ3213＃（O．04〕OB一過剰　68，231．60．415634．677　16（O．53〕1．1RRR＝伽丁／ρ、．，、、La欠陥＝密度より、‡＝2回パス　した結晶4．おわηに　融帯組成を定比組成からLa過剰及びホウ素過剰に制御することによりバウンダリーを含まない良質な単結晶が得られた。ともに育成温度が200度低下していることから、この低下が良質化に効いたものと思われる。　ここで用いた溶媒移動FZ法は、従来、YIGや酸化物高温超伝導体などの分解溶融する結晶の育成に用いられてきた。今回、一致溶融する結晶の良質化に有効であることが、初めて示された。今後、他の高融点化合物結晶の、この育成法による良質化が期待される。＜参考文献〉1）T．Tanaka，E．Bannai，S．Kawai　and　T．　　Yamane，J．Crystal　Growth30（1975）193．2）S．Otani，T．Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．　　Crysta1Growth100（1990〕658．3）S．Otani　and　Y．Ishizawa，J　I　Crystal　Growth（2）　　118（1992）46王．　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Crystal　Growth王06（1990）498．4）S，Otani，S．Honma　and　Y．Ishizawa，3．　　6）例えば、E．Storms　and　B．M口e1ier，J，Phys，　　Crystal　Growth（in　press）．　　　　　　　　　　　　　　Chem．82（ユ978）51．5）S．Otani，T．Tanaka　and　Y．Ishizawa，J．　　　　　　　　　　　　　　　第20回研究発表会発表要旨複合タンタル硫化物（M一下a－S）に関する研究　タンタルを含む二元系、三元系の硫化物及びそれらに関運する系について、槻関係を解明して新しい化合物を合成し、その構造・物性を明らかにすることを罵標として研究を行なった。　Ta－S二元系は、複合タンタル硫化物の研究において基本となる系であるが、当研究グループにおいては、その相関係を研究し、タンタル豊富組成領域に、2種類の新化合物を見いだし、それらの結晶構造、電磁気的性質等を明らかにした。M－Ta－S（M＝金属元素）三三元系化合物については、M原子として銅、鉄、銀、バリウム、ストロンチウム等を含む系について、その欄関係、合成、構造、物性の研究を行い、Cu－Ta－S系で1種類、Fe－Ta－S系で2種類、Ag－Ta－S系で2種類、Ba－Ta－S系で5種類、Sr－Ta－S系で1種類の新しい化合物を見いだし、それらの結晶構造、格子振動、電磁気的健質等に関する知見を得た。このうちAg．TaS。はargyrodite型構造を有し、銀イオンによる優れたイオン導電特性を示すことが明らかになったが、銀を含む同形の化合物についても研究を進めたところ、更にいくつかの高イオン導電特性を示す新化合物が見いだされた。これらは固体アイオニクス材料として発展することが期待される物質群である。関連する硫化物の系として、Ba－Ti－S系、Ba－Zr－S系、Ba－Nb－S系、Ba－Cu－S系、Sr－Ti－S系、Sr－Nb－S系、CuS－CuSe圃溶系等にっいても研究を進め、金属硫化物には珍しい結晶構造をとる化含物等いくつかの新化合物を見いだした。これらにっいてはX線・電子線圓折法、赤外・ラマン分光法等による評個研究、竃磁気的性質の研究等を行い、種々の新しい知見が得られた。また、4次元あるいは5次元の超空問群を利用して、複合結晶となる三元系金属硫化物等の結晶構造解析を行い成果が得られた。シリコン基非酸化物（Si－C－N）に関する研究　セラミックス構造材料として期待されている、窒化けい素系および炭化けい素系材料の、高靱化対策の検討、電子顕微鏡を用いた微構造のキャラクタリゼーション、共有結合性結晶の接合条件、亀裂端の原子レベルの構造および亀裂の進展条件に関する研究が行われた。　窒化けい素系材料では、自己複合化纏織を得る方法が検討され、粒成長遇程での長柱状緒晶の生成が、靱性や強度の向上に有意義であることを、また炭化けい素系材料では、ゾルーゲル法によって合成されたSiCとCからなる混合粉末を用いた焼結体が研究され、過剰炭素の存在が靱性の向上に有効であることを示した。　微構造評価では、焼結体の局所分析への電子顕微鏡の極限的な利用法を検討した。電子顕微鏡は、また、亀裂の観察にも有効であった。単結晶や結晶粒子内の鋭い亀裂にっいて亀裂端近傍の原子配列を高分解能電子顕微鏡で観察し、共有結合性が顕薯な結晶の場合、常温では、原子的に鋭い亀裂でも、先端近傍に一般に転位の発生は見られないことを示した。