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[NRIMNews1994-03.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/17ee41fe-9a12-49fc-a194-35bf5fd45a47/download)

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石井 利和

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[金材技研ニュース 1994 No.3](https://mdr.nims.go.jp/datasets/fdb299e6-9d4b-4d07-9099-38f940ce8bbe)

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金属技研ニュース　1994　No.3七〇一、ゼE①o一一〇⊂蜆E0一箏O］一〇〇〇一〇〕o＝あoωoo一］o一⊂o－ooo］101E呵f0呵o〕蜆o〇一一〇〇一〇一蜆○蜆ωEo〕．ゼ≧里三…oo…Z－oo〕蜆］0f←銅　銀合金線材の開発と応用■簿膜の結晶配向制御■熱0変換材料の伝箏特性高性能の銅一銀合金線材および板材の開発と応用パルス幅5ミリ秒の73．4丁強磁場を発生　当研究所では，80T（80万ガウス）級ロングパルスマグ　　化，さらに熱処理による相分離，析出により，強度と導ネット，40丁級ハイブリッドパルスマグネット等の強磁　　電率の向上を図った。その結果，工業的規模で生産可能場マグネットの開発を行っている。開発上の重要なポイ　　な，引張強度1000MPa，導電率80％IACS（導電率が標準ントの一つはマグネットの導体材料，すなわち高強度・　軟銅の80％）の高強度・高導電率特性を有する線材およ高導電率材料の開発にある。導体材料は，電流に働く強　　び板材の開発に成功した。図2はCu－Ag合金板材の加ユ磁場の力に耐える高強度とともに，ジュール発熱を低く　　度と引張強度の関係を，導体材として従来使用されてい抑えるために高導電率が要求される。　　　　　　　　　るCu－Cr，Cu－A1203板材の場合と比較して示す。Cu－Ag　一般に，図1に示すように，合金の強度向上のために　　板材の強度は加工度の上昇に伴って放物線的にL卜昇する。強加工や合金化を高めると導電率が逆に低下する。金属　　一方，従来材の引張強度は強加ユしても上昇せず約600の強度向上法として固溶強化，析出強化，および加工強　　MPaである。図3はCu－Ag合金線材および板材の引張強化が知られているが，固溶強化では著しく導電率が低下　　度と導電率の関係を示す。導電率は添加元素濃度や加工する。そこで，当研究所ではC。一Ag合金に着目し，析出強　　度に依存するが，Cu－Ag合金の場合，引張強度と導電率化と加工強化を複合的に利用した高強度・高導電率材料　　の関係は一本の曲線で表すことができる。の開発を行ってきた。（金材技研ニュース，1991年N⑪．9）。　　　この線材を用いてパルスマグネットを設計・製作し，　Cu－Ag合金はCu固溶体（α相）とAg固溶体（β相）から　　73．4Tの強磁場の発生（パルス幅5ミリ秒級のパルス磁場成る2相合金で，共晶温度（780℃）において，それぞれの　　発生の世界記録）に成功するとともに，種々のハイブリッ固溶体中にAgおよぴCuが固溶され，かつ室温近傍での固　　ドマグネット用水冷銅マグネット（ビッターマグネット，モ溶限が少ない。さらに延性に富む2相合金は強加工する　　ノヘリックスマグネット，ポリヘリックスマグネット）の設と，微細な繊維複合組織となり，合金の弓1張強度は著しく　　計・製作を進めている。この材料は3．5at％Agの低濃度で高くなる。これらの特徴を利用して，冷間加工一熱処理一冷　　も900MPaの高強度が得られ，かつリサイクル可能であ間加工のように，冷間加工と2，3回の熱処理（350～450℃　　り，高集積化，高性能化が要求される演算素子等のリーでト2時間）を行い，冷間加工による繊維複合組織の微細　　トフレーム材や高速電車用の架線への利用も期待される。　　　　1600　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　工200　　　11111　　　　　　　　㌶、立　　　　　。。。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　へ。　　　