Stable structures of (VGaVN) n defects in bulk GaN
- ジャーナル論文
- 著者
-
Hiroyuki Ishihara (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0002-5824-430X
(unauthenticated)
;
Masato Oda (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-8731-5122
(unauthenticated)
;
Tsuyoshi Miyazaki (author) (この著者で検索)
- キーワード
- GaN, First-principles calculations, Large-scale DFT, Vacancy, Defects
- 刊行年月日
- 2026-08-24
- 更新時刻
- 2026-08-26 10:56:41 +0900
Investigation of Deep States in GaN Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces
- ジャーナル論文
- 著者
-
Yoshihiro Irokawa (author) (この著者で検索)
;
Mamoru Usami (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0009-0002-3188-7380
(unauthenticated)
;
Jun Uzuhashi (author) (この著者で検索)
;
Tadakatsu Ohkubo (author) (この著者で検索)
;
Toshihide Nabatame (author) (この著者で検索)
;
Yasuo Koide (author) (この著者で検索)
- キーワード
- GaN
- 刊行年月日
- 2026-05-01
- 更新時刻
- 2026-05-13 10:14:20 +0900