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[NIRIMNews0129.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/0af00a5f-2a4b-48ab-a74e-d83e26848104/download)

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[無機材研ニュース第129号](https://mdr.nims.go.jp/datasets/f0f4053f-35df-46e2-9833-637d6839c9d4)

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無機材研ニュース第129号七〇一．ゼEoo一一0E蜆E0－oo］1oo．o0＝あ○蜆oo．］o－Eo－ooo］10’0E0f000眈o〇一10－〇一眈○眈餉Eo．但≧里三…ω…Z－o○餉］○工←第129号 平成3年9月酸化物高温超伝導体の高圧合成　　　　　　　　　　　　　　　　　客員研究員　　　　　　　　　　　　　　　　　（前第5研究グループ総合研究官）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　岡井　　敏　無機材研に高圧関係グループとして鉛ペロブスカイト研究グループPbMO且が幅長惰氏によって作られたのは研究所創立後間もない1968年であった。ぺ…蟹雇図ユ　（A）ペロブスカイトABO島、　　　（B）YBa2Cu宮07、　　　（c〕Caユ＿。Sr．CuO。、（Ca，Sr→A）　　　（1））Lal．7CaL昌Cu．O。、（La1．7Cao．ヨ→L，Ca→A）　　　の結晶構造ロブスカイト構造は欄密構造で高圧安定型であり（図1仏））、チタン酸バリウムBaTiOヨを始めとする実用材料も多いことから、高圧合成で有用な新ペロブスカイトを創成することが期待されたのであろ㌔ペロブスカイト酸化物ABOヨとしてそれまでに合成されていたものは複合型を含めて約500種類。もしこの酸化物をそっくり硫化物ABSヨに変えたものが高圧合成でできれば、ぼう大な数の化合物が得られ、中には有用なものも出るかもしれない　　これがPbMO。グループに1年遅れて加わった筆者の当時考えたことであるが、この安易な考は不毛な結果に終ったのみであった1〕。しかし、約工5年後、PbMO且グループに繋る同じペロブスカイト系グループで再びABS。の高圧合成を始めることになったのは、人問の発想というのが変らないことを示す一例ともなろうか。　当時超伝導体の中で特異な存在だったのがペロブスカイトのBaPb1一。Bi．O。で、組成xを変えると超伝導転移温度Tcとキャリア密度nとがパラレルに変化し、nが4×102’／c㎡と小さいのにTc＝12Kと転移温度の高さが光っていたのである。そこで酸化物ペロブスカイトABOヨのOをSに変えれば深いレベルにある2p電子が浅いレベルの3p電子に置き替わり、キャリアが増加するかもしれないし、高Tcの超伝導体が得られるかもしれない。こう目的をしぼったっもりであったが研究の進展そのものは最初の時と同様であったところに2〕飛び込んできたのが1986年暮のBednorz－Mullerの大ニュースであった。そう第19回無機材質研究所研究発表会のお知らせ平成3年11月27日（水）10100～15100科学技術庁研究父流センター国際会議場（1）なると筆考達がこの酸化物高温超伝導研究の大河に呑み込まれていったのは極く自然な成行きであった。　しかしペロブスカイト高圧合成の立場から出発したにもかかわらず、筆者が酸化物高温超伝導体の高圧合成を本格的に始めるようになったのは、！988年、NBSのRothによる新超伝導体の母構造ともいうべきCao．舶Sr。．MCuO。（絶縁体）の合成3〕を知って以降である。それまで片手間であったのは一つには新超伝導研究の進展が余りにも遼く常圧合成で手一ぱいであったためであり、］つには代表的な超伝導体YBa・Cu・O・の酸索欠陥の配置が余りにも芸術的で（図1（B））、高圧合成になじまないように思われたためである。Ca。．島右Sr。．，。CuO。の構造は図1（C）に示すように、超伝導に本質的なCuO。面とアルカリニヒ金属衝Ca。．冒。Sro．M（図のA繭）とが交互に積み重なったものである。このアルカリ土金属面では通常のペロブスカイトと違って酸素が全く抜けているという点で欄密構造ではなくなっているが、鴬圧でCaとSrとが上記の比率でしか合成されないのがいかにも中途半端な感じを与える。