論文 High Current Output Hydrogenated Diamond Triple-Gate MOSFETs

LIU, Jiangwei SAMURAI ORCID (機能性材料研究拠点, National Institute for Materials ScienceROR) ; OOSATO, Hirotaka (技術開発・共用部門/微細加工プラットフォーム, National Institute for Materials ScienceROR) ; DA, Bo SAMURAI ORCID (統合型材料開発・情報基盤部門/材料データプラットフォームセンター/材料データ解析グループ, National Institute for Materials ScienceROR) ; KOIDE, Yasuo (技術開発・共用部門/ＮＩＭＳ・名大窒化ガリウム評価基盤研究ラボラトリ　－天野・小出共同研究ラボ－, National Institute for Materials ScienceROR)

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引用
LIU, Jiangwei, OOSATO, Hirotaka, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. High Current Output Hydrogenated Diamond Triple-Gate MOSFETs. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2019, 7 (), 561-565. https://doi.org/10.1109/JEDS.2019.2915250
SAMURAI

説明:

(abstract)

In this paper, planar-type and novel triple-gate fin-type hydrogenated diamond (H-diamond) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are fabricated on single-crystalline diamond substrate. Both MOSFETs show good operations with on/off ratios as high as 1010. Current output maximum normalized by gate width for the triple-gate H-diamond MOSFET is ‒271.3 mA mm‒1, which is almost two times higher than that of the planar-type MOSFET. This study is meaningful to fabricate high current out and downscaled H-diamond MOSFETs.

権利情報:

キーワード: Diamond, MOSFET, triple-gate

刊行年月日: 2019-05-08

出版者: IEEE

掲載誌:

  • IEEE Journal of the Electron Devices Society (ISSN: 21686734) vol. 7 p. 561-565

研究助成金:

原稿種別: 出版者版 (Version of record)

MDR DOI:

公開URL: https://doi.org/10.1109/JEDS.2019.2915250

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連絡先:

更新時刻: 2024-01-05 22:13:57 +0900

MDRでの公開時刻: 2023-02-28 11:28:04 +0900

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