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Acceptor activation of Mg-doped GaN—Effects of N2/O2 vs N2 as ambient gas during annealing
- ジャーナル論文
- 著者
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Ashutosh Kumar (author) (この著者で検索)
https://orcid.org/0000-0002-8085-1598
(unauthenticated)
National Institute for Materials Science
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;Martin Berg (author) (この著者で検索);Qin Wang (author) (この著者で検索)Jun Uzuhashi (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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Tadakatsu Ohkubo (author) (この著者で検索)National Institute for Materials Science
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;Michael Salter (author) (この著者で検索)Peter Ramvall (author) (この著者で検索) - キーワード
- gallium nitride, scanning transmission electron microscopy, semiconductor, activation
- 刊行年月日
- 2023-07-21
- 更新時刻
- 2024-01-05 22:12:15 +0900