そこで広く圃溶体Ca1一。Sr．CuO。の高圧合成を試みることになった。　Ca、一。Sr．CuO。はCaの近傍（x＜O．08）を除けぱ予想通り単相で高圧合成（6GPa）される。この結果は筆者の病気のため他のグループ・〕に遅れて発表されることになったが5〕、ここで一つの指針が得られたように思われた。それは酸索欠陥型ペロブスカイトも通常のぺロブスカイト同様、高圧合成型と考えてよいのではないか、ということである。以後これを指導方針として研究を進めることになった。　まず行ったのはCal一。Sr．CuO呈のアルカリ土類金属を王緬あるいは3個金属元素で置き換えてキャリアの導入をはかることであった。これはCuO澗を持ちながら絶縁体に止まっている物質に対する当然の試みである。しかしこの置換は非常に困難で、置換元素は空孔を含めて王4種をとり、CaとSrの比率も色々変えてみたが単楯となったのは半導体のN｛．。・（Cao．茗Sro．。）o．蝸CuO。のみであった6〕。　これに対し合成が非常に容易であったのはLa一．。Al．。Cu．O。（A撚Ca，Sr）である7〕。これは図1（D）に示すようにCuO。面を底面とするCuO。のピラミッドが向き合って対になった構造で、この種のものは早くから超伝導体候補であった。しかし常圧合成のLa，．。Al．，Cu．O。は趨伝導を示さない。恐らくこの組成では結晶構造を乱さずに供給できるキャリアの数が不足しているためと思われたのでA及びOの量をふやすよう、Lal．。Al．ヨ組成でKClOヨを酸化剤とする高酸索圧処理（6GPa）を行ったところ（KαOヨと試料とを金箔をはさんで金チューブに熔封）、Tド7CKのLa1．7Ca1．ヨCu20。が得られた。Lal．7Sr1．ヨCu．Oyは超伝導体ではないがその説明はここでは省略する。これらの仕事もCaI一。Sr，CuO。の仕事が遅れた分だけ遅れて、この結晶構造で最初に趨伝導性を示したのはBe1研のCavaらとなった島〕。彼等の組成はLa，．直Sro．。CaCu空O。でTc仁60Kである。この限りではLa一．。Cal．。Cu．O。の方が優れているようだが趨伝導体積分率ではずっと劣る。これらの数値の関係とかLa1．。Cal．茗Cu．O。組成でKClO茗の量をふやしてゆくとTド75Kの別構造に変る問題とかは未解決のまま残して進まざるを得なかった。　次に述べるYSr．CuヨO。の高圧合成はY（Bal一、Sr、）呈Cu．O。の常圧合成が早い時期にOnoによってなされたが酬、x＝C．6でとどまっていたために行ったものである。x＞O．6での試み、例えばx讐0．7の高圧禽成で、メドはすぐにたったがエンドメンバーYSr．Cu茗O。の作成条件は思いの外きびしく、“7GPa，132ぴC×1h、出発試料75mgに対してKαO．6mg”の条件ではじめてほぼ一相が得られた。またこれはTc：60Kの正方晶の趨伝導体と判明したが、上　　　　　　　　　　　11．8511．80’≦11．フ5調O11、フO11．65∴；　　　　珊嶋6　　　6．5　　　　　　　禍　　　　　　　　　　Ψ図2　Y3a．Cu．O。の格子常数。y＞7の黒丸はyの　　　内挿値。y＜7は常圧含成試料州記温度圧力共に通常の使用値をこえるのでYSr．Cuヨ○泊身については詳しく調べにくく、Y3a皇CuヨO。の高酸素圧処理で代りを行うこととなった。　この点を少し説明するとこうである。YBa．Cu．O。は正方晶で絶縁体である。それがOの量を増してゆくと斜方晶となり（図2参照）超伝導性を示し始め、常圧作成試料のエンドメンバーは斜方晶YBa．CuヨO。でTc＝93Kとなる。従って超伝導のYSr．CuヨO。が正方晶になることは上記の意味では予想外であった。しかしYBa呈Cu．O。が斜方晶であるのは図1（B）の（2）側N　　　　　　0ト帽1刊　　　　do　　　　　〇一 N寸oo　岨　　　　　　o　○呵　　　　　“刷　o【　　　　　　　岨⑩　トト　　r　　　　　　　　ro　o　o　m　　　ooN0；　　　NN　山岨“　　　　　　　　O　　｝ONN　血mr　o－　N0図3一1コー2……Io×　一3一4‘520　　　　　　　30　　　　　　　40　　　　　　　50　　　　　　　60　　　　　　　　　　261d侶OjYBa．CuヨO。のX線圓折線図。（A）正方晶。6GPaの高酸素圧下で作成。　（B）斜方晶。酸素気流申炉冷。　　TlK］　　　　　　　　　　　関する限りTド92Kのままである。となるとO。の斜　　50　　　　　　100　　　　　　　　　　　　　　　　方晶（Tc＝92K）が高酸素処理後も多少残存して738　　　　　　　　　　　　　Tド92Kを示しているとも疑われるが、図5の2θ　　　　　　　　　　　　　　　　～卯付近の（200）、（020）回折線の酸素量による変化　　　　　7　　　に見られるように、。