挫　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　挫　　　　　　　oo　　　援600　　　　　　　　　　　　　竈600　　、　　　巾11：　　　　　　　　　　　　芸…　　　㌻　　　　　0　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　200　　　　　　0　　　　　　　　　　　　　　　　　100　　　　707580859095100　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　導電率（％王ACS〕　　　　図1　種々の鍋合金の弓1張強　　　　　図2　Cu－Ag合金板材の引張　　　　　図3　Cu－Ag合金のリ1張強度　　　　　　度と導電率の関係　　　　　　　　　　強度と加工率の関係　　　　　　　　　と導電率の関係~f V', 7^TI f~~~DI iC ~ ~ ~~!i,~"~~~A'-" ,~"fl~~~~(7)~~~~m ~7 ll-~~, 1100 e cu-Be cu-Ti o ¥c: ¥ o A'~Jt~~JL ~Cu-Ni2Si Cu~~¥~;~~1'1~:r Cu-Zn v d D Cu-zr ~ 1000 ~ pi 900 ~: 800 xo 9wt~~~Cr +0 4wt~1~Alumina l': 06wt~~Ag /D Al g ~8wt~aA~: D~O / E~ lO 6 ;~~ ~~~ 700 :l~ ++ + 600 T:,~ + X Cu 500 x X x 20 40 60 80 100 400 ~;~~:~ (~6 IACS) 75 80 85 90 95 10 ~n 11 r~* (~) ~(7) A,.(7)~! x2 Cu-A l-~~ - - ~)~~T ~-~ プラズマを用いた薄膜の結晶配向制御Y8a2Cu30。膜のバッファー層に応用　多結晶や非繍質の基板」二に結晶質の薄膜を作製する場含，縞晶軸がそろう（配向）ように波長させて，膜の物理・化学灼特性を向上させる試みが多くなされている。その場合，c軸のみが配向した膜のように…一つの結晶軸を配向させることは比較的容易である。もし、3軸とも配向させたい場含には，基板に単結晶を用いて，その原子配列上に原子を蒸着し，整含させ成長させること（エピタクシー法）が一般的である。近年，単結晶以外の基板を用いる場含でも，成膜装濫内に特別に組み込んだイオン銃でイオンを加速し，成長膜面に対し特定の入射角から照射することによって，膜の面内に配向佳が現れることが兄い胱された。これはイオンビームアシスト蒸着法（IBAD）として研究されている。　成膜披術開発の一環として、当研究所ではプラズマ中のイオンの挙動を箭1」御できる新しいバイアススバッタ法を考案した。そして実験を行った結果，IBAD法に劣らず強い面内配向性をもった薄膜が得られることを兇い出した。以下にそれを紹介する。図1は装置の概要を示す。基板を水平面から任意の角度に傾けられる基板ホルダーを組み込んだ基板電極とその下方に対向した二枚の補助電極を用いるのが本方法の特徴である。基板電極，および，補助電極にはそれぞれ独立に任意のバイアス電圧を印加できる。一例として，アルゴン雰鰯気申で潤バイアス電圧をともに一200Vにすると，電極で囲まれた空閲に放物線状の断面形状をもつプラズマが生成する。このプラズマから主としてAr＋イオンが方向性をもって放射状に引き埠され，基板電極の陰極電位降下頒域でカ目　gO遼された後，基板を叩く。このイオンには，　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　60IBAD法で“アシストイオン”と口乎ぱれる　40ものと同様の役割が期待できる。　　　　憂20　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）o　本方法の適刷列としてイットりア安定化も20　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　40ジルコニア（YSZ）膜の作製を試みた。YSZ　60錐微ホルダー　　　　　　　　　　　　嫉微電繊90基械、卜ターゲット　　図　　図　　図図一　バイアスパッタ蒸籍の篭’極配樹　　　概囲各劇C20饗も2090膜は高温趨電導膜を成長させる際のバッファー層（下地）として有用である。