眞榮 力
(電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ, 物質・材料研究機構
)
;
増山雄太
(量研機構)
;
宮川 仁
(ナノアーキテクトニクス材料研究センター/ナノ材料分野/超高圧構造制御グループ, 物質・材料研究機構)
;
阿部浩之
(量研機構)
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石井秀弥
(量研機構)
;
佐伯誠一
(量研機構)
;
小野田忍
(量研機構)
;
谷口 尚
(ナノアーキテクトニクス材料研究センター/ナノ材料分野/超高圧構造制御グループ, 物質・材料研究機構)
;
大島武
(量研機構)
;
寺地 徳之
(電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体欠陥制御グループ, 物質・材料研究機構)
コレクション
引用
説明:
(abstract)ダイヤモンド中の負電荷NV センタ（NV－センタ）が有する電子スピンは室温動作可能な固体量子系として期待される．特に，NV－センタを用いた弱磁界センシングが近年実証されている．弱磁界センシングの感度を向上させるために，NV－センタを増やすとともにNV－センタのT2 を伸ばすことが要求される．本投稿では量子系の性能指数の一つであるスピンコヒーレンス時間T2 に着目した．これまでに，T2 を律速する常磁性欠陥としてNs0 のみが実験実証されてきた．本研究で，我々はNV－濃度の増加とともに，NV－センタどうしの磁気双極子双極子相互作用によるT2の減少を観測した．この結果からNV－センタどうしの磁気双極子双極子相互作用強度DNV－を実験的に決定することに成功した．
権利情報:
キーワード: NVセンター, ダイヤモンド, 量子センシング
刊行年月日: 2023-07-01
出版者: ニューダイヤモンドフォーラム
掲載誌:
- NEW DIAMOND 誌 vol. 39 issue. 3 p. 12-18
研究助成金:
- 文部科学省 JPMXS0118068379, JPMXS0118067395 (Q-LEAP)
- 科学技術振興機構 JPMJCR 1773 (CREST)
- 科学技術振興機構 JPMJMS2062 (ムーンショット型研究開発事業 )
- 総務省 JP MI00316 (グローバル量子暗号通信網構築のための研究開発)
- 日本学術振興会 20H 02187, 20H05661 (科学研究費補助金)
原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.4842
公開URL: https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-150.html
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2024-10-13 08:30:13 +0900
MDRでの公開時刻: 2024-10-13 08:30:15 +0900
| ファイル名 | サイズ | |||
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| ファイル名 |
JNDF_科学解説_講演賞受賞記念_cshinei_share_ver.2_寺地01_履歴無し.pdf
(サムネイル)
application/pdf |
サイズ | 1.51MB | 詳細 |