18 件のレコードが見つかりました。
Epitaxial Lateral Overgrowth of c-plane α-Ga2O3 using a stripe mask with ultra-narrow windows
- 論文
- 著者
-
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, HVPE, ELO
- 刊行年月日
- 2025-05-19
- 更新時刻
- 2025-05-21 15:11:49 +0900
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching
- 論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- Ga2O3, HCl gas etching, air bridge
- 刊行年月日
- 2025-05-01
- 更新時刻
- 2025-05-07 11:01:17 +0900
Epitaxial lateral overgrowth of m -plane α-Ga 2 O 3 by halide vapor phase epitaxy
- 論文
- 著者
-
Yuichi Oshima
;
Takashi Shinohe
- キーワード
- Ga2O3, dislocation, ELO, HVPE
- 刊行年月日
- 2025-12-31
- 更新時刻
- 2025-04-23 09:22:16 +0900
Luminescence properties of dislocations in α-Ga2O3
- 論文
- 著者
-
Mugove Maruzane
;
Yuichi Oshima
;
Olha Makydonska
;
Paul R Edwards
;
Robert W Martin
;
Fabien C-P Massabuau
- キーワード
- Ga2O3, dislocation
- 刊行年月日
- 2025-01-20
- 更新時刻
- 2024-11-13 08:31:40 +0900
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga 2 O 3 using forming gas under atmospheric pressure
- 論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima
;
Rie Togashi
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- Ga2O3, forming gas, anisotropic etching, plasma-free process
- 刊行年月日
- 2024-12-31
- 更新時刻
- 2024-07-31 12:30:20 +0900
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas
- 論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- Ga2O3, etching, HCl
- 刊行年月日
- 2023-04-17
- 更新時刻
- 2024-05-29 08:30:12 +0900
Photoelectron holographic study for atomic site occupancy for Si dopants in Si-doped κ-Ga2O3(001)
- 論文
- 著者
-
Yuhua Tsai
;
Yusuke Hashimoto
;
ZeXu Sun
;
Takuya Moriki
;
Takashi Tadamura
;
Takahiro Nagata
;
Piero Mazzolini
;
Antonella Parisini
;
Matteo Bosi
;
Luca Seravalli
;
Tomohiro Matsushita
;
Yoshiyuki Yamashita
- キーワード
- Ga2O3, κ-Ga2O3
- 刊行年月日
- 2024-04-03
- 更新時刻
- 2025-03-07 12:30:11 +0900
Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001)
- 論文
- 著者
-
Yuhua Tsai
;
Masaaki Kobata
;
Tatsuo Fukuda
;
Hajime Tanida
;
Toru Kobayashi
;
Yoshiyuki Yamashita
- キーワード
- Ga2O3, dopant, b-Ga2O3
- 刊行年月日
- 2024-03-11
- 更新時刻
- 2024-03-19 12:30:20 +0900
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches
- 論文
- 著者
-
Takayoshi Oshima
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- Ga2O3, (-102), selective area growth, selective area etching
- 刊行年月日
- 2024-01-22
- 更新時刻
- 2025-01-25 12:30:12 +0900
Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3
- 論文
- 著者
-
Elaheh Ahmadi
;
Yuichi Oshima
- キーワード
- Ga2O3, power device, epitaxy
- 刊行年月日
- 2019-10-28
- 更新時刻
- 2024-01-29 15:08:11 +0900