電極の下方に置くスパッタターゲットにYSZ焼結板を用い，スパッタ圧力約O．3Pa（Ar－2％02），両イアス電圧一200Vの下でのハステロイ（M基含金）のテープ状基板に約O．5μmのYSZ薄膜を作製した。結晶配向性はX線固折（極点図測定，方位角φスキャン）によって調べた。その結果，基板電極にバイアスを印加すると立方晶YSZの（001）結晶繭が基板面に平行になり，さらに補助電極にバイアスを印加するとa－b面内でも結晶軸が配向してくることがわかった。a－b繭内の配向度は基板に対するAr＋イオンの入射角に強く依存し，基板面の法線に対して約55℃の方向から入射するように基板を傾けた時に最も強く配向する。この55。はYSZの〈100〉軸と＜m〉の成す角に相当し，〈n1〉はYSZのイオンチャンネりングが容易な方位である。図2にそのYSZ膜の（11工）極点図を示した。90。毎の方位角φに明1瞭な極が認められ，YSZ膜がa－b面内で配向していることがわかる。このYSZ膜の一ヒにYBa2Cu301（YBC0つ膜をレーザー蒸着法で作製した。得られたYBCO膜のc軸は基板繭に垂直で，a，b軸は図2（b）の（103）極点図が示すように面内で強く配向しており，YBCO1膜はYSZとのエピタキシー関係YBCO［100〕〃YSZ［uO］，YBC0［100］〃YSZ［100］を保って成長している。このようにYBCO膜面を配向させると，いわゆる“結晶粒界の弱い結含｝の問題が改善され，臨界電流密度Jcが向上する。YSZの配向度をX線φスキャンのピーク半値幅△φ’の逆数で表すと，YSZの配向度とYBCOのJcの関係は図3の　　　　　ようになる。YSZの配向度の上昇とともに　　　　　YBCOのJcは向上して，105A／c㎜2（温度77K）　　　　　台の高い特佳が得られるに至った。　　　　　　上記のバイアススパッタ法では一回の成膜　　　　　処理で，複数本の長尺テープ状基板の両面に　　　　　面内配向膜を形成させ得ることが実証済みで　　　　　ある。今後はさらにYSZ以外の薄膜にも本方　　　　　法を適用し，緒晶配向制御技術の確立を蟹指す。　　　　　　　王O拮図2 面内配向を示すX線匝1折繍果（劃）YSZ膜の　（1I工）極点図。くb）YBCO珂葵の　（玉03）宅振点兵隊1o　－　2　一＾10ヨ冨㌔くh10’　　　　　　・　　　　　　■　　　　　　■　●●　　　　　　　　　■10ヨ　01IG2．03．04．05．06．0　　　　　　　1ノ△φ　（唆＝…1）図3　YSZバッファー膜の藺己向度とYBCO　　　膜のJcとの闘係熱電変換材料の電気伝導特性Alを添加したFeSi2の伝導機構の解明　熱電変換材料とは，熱エネルギーを電気的エネルギー　　した結果，600K以上では金試料の上ヒ抵抗が一つの直線．トに変換する材料である。熱電変換材料には通常，n型とp　　に載っており，高温では添加量yによらず同一の伝導機構型の化含物半導体を組み含わせたものが用いられ，その　　に基づくことがわかった。直線の傾きから求めたエネル変換効率の高い材料を求めて1950年代初頭より開発研究　　ギーギャップEgは1．00eVである。一方，60トI50Kの中閲が行われてきた。当研究所においてもほぽ剛寺期から酸　　温度’頒域では，y≦O，03の試科の比抵抗がS字曲線的な化物、ケイ化物の物性に関する研究を行っておリ，特に　　変化を示した。これは前述の熱電能の増加と棉まって，吟1FeS12については特許取得など多くの成榮を挙げてきた。　閲温度領域におけるy≦O．03の試料の伝導機構が一般に純FeSi2は1259K以下で輿性半導体であ｝），これにAlや　　云われているようなバンド伝導ではないことを示唆する。Mnを添加するとp型（正孔が荷電子），Co等を添加するとn　　　そこで，温度の逆数に対するj］三孔移動度の変化を調べ型（電予が荷電子）の半導体になる。一般に，Mnを添加し　　た（図2）。高温頒域では金試料の正孔移動度が丁一3／2の傾たp型およぴCoを添加したn型のFeSi2の電気伝導の機構　　きをもっており，格子振動による散乱が移動度を支配しとしては，小さい格予歪を伴い局在状態にある荷電子（小　　ていることがわかる。y≦0．04では中間温度頒域で移動度ポーラロン）が熱的励起によってホッピング伝’導すると　　が最大値を示し，低温になるに従って減少している。まいう機構，また，Alを添加したp型ではホッピングによらず　　た，150K以下での傾きはT3／2であり，電荷をもつA1■原荷電子がバンド伝’導の’機構によって運ばれると云われて　　子による散乱が支配約であることを示す。