MDRについて
ヘルプ
お問い合わせ
Switch language
日本語
English
Search MDR
Home
論文・データセット
絞り込み解除
コレクション
資源タイプ
論文(5)
キーワード
MoS2 (5)
Interlayer twist (1)
Low-power transistors (1)
Memristors (1)
Negative differential resistance (1)
Raman scattering (1)
Schottky diode (1)
defect densities (1)
dual-gated exfoliated bilayer (1)
electron localization (1)
(more)
ライセンス
Creative Commons BY Attribution 4.0 International (5)
ファイル種別
application/pdf (5)
5 件のレコードが見つかりました。
Ion Migration in Monolayer MoS2 Memristors
論文
著者
Sotirios Papadopoulos ; Tarun Agarwal ; Achint Jain ;
Takashi Taniguchi
;
Kenji Watanabe
; Mathieu Luisier ; Alexandros Emboras ; Lukas Novotny
キーワード
Memristors
,
MoS2
,
defect densities
刊行年月日
2022-07-08
更新時刻
2025-03-01 12:30:23 +0900
The optical response of artificially twisted MoS$$_2$$ bilayers
論文
著者
M. Grzeszczyk ; J. Szpakowski ; A. O. Slobodeniuk ; T. Kazimierczuk ; M. Bhatnagar ;
T. Taniguchi
;
K. Watanabe
; P. Kossacki ; M. Potemski ; A. Babiński ; M. R. Molas
キーワード
Interlayer twist
,
MoS2
,
Raman scattering
刊行年月日
更新時刻
2025-03-01 08:30:17 +0900
Evidence of the Coulomb gap in the density of states of MoS2
論文
著者
Michele Masseroni ; Tingyu Qu ;
Takashi Taniguchi
;
Kenji Watanabe
; Thomas Ihn ; Klaus Ensslin
キーワード
MoS2
,
dual-gated exfoliated bilayer
,
electron localization
刊行年月日
2023-02-14
更新時刻
2025-02-28 12:30:25 +0900
Steep-slope Schottky diode with cold metal source
論文
著者
Wongil Shin ; Gyuho Myeong ; Kyunghwan Sung ; Seungho Kim ; Hongsik Lim ; Boram Kim ; Taehyeok Jin ; Jihoon Park ;
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
; Fei Liu ; Sungjae Cho
キーワード
Low-power transistors
,
Schottky diode
,
MoS2
刊行年月日
2022-06-13
更新時刻
2025-02-26 08:30:57 +0900
Minigap-induced negative differential resistance in multilayer MoS2 -based tunnel junctions
論文
著者
Seiya Kawasaki ;
Kei Kinoshita
;
Rai Moriya
;
Momoko Onodera
;
Yijin Zhang
;
Kenji Watanabe
;
Takashi Taniguchi
;
Takao Sasagawa
;
Tomoki Machida
キーワード
Negative differential resistance
,
MoS2
,
tunnel junction
刊行年月日
2024-07-01
更新時刻
2025-02-06 12:30:24 +0900
キーワード
MoS2
(5)
Interlayer twist
(1)
Low-power transistors
(1)
Memristors
(1)
Negative differential resistance
(1)
Raman scattering
(1)
Schottky diode
(1)
defect densities
(1)
dual-gated exfoliated bilayer
(1)
electron localization
(1)
tunnel junction
(1)
<
1
>