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[Vol. 78]New Diamond Transistor Exhibits High Hole Mobility_WPI-MANA.pdf
[Research Highlights Vol.78] New Diamond Transistor Exhibits High Hole Mobility
雑誌
コレクション
Research Highlights
著者
International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA)
キーワード
diamond, field-effect transistor, hexagonal boron nitride, mobility, hydrogen-terminated, wide bandgap, hBN, graphite, hBN/h-BN
刊行年月日
更新時刻
2023-12-26 21:47:16 +0900