これらのことかいる。しかし，それらの伝導機構の研究はまだ十分に行わ　　ら，y≦0．04では，電気伝導にはバンド伝導機構が支i配的れておらず，特にA1添加のFeSi2については従来様ざまな　　であると云える。一方，y≦0．03では，巾閲温度頒域にお報告があって，統一一向勺な解閉がなされていない。　　　　　いて正孔移動度が温度上昇に伴って著しく増大している。　このような状況の下に，本研究ではA1添加のFeSi2の伝　　熱電能の増加および比祇抗のS字醐線的な変化と考え合導機構をI≡リ1らかにすることを酬勺とし，電気抵抗，熱電　　わせて，申閥温度頒域の伝導機構には小ポーラロン・モ能、ホール係数，正孔の移動度と温度および添加最との　　デルが妥当であると判断し，それを確かめた。小ポーラ闘係を詳細に調べ，A1添加FeSi2の荷電子の振舞いを系　　ロンの移動度と温度の閑係はμp。一＝（WT）・exp（一Eh／kT）統的に説閉できる結果を得た。以下にそれを紹介する。　　で表される。ここに臥はホッピングエネルギー，Mは比　不純物半導体FeSi21Al。の原料にFe，Si，Alの粉末（各　　例定数，kはボルツマン定数である。図3は移動度と濫度純度は99．99，99．9999，99．99％）を用いた。A1添加簸y≦　　の積（μT）と温度の逆数（1／T）との闘係を表している。巾0．12ではAlがFeSi2に固溶する。まず図1に，添加量yと　　間漁度領域では，上記の武から予想される通り，μTと室温における比抵抗および熱竃能との関係を示す。それ　　1／Tの閲にi1由1線闘係が成立し，伝導機構は小ポーラロンらの関係はやや複雑で，比抵抗はyが0．02まで一定，0．02　のホッピング伝導であることが確認できた。また，この～O．04では急激に減少し，O．04以下で緩やかに減少する。　傾きからホッピングエネルギーはO．110eVと求められ，熱電能はyが増加に従って大きくな｝），比抵抗が急激に減　　これはyが0，0I～0．03の範囲で一一定である。少するy＝O．03付返で最大値を示し，その後は減少する。　　以上，本研究の結果，A1添加のFeS12の伝導機構はA1　次に，温度の逆数と比抵抗の関係をグラフにプロット　　添加最およぴ温度によって異なることが閉確になった。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1O00　500　　　200　100｛K）　　　　　　　　　　　　　　500　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0　　　　ボ　　　も　∴ダ　　　ン　　＼；N　　　算　　　　　　　紹　　齢　　　　　＼　　　黒一4　　　　　　　　　　ミ　　：・亡0　　丁舳　　　　　　　　El、一〇．u0邊V　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　H　　＝戸O・01　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1y＝O．03　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　雀　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　：y＝O．04 一2　　　Al　　　　y図1　FeSi2＿1A〕添加簸yと比抵抗および熱電能　玉　　2　　4　6810　　20　　　温度　　ユ0ヨノT　｛K1I）図2　正孔移動度と瀞度の　　j童数との1装』イ系2．6　　3．0　　3．4　3．8　4．2　4．6　　5．O　　　　　ユ03／丁図3　移動度と温度の微（μT）　　　と瀞度の・逆数（1／T）との　　　1尖1係海外での研究発表（1994年1月一3月分）第64回超電導に関するゴルドン会議（1月3臼～1月7日，アメリカ・オックスナート）1）The　Energy　Dissipation　Mechanism　in　High　T．Superconductors．　　門脇和男，茂筑高士，竹屋浩幸，他2名超電導体超格子・多層膜技術会議（1月22日～1月29日，アメリカ・ロサンゼルス）王）Bi2223／2234Sはper1attice．　It’s　Structura1Ana1ysis　and　T・、　　羽多野　毅，門脇和努，中村恵吉3，4月の研究発表（国内分）学・協会名 開催翼月闘 発　　表　　題　　憂 発表者（所属）表面技術協会（神奈川・棉 3．