同じ状況下のシリコンやアルミナに関しては、まだ不明な点があるが、MgO単結晶中の亀裂端近傍には転位の発生を認めた。　界面研究では、結晶が接合する際の規則を知るため、共有緒舎性結晶が接合する際の方位に関する研究をX線で、ダイアそンド型構造の共有緒合物質の＜11ユ〉面でのねじれ粒界の構造とエネルギーに関する検討を計算機シミュレーション実験で検討し、有益な知識を集めることができた。　脆性材料の破壊機構では、伝統的解釈を屍直し、共有結合性が顕薯な物質の強度や靱性は、亀裂進展の機構と密接に関係しており、結合の解離反応の反応速度と関連付けて論ぜられるべきと結論した。脆性破壊を論ずる際に重要な意味を持つと考えられている、臨界応力拡大係数の概念の従来の受けとめかたに疑閲を生じた。バナジウムブPンズ（肌V。月O蝸”一岬）に関する研究　標記の物質及び関連する物質（超電導酸化物など）の槻平衡・合成、構造及び物性に関する研究並びに多次元超空問群に基づく構造解析に関する研究を実施した。穐平衡にっいては、〃V．O。一V．OべV．O。（〃＝Cu，K）及びNaV．O。一V．OゴV．O。系の実験を行い、新化合物CuエV，。O”、Cu士V．O。。、Na士V，。O。雪、δ一NaエV．O。及び3種のKエV．O。の存在を確認した。そのうちのCuエVl．O．g、δ一NaエV．O。及びKo．。oV．O。並びにNaV．OH及びその元素置換化禽物の構造を解析した。　物性については、童としてLiエV1空O。宮及びNaV．Ouの磁性などを調べた。前者は、室温でβ一NaエV．O。（3）と同程度の伝導度を示す。後者は、5Kで1分子当たり1．7μ。の自発磁化を持ち、キュリー点が64．2Kの遍歴型磁性体であると考えられる。　多次元超空問群に基づく構造解析については、Al－Co－Ni及びAl－Pd－Mn準結晶の構造解析を進めるとともに、複合結晶の超空間群に関する理論的研究を行い、㎜〃0Sの粉末法版朋E〃0S及びそれらの複合結晶対応版を著作して、Ba尤（Pt，Cu）OヨとBi．Sr．CuO。。尤の複合結晶構造及びBi。（Ca，Sr）呂Cu。○富。士の変調構造を解析した。　超電導酸化物に関しては、YBa．CuヨOツ相、Bi。（Cu，Sr）、。1Cu”Oツ相（例＝1，2，3は、各7，80，110K超電導相）の同定と純相試料の合成に成功し、構造モデルを提案した。次いで、Nd－Ce－Sr－Cu－O系の超電導相の同定と純相試料の合成を行い、構造モデルとしてT＃型構造を提案し、後にこれを検証した。K．NiF。の丁型とNd．CuO。のT1型構造の折衷型である丁申型構造は、我々が初めてその存在を明らかにしたものである。多数丁‡型化合物の合成にも成功した。また、YBa．CuヨOツ及びT，T1，T‡型超電導体では、酸素欠陥の影響を詳しく研究した。投稿登録番号 題　　　　　　　　目 発　　表　　者 掲　載　誌　等2937 Effect　of　FIuorine　Doping　on　Bi－Pb－Sr 堀内　繁雄・季　　寿永 Physica　C一Ca－Cu－O　Superconductor 末原　　茂 185～189，477～478．　19912939 Solid　State　bonding　of　SrTiO宮single 渡辺　明男・白崎信一 先端材料技術協会crystals　using　HIP 羽田　　肇・田中　順三 224～229．1991池田　隆康2940 Direct　Observation　of　Oxygen　Atoms　in　a 堀内　繁雄・松井　良夫 Jpn．J．Appl．Phys．Tetragona1YBa．Cu307．7High－Tc　Super一 岡井　　敏 31，L59～L62．1992conductor　by　Means　of　Ultra－High－Res一olution　High　Vo1tage　Electron　Micros一copy2941 Synthesis　and　Magnetic　Property　of 菅家　　康・加藤　克夫 Journa1　of　So1id　StateNaFe．V雪O1。 室町　英治・竹川　俊二 Chemistry内田　吉茂 95，438～442．19912942 Effect　of　pressure　on　the　lattice　distor一 竹村　謙一 Physical　Review　Btion　of　indium　to56GPa 44，2，545．19912943 Structural　studies　of　high－Tc　supercon一 泉　富士夫 Physica　Cductors　by　neutron　powder　diffraction 35～38．