は結晶粒界などでなくバルク　　＼け051｛洲　　　　　　　　　　　　　　に入り、構造それ禽身を変化させていると見てよさ　　　　　　　　　　　　　　　　そうである。そこでTokuraら1引の処方塞を拡張して　　　　　　　　　　　　　　　　CuO・面のホールの数とTcとの関係を求めてみると　　　　　　　　　　　　　　　　図6のようになる。これまでの結果ではホールの数　　　　　　　　　　　　　　　　を変化させるとTCに山が現れるというものであっ　　　　　　　　　　　　　　　　たが、高酸素圧処理のY8a．Cu．O。はそれに従わなは±O．ユ程度と思われる。KC1O宜の量を種々変えて作成した試料のうち、十分試料の量があるものについてだけ上記の方法で酸索量を求め、他は内挿によってその値を推定した。こうして酸素量と格子常数の関係を作ると常圧合成の分まで含めて図2のようになった12〕。酸素量がふえると斜方晶が再び正方晶に戻る。ところで超伝導性はというと、図4のように転移開始温度に7．7、716y＝フ図4　SQUIDによる帯磁率の温度変化。カッコのy　　　は内挿値。Cu1面にOの欠陥があるためであり、高酸素圧下で○がその欠陥を埋めてゆくとなると正方晶になってよい。それを調べるのはYSr．Cu宮O。より常圧で既に“ユー2－3”構造をとるYBa．CuヨO。の方が適当であろう。　YBa．CuヨO。の高酸素圧処理は圧力6GPaで、温度（ユOOC℃近傍）とKαOヨの量とを色々に変えて行った。まず狂方晶が得られるのは図3のX線図に見られる通りでll〕、この試料の酸素分析を行ったところO。．。であった。酸索分析はLECO，TC一ユ36の不活性ガス溶融・赤外吸収法で精度の点に問題はあるかもしれないが、常圧合成の酸素量がO。，雪とO。とであったから誤差45　　　　　　50い。　Tokuraらの処方菱というのは（Ca．Yl一。）Ba．CuヨO。、Y（La，Bal一、）。Cu．O。など非常に沢山の“1－2－3”型について酸素量y（測定値）、ホールの数（価数よりの計算値）とTcとをプロットして得られたもので、YBa．Cu．O。にあてはめるとCu1面（CuOチェーン）に（y－6．5）コのホールがトラップされ、Cu2面（Cu02面）に（y－6．5）／2コのホールがキャリアとなって現れると説明される。もちろんTokuraらの解折は殆どy≦7のデータに基くものであるから、y＞7では拡張し過ぎているがホールの分配そのも人人1人45図5　　50　　　　　　　　2θ‘d哩g．，酸素量yの増加による斜方晶（200）、（020）の正方晶（200）への変化。カッコのyは内挿値。（3）■　　　　O　　　　　　　　　　　O．2　　　　　　　　　　0．4　　　　　　　　　　0、囹　　　　　　　　　　冥h図6　“1－2－3”系のCuO。面のホール濃度とTcの　　　関係。矩型はTokuraら三3〕による。黒丸は　　　YBa．Cu．O。のyが内挿値であることを示す。のよりy＞7におけるホールの絶対数の大きいことが問題なので、それを見るためだけに上記の方法を借用させていただくことにする。　さて高酸素圧処理の最も進んだY3a．CuヨO。．。についてホールの数を考えると次のようになる。CuO呈面ではy＝7のO．25コ／CuからO．6コにもふえた。CuOチェーンではo．5コ／Cuから1．2コヘの増加である。しかもTcは変らない。これは不思議である。CuOチェーンといったが、ここではOがふえたのでCuO1．。面となっているはずだが、この面に1．2コ／Cuのホールが伝導にも参カ臼せずトラップされていることは可能であろうか。そもそも超伝導銅駿化物の研究で初期の段階から注園されたのは、Cuサイトのホール間クーロン相互作用は強く、Cuにホールが存在しにくいということであった。ユ．2コものホールというのはこの点工合がわるい。Cuの電子状態は通常の3d9，3ぴLでよいのであろうか。過剰酸素の位置、電子状態等を調べるための良質の高酸素圧試料YBa．Cu．O。（y＞7）がいま非常に求められている。ところで間題はYBa呈Cu．O。にとどまるものではない。Tokuraら13〕が調べたのにならって、今度は高酸索圧処理をYBa．Cu宮O。以外の沢山の試料にほどこしたとき、Tcとホールの閲にどのような関係が生ずるのか。これらは超伝導メカニズム解明に直接関係するデータとなるはずで実験を急がなければならない問題となっている。　酸化物超伝導体の合成を萬圧下で行うという余裕が世界的にも出てきたのであろうか。