17～3，19 1．気相技術による金属テープ基板両面への面内配 福富 勝夫（1G）他奈川大学） 向YBC0／YSZ膜の作製目本物理学会（福岡・福岡 3．28～3，3王 1，Y21Pr，Ba4Cu70｝の圧力下の物性 松下 明行（物性〕他工業大学） 2．Ti50V50，V3Si単緒晶趨伝導体の磁化緩和玉互 上原 満（表爾）他3．Sr2Ln（Cu，M）306。岳系の締晶構造 茂筑 高士（1G）他4．（DMe－DCNQI）2Cuのフェルミ廠 字治 進也（強磁場）他5．CeRu2Si2の柵vA効果IV 寺嶋 太一（強磁場）他応用物理学会（川崎・明治 3．28～3．31 1．Bi2Sr2CaC・20。厚膜組織及び超電導特性の熱 熊倉 浩明（至G）他処理時におけ．る酸素分圧依存性2．広繭積銅基板上へのYBaCuO膜の作製と超電導 福富 勝夫（1G）他特性3．分子線照射による化含物薄繰の表面析出物の自 矢田 稚規（1G）他己消滅日本原子カ学会（つくば・ 3．29～3．31 1．9Crマルテンサイト鋼の中性子照射脆化挙動 阿部冨士雄（力学）他筑波大学） 2．周期的照射環境下での照射誘起クリープ変形の 永」ll 城正（2G）計算3．C／S1C及びSiC／S1C複合材料中の不純物と放 聖予閉 哲二｛2G）他射化評価雀、核反応データシステムの開発 藤1ヨl1 充蒲（2G）他5，CVI法によって作製したC／SiC及ぴSiC／SiC 荒木 謎、（2G）勉複含材料の諸性質日本化学会（東京・青1』j学 3．29～4－1 1一クロロー及びブロモ（フタロシアニナト）ビスマ 砂金 宏明（反応）他院大学） ス（m錯体の酸化遠元竃位目本金属学会（東京・東京 3．30～4．1 呈．金属間化合物N1A1巾の相互拡散 笹野 久興（機能）他エ薬大学） 2．γ’量を変えた…連のNi基超合金の高温引張性質 呂 芳一（設計）他に及ぽす温度及び引張速度の効果3．NiT係金属間化合物の高温強度向上の一乎法 小泉 裕（設計）他姿．クラスター変分法によるTi3Al（DOlg）中での第 阿部 太一（設計）他三元素の竈換サイトの検討5．TiA湘を中心とした至373Kおよび1573Kにおけ 土肥 春夫（計測）他るTi－A1－Sb3元系等温断面図6．バイモダル焼結体の空隙の分布について 武弘（損傷）他7．TiA1基合金の室温延性及ぴ高温強度に及ぽす 橋本 健紀（3G）他Sb添カ鶉の影饗8．Zr02－9．7mol％MgOの商分解能電顕観察 阿部冨土雄（力学）他9．金属の物性とフェルミ繭一強い電子相関を有す 青木 晴善（強磁場）る物質を申心として学・協会名 開催期間 発 表 題 目 発表者（所属）日本鉄鋼協会（東京・東京 3．30～4．1 1．気相急冷非晶質Ti－A1合金の結晶化 小野寺秀博（設計）他工業大学） 2．オーステナイトステンレス鋼のクリープ破断時 八木 晃一（環境）他間の温度依存性3．2．25Cr－1Mo鋼溶接継手のクリープ破断特性と 渡部 隆（5G）他HAZ組織第6回先端材料強度向上と 4．1 1．高温クリープき裂成長挙動評価の課題 八木 晃一（環境）他評価シンボジウム（東京大学先端科学技術センター）溶接学会（束京・国立教育 4．13～4．15 1． レーザースペックル法による局部加熱近傍の相 村松 由樹（組織）他会館） 変態の検出にっいて2． レーザースペックル法による局部加熱近傍の動 村松 由樹（組織）他的ひずみ測定3．疲労限界値近傍の基本疲労き裂伝ぱ特性に及ぼ 前田 芳夫（環境）他すヤング率の効果（第2報） Ti－6AI－4V合金の場合一◆短　信◆●海外出張氏　名 所　　属 期　　　間石川　信博　計測解析研究部　6．2．15～7．2．14行　先ドイツ用　　　　　　　務超高圧電子顕微鏡による照射損傷の研究　目黒本所から筑波支所への移転開始　当研究所の筑波移転事業に係る目黒本所から筑波支所への移設設備等を積載したトラックの出発式が，去る平成6年1月17日（月）に目黒本所において挙行され，本格的に筑波移転が開始される運ぴとなりました。　当日は，服部日本通運（株）東京支店長（左から2番目）及び狩野同晶川支店長（左端）を迎え，筑波移転作業の安全祈願等を行いました。　　筑波地区の新施設披露式典を開催　当研究所の千現地区及ぴ柴崎地区に完成した研究本館及び各種実験棟等の新施設披露式典が，去る平成6年1月20日（木）に筑波支所において開催されました。　当日は，記念式典，テープカットの後，新施設披露及び懇親会と続き，石坂人事官（人事院）及び石井研究開発局長（科学技術庁）をはじめ関連J　V，O　B等約300名の来賓を迎え，盛大に挙行することが出来ました。