19912944 Sintering　of　Silicon　Carbide 田中　英彦 Silicon　Carbide　Ceramics2945 TEM　Observation　of　a　Pi1ed　Structure　of 堀内　繁雄・菊田　正志 Japanese　　Journal　ofSi／Ga／Si　with　Ga　Monolayer 呉　　暁京・泉　　光一 App1ied　Physics31，2，L119～L122．19922946 EIectronic　Structure　of　SrFe4＋Oヨ　and A．E．Bocqet Phys．Rev．Brelated　Fe　perovskite　oxides M．Takano． 1561～1569．1992R．FujimoriS．SugaH．Namatame君塚　　昇2947 結晶構造作画プログラムATOMS 泉　富士夫 日本結晶学会誌34，41，4ユ～44．19922948 Oxygen　contents，crystal　structures　and 久保　佳実・五十嵐　等島川　裕一・泉　富士夫Supercond．Sci．Tech一physical　properties　of　T12Ba皇Cu06＋δ no1．真子　隆志・浅野　　肇 4，S82，199ユモ研究会　7月20日、第27回高融点化合物研究会が「チューナブルレーザ結晶の最近の進展」の演題で開催された。　8月25日、第5回ガリウム酸塩研究会が「化学機能材料の最近の研究動向」の議題で開催された。　8月26日、第12回マルチコアプロジェクト結晶構造解析研究会が「超電導の結晶粒界の電顕観察」の議題で開催された。　8月27日、第5回バナジン酸塩研究会が「X線による結晶表面の構造決定」の演題で開催された。　8月31日、第28回高融点化合物研究会が「迅速走査EXAFS：放射光による新しい秒単位材料観察法」の演題で開催された。　9月3日、第46回結合状態研究会が「Fe。〇一のCDW及び絶縁体一金属転移」の演題で開催された。（4）　9月18日、第9回無機／有機化合物研究会が「原子間顕微鏡（AFM）による鉱物、結晶表面の観察」の演題で開催された。　9月21日、第4回マルチコアプロジェクト新物質探索研究会が「酸化物超電導体のコンピュータ　シミュレーション」の演題で開催された。　9月25日、第58回結晶成長研究会が「Ga．OヨーGd。○ヨーMgO－SiO。系の相平衡及びMgとSiをドープしたGGG単結晶の結晶成長とキャラクタリゼーション」の演題で開催された。人事異動　下村　　理（超高圧カステーション主任研究官）高エネルギー物理学研究所へ出向させる。　山本　一雄第8研究グループ（科学技術特別研究員）に採用する。　寺部　一弥第ユ3研究グループ（科学技術特別研究員）に採用する。　中野　智志超高圧カステーション（科学技術特別研究員）に採用する。　　　　　　　　　　（以上平成4年10月1日付）外国人の来所1．来訪日時　平成4年8月27日　　来訪者名　Dr．Heinz　Schu1e　　　　　　　ドイツ　ミュンヘン大学結晶学鉱物　　　　　　　学教室主任教授2．来訪日時　平成4年9月17日　　来訪者名　洪　敏雄　　　　　　　台湾　国立交通大学材料研究所教授海外出張　超高温ステーション主任研究官石垣隆正は、「1992年プラズマ化学に関するゴードン会議に出席・発表」のため平成4年8月8日から平成4年8月17日までアメリカ合衆国へ出張した。　第！2研究グループ主任研究官大谷茂樹は、「第10回結晶成長国際会議及び第8回結晶成長国際サマースクール参加・発表」のため平成4年8月8日から平成4年8月23日までアメリカ合衆国へ出張した。　第2研究グループ主任研究官和田弘昭は、「第ユO回結晶成長国際会議に出席・発表」のため平成4年8月15日から平成4年8月23日までアメリカ合衆国へ出張した。　第13研究グループ主任研究官井伊伸夫は、「第10回結晶成長国際会議に出席・発表」のため平成4年8月ユ5日から平成4年8月23日までアメリカ合衆国へ出張した。　第ユ4研究グループ主任研究官宮沢靖入は、「第ユ0回結晶成長国際会議出席・発表及び大学訪問」のため平成4年8月15日から平成4年8月26日までアメリカ合衆国へ出張した。　超高温ステーション研究員岡田勝行は、「第3回ニューダイヤモンド国際会議に出席・発表及び大学訪問」のため平成4年8月29日から平成4年9月9日までドイツ連邦共和国及びオーストリア共和国へ出張した。　第15研究グループ研究員下村周一は、「第13回X線光学と微小分析に関する国際会議に参加・発表」のため平成4年8月30日から平成4年9月6日まで連合王国へ出張した。　第8研究グループ主任研究官神田久生は、「第3回ニューダイヤモンド国際会議に出席・発表」のため平成4年8月30日から平成4年9月6日までドイツ連邦共和国へ出張した。　