最後に最近発表された他機関の関連研究にも言及する。その一っはGoodenou幽ら1一〕によるNdo．1，Sr。．君。CuO。の合成である。彼らは2．5GPaでTc＝40Kの超伝導体を作った。実は筆考もNd。．。。Sro．。。CuO。まで高圧合成したが、2θ～33一に不純物相回折線が出たのでそれまでとしたのであった。彼等の論文には筆者と同じ纏成のものも非超伝導体と記載されているし、彼らの成功した組成ではX線図に2θ～33切不純物相が屍られるがともかく彼らは超伝導体を作ったのである。Goodenough一流の考えでNdを入れてゆくとCuOの距離が伸びることを手がかりにしたようであるが、つくづく合成研究は色々な人が色々な角度からしなければいけないとの思いを深くする。詳しい製法や構造は明らかにされていないが萬圧合成のBa。．。Sr。．島CuO。でTc～90Kが得られた］5〕と聞いたときも同じ思いであった。高圧合成はまだ室捜しの段階にあるといえよう。筆者のもとでもPb！212型と思われるものでTc～110Kの徴候が見られるけれどもまだ組成が同定できていない。以上が筆考がこの3月定年退職するまでの高圧合成趨伝導体関係の仕事であるが、文頭に述べたようにペロブスカイト研究グループは伝統のある研究グループであり、簑研究所に超伝導材料研究マルチコアの新物質探索コアが設置されていることでもあるので、ぜひこの仕事が引き継がれ発展されるよういま強く望んでいる。　謝辞　マルチコアの制度で研究がスムーズに進んだことを感謝します。文献1）岡丼敏、福長脩、山岡信夫：第1咽高圧討論会　　要旨集、p．46（1969）2）岡井敏、高橋恒、佐伯昌宣、吉本次一郎：第27　　回高圧討論会要旨集、p，192（1986）、B．Okai，　　K．Takahashi，M．Saeki　and　J．Yoshimoto：　　Mat．Res．Bui1，23，互575（！988）3）T．Siegrist，S．M，Zahurak，D．M．Murphy　and　　R．S．Roth：Nature334231（1988）4）M．Takano，Y．Takeda，H．Okada，M．　　Miyamoto　and　T，Kusada：Physicaα59375　　（ユ989）5）B．Okai：Jpn．J．AppL　Phys．28L2251（1989）6）B．Okai：Jpn．J．App1．Phys．29L209！（玉990）7）B，Okai：Jpn，J．App1．Phys．30L179（1991）8）R，J．Cava，3．Bat1ogg，R．3，van　Dover，J．J．　　Krajewski，J．V．Waszczak，R，M．Flemi㎎，W－　　F，Peck　Jr．，L．W．Rupp　Jr．，P．Marsh，A．C．W．　　P，James　and　L．F．Schneemeyer：Nature345　　602（1990）9）A．Ono，T，Tanaka，R．Nozaki　and　Y．玉shi－　　zawa：Jpn．J－App王．Phys．26L1687（1987）10）B．Okai：3pn，J，AppI．Phys．29L2180（199C）11）B．Okai　l　Jpn．J，App1．Phys．29乙2193（1990）12）B－Okai　and　M．Ohta：Jpn．J．App1．Phys．30｛4）　　L1378（工991）13）Y．Tokura，J－B．Torrance，T．C．HuangandA．　　至．Nazzal：Phy．Rev．B387156（1988）ユ4）M．G．Smith，A．Manthiram，J．Zhou，J．B．　　Goodenough　and　J．T．Markert：Nature35豆　　549（玉99玉）15）M．Takano，Z．Hiroi，M．Azuma　and　Y．　　Takeda1The　Third夏STEC　Wcrkshop　on　　Superconductivity（Kumamoto），P．3C　（1991）！6）Y．Nakazawa　and　M．Ishikawa：Physica　　C至5838ユ（1989）　前号「インテリジェント構造材料研究」の参考文献　1）R．C．Garvie，R．H．Hanηink，and　R．T．　　　Pascoe，Nature，vo王．258，703－04（ユ975）　2）中西典彦、重松利彦、杉村俊和、沖中秀　　　行、ジルコニアセラミックス8、内田老　　　鶴圃、p．