（写真：式典で祝辞を述べられた石井研究開発局長）　　　　　　　］一‘‘瞬止概r祝q寝嬢黒薫蟻臭、ビ…………………州岬……岬岬……………州…岬…………………………………………㎞…………w………州………州つl　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l…　　　　金属材料技術研究所科学技術週間行事のお知らせ　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l1　　　当研究所は，　「科学者と青少年や婦人、一般布民との対誘の促進，研究やモノづくりの現況を分か　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l…　　りやすく国民の前に提示していくなど，ユ夫を織り込みながらの普及啓発活動の実施」という科学披　　童…　　術週間の趣旨にのっとって，下記の行事（内容の一部は予定）を実施致します。多数の御来場を，お　　童1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1茎　　待ち致しております。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　……　　　なお、平成6年度の「研究所の一般公開」につきましては，当研究所が目累本所から筑波支所への　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1葦　　移転の最申であること，また，来訪者の安全確保の面から一都分の公開となりますのであらかじめ　　喜…　　ご承知おき願います。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1葦　（1）研究所の一般公開　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　芸1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　●本所（材料試験施設）（東京都目黒区中目黒2－2－54）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l1　　目時：4月1舳局）、13時～16時　　　　　　　　　　　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l1　　　　主な展示・公開内容　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　　・施設設備公開：材料強度試験関係設備、材料寿命予測システム等　　　　　　　　　　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　・展示コーナー：磁性流体，趨微粒子，色記憶含金，巣縞晶多層材料，水素貯蔵含金等　　　　　11　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　　・パネル展示：界面接含，レーザ趨音波顕微鏡，傾斜機能材料，非接触溶解，無鋳型引上連　　　……　　　　　　　　　　　　　鋳合金の設剤1等　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　葦1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　悶合せ先：庶務諜庶務係　（03）3719－2271（内線229）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　童茎　　●筑波支所（茨城県つくば市千現1－2一玉）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l…　　　　目時：4月22日（金），lO時～16時　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　……　　　　主な展示・公開内容：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　葦1　　　　　　　．