第8研究グループ総合研究官佐藤洋一郎は、「第3回ダイヤモンド国際会議に出席・講演及び研究所訪問」のため平成4年8月30日から平成4年9月12日までドイツ連邦共和国及びフランス共和国へ出張した。　第3研究グループ総合研究官猪股吉三は、「日本一アセアン科学技術協カセミナー出席」のため平成4年9月20日から平成4年9月24日までシンガポール共和国へ出張した。　第9研究グループ主任研究官井上悟は、「ガラスセラミックス研究に関する研究指導」のため平成4年9月28日から平成4年10月7日までマレイシアヘ出張した。　第9研究グループ総合研究官貫井昭彦は、「第16回国際ガラス会議に出席・発表」のため平成4年10月3日から平成4年10月11日までスペインヘ出張した。　第12研究グループ総合研究官石沢芳夫は、「ブラジル材料技術開発プロジェクトの計画打合わせ及び調査」のため平成4年10月5日から平成4年10月ユ5日までブラジル連邦共和国へ出張した。発　行　日編集・発行平成4年11月1日　第136号科学技術庁無機材質研究所NATIONAL　INSTITUTE　FOR　RESEARCH　IN　INORGANIC　MATERIALS〒305茨城県つくば市並木ユ丁目1番眉言　言舌　　0298－51－3351（5）第20回無機材質研究所研究発表会のお知らせ　当研究所では、創設以来「グループ研究」という独自の研究システムにより、新しい無機材質を求めて幅広い材料研究を展開しております。　平成3年度においては、所期の目的を達成したグループ研究課題3課題の研究成果を右記により発表したいと存じます。また、今圓は「機能性スーパーダイヤモンド研究」についての講演もあわせて予定しております。　なお、参加費は無料、参加者には研究報告書をお渡しします。研究発表会会場のご案内研究発表会会場（研究交流センター）への交通1　J　R　常磐線　上野からI一■＝荒川沖駅、土浦駅　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅60分）　　　　　　　　水戸から：■［■1＝土浦駅、荒川沖駅　　　　　　　　　　　　　　　　（各駅60分）　　バス　関東鉄道バス　荒川沖駅から…千現一丁目　　　　　　　　　　　　　（筑波大申央行き、20分〕　　　　　　　　　　　ニヒ浦駅カ）ら　　　学園竹園　　　　　　　　　　　　　（筑波大申央行き、25分）　　徒歩　千現一丁目から鰯鍵鱗灘会場　　　　　　　　　　　　　（徒歩5分）　　　　学園竹園から鰯鰯鰯鰯会場　　　　　　　　　　　　（徒歩10分）　なお、マイクロバスは、9時35分頃「剰11沖駅」東口よりr研究交流センター」へご案内します。2．高遜バス（JR及び関東鉄道）　　東京駅八重洲南口から…っくばセンター　　　（15分閏隔にて発車、所要時閲約60分）　　徒歩　つくぱセンターから　　会場　　　　　　　　　　　　　（徒歩玉5分）　　　　　　　　　　　蕎ヨエ．日時　平成4年u月25日（水）　ユO1OO～14：302．場所　科学技術庁研究交流センター園際会議場　　　　茨城察つくば市竹園2－20－33．プログラム1）10：00～10：10　あいさつ　　　　　　　　　　　　　所　　　長　藤木　良規2）10：10～1ユ110複合タンタル硫化物に関する研究　　　　　　　　　　　　・；総合聯究宮　石丼　紀彦3）11：10～121ユO　シリコン塞非酸化物に関する研究　　　　　　　　　　　　　特別研究官　猪股　吉三　　　　　　　　一休　　　憩一4）　ユ3：0｛〕～14：OO5）14：CO～14：3014：30バナジウムブロンズに関する研究　　　　総合研究官　力冒藤　克夫先端機能健材料研究の動向一機能性スーパーダイヤモンド研　究一　　　　総合研究官　守吉　糖介閉　　　会剤11沖駅付近図　　　北　　軸　　荒　　　千　　　　　川　　　佳　　宇　　沖　　　　田比苦娘　　　蛛　　　　千代田腺J　R常磐線及び遵絡バス騎亥猿　　　　　　　　　（平成4隼9月現恋〕　〈下り〉上野行先渕11沖（土浦〕⑩7：53　勝囲　8：59　19：05）⑧8：OO　　｛山台　　　　　　　　く8：49）⑨8：11　土滴　9：12　19：王8）⑩8：18　水戸　9：26　19：31）⑬8：30　勝囲　　　（9：2｛）　〈上り〉　始　発　水戸　（土滴〕　渕11沖大津港　8：12　（9：05）　9：16箪　　壁茅　　　8：29　　（9：23）　　　9＝32高萩　8：4019113）　9：19　◎当研究所の籔通バス（無料〕荒川神9：07：20：42荒川沖9：209：429：429：35予　現一丁目9：259：3810：00平　現一了團9：3810：O010：OO会　場9：3091｛310105会　場9：4310105IO：059：55なお、土滅駅でお降りの方は随時路纏バスがございます。（6）