71－85（玉987）投稿登録番号2610261126122613261426152616261726182619262026212622262326242625題　　　　　　　　目Stretching　of　Slow　Positron　PulsesGenerated　with　an　E1ectron　LinacDie玉ectric　Properties　of　Pb5GeヨO11Thick－Films　Prepared　by　Rapid－Quenching超伝導体の構造に及ぼす組成・圧力の影響The　Systems　R20呂一M20p－M’O〔Ris　In　Sc，Yoroneofthelanthan王des～MisFe，Ga，or　A1，and　M’is　one　of　the　dlvalent　cationeieme駐tS〕減圧下での加熱処理によるPTCチタン酸バリウムセラミックスの劣化機構The　Phase　Re王ations　in　the　System　In20ヨλ空BOぺBO　at　Eievated　Tempεratures（A：Fe，Ga，or　Cr；B：Mg，Co，N］or　Cu）：Part1lStruct岨e　of　the互ncommensurate　Com－posite　Crystai｛PbS）H2VS2混合層粘土鉱物は、“二次元結晶”の積み重ねか？Optica王　study　of　the　stoichiometry・dependent　electronic　structure　of　TiCx，VCx，and　NbCxGrain　Growth　D鐵ring　Gas－PressureSintering　of　B・Silicon　N耐ideOetermination　of　Ternary－System　CationOistribution　in（Co，Ni，Zn）SiO日Pyrox－one　Employi㎎Two－Waveiergth　Amma－1ous　Dispersion　with　SynchrotroηRadia－tionSynchrotron　X－Ray　Rieve王d　Analysis　ofα一Hafnium　PhosphateSrTiO。セラミックスの粒界の組成分布Ba？iOヨPTC　？her㎜istors，Micros－tructure　and　Electrical　PropertiesSynthesis　of　gel－derived　ce王1u1ar　aiumina玉s　It　Possib王e　to　Stabilizeか3i空Oヨby　anOxide　Additive？発　　表　　者赤羽　隆史・千脇　光團千葉　利信・山崎　鉄夫塩谷　亘弘・冨増多喜夫谷川庄一郎・三角　智久鈴木　良一高橋紘一郎・上日ヨ洋史鈴木　健之・掛川　一幸泉　富土夫潜塚　　昇・室町　英治白鳥　紀一菱囲　俊一・伊藤　憲治ジャンフランソワポマールピェールアベラール君塚　　昇・毛利　尚彦申村真佐樹小野困みつ子・カロ藤後藤山臼小出設楽福谷藤森三友田中斉藤月村大橋義人・大沢裕久常晴・カヨ藤哲夫・大谷博仁・石沢　淳・宮原　譲・堤英彦・上の蘭文爽勝宏・佐々木晴夫克爽吉直簿雄茂樹芳夫垣星正幸　聡　聡　泉・泉　富土夫克宏・當田拓治・大隅憲治・菱E日　俊一茂樹・横山　政人j1魔三・板東　嚢・臼嵜俊一P．B王anchartJ．F．3aumardP．Abelard若桑　睦爽・牧島」1嶋　正幸渡辺　昭輝掲　載　誌　等App…．Phys．A51，　！46，　199C日本セラミックス協会学術論文誌98，　8，　739，　互990日本金属学会会報29，9，684．1990Handbook　　on　　1＝hePhysics　and　Chem三stry○壬Rare　Earths，13，283，王990日本セラミックス協会学術論文誌98，　8，　885．　1990J．So王，Sta，Chem87，　449，　玉990Acta　CrystB46，487，三990化学と工業43，　4，　110．　1990Physical　Review　B42，8．4979．1990J．Am－Ceram，Soc．73，　8，　244玉，　1990Acta　Cryst．B46，493．1990Ana1ytica三Sciences6，　689．　1990日本セラミックス協会学術論文誌98，8，　831．　1990JJAP　Series2王67．　1989J．Mat．Sic．Lett9．1304，王990Solid　Sをate　Ion三cs40／41，889．