一　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　　・展　亦　室：研究所の概要，研究成果の紹介　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　　・パネル展示1セラミックスの疲労，延性金属間化含物，超急冷凝固粉宋，最予井戸箱の作　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l1　　　　　　　　　　　　製，趨電導線材，趨強磁界マグネット・イオン注入の応用等　　　　　　　　　1茎　　　　　・そ　の　他：研究所紹介ビデオの上映，研究本館8Fから敷地展望　　　　　　　　　　　　葦1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　11　　　　間合せ先：管理課管理係　（0298）53－lOOO（ダイヤルイン）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　（2）ぼくとわたしの金属教室　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　11　　　　主な内容：小・畔1学生向けのパネルや模型の駿示，簡単なクイズや実験などを実施する。　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l…　　●つくぱ地区　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…1　　目時＝4月2舳（土），13時～16時　　　　　　　　　　　　　　　11　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　11　　　　場所：金属材料技術研究所筑波支所（茨城県つくば市千現1－2一工）　　　　　　　　　　　　　茎…　　　　主な内容：与えられた金属の講性質（襖さ，比重，熱伝導率，光の反射率等）を求め，パソコン　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　を使潮して金属の名前を探一）出す。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ll　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1茎　　　　間合せ先：瞥理課轡理係　（0298）53－lOOO（ダイヤルイン）　　　　　　　　　　　　　　　　　　…1　　●東京地区　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　葦1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1…　　　　賞時：4月23日（土）～2柵（日），9時30分～16時50分　　　　　　　　　　　　　　　　　　茎…　　　　場所：科学披術雛2階ヤングサイエンス・コーナー（東京都千代田区北の丸公園2一王）　　　　　　　…l　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　l…　　　　主な内容：磁石，形状記憶含金，低融点金属等を使った実験やクイズ等を実施。　　　　　　　　　　……　　　　問合せ先：庶務諜庶務係　（03）371ト2271（内線229）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　茎1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　11　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1む…㎞……＾……甘………………………＾…＾……㎞…………＾………州……＾㎞……＾㎞㎞……＾舳…＾…㎞……＾…㎞……＾舳㎞…＾州J発行所科学技術庁金属材料技術研究所（本　　　戸斤）　汽＝153’束麦く審1；同籍iIヌニ11＝I【；】禁｛2－3－12　　　　　TEL｛03〕37ユ9－227I，　FAX（03）3792－3337（筑波支所）〒305茨城県つくぱf打千現1－2－1　　　　　TEL｛0298）53－1000｛ダイヤルイン〕・FAX（0298〕53－i005｛堕’巻I雰；423｛多　　　　　　工1互竈吏6苅三3月多邑牟テ箱茗燦兼発行人　　　　　　石　井　利　和閉1含せ先　　　管理部企爾課普及係1…lj　聯」　所株式金社三　興　邸　刷　　　　　　■勇（）策箱嘔莱斤希董区亜寛婦・稀高El1I2－1－18