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低消費電力での動作が期待されている次世代半導体デバイスの一つであるトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の酸化物チャネル材料Ti0.3Zn0.7O1.3の電子物性に対する界面形成プロセスの影響を検討し、発表いたしました。これまでにトンネルFET用の酸化物チャネル材料には低欠陥で膜厚が均一な界面の形成により、トンネル電子のトラップを抑制することが重要であることが知られています。これまでの研究でTiとZnの組成比と熱処理条件の最適化により、欠陥と有効障壁高さの低減が可能であることを明らかにしました。本研究ではさらなるトンネル特性の向上のためには固溶体の構成元素の酸化エネルギーの違いに伴う界面反応の差を考慮する必要があることから、非晶質で低抵抗、低表面粗さが得られた組成において、界面層の形成プロセスに対する電気特性や物理特性の変化を調査した結果を報告しました。

Rights:

• Creative Commons BY-NC-ND Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 International
  

  This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in Japanese Journal of Applied Physics. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at https://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/add0be.

Keyword: oxide semiconductor, tunnel field effect transistor, combinatorial method, interface

Date published: 2025-05-19

Publisher: IOP Publishing

Journal:

• Japanese Journal of Applied Physics (ISSN: 00214922) vol. 64 issue. 5

Funding:

Manuscript type: Author's version (Accepted manuscript)

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5739

First published URL: https://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/add0be

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Updated at: 2026-02-14 20:23:13 +0900

Published on MDR: 2026-05-19 08:27:25 +0900