1990（5）26262627262826292630263ユ263226332634263526362637263826392640264玉2642264326442645264626472648絵でみる工業材料事典一無機材料編Defects　Inhibitin星1－D　Ionic　Conductionin　Kx〔Ga呂Ga宮ヰ、T1，6＿、O舶〕光とのたわむれ一光機能性複合セラミックスー光学活性イオン付活発光索子光分解法による機能性ガラスの作製Pianar　Waveguiding　Patternsphotoiyt｛cauy　Produced　丘om　（C5H5）2Tiα2Impregnated　Porousαasses絵でみる工業材料事典Cubic　Boron　Nitride　as　a　New　Semicon－ductor　for　Optoe王ectronics：Lumines－cence　ProPerties　and　PotentiaIitiesUltraviolet　Li暮ht－Emitting　D｛ode　ofCubic　Boron　N王tride　PN　JunctionFlux　Growth　of　Ax〔Ga目Ga拮十、Ti16一、05石〕（A蝋K，Rb，Cs）Sing互e　CrystalsRaman　Scattering　Studies　of　the　one－Dimensiona王Ionic　Conductors　K－B－Priderites（B：Zn，Ga）and　PotassiumGa王亙otitanoga工1ateオクタカルシウムホスフェートの溶解機構絵でみる工業材料事典窒化珪素の液相焼結中における微構造発現過程Growth　of　Uncracked　Barium－Sodiu触Niobate　CrystalsRietveld　ana三ysis　of　the　modu互ated　struc－t口re　in　the　superconducting　oxide　Biz（Sr，Ca）2Cu20呂州Rietveld法による変調構造解析プログラム互nclusion　Behaviour　of　Benzoic　Acidtowards　玉nterca1ates　of　α一and　．γ一Z呈rconiu㎜　HydrogPn　PhosPhates　wlth2－A搬inopropyiammo－Substituted　β一CydodextrinStudies　on　Ba2．g2Nao．57Ndo．雪エNblo．170茗o．oo　with　Tungsten　Bronze　Type　Stmc－tweNitridation　of　So王一Gel　Derived　FibersMicrostructures　in　　SuperconductiveOx｛des　Revea1ed　by　HRTEMHRTEM　Study　of　Crysta1Structures　andMicrostmctures　of　High－Tc　Supercon一曲ctors　YBa2刈Sr．Cu且Oy（x＝O～王、2〕IV－5α一サイアロンセラミックスの特性と応用β一andβ”一GalIate，Gallium　Ana1ogues　ofβ一andβ”一Alu搬三na，as　Cata互ysts　for　HighTemperature　Combustion　of　Methane蘭中　英彦渡辺　　遵・藤木　良規吉門　進三・大鉢　　忠工道　幸嗣川副　樽司・井上　　悟山根　正之・井上　　悟井上　　悟・二瓶　靖和川副　博司・山根　正之井上　　悟江良　　皓・三島　　修江良　　浩・三島　　修和蘭　芳樹・田中　煩三山岡　信夫藤木　良規・吉門　進三渡辺　　遵・大鉢　　忠佐々木高義・谷〔〕　一郎三橋　武文・小野困義人石井　紀彦・藤木　良規大坂　俊明門聞　英毅　　〃三友　　護月岡　正至・黒岩慎一郎E目野倉保雄・小林美智子嶋津　正司・堤山本　昭二小野田みつ子室町　英治・泉石垣　　徹・浅野山本　日召二木島　　剛貞夫富士夫　　肇月岡　正歪・臼ヨ野倉保雄小林美智子・堤　　貞夫関根　正裕・片山　真吾三友　　護堀内張松井松井小野鶴田石沢葉石高丼道上富永繁雄・正囲学華・太田良夫良夫・李　昭・堀内忠正健警・鮎沢秀機・白仁蘭政道・三友勇一・藤木博夫　蕪正恒　旭繁雄信夫　昭　護良規工業材料38，14，148．！990Solid　State　Ionics4C／4！，139，199Cセラミックス系複合核料を知る事輿！42，　199Cセラミックデータブック71，360．　1989Proc．Ist　Japan　Interna－ticnal　SAMPE　Sympo－Sium28，　3C1．　1989工業材料38，　14，　84．　1990Mat．Res－Soc．Srmn．PrOC．ユ62－555－990Spn撃・・P・・…di㎎・i・Physヱcs，38，　386，　ユ989Solid　State　Ionics4c／4ユ，136．1990Solid　State互onics40／4！，！50．1990Phosphorus　Letter9，11．！