# 耐圧1.7 kV超のノーマリーオフ型ホウ素ドープダイヤモンド金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ

https://mdr.nims.go.jp/datasets/a9b5ff17-05b1-4200-876b-ca8ec4319a0c

## File

- [トピックス記事3.docx](https://mdr.nims.go.jp/filesets/35128708-ffe6-408c-8efa-ba64b030bcc3/download) ([Detail](https://mdr.nims.go.jp/filesets/35128708-ffe6-408c-8efa-ba64b030bcc3.md))

## Id

a9b5ff17-05b1-4200-876b-ca8ec4319a0c

## Local identifier



## Visibility

open_to_public

## State

published

## Created at

2026-07-14T00:53:10.802182Z

## Updated at

2026-07-21T08:18:19.164270Z

## Published at

2026-07-15T07:30:53.813757Z

## Doi

https://doi.org/10.48505/nims.6410

## First published url

https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-160.html

## Date published

2026-01-25

## Recorded date published



## Resource type

journal_article

## Manuscript type

accepted_manuscript

## Collection



## Title

- title: 耐圧1.7 kV超のノーマリーオフ型ホウ素ドープダイヤモンド金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ
  title_type: original
  lang: ja

## Description

- description: ホウ素ドープダイヤモンド金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、厚さ150 nmのエピタキシャル層上に作製された。しきい値電圧は−8.0 Vと測定され、ノーマリーオフ動作を示すことが確認された。さらに、本MOSFETの絶対破壊電圧および破壊電界は、それぞれ1718 Vおよび1.52 MV/cmであることが明らかとなった。
  description_type: abstract
  lang: jpn

## Creator

- name: 劉 江偉
  role: author
  orcid: https://orcid.org/0000-0003-2580-7401
  organization: 物質・材料研究機構
  department: 電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ
- name: 寺地 徳之
  role: author
  orcid: https://orcid.org/0000-0002-7731-0547
  organization: 物質・材料研究機構
  department: 電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ
- name: 達 博
  role: author
  orcid: https://orcid.org/0000-0002-0785-8662
  organization: 物質・材料研究機構
  department: マテリアル基盤研究センター/先端解析分野/量子ビーム回折グループ
- name: 小出　康夫
  role: author
  organization: 名城大学

## Contact agent



## Publisher

organization: 一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム

## Managing organization



## Keyword

- subject: diamond
  schema: not_defined

## Rights

- identifier: http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/

## Other identifier(s)



## Data origin

- data_origin_type: other

## Embargo



## Journal

- title: NEW DIAMOND
  issn: '13404792'
  volume: '42'
  issue: '1'

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