990工業材料38，王4，222．1990窒化珪索セラミックス2，93Modorn　Physics　LettersB4，ユ6．1017．1990Physicai　Review　B42，7，42．1990日本結晶学会誌32，229．！990J．Ind．Phenomena9，171．！990Modem　Physics　LettersB4，王6．！053．1990Proceeding　of　the　Inter－mtion　Symposium　onFine　Ceramics　Arita’9C222．1990JJAP　Series22，ユ37，ユ989Proceeding　for　the　X至I曲夏ntermationa王Congressfor　E1ectron　Microscopy58．1990窒化珪素セラミックス2，239Chenユistry　Letters2039．1990（6）2649 レーザフラッシュ法によるセラミックスの 三橋　武文 The　E1eventh　Japan熱定数測定のJIS化の現状 Symposium　on　Themo・physical　Properties319．19902650 熱収束型及び熱発散型フラッシュ法による 三橋　武文・有井　　忠牟田　史仁・藤木　良規The　Tenth　Japan　Sym一熱拡散率測定 posium　on　Thermo一physical　Properties123．19892651 熱発散型フラッシュ法による微小域の熱拡 三橋　武文・佐々木高義 The　EIeventh　Japan散率測定 有井　　忠・羽田　　肇 Symposium　on　Thermo一藤木　良規 physical　Properties433．19902652 Temperature　Dependence　of　EIectricaI Jong・Hem　Lee J－American　CeramicConductivity　in　Po1ycrystal1ine　Tin Soon－Ja　Park SocietyOxide 広田　和士 73，9．2771．19902653 絵でみる工業材料 池上　隆康 工業材料38，14，42．19902654 Neutron　Diffraction　Study　of　the　Cu 小川　尚之・茂筑　高士 Physica　BFerromagnet　La4Ba2Cu．O1o 水野　文夫・浅野　　肇 ！65＆166．1687．1990増田　博武・泉　富士夫平林　　泉・田中　昭二2655 フッ化物系ガラスとレアアースの役割 井上　　悟 電気学会研究会資料，　，ユ7，ユ9902656 High　Tc　Bi－BASED　SUPERCON一 堀内繁雄・堤　正幸 SoIid　State1onicsDUCTIVE　OXIDES　OBTAINED　BY 小野田義人・正田　　薫 40／40，　，832，ユ990DOPING　FLUORINES2657 コハク酸およびメチルコハク酸複合層状リ 門問　英毅ン酸カルシウムの熱的挙動 鵠理腎ime，　，229．19902658 電子顕微鏡による微構造の評価 板東　義雄 窒化珪素セラミックス63，　，2，ユ9902659 EIECTRON－BEAM　DAMAGE　AND 板東　義雄・北見　喜三横山　政人Proceedings　of　the　XIIthANALYSISATLOWTEMPERATURE International　Congressfor　E1ectron　MicroscopyCopyright806～807．19902660 電子放射素子としての炭化物、ホウ化物単 大谷　茂樹・石沢　芳夫 日本結晶成長学会誌結晶加茂　睦和・佐藤洋一郎17，2，188．19902661 Characterisation　of　thin　film　and　Sing1e一 MaterialsResearchSoci一crysta工CVD　Diamond　by　absorption　and Ki㎎’s　col1ege etyLuminescence　spectroscopy A．T．coI1ins 162，225．19902662 Effective　Oxygen　Partia1P「essu「e　du「in9 渡辺　明男・白崎信一 Journal　of　the　CeramicHIP 羽田　　肇・守吉　佑介菱田　俊一・山村　　博Society　of　JapanInt．Edition198，6，11，19902663 A．graphitic　carbon　nitride 関根利守・北条　喜一 Jouma1ofMaterials　Sci一神田　久生・坂実　義雄 ence　Letters9．1376．19902664 Si昌N。系セラミックーNi接合界面の電顕観 M．E．Brito 日本金属学会会報察 弘津　頑彦 29，11，910．19902665 Synthesis　and　Sintering　of　SiC－C　Powder 田中　英彦・広田　和士 Journal　of　　theMixture　from　Si（OCH3）4and　PhenoI 金　　哲鏑 CERAMIC　SOCIETY　ofResin Japan　International　Edi一tion98，616．19902666 結晶化学と物質探索 室町　英治 日本物理学会誌45，ユユ，797，ユ9902667 Nonstoichiome　try　and　Mixed　Pr　Valen一 鬼頭　　聖・泉　富士夫 Japanese　Journa1　ofcy　in（Prl＿xSrx〕（Pr1＿yCe。）CuO。＿、 澤　　　博・石垣　　徹 ApPlied　Physics秋光　　純・浅野　　肇 29，10，183．19902668 Die　Struktur　der　eindimensional　fehl一 加藤　克夫・古賀　哲哉 Acta　Crystgeordneten　BIei－Vanadiumbronze　β一 須田幸助・長沢博 46．1587．1990Pb。．ヨ肥V．O。運営会議　6月24日、第119回運営会議が、1）平成4年度予算について　2）最近の研究についての議題で開催された。研究会　7月19日、第7回結晶構造解析研究会が「Bi銅化（7）合物超電導体の構造と物性」の演題で開催された。　8月8日、第56回結晶成長研究会が「ソウル国立大学における材料研究」の演題で開催された。　8月19日、第45回結合状態研究会が「トパーズに於ける熱退色現象」の演題で開催された。　8月28日、第1回BCN研究会が「C眉。クラスターと固体C。。の電子状態」の演題で開催された。人事異動　山田裕久（第15研究グループ研究員）第15研究グループ主任研究官に昇任させる　小松正二郎（超高温ステーション研究員）超高温ステーション主任研究官に昇任させる　　　　　　　　　　　（以上平成3年7月1日付）海外出張　第3研究グループ総合研究官猪股吉三は、「マレイシアファインセラミックス研究評価調査」のため平成3年6月16日から平成3年6月22日までマレイシアヘ出張した。　管理部企画課課長坂元思無邪は、「マレイシアファインセラミックス研究評価調査」のため平成3年6月16日から平成3年6月22日までマレイシアヘ出張した。　超高温ステーション主任研究官石垣隆正は「第10回プラズマ化学国際シンポジュウムに参加発表及び熱プラズマセラミックス粉体プロセッシングに関する討論」のため平成3年8月2日から平成3年8月15日までドイツ連邦共和国及びフランス共和国へ出張した。　第9研究グループ主任研究官井上悟は、「第7回非晶質固体の物理に関する国際会議に参加発表」のため平成3年8月4日から平成3年8月11日まで連合王国へ出張した。　第15研究グループ研究員下村周一は、「X線分析手法に関する環太平洋国際会議参加」のため平成3年8月12日から平成3年8月17日までアメリカ合衆国へ出張した。外国人の来所ユ．来訪日時　平成3年6月27日　　来訪者名　Mr．Werner　G．Kontora　　　　　　　米国　元NASA職員2．来訪日時　平成3年7月8日来訪者名3．来訪日時　来訪者名4．来訪日時　　来訪者名5．来訪日時　　来訪者名Prof．GordonB．Dona1doson他4名英国　University　of　Strathclyde平成3年7月18日王　建　華　他2名中国　成都科学技術大学学長平成3年7月3ユ日Herudi　Kartowisastroインドネシア　科学院科学技術基盤整備担当局長平成3年8月1日朴正澤他7名韓国　科学技術庭技術振興局技術調査課長第19回無機材質研究所研究発表会のお知らせ　当研究会では、研究発表会を平成2年度で研究が所期の目的を達成した、グループ研究2課題、特別研究2課題の研究成果について下記により行います。　　　　　　　　　　記日時　平成3年ユ1月27日（水）10100～15100場所　科学技術庁研究交流センター国際会議場　　　茨城県つくば市竹園2丁目20－3題目　金属典型元素カルコゲナイドに関する研　　　究　　　ニオブ酸バリウム・ナトリウムに関する　　　研究　　　ダイヤモンドの半導体化に関する研究　　　（特研）　　　超耐摩耗性材料の開発研究（特研）参加費無料（当日会場にて受付）　詳細については、次号（第ユ30号、平成3年11